| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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IAUA250N04S6N007AUMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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SISS50DN-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:72 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.7 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:46.7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.83 mOhms; Id-连续漏极电流:108 A; Vds-漏源极击穿电压:45 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8S; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK |
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SIHP186N60EF-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:80 ns; 典型关闭延迟时间:32 ns; 子类别:MOSFETs; 上升时间:27 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:44 ns; 商标:Vishay Semiconductors; 系列:EF; 配置:Single; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:65 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:225 mOhms; Id-连续漏极电流:18 A; Vds-漏源极击穿电压:500 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET Power MOSFET |
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SIHP105N60EF-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:20 ns; 典型关闭延迟时间:39 ns; 子类别:MOSFETs; 上升时间:28 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:19 ns; 商标:Vishay Semiconductors; 系列:EF; 配置:Single; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:208 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:35 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:88 mOhms; Id-连续漏极电流:29 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode |
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IDK20G120C5XTMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
商标名:CoolSiC; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:IDK20G120C5; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
肖特基二极管与整流器 SIC DISCRETE |
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FS75R12W2T7B11BOMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:15; 产品类型:IGBT Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; 制造商:Infineon; |
IGBT 模块 LOW POWER EASY |
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SIR150DP-T1-RE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:72 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.7 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:46.7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.71 mOhms; Id-连续漏极电流:110 A; Vds-漏源极击穿电压:45 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK |
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SBR10U45SP5Q-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :45 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.05 mA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:275 A; Vf - 正向电压:0.42 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:PowerDI5-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; 制造商:Diodes Incorporated; |
肖特基二极管与整流器 Super Barrier Rectif |
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NVMJS1D5N04CLTWG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:31 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:140 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9 ns; 正向跨导 - 最小值:256 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:110 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:70 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.4 mOhms; Id-连续漏极电流:200 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel |
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IAUC60N04S6N044ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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IAUC60N04S6L039ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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BSZ0905PNSATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 制造商:Infineon; |
MOSFET TRENCH <= 40V |
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PMEG050T150EIPDAZ |
Nexperia |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :50 V; trr - 反向恢复时间 :49 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:1.66 W; 商标:Nexperia; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:-; Ir - 反向电流 :14 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:130 A; Vf - 正向电压:510 mV; Vrrm - 重复反向电压:50 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:CFP15-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
肖特基二极管与整流器 PMEG050T150EIPD/SOT1289/CFP15 |
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IAUC80N04S6N036ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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IAUC80N04S6L032ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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IAUC100N04S6L025ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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IAUC100N04S6N028ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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SISS22LDN-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns, 25 ns; 典型关闭延迟时间:28 ns, 30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns, 70 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns, 10 ns; 正向跨导 - 最小值:57 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N - Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.7 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:17.4 nC, 37.3 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:3.65 mOhms; Id-连续漏极电流:92.5 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8S; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET N-CHANNEL 60V PowerPAK 1212-8S |
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SIZ260DT-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:20 ns; 典型关闭延迟时间:24 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:55 ns, 42 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:25 ns, 20 ns; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:33 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:13.1 nC, 13.3 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:0.0245 Ohms, 0.0247 Ohms; Id-连续漏极电流:24.7 A, 24.6 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAIR-3x3-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET DUAL N-CHANNEL 80-V PowerPAIR 3 x 3S |
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SIJ150DP-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:6 ns; 典型关闭延迟时间:6 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:15 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:30 ns; 正向跨导 - 最小值:72 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.7 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:46.7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.83 mOhms; Id-连续漏极电流:110 A; Vds-漏源极击穿电压:45 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK |
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SIZ240DT-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15 ns, 25 ns; 典型关闭延迟时间:23 ns, 25 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns, 55 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns, 10 ns; 正向跨导 - 最小值:39 S, 55 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:33 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:15.2 nC, 14.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:8 mOhms, 8.4 mOhms; Id-连续漏极电流:48 A, 47 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAIR 3 x 3S; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET DUAL N-CHANNEL Symm.PowerPAIR 3 x 3 |
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IAUC100N04S6N022ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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IAUC100N04S6L020ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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DMT8008LFG-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:6.9 ns; 典型关闭延迟时间:37 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:12 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:21 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:37.7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:6.9 mOhms; Id-连续漏极电流:48 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerDI3333-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V |
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SIHD6N80AE-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:16 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:20 ns; 正向跨导 - 最小值:1.9 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N - Channel; 系列:E; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:62.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:15 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:950 mOhms; Id-连续漏极电流:5 A; Vds-漏源极击穿电压:800 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET N-CHANNEL 800V DPAK (TO-252) |
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SISF04DN-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:21 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:115 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:69.4 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:40 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 12 V, 16 V; Rds On-漏源导通电阻:4 mOhms; Id-连续漏极电流:108 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F |
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SIHU6N80AE-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:16 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:20 ns; 正向跨导 - 最小值:1.9 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N - Channel; 系列:E; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:62.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:15 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:950 mOhms; Id-连续漏极电流:5 A; Vds-漏源极击穿电压:800 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-251; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET N-CHANNEL 800V IPAK (TO-251) |
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STPSC2H12B2Y-TR |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:STPSC2H12-Y; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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IAUC100N04S6N015ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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NTTFS1D2N02P1E |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:24.6 ns; 典型关闭延迟时间:38.5 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:13 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9.8 ns; 正向跨导 - 最小值:224 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:52 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:24 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 12 V, 16 V; Rds On-漏源导通电阻:1 mOhms; Id-连续漏极电流:180 A; Vds-漏源极击穿电压:25 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PQFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET 25V 1.2 MOHM PC33 |
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FCMT360N65S3 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:34 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:11 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:6 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SuperFET3; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:83 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:18 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:360 mOhms; Id-连续漏极电流:10 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PQFN-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET Easy Drive 650V 10A 360 mOhm |
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FF6MR12W2M1PB11BPSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:18; 产品类型:IGBT Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
IGBT 模块 LOW POWER EASY |
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SIZ250DT-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:22 ns; 典型关闭延迟时间:22 ns, 24 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:60 ns, 50 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7 ns, 12 ns; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:33 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:13.5 nC, 13.4 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:0.01220 Ohms, 0.01270 Ohms; Id-连续漏极电流:38 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAIR-3x3S-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET DUAL N-CHANNEL 60-V PowerPAIR 3 x 3S |
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STPSC2H065B-TR |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 系列:STPSC2H065; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:140 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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IAUC100N04S6L014ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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FZ2000R33HE4BOSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:1; 产品类型:IGBT Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
IGBT 模块 IHV IHM T XHP 3 3-6 5K |
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SQJA36EP-T1_GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:18 ns; 典型关闭延迟时间:35 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:17 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:95 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:86 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.24 mOhms; Id-连续漏极电流:350 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8L-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK |
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NVMFSC0D9N04CL |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:54 ns; 典型关闭延迟时间:220 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:160 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:170 ns; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:166 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:86 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:870 uOhms; Id-连续漏极电流:316 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL |
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FFSB2065B |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 650V 20A SIC SBD GEN1.5 |
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IMZA65R072M1HXKSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15.2 ns; 典型关闭延迟时间:21.6 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 上升时间:8.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5.6 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:IMZA65R072; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:CoolSiC; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:96 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:22 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:18 V; Rds On-漏源导通电阻:0.094 Ohms; Id-连续漏极电流:28 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
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BSM300D12P3E005 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:2.7 V; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 典型接通延迟时间:30 ns; 典型关闭延迟时间:210 ns; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:4; 上升时间:35 ns; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:1260 W; Id-连续漏极电流:300 A; 下降时间:50 ns; 晶体管极性:N-Channel; 商标:ROHM Semiconductor; 配置:Half-Bridge; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:Screw Mount; Vgs - 栅极-源极电压:22 V; Vr - 反向电压 :1200 V; Vf - 正向电压:1.6 V; 类型:SiC Power Module; 产品:Power MOSFET Modules; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
分立半导体模块 SIC Pwr Module Half Bridge |
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V2P22LHM3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V2P22L; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:910 mV; Vrrm - 重复反向电压:200 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-220AA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 200V 2A TMBS SMP (DO-220AA) |
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FDMS4D5N08LC |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:13 ns; 典型关闭延迟时间:59 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:19 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:17 ns; 正向跨导 - 最小值:135 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:PowerTrench; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:113.6 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:4.2 mOhms; Id-连续漏极电流:116 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PQFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET 80V 116A 4.2mOhm |
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FFSP1065B |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:75 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:45 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220-2LD; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SIC DIODE 650V 10A |
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NTBLS0D7N06C |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:37 ns; 典型关闭延迟时间:146 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:57 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:105 ns; 正向跨导 - 最小值:310 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:314 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:170 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:0.75 mOhms; Id-连续漏极电流:470 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:H-PSOF-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET NFET TOLL 60V 0.75MO |
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NTBLS1D5N08MC |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:38 ns; 典型关闭延迟时间:74 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:34 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:37 ns; 正向跨导 - 最小值:220 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:250 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:111 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:3.7 mOhms; Id-连续漏极电流:298 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:MO-299A-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET PTNG 80V IN TOLL |
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IXBH32N300 |
IXYS |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:30; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:100 nA; 商标:IXYS; 集电极最大连续电流 Ic:280 A; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:400 W; 在25 C的连续集电极电流:80 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:2.8 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:3000 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-3; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
IGBT 晶体管 Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD |
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DMT67M8LPSW-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:5.5 ns; 典型关闭延迟时间:22.1 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:6.8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10.8 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:37.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:6.2 mOhms; Id-连续漏极电流:17.3 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerDI5060-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K |
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SISS63DN-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:20 ns, 40 ns; 典型关闭延迟时间:80 ns, 100 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:28 ns, 60 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:25 ns, 70 ns; 正向跨导 - 最小值:75 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:72.2 nC, 157.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 1.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:2.7 mOhms; Id-连续漏极电流:127.5 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET P-CHANNEL 20V PowerPAK 1212-8S |
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NCV8413DTRKG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15 us, 25 us; 典型关闭延迟时间:44 us, 60 us; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2.72 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:68 mOhms; Id-连续漏极电流:17 A; Vds-漏源极击穿电压:42 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
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