| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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NSVF5490SKT3G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:100 mW; 最大直流电集电极电流:30 mA; 商标:ON Semiconductor; 工作频率:8 GHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 封装 / 箱体:SOT-623-3; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:30 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:10 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:90; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
射频(RF)双极晶体管 RF-TR 10V 30MA FT |
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NSVF5488SKT3G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:100 mW; 最大直流电集电极电流:70 mA; 商标:ON Semiconductor; 工作频率:7 GHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 封装 / 箱体:SOT-623-3; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:70 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:10 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:90; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 70MA 10V F |
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QPC1217QTR13-5K |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.6 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:57 uA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:QPC1217Q; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 封装 / 箱体:DFN-10; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:18.5 dB; 介入损耗:0.79 dB; 工作频率:6 GHz; 开关配置:DPDT; 开关数量:Quad; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
RF 开关 IC DPDT GPIO (QM11022 AUTO) |
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QPF4200TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:29 dBm; OIP3 - 三阶截点:10 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:QPF4200EVB-01; 增益:33 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:320 mA; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:2.1 dB; 工作频率:2412 MHz to 2484 MHz; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 2.4GHz Wi-Fi FEM |
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QPF4228TR13-5K |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 增益:33 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:QPF4228; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电压:3.3 V; NF—噪声系数:2.2 dB; 工作频率:2412 MHz to 2484 MHz; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 2.4GHz Wi-Fi 6 Front End Module (11ax) |
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RFFM8528PTR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Front End; 最小工作温度:- 40 C; 增益:28 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大数据速率:6 Mb/s; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:328 mA; 工作电源电压:3.3 V; NF—噪声系数:2.5 dB; 工作频率:5 GHz; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 CPE 5GHz WiFi FEM(PA,SP2T, LNA=Vmode |
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QPF4206BTR13-5K |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:QPF4206BEVB01; 增益:33 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:QPF4206B; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:2.1 dB; 工作频率:2412 MHz to 2484 MHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 2.4GHz Wi-Fi Front End Module 11ax |
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QPF4530TR13-5K |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:20 dBm; OIP3 - 三阶截点:27 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:QPF4530PCK-01; 增益:15 dB, 30 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大数据速率:6 Mb/s; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:195 mA; 工作电源电压:3.3 V; NF—噪声系数:2 dB; 工作频率:5150 MHz to 5925 MHz; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 5GHz Wi-FI FEM |
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RLM-33+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:30 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:3000 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Limiter; 技术:Si; 系列:RLM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:6.35 mm x 7.87 mm x 4.06 mm; 工作频率:30 MHz to 3000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频无线杂项 LIMITER / SURF MOUNT / RoHS |
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QPA9908SR |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:- 20 dB; 开发套件:QPA9908EVB-01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:QPA9908; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:370 mA; OIP3 - 三阶截点:35.5 dBm; 测试频率:942 MHz; 工作电源电压:5 V; 增益:32.6 dB; 工作频率:925 MHz to 960 MHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:High Efficiency Amplifier; 封装 / 箱体:SMT-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 0.9-0.99 GHz PA |
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RLM-751-2WL+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; NF—噪声系数:3 MHz to 750 MHz; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:3 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:750 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Limiter; 技术:Si; 系列:RLM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:6.35 mm x 7.87 mm x 4.06 mm; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频无线杂项 LIMITER / SURF MOUNT / RoHS |
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RLM-33-2W+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:0.2 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:3000 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Limiter; 技术:Si; 系列:RLM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:6.35 mm x 7.87 mm x 4.06 mm; 工作频率:0.2 MHz to 3000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频无线杂项 LIMITER / SURF MOUNT / RoHS |
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RLM-521-2WL+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:0.5 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:520 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Limiter; 技术:Si; 系列:RLM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:6.35 mm x 7.87 mm x 4.06 mm; 工作频率:0.5 MHz to 520 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频无线杂项 LIMITER / SURF MOUNT / RoHS |
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RLM-63-2W+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:30 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:6000 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Limiter; 技术:Si; 系列:RLM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:6.35 mm x 7.87 mm x 4.06 mm; 工作频率:30 MHz to 6000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频无线杂项 LIMITER / SURF MOUNT / RoHS |
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RLM-23-1WL+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:100 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:2500 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Limiter; 技术:Si; 系列:RLM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:12.7 mm x 12.7 mm x 4.57 mm; 工作频率:100 MHz to 2500 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频无线杂项 LIMITER / SURF MOUNT / RoHS |
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RLM-43-5W+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:20 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:4000 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Limiter; 技术:Si; 系列:RLM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:6.35 mm x 7.87 mm x 4.06 mm; 工作频率:20 MHz to 4000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频无线杂项 LIMITER / SURF MOUNT / RoHS |
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CMD305P3 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:650 mW; 输入返回损失:15 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; NF—噪声系数:4 dB; 工作电源电压:3 V to 5.25 V; 增益:18 dB; 工作频率:6 GHz to 14 GHz; 技术:GaAs; 类型:Driver Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 6-16GHz Driver Amplifier in 3mm Plastic QFN |
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CMD318P3 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:390 mW; 输入返回损失:12 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:23 mA to 43 mA; NF—噪声系数:1.25 dB; 工作电源电压:2.5 V to 4.5 V; 增益:22 dB; 工作频率:5 GHz to 9 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 5-9 GHz Low Noise Amplifier |
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CMD316C3 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:900 mW; 输入返回损失:8 dB; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:100 mA; OIP3 - 三阶截点:25 dBm; NF—噪声系数:2 dB; 工作电源电压:3 V to 5 V; 增益:21 dB; P1dB - 压缩点:15 dBm; 工作频率:6 GHz to 20 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 6 - 20 GHz Low Noise Amplifier |
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CMD309P4 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:380 mW; 输入返回损失:13 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:30 mA to 60 mA; NF—噪声系数:1.4 dB; 工作电源电压:3 V to 5 V; 增益:27 dB; 工作频率:5 GHz to 11 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 5 - 11 GHz Low Noise Amplifier |
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CMD196C3 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 介入损耗:1.8 dB; 工作频率:DC to 18 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
RF 开关 IC DC - 20 GHz High Isolation SPDT Switch |
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QPA2611 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:11 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:12 dB; 开发套件:QPA2611EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 系列:QPA2611; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:105 mA; 工作电源电压:24 V; 增益:35.5 dB; 工作频率:8 GHz to 12 GHz; 技术:GaN; 类型:5 W X-Band Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 8-12 GHz 5W PA |
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MAAL-011151-TR0100 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:42 dB; 输入返回损失:10 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:60 mA; 测试频率:10 GHz; NF—噪声系数:3.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:15 dB; P1dB - 压缩点:19 dB; 工作频率:2 GHz to 18 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise; 封装 / 箱体:PQFN-32; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 2-18GHz LNA |
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QPA2612 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:26.8 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:21 dB; 开发套件:QPA2612EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 系列:QPA2612; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:250 mA; 工作电源电压:24 V; 增益:34.2 dB; 工作频率:8 GHz to 12 GHz; 技术:GaN; 类型:12 W X-Band Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 8-12 GHz 12W PA |
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HMC521ACHIPS |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Mixer; 商标:Analog Devices / Linear Technology; 技术:GaAs; 封装:Gel Pack; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 GaAs IQ Mixer |
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QPA1017D |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:180 W; 输入返回损失:8 dB; 开发套件:QPA1017DEVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:1.5 A; 工作电源电压:24 V; 增益:28 dB; 工作频率:5.7 GHz to 7 GHz; 技术:GaN; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 5.7-7 GHz 50W GaN Power Amp |
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ESP8285H16 |
Espressif |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:L106 Diamond; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:160 MHz; 数据总线宽度:32 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SDIO, SPI, UART, WiFi; 商标:Espressif Systems; 宽度:5 mm; 技术:Si; 系列:ESP8285; 程序存储器类型:Flash; 长度:5 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:2 MB; 传输供电电流:197 mA; 接收供电电流:73 mA; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 灵敏度:- 70 dBm; 输出功率:19 dBm; 最大数据速率:72.2 Mb/s; 工作频率:2400 MHz to 2483.5 MHz; 核心:RISC; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Espressif; |
RF片上系统 - SoC 2MB SPI Flash Temp -40 +105C |
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DA14531-00000FX2 |
Dialog Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 输入/输出端数量:12 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Dialog Semiconductor; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:FCGQFN-24; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Dialog Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC Bluetooth Low Energy 5.1 SoC with integrated ARM Cortex M0+, memories and peripherals ? 12 GPIOs in FCGQFN24 and 0.4mm ball pitch package |
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ESP32-PICO-V3 |
Espressif |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 商标:Espressif Systems; 技术:Si; 系列:ESP32; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Espressif; |
RF片上系统 - SoC Module WiFi LGA Dual Core BT Combo |
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CC2652RB1FRGZR |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:31 I/O; 接口类型:I2C, I2S, SSI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-48; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:80 kB; 程序存储器大小:352 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4F; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU SimpleLink Arm Cortex -M4F multiprotocol 2.4 GHz crystal-less BAW wireless MCU 48-VQFN -40 to 85 |
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AWR1843ABGABLQ1 |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:176; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:AWR1843; ADC通道数量:6 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; ADC分辨率:10 bit; 输入/输出端数量:47 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:CAN, GPIO, I2C, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:2048 kB; 商标:Texas Instruments; 宽度:10.5 mm; 技术:Si; 长度:10.5 mm; 高度:0.8 mm; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 封装 / 箱体:FCBGA-161; 程序存储器大小:2 MB; 工作电源电压:1.2 V; 输出功率:12 dBm; 最大数据速率:65 Mb/s; 工作频率:76 GHz to 81 GHz; 核心:ARM Cortex R4F; 类型:Radar; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
RF片上系统 - SoC AWR1843 TRAY ES2 |
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LXTBKZMCMG-010 |
Murata |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RFID Transponders; 湿度敏感性:Yes; 商标:Murata Electronics; 技术:Si; 系列:LXTB; 产品:RFID Tags; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:6 mm x 2 mm x 2.3 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:865 MHz to 928 MHz; RoHS:Y; 制造商:Murata; |
RFID应答器 865/928MHz On-Metal UHF RAIN RFID Tag |
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nRF52833-QIAA-R |
Nordic Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Nordic Semiconductor; 技术:Si; 封装 / 箱体:AQFN-73; 类型:Bluetooth; 制造商:Nordic Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC BT 5.1 SOC Multiprotocol |
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HMC784AMS8GE |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MSOPG-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:28 dB; 介入损耗:0.7 dB; 工作频率:DC to 4 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC Switches |
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DA14531-00000OG2 |
Dialog Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 输入/输出端数量:12 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Dialog Semiconductor; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:WLCSP-17; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Dialog Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC Bluetooth Low Energy 5.1 SoC with integrated ARM Cortex M0+, memories and peripherals ? 6 GPIOs in WL-CSP17 and 0.5mm ball pitch package |
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CY8C6347BZI-BLD54 |
Cypress Semiconductor |
无线和射频半导体 |
商标名:PSoC 6; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:84 I/O; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CY8C63xx; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:BGA-124; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:150 MHz; 数据 RAM 大小:288 kB; 程序存储器大小:1024 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4F, ARM Cortex M0+; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
射频微控制器 - MCU PSoC6 |
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CC3235MODSF12MOBR |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:750; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:CC3235; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:4 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:27 I/O; 接口类型:I2C, Parallel, SD/MMC, SPI, UART; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 程序存储器类型:ROM; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFM-63; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:3.3 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:32.768 kHz; 数据 RAM 大小:256 kB; 程序存储器大小:32 Mbit; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz to 5 GHz; 核心:ARM Cortex M4; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU |
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STM32WB55VGY6TR |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
商标名:STM32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:1 x 32 bit, 5 x 16 bit; ADC通道数量:19 Channel; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:64 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:16 bit; 输入/输出端数量:72 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SAI, SPI, QSPI, UART, USART, USB; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:256 kB; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:STM32WB55VG; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:WLCSP-100; 程序存储器大小:1 MB; 工作电源电压:1.71 V to 3.6 V; 灵敏度:- 100 dBm, - 96 dBm; 输出功率:6 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.402 GHz to 2.48 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
RF片上系统 - SoC 16/32-BITS MICROS |
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nRF52833-QIAA-R7 |
Nordic Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:800; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Nordic Semiconductor; 技术:Si; 封装 / 箱体:AQFN-73; 类型:Bluetooth; 制造商:Nordic Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC BT 5.1 SOC Multiprotocol |
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IWR1843AQGABL |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:176; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; ADC通道数量:6; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:200 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:GPIO, I2C, SPI, UART; 商标:Texas Instruments; 宽度:10.4 mm; 技术:Si; 系列:mmWave; 长度:10.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FCBGA-161; 工作电源电压:1.2 V; 输出功率:12 dBm; 最大数据速率:900 Mb/s; 工作频率:60 GHz to 64 GHz; 核心:ARM Cortex R4F; 类型:Radar; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
RF片上系统 - SoC IWR1843 TRAY ES2 |
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CC2652P1FRGZR |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 定时器数量:4 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:26 I/O; 接口类型:I2C, I2S, SSI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC2652P; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-48; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:80 kB; 程序存储器大小:352 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4F; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU SimpleLink Arm Cortex-M4F multiprotocol 2.4 GHz wireless MCU with integrated power amplifier 48-VQFN -40 to 85 |
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SKY66404-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:6000; 产品类型:RF Front End; OIP3 - 三阶截点:17 dBm; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:SKY66404-11EK1; 增益:2.5 dB, 10 dB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY66404; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MCM-22; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; NF—噪声系数:2.5 dB; 工作频率:2.4 GHz to 2.4835 GHz; 类型:Front-End ICs; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 BLE Range Extender FEM 10dBm Dual ANT |
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HMC784AMS8GETR |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MSOPG-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:28 dB; 介入损耗:0.7 dB; 工作频率:DC to 4 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC Switches |
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nRF5340-QKAA-AB0-R7 |
Nordic Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:800; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:6 x 32 bit; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:32 MHz; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:48 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART, USB; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:64 kB, 512 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:nrf5340; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.77 mm; 封装 / 箱体:QFN-94; 程序存储器大小:256 kB, 1 MB; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 输出功率:3 dBm; 核心:ARM Cortex M33; 类型:Bluetooth, Zigbee; 制造商:Nordic Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC nRF5340 BLE 5.1 NFC Thread Zigbee |
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HMC560ALM3 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Mixer; P1dB - 压缩点:9 dBm, 11.5 dBm; OIP3 - 三阶截点:20 dBm, 19.5 dBm; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:HMC560G; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:CE-6-3; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 18 GHz; LO频率:22 GHz to 29 GHz, 29 GHz to 38 GHz; NF—噪声系数:10.5 dB, 11.5 dB; 转换损失——最大:15 dB; 射频:22 GHz to 29 GHz, 29 GHz to 38 GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 GaAs MMIC DBL-BAL mix SMT, 24 - 40 GHz |
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HMC6187LP4E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Analog VGA |
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HMC8411TCPZ-EP-PT |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.098 W; 输入返回损失:15 dB; 开发套件:EVAL-HMC8411; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:55 mA; OIP3 - 三阶截点:33 dBm; 测试频率:6 GHz to 10 GHz; NF—噪声系数:2 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:14 dB; P1dB - 压缩点:17 dBm; 工作频率:10 MHz to 10 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:LFCSP-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 DC - 8 GHz 15 dB Gain Ext Temp |
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ADPA9002ACGZN |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 DC - 10 GHz 2 Watt PA |
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CC2642R1TWFRTCRQ1 |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.63 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:CC2642R-Q1; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:31 I/O; 接口类型:GPIO, I2C, I2S, SSI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC2642R-Q1; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-48; 最大工作温度:+ 105 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.63 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:8 kB; 程序存储器大小:352 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4F; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU |
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MAAM-011275-DIE |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:15 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:200 mA; OIP3 - 三阶截点:33 dBm; 测试频率:40 GHz; NF—噪声系数:6.8 dB; 工作电源电压:3 V to 8 V; 增益:15 dB; P1dB - 压缩点:21 dBm; 工作频率:30 kHz to 40 GHz; 技术:Si; 类型:Wideband; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 |
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