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晶闸管界面模块控制器输入设备旋钮和转盘硬件开关继电器气体放电管 - GDT 压敏电阻浪涌抑制器罩类、盒类及壳类产品端子白炽灯和支架电容器电阻器电感器、扼流圈与线圈音频信号变压器电池电池充电器函数发生器与合成器示波器环境检测设备面板表万用表与电压表温度保险丝散热片防静电控制产品工具扁平电缆同轴电缆连接线电线与电缆管理 ESD 抑制器 TVS 二极管电机与驱动器未分类连接器模块式连接器/以太网连接器化学物质胶带线性位移传感器流量传感器液位传感器传感器硬件与配件存储箱与外壳 EMI 滤波器 EMI 抑制电容触摸传感器汽车连接器 I O 连接器 IC 与器件插座编码器存储器 IC 无线与射频模块台式电源交流电源线电源管理 IC 直流电源连接器交流电源输入模块压敏电阻热敏电阻 - NTC 热敏电阻器断路器编码器磁性传感器运动与定位传感器光学传感器压力传感器激光背光元器件开发软件显示器集成电路 - IC 光学探测器和传感器显示模块光纤红外线数据通信超级电容器以太网和通信模块光耦合器光电耦合器频率控制器和定时装置导热接口产品照明连接器圆形连接器音频与视频连接器热敏电阻 - PTC 太阳能连接器光伏连接器温度保险丝电流传感器温度传感器近程传感器 LED保护设备接线端子测试设备配件音频视频测试设备校验设备数据记录与采集光纤测试频率计数器 LAN 电信电缆测试 RF 测试设备电池测试机十进盒元件测试仪绝缘测试器兆欧计驱动器 USB连接器 IEEE 1394连接器射频互连信号调节工程工具音频模块 LED 照明开发工具视频模块传感器模块传感器开发工具能量采集模块电源管理IC开发工具电源管理模块变压器 LED发射器散热排 - LED 热基质 - MCPCB 天线射频无线开发工具模块配件衰减器 -互连测试设备电源线无线和射频半导体音频传感器数据转换模块其他模块电源排插 D-Sub连接器热成像摄像机多芯电缆存储器模块和存储卡电位器、微调器和变阻器液体分配器和瓶子嵌入式处理器和控制器交流电源插头和插座数据总线元器件接线系统温度传感器光学开关 FFC FPC跳线电缆编码器计算电路保护套件分立半导体音频设备环境传感器保险丝座断路器与附件热敏电阻器风扇与鼓风机电源功率调节光纤标准电气架类及柜类产品热电组件 Peltier热电模块电源连接器背板连接器卡缘连接器存储器连接器 FFC FPC 板对板与夹层连接器集管和线壳管脚和插座连接器 I O 模块打印机原型产品焊接工业继电器与电磁阀工业电源工业传感器工业开关工业接线端子块 LED灯泡与模块 LED照明电子器件 LED照明机械器件 LED照明光学器件 LED指示元件分析仪保险丝源测量单元—SMU 校准、保修与服务计划电缆组件自恢复保险丝—PPTC 逆变器 DC/DC转换器光纤连接器计时器计数器和转速计计数器和转速计计时器生物计量传感器标签和工业警告标志军用规格/军用类型电池座、卡扣和接头模拟与数字IC开发工具通信开发工具显示开发工具存储器 IC 开发工具可编程逻辑 IC 开发工具安全/ 验证开发工具嵌入式处理器开发套件嵌入式工具与配件光电开发工具传感器开发工具光纤开发工具力传感器与测压元件配件 LED发射器照明连接器铁氧体软件太阳能板和太阳能电池存储器存储器 IC 相机和配件滤波器直流电源线操纵杆

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Bourns Central Semiconductor Diodes Incorporated GeneSiC Semiconductor Infineon IXYS Kyocera Littelfuse Microchip Rectron Renesas Electronics Schneider Electric Sensata Shindengen STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Vishay WeEn Semiconductors Yageo

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型号/料号	品牌/制造商	类目	参数	说明
B2050CCLRP	Littelfuse	晶闸管	商标名:SIDACtor; 子类别:Thyristors; 标准包装数量:2500; 产品类型:TSPDs; 商标:Littelfuse; 系列:Bxxx0c_; 电流额定值:5 A; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DO-214AA; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 保持电流Ih最大值:5 mA; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse;	晶闸管浪涌保护器件 (TSPD) 5mA 500A Single Positive
BT169HML	WeEn Semiconductors	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:10000; 产品类型:SCRs; 商标:WeEn Semiconductors; 封装:Ammo Pack; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; 制造商:WeEn Semiconductors;	SCR SCR
OT409,135	WeEn Semiconductors	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:4000; 产品类型:Triacs; 商标:WeEn Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:WeEn Semiconductors;	双向可控硅 OT409/SOT223/REELLG/
BT169H/01U	WeEn Semiconductors	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:5000; 产品类型:SCRs; 不重复通态电流:10 A; 商标:WeEn Semiconductors; 封装 / 箱体:SOT-54-3; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 125 C; 保持电流Ih最大值:3 mA; 栅极触发电流-Igt:50 uA; 栅极触发电压-Vgt:0.5 V; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 开启状态RMS电流 - It RMS:0.8 A; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:0.05 mA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:800 V; RoHS:Y; 制造商:WeEn Semiconductors;	SCR BT169H/01/TO-92/STANDARD MARKI
BT169D-L,116	WeEn Semiconductors	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:10000; 产品类型:SCRs; 不重复通态电流:9 A; 商标:WeEn Semiconductors; 宽度:4.8 mm; 类型:Silicon Controlled Rectifier; 工作温度范围:-; 关闭状态电容 CO:-; 长度:5.2 mm; 高度:4.2 mm; 特点:Planar Passivated; 电流额定值:50 nA; 转折电流 VBO:-; 应用:-; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 150 C; 保持电流Ih最大值:1 mA; 栅极触发电流-Igt:50 uA; 栅极触发电压-Vgt:500 mV; 最大栅极峰值反向电压:5 V; Vf - 正向电压:-; 开启状态RMS电流 - It RMS:800 mA; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:2 uA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:400 V; 最大转折电流 IBO:-; RoHS:Y; 制造商:WeEn Semiconductors;	SCR Silicon Controlled Rectifier
EC103D1,116	WeEn Semiconductors	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:10000; 产品类型:SCRs; 不重复通态电流:8 A; 商标:WeEn Semiconductors; 类型:SCRs; 电流额定值:500 mA; 封装 / 箱体:SOT-54-3; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 125 C; 保持电流Ih最大值:5 mA; 栅极触发电流-Igt:3 uA; 栅极触发电压-Vgt:0.5 V; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 开启状态RMS电流 - It RMS:0.8 A; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:0.05 mA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:400 V; RoHS:Y; 制造商:WeEn Semiconductors;	SCR TAPE SCR
Z0107MA,412	WeEn Semiconductors	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:5000; 产品类型:Triacs; 商标:WeEn Semiconductors; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 125 C; 栅极触发电流-Igt:7 mA; 栅极触发电压-Vgt:1 V; 保持电流Ih最大值:10 mA; 开启状态电压:1.3 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:0.5 mA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V; 不重复通态电流:8.5 A; 开启状态RMS电流 - It RMS:1 A; RoHS:Y; 制造商:WeEn Semiconductors;	双向可控硅 BULKSL TRIAC
P0102DA 2AL3	STMicroelectronics	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:2000; 产品类型:SCRs; 商标:STMicroelectronics; 宽度:3.7 mm; 长度:4.7 mm; 高度:4.4 mm; 电流额定值:500 mA; 封装:Ammo Pack; 封装 / 箱体:TO-92-3 (TO-226-3); 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 保持电流Ih最大值:5 mA; 栅极触发电流-Igt:200 uA; 栅极触发电压-Vgt:800 mV; 最大栅极峰值反向电压:8 V; Vf - 正向电压:1.93 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:1 uA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:400 V; 系列:P0102DA; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics;	SCR 0.8A SCRS
Z0103MA,412	WeEn Semiconductors	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:5000; 产品类型:Triacs; 商标:WeEn Semiconductors; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 125 C; 栅极触发电流-Igt:5 mA; 栅极触发电压-Vgt:1 V; 保持电流Ih最大值:7 mA; 开启状态电压:1.3 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:0.5 mA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V; 不重复通态电流:8.5 A; 开启状态RMS电流 - It RMS:1 A; RoHS:Y; 制造商:WeEn Semiconductors;	双向可控硅 BULKSL TRIAC
BT149G,412	WeEn Semiconductors	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:5000; 产品类型:SCRs; 不重复通态电流:9 A; 商标:WeEn Semiconductors; 类型:SCRs; 电流额定值:500 mA; 封装 / 箱体:TO-92-3 (TO-226-3); 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 125 C; 保持电流Ih最大值:5 mA; 栅极触发电流-Igt:50 uA; 栅极触发电压-Vgt:0.5 V; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 开启状态RMS电流 - It RMS:0.8 A; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:0.05 mA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V; RoHS:Y; 制造商:WeEn Semiconductors;	SCR BULKSL TRIAC
MAC97A8,116	WeEn Semiconductors	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:10000; 产品类型:Triacs; 商标:WeEn Semiconductors; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 125 C; 栅极触发电流-Igt:4 mA; 栅极触发电压-Vgt:0.9 V; 保持电流Ih最大值:10 mA; 开启状态电压:1.4 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:3 uA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V; 不重复通态电流:8.8 A; 开启状态RMS电流 - It RMS:0.6 A; RoHS:Y; 制造商:WeEn Semiconductors;	双向可控硅 TAPERA TRIAC
P0109DA 5AL3	STMicroelectronics	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:2000; 产品类型:SCRs; 商标:STMicroelectronics; 宽度:3.7 mm; 类型:SCR; 长度:4.7 mm; 高度:4.4 mm; 电流额定值:500 mA; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TO-92-3 (TO-226-3); 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 保持电流Ih最大值:5 mA; 栅极触发电流-Igt:200 uA; 栅极触发电压-Vgt:800 mV; 最大栅极峰值反向电压:8 V; Vf - 正向电压:1.93 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:1 uA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:400 V; 系列:P0109DA; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics;	SCR 0.8A SENSITIVE GATE SCR
BT131-600E,412	WeEn Semiconductors	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:5000; 产品类型:Triacs; 商标:WeEn Semiconductors; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 125 C; 栅极触发电流-Igt:10 mA; 栅极触发电压-Vgt:0.7 V; 保持电流Ih最大值:10 mA; 开启状态电压:1.2 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:0.1 mA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V; 不重复通态电流:13.7 A; 开启状态RMS电流 - It RMS:1 A; RoHS:Y; 制造商:WeEn Semiconductors;	双向可控硅 TRIAC
BT131-600D,412	WeEn Semiconductors	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:5000; 产品类型:Triacs; 商标:WeEn Semiconductors; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 125 C; 栅极触发电流-Igt:7 mA; 栅极触发电压-Vgt:0.7 V; 保持电流Ih最大值:10 mA; 开启状态电压:1.2 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:0.1 mA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V; 不重复通态电流:13.7 A; 开启状态RMS电流 - It RMS:1 A; RoHS:Y; 制造商:WeEn Semiconductors;	双向可控硅 600V 1A
P0102DA 5AL3	STMicroelectronics	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:2000; 产品类型:SCRs; 不重复通态电流:8 A; 商标:STMicroelectronics; 类型:0.8 A SCRs; 电流额定值:850 mA; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TO-92-3 (TO-226-3); 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 保持电流Ih最大值:5 mA; 栅极触发电流-Igt:0.2 mA; 栅极触发电压-Vgt:800 mV; 最大栅极峰值反向电压:8 V; Vf - 正向电压:1.93 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:100 uA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:400 V; 系列:P0102DA; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics;	SCR 0.8 Amp 400 Volt
BT131-800E,412	WeEn Semiconductors	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:5000; 产品类型:Triacs; 商标:WeEn Semiconductors; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 125 C; 栅极触发电流-Igt:10 mA; 栅极触发电压-Vgt:0.7 V; 保持电流Ih最大值:10 mA; 开启状态电压:1.2 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:0.1 mA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:800 V; 不重复通态电流:13.7 A; 开启状态RMS电流 - It RMS:1 A; RoHS:Y; 制造商:WeEn Semiconductors;	双向可控硅 TRIAC
BT1308W-400D,115	WeEn Semiconductors	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Triacs; 商标:WeEn Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SC-73-4; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 栅极触发电流-Igt:4 mA; 栅极触发电压-Vgt:0.9 V; 保持电流Ih最大值:10 mA; 开启状态电压:1.35 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:0.1 mA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:400 V; 不重复通态电流:10 A; 开启状态RMS电流 - It RMS:0.8 A; RoHS:Y; 制造商:WeEn Semiconductors;	双向可控硅 Thyristor TRIAC 400V 10A 4-Pin (3+Tab)
BT131-800D,112	WeEn Semiconductors	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:5000; 产品类型:Triacs; 商标:WeEn Semiconductors; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 栅极触发电流-Igt:7 mA; 栅极触发电压-Vgt:700 mV; 保持电流Ih最大值:10 mA; 开启状态电压:1.2 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:100 uA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:800 V; 不重复通态电流:13.7 A; 开启状态RMS电流 - It RMS:1 A; RoHS:Y; 制造商:WeEn Semiconductors;	双向可控硅 Thyristor TRIAC 800V 13.7A 3-Pin
N0118GA,412	WeEn Semiconductors	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:5000; 产品类型:SCRs; 不重复通态电流:9 A; 商标:WeEn Semiconductors; 封装 / 箱体:SOT-54-3; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 125 C; 保持电流Ih最大值:5 mA; 栅极触发电流-Igt:7 uA; 栅极触发电压-Vgt:0.8 V; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 开启状态RMS电流 - It RMS:0.8 A; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:10 uA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V; RoHS:Y; 制造商:WeEn Semiconductors;	SCR SCR
Z0109MN 5AA4	STMicroelectronics	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Triacs; 商标:STMicroelectronics; 电流额定值:1 A; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOT-223; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 栅极触发电流-Igt:10 mA; 栅极触发电压-Vgt:1.3 V; 保持电流Ih最大值:10 mA; 开启状态电压:1.56 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V; 不重复通态电流:8.5 A; 系列:Z01; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics;	双向可控硅 1.0 Amp 600 Volt
BT138-600,127	WeEn Semiconductors	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Triacs; 商标:WeEn Semiconductors; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 栅极触发电流-Igt:22 mA; 栅极触发电压-Vgt:700 mV; 保持电流Ih最大值:30 mA; 开启状态电压:1.4 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:100 uA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V; 不重复通态电流:95 A; 开启状态RMS电流 - It RMS:12 A; RoHS:Y; 制造商:WeEn Semiconductors;	双向可控硅 RAIL TRIAC
TISP4015L1AJR-S	Bourns	晶闸管	商标名:TISP; 子类别:Thyristors; 标准包装数量:5000; 产品类型:TSPDs; 开启状态RMS电流 - It RMS:-; 商标:Bourns; 系列:TISP40xxL1AJ/BJ; 电流额定值:5 A; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; 关闭状态电容 CO:23 pF to 28 pF; 保持电流Ih最大值:50 mA; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:8 V; 不重复通态电流:20 A, 22 A; 最大转折电流 IBO:800 mA; 转折电流 VBO:15 V; RoHS:E; 制造商:Bourns;	晶闸管浪涌保护器件 (TSPD) Very Low Voltage Bidirectional
MMIX1H60N150V1	IXYS	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:20; 产品类型:SCRs; 不重复通态电流:32 kA; 商标:IXYS; 宽度:19.3 mm; 关闭状态电容 CO:340 pF; 长度:25.25 mm; 高度:5.7 mm; 转折电流 VBO:4.8 V; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SMPD-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 保持电流Ih最大值:350 A; Vf - 正向电压:1.8 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:15 uA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.5 kV; RoHS:Y; 制造商:IXYS;	SCR DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD
TN1205T-600B-TR	STMicroelectronics	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:2500; 产品类型:SCRs; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DPAK-2 (TO-252-2); 安装风格:SMD/SMT; 保持电流Ih最大值:15 mA; 栅极触发电流-Igt:5 mA; 栅极触发电压-Vgt:1.3 V; 开启状态RMS电流 - It RMS:12 A; 系列:TN1205T-600; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics;	SCR Snubberless Logic Standard 8A Triac
T1235-800G-TR	STMicroelectronics	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Triacs; 商标:STMicroelectronics; 电流额定值:12 A; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:D2PAK; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 栅极触发电流-Igt:35 mA; 栅极触发电压-Vgt:1.3 V; 保持电流Ih最大值:35 mA; 开启状态电压:1.55 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:800 V; 不重复通态电流:126 A; 系列:T1235; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics;	双向可控硅 12 Amp 800 Volt
BTA204S-800E,118	WeEn Semiconductors	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:2500; 产品类型:Triacs; 商标:WeEn Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 栅极触发电流-Igt:10 mA; 栅极触发电压-Vgt:0.7 V; 保持电流Ih最大值:12 mA; 开启状态电压:1.4 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:0.1 mA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:800 V; 不重复通态电流:27 A; 开启状态RMS电流 - It RMS:4 A; RoHS:Y; 制造商:WeEn Semiconductors;	双向可控硅 THYR AND TRIACS
T2550-12I	STMicroelectronics	晶闸管	商标名:Snubberless; 子类别:Thyristors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Triacs; 商标:STMicroelectronics; 工作温度范围:- 40 C to + 125 C; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 栅极触发电流-Igt:50 mA; 栅极触发电压-Vgt:1.3 V; 保持电流Ih最大值:60 mA; 开启状态电压:1.55 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:10 uA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.2 kV; 不重复通态电流:252 A; 开启状态RMS电流 - It RMS:25 A; 系列:T2550-12I; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics;	双向可控硅 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
T810-600G-TR	STMicroelectronics	晶闸管	商标名:Snubberless; 子类别:Thyristors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Triacs; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:D2PAK; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 栅极触发电流-Igt:10 mA; 栅极触发电压-Vgt:1.3 V; 保持电流Ih最大值:15 mA; 开启状态电压:1.55 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V; 不重复通态电流:84 A; 开启状态RMS电流 - It RMS:8 A; 系列:T810; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics;	双向可控硅 8.0 Amp 600 Volt
BTA330Y-800BTQ	WeEn Semiconductors	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Triacs; 商标:WeEn Semiconductors; 封装:Tube; RoHS:E; 制造商:WeEn Semiconductors;	双向可控硅 3Q Hi-Com Triac
TXN625RG	STMicroelectronics	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:1000; 产品类型:SCRs; 商标:STMicroelectronics; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 保持电流Ih最大值:50 mA; 栅极触发电流-Igt:40 mA; 栅极触发电压-Vgt:1.3 V; 开启状态RMS电流 - It RMS:25 A; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V; 系列:TXN625; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics;	SCR Standard 25A 600V 40 mA TO-220AB SCR
TISP6NTP2CDR-S	Bourns	晶闸管	商标名:TISP; 子类别:Thyristors; 标准包装数量:2500; 产品类型:SCRs; 不重复通态电流:7 A; 商标:Bourns; 宽度:4 mm; 类型:Quad Forward Conducting P-Gate Thyristors; 长度:5 mm; 高度:1.55 mm; 电流额定值:5 uA; 转折电流 VBO:- 112 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 保持电流Ih最大值:- 150 mA; 栅极触发电流-Igt:5 mA; 栅极触发电压-Vgt:2.5 V; Vf - 正向电压:3 V; 开启状态RMS电流 - It RMS:-; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:- 170 V; 最大转折电流 IBO:7 A; 系列:TISP6NTP2C; RoHS:Y; 制造商:Bourns;	SCR Quad Buffered PGate Forward Conducting
BTA225B-800B,118	WeEn Semiconductors	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:800; 产品类型:Triacs; 商标:WeEn Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOT-404-3; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 栅极触发电流-Igt:34 mA; 栅极触发电压-Vgt:0.7 V; 保持电流Ih最大值:60 mA; 开启状态电压:1.3 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:0.1 mA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:800 V; 不重复通态电流:209 A; 开启状态RMS电流 - It RMS:25 A; RoHS:Y; 制造商:WeEn Semiconductors;	双向可控硅 800V 25A
VS-70TPS12PBF	Vishay	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:500; 产品类型:SCRs; 不重复通态电流:1400 A; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:5.5 mm; 类型:SCRs; 长度:16.1 mm; 高度:20.8 mm; 电流额定值:70 A; 封装:Tube; 封装 / 箱体:Super-247; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 保持电流Ih最大值:200 mA; 栅极触发电流-Igt:100 mA; 栅极触发电压-Vgt:1.5 V; 最大栅极峰值反向电压:10 V; Vf - 正向电压:1.4 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:1 mA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.2 kV; 最大转折电流 IBO:1.4 kA; RoHS:E; 制造商:Vishay;	SCR 1200 Volt 75 Amp
BT139-600-0Q	WeEn Semiconductors	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Triacs; 商标:WeEn Semiconductors; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 栅极触发电流-Igt:22 mA; 栅极触发电压-Vgt:0.7 V; 保持电流Ih最大值:45 mA; 开启状态电压:1.2 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:-; 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V; 不重复通态电流:155 A; 开启状态RMS电流 - It RMS:16 A; RoHS:E; 制造商:WeEn Semiconductors;	双向可控硅 BT139-600-0/SIL3P/STANDARD MAR
TISP4040L1AJR-S	Bourns	晶闸管	商标名:TISP; 子类别:Thyristors; 标准包装数量:5000; 产品类型:TSPDs; 开启状态RMS电流 - It RMS:-; 商标:Bourns; 系列:TISP40xxL1AJ/BJ; 电流额定值:5 A; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; 关闭状态电容 CO:18 pF to 23 pF; 保持电流Ih最大值:50 mA; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V; 不重复通态电流:20 A, 22 A; 最大转折电流 IBO:800 mA; 转折电流 VBO:40 V; RoHS:E; 制造商:Bourns;	晶闸管浪涌保护器件 (TSPD) Very Low Voltage Bidirectional
T1250-600G-TR	STMicroelectronics	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Triacs; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:D2PAK; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 栅极触发电流-Igt:50 mA; 栅极触发电压-Vgt:1.3 V; 保持电流Ih最大值:50 mA; 开启状态电压:1.55 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V; 不重复通态电流:126 A; 系列:T1250; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics;	双向可控硅 25A Std Snuberless Traics
T3050H-6I	STMicroelectronics	晶闸管	商标名:Snubberless; 子类别:Thyristors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Triacs; 商标:STMicroelectronics; 电流额定值:30 A; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 栅极触发电流-Igt:50 mA; 栅极触发电压-Vgt:1 V; 保持电流Ih最大值:75 mA; 开启状态RMS电流 - It RMS:30 A; 系列:T3050H; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics;	双向可控硅 SNUBBERLESS 30 A TRIACS
MCR716T4G	Littelfuse	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:2500; 产品类型:SCRs; 不重复通态电流:25 A; 商标:Littelfuse; 宽度:6.22 mm; 类型:SCR; 长度:6.73 mm; 高度:2.38 mm; 电流额定值:2.6 A; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DPAK-2 (TO-252-2); 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 110 C; 最小工作温度:- 40 C; 保持电流Ih最大值:1 mA; 栅极触发电流-Igt:25 uA; 栅极触发电压-Vgt:500 mV; 最大栅极峰值反向电压:18 V; Vf - 正向电压:1.3 V; 开启状态RMS电流 - It RMS:4 A; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:10 uA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:400 V; 最大转折电流 IBO:25 A; 系列:MCR716; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse;	SCR 400V 4A
P4802SCLRP	Littelfuse	晶闸管	商标名:SIDACtor; 子类别:Thyristors; 标准包装数量:2500; 产品类型:TSPDs; 商标:Littelfuse; 系列:pxxx2s_; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DO-214AA; 安装风格:SMD/SMT; 保持电流Ih最大值:120 mA; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse;	晶闸管浪涌保护器件 (TSPD) 500A 440V Opt 440/600 RTG C
BTA06-800BWRG	STMicroelectronics	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Triacs; 商标:STMicroelectronics; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 栅极触发电流-Igt:50 mA; 栅极触发电压-Vgt:1.3 V; 保持电流Ih最大值:50 mA; 开启状态电压:1.55 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:800 V; 不重复通态电流:63 A; 系列:BTA06; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics;	双向可控硅 6A TRIACS
S4025LTP	Littelfuse	晶闸管	商标名:Teccor; 子类别:Thyristors; 标准包装数量:500; 产品类型:SCRs; 商标:Littelfuse; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TO-220-2; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:10 uA; 系列:Sxx25x; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse;	SCR 400V 25A SCR TO220 ISO
BTA208S-800E,118	WeEn Semiconductors	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:2500; 产品类型:Triacs; 商标:WeEn Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 栅极触发电流-Igt:10 mA; 栅极触发电压-Vgt:0.7 V; 保持电流Ih最大值:25 mA; 开启状态电压:1.65 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:0.5 mA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:800 V; 不重复通态电流:72 A; 开启状态RMS电流 - It RMS:8 A; RoHS:Y; 制造商:WeEn Semiconductors;	双向可控硅 THYR AND TRIACS
Z0107NN,135	WeEn Semiconductors	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:4000; 产品类型:Triacs; 商标:WeEn Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOT-223-4; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 栅极触发电流-Igt:7 mA; 栅极触发电压-Vgt:1 V; 保持电流Ih最大值:10 mA; 开启状态电压:1.3 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:0.5 mA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:800 V; 不重复通态电流:8.5 A; 开启状态RMS电流 - It RMS:1 A; RoHS:Y; 制造商:WeEn Semiconductors;	双向可控硅 TAPE13 TRIAC
BT139-800G,127	WeEn Semiconductors	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Triacs; 商标:WeEn Semiconductors; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 125 C; 栅极触发电流-Igt:22 mA; 栅极触发电压-Vgt:0.7 V; 保持电流Ih最大值:60 mA; 开启状态电压:1.2 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:0.1 mA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:800 V; 不重复通态电流:170 A; 开启状态RMS电流 - It RMS:16 A; RoHS:Y; 制造商:WeEn Semiconductors;	双向可控硅 RAIL TRIAC
T835H-6G-TR	STMicroelectronics	晶闸管	商标名:Snubberless; 子类别:Thyristors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Triacs; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:D2PAK; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 栅极触发电流-Igt:35 mA; 栅极触发电压-Vgt:1 V; 保持电流Ih最大值:35 mA; 开启状态电压:1.5 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V; 不重复通态电流:84 A; 系列:T835H; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics;	双向可控硅 Hi temp 8A 双向可控硅
BT139-800,127	WeEn Semiconductors	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Triacs; 商标:WeEn Semiconductors; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 125 C; 栅极触发电流-Igt:22 mA; 栅极触发电压-Vgt:0.7 V; 保持电流Ih最大值:45 mA; 开启状态电压:1.2 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:0.1 mA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:800 V; 不重复通态电流:170 A; 开启状态RMS电流 - It RMS:16 A; RoHS:Y; 制造商:WeEn Semiconductors;	双向可控硅 RAIL TRIAC
BT139X-800,127	WeEn Semiconductors	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Triacs; 商标:WeEn Semiconductors; 封装 / 箱体:TO-220F-3; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 125 C; 栅极触发电流-Igt:22 mA; 栅极触发电压-Vgt:0.7 V; 保持电流Ih最大值:45 mA; 开启状态电压:1.2 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:0.1 mA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:800 V; 不重复通态电流:170 A; 开启状态RMS电流 - It RMS:16 A; RoHS:Y; 制造商:WeEn Semiconductors;	双向可控硅 RAIL TRIAC
TISP4350J3BJR-S	Bourns	晶闸管	商标名:TISP; 子类别:Thyristors; 标准包装数量:3000; 产品类型:TSPDs; 商标:Bourns; 系列:TISP4xxxJ3BJ; 电流额定值:5 A; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DO-214AA-2; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 关闭状态电容 CO:35 pF to 105 pF; 保持电流Ih最大值:600 mA; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:275 V; 不重复通态电流:50 A; 最大转折电流 IBO:600 mA; 转折电流 VBO:350 V; RoHS:Y; 制造商:Bourns;	晶闸管浪涌保护器件 (TSPD) PROTECTOR - SINGLE BIDIRECTIONAL
IXHH40N150HV	IXYS	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:30; 产品类型:SCRs; 商标:IXYS; 封装:Tube; RoHS:Y; 制造商:IXYS;	SCR DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE
BTA312B-600D,118	WeEn Semiconductors	晶闸管	子类别:Thyristors; 标准包装数量:800; 产品类型:Triacs; 商标:WeEn Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:D2PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 栅极触发电流-Igt:5 mA; 栅极触发电压-Vgt:700 mV; 保持电流Ih最大值:10 mA; 开启状态电压:1.3 V; 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:100 uA; 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V; 不重复通态电流:105 A; 开启状态RMS电流 - It RMS:12 A; RoHS:Y; 制造商:WeEn Semiconductors;	双向可控硅 Thyristor TRIAC 600V 105A 3-Pin (2+Tab)