| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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M29F160FB5AN6F2 |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 速度:55 ns; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:2 M x 8/1 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 存储容量:16 Mbit; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Alliance Memory; |
NOR闪存 |
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IS34ML01G081-BLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:220; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 系列:IS34ML01G081; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NAND闪存 1G 3V x8 1-bit NAND闪存 |
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IS43TR16256AL-125KBL-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS43TR16256AL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:261 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.35V, 1600Mhz DDR3L |
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24LC22AT-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:24LC22A; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:100 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:3500 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 VESA E-EDID |
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AT45DB021E-MHN2B-T |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
商标名:DataFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:6000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 结构:Chip Erase; 速度:70 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:256 k x 8; 最大时钟频率:70 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:15 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:2 Mbit; 系列:AT45DB021E; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 2M, 85MHz 1.65-3.6V DataFlash |
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25AA256T-I/MF |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 编程电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 工作电源电流:6 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:6 mm; 长度:5 mm; 高度:0.84 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:6 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:50 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 32kx8 - 1.8V |
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MT25QL128ABA8E12-0AAT TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 标准:Not Supported; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:MT25QL; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 32MX4 TBGA |
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MT48LC8M16A2P-6A XIT:L TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT48LC; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:167 MHz; 存储容量:128 Mbit; 组织:8 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器 128M 8MX16 TSOP |
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IS42S16320D-7TL-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS42S16320D; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:160 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:143 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512M (32Mx16) 143MHz S动态随机存取存储器, 3.3v |
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W25Q16JVZPIQ TR |
Winbond |
存储器 IC |
商标名:SpiFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:W25Q16JV; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Winbond; |
NOR闪存 spiFlash, 3V, 16M-bit, 4Kb Uniform Sector |
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MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:960; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:NAND Flash; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:256 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:2 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 2G 256MX8 TSOP |
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IS42S16800F-7TLI-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS42S16800F; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:143 MHz; 存储容量:128 Mbit; 组织:8 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 128M 8Mx16 143Mhz S动态随机存取存储器, 3.3v |
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24FC64T-I/MNY |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:0.1 mA, 0.05 uA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:2 mm; 高度:0.73 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:24FC64; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:TDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 64K 8K X 8 2.5V HI-SPEED SER EE IND |
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AT27C020-55JU |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:32; 产品类型:EPROM; 输出启用访问时间:20 ns; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 访问时间:55 ns; 封装:Tube; 系列:AT27C020; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 编程电压:13 V; 工作电源电流:100 uA; 接口类型:Parallel; 组织:256 k x 8; 存储容量:2 Mbit; 类型:OTP; 封装 / 箱体:PLCC-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
可擦除可编程ROM 2MB (256Kx8) OTP 5V 55ns |
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IS61LV25616AL-10TLI-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61LV25616AL; 数据速率:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v |
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IS34ML04G081-TLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:IS34ML04G081; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NAND闪存 4G 3V x8 1-bit NAND闪存 |
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CAT25128YI-GT3 |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 工作电源电流:4 mA; 商标:ON Semiconductor; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:0.9 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:CAT25128; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:4 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 访问时间:75 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 128K SPI Serial CMOS 电可擦除可编程只读存储器 |
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M24256-DRDW3TP/K |
STMicroelectronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:5.5 V; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 系列:M24256-A125; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
电可擦除可编程只读存储器 Auto 256Kb serial I2C bus 电可擦除可编程只读存储器 |
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S29GL256S90DHI010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:260; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress / Spansion; 结构:Sector; 速度:90 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:16 M x 16; 最大时钟频率:-; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S29GL256S; 封装 / 箱体:FBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 256Mb 3V 90ns Parallel NOR闪存 |
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S29GL512S11DHIV10 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:260; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress / Spansion; 结构:Sector; 速度:110 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:32 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S29GL512S; 封装 / 箱体:BGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 512 MBIT 3V 110NS Parallel NOR闪存 |
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MT41K512M8DA-107 IT:P TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT41K; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:64 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:512 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR3 4G 512MX8 FBGA |
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TH58NVG3S0HBAI4 |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:210; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kioxia America; 速度:25 ns; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Synchronous; 组织:1 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:8 Gbit; 系列:TC58CV; 封装 / 箱体:FBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
NAND闪存 3.3V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
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MT28EW01GABA1HJS-0SIT TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1600; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:95 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:128 M x 8/64 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:MT28EW; 封装 / 箱体:TSOP-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 EW-SERIES FLASH NOR SLC 64MX16 TSOP |
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24LC515T-I/SM |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2100; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V, 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:5.25 mm; 长度:5.26 mm; 高度:1.98 mm (Max); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:64 k x 8; 存储容量:512 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-Wide-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 64kx8 64B - 2.5V |
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CY62157EV30LL-45ZXIT |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MoBL; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:Cypress Semiconductor; 宽度:12 mm; 类型:Asynchronous; 系列:CY62157EV30LL; 存储类型:Volatile; 长度:18.4 mm; 高度:1.2 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:-; 访问时间:45 ns; 组织:512 k x 16; 存储容量:8 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP 静态随机存取存储器 |
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SN74V293-7PZA |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:14 mm; 系列:SN74V293; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LQFP-80; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 访问时间:5 ns; 最大时钟频率:133 MHz; 电路数量:2; 组织:128 k x 9, 64 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:1.125 Mbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:9 bit, 18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 65536 x 18 Synch 先进先出 Memory |
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IS43TR16640BL-125JBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR16640BL; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 1G, 1.35V, DDR3L, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS |
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AS4C128M16D2A-25BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:209; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C128M16D2A-25; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:180 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 访问时间:400 ps; 最大时钟频率:400 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 DDR2, 2GB, 1.8V 400MHz,128M x 16 |
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25C160T-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:4.5 V, 5.5 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:3 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:150 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2kx8 - 5V |
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AT25DF041B-MHN-T |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:6000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AT25DF041B; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 8-UDFN (5x6x0.6), IND TEMP, 1.65V, T&R |
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MT25QU128ABA8ESF-0SIT TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 标准:Not Supported; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:MT25QU; 封装 / 箱体:SOP2-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 32MX4 SOIC |
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DS2502P+T&R |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:EPROM; 商标:Maxim Integrated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:DS2502; 封装 / 箱体:TSOC-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
可擦除可编程ROM 1Kb Add-Only Memory |
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CY7C1041GN30-10BVXIT |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:SDR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 ASYNC 静态随机存取存储器S |
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S29GL256P10TFI013 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress / Spansion; 结构:Sector; 速度:100 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S29GL-P; 封装 / 箱体:TSOP-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 256Mb 3V 100ns Parallel NOR闪存 |
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S25FL256SAGMFM000 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256S; 封装 / 箱体:SOIC-Narrow-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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AT28HC256-90LM/883 |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:34; 编程电压:5 V; 产品类型:EEPROM; 输出启用访问时间:40 ns; 工作电源电压:5 V; 商标:Microchip Technology / Atmel; 宽度:11.63 mm (Max); 长度:14.22 mm (Max); 高度:2.54 mm (Max); 封装:Tube; 系列:AT28HC256; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:80 mA; 数据保留:10 Year; 访问时间:70 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:LCC-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 256K 5V SDP - 90NS |
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AS4C4M16SA-6TINTR |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AS4C4M16SA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:64 Mbit; 组织:4 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 |
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IS43TR16128BL-125KBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43TR16128BL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:275 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G, 1.35V, 1600MT/s 128Mx16 DDR3L S动态随机存取存储器 |
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IS42S16320F-7TLI-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS42S16320F; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:143 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R |
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34AA02T-E/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 编程电压:1.7 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:100 uA; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:34AA02; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2K 256 X 8 1.8V SERIAL EE EXT |
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SST26VF064BT-104I/SO |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOIC-16; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 64Mb 2.7-3.6V SQI Flash Memory |
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DS2430AP+T&R |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 商标:Maxim Integrated; 宽度:N/A; 长度:N/A; 高度:N/A; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:DS2430AP; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.25 V; 电源电压-最小:2.8 V; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 1-Wire, SDQ; 组织:32 x 8; 存储容量:256 bit; 封装 / 箱体:TSOC-6; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
电可擦除可编程只读存储器 256-Bit 1-Wire 电可擦除可编程只读存储器 |
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MT28EW128ABA1HPC-0SIT TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:16 M x 8/8 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:MT28EW; 封装 / 箱体:LBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 EW-SERIES FLASH NOR SLC 8MX16 LBGA |
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S29GL128S10DHI010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:260; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress / Spansion; 结构:Sector; 速度:100 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:8 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S29GL128S; 封装 / 箱体:FBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 128Mb 3V 100ns Parallel NOR闪存 |
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CY7C1020DV33-10ZSXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:405; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 系列:CY7C1020DV33; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:-; 访问时间:10 ns; 组织:32 k x 16; 存储容量:512 kbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 512Kb 10ns 32K x 16 Fast Async 静态随机存取存储器 |
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MT48LC32M8A2P-6A:G TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT48LC; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:167 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:32 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器 256M 32MX8 TSOP |
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S29GL01GS11FHI010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress / Spansion; 结构:Eclipse; 速度:110 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:64 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:S29GL01G/512/256/128S; 封装 / 箱体:FBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 1GB, 3V, 110NS Parallel NOR闪存 |
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CY14E256LA-SZ45XIT |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NVRAM; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:Through Hole; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NVSRAM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:CY14E256LA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:52 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:45 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-32; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NVRAM 256Kb 5V 25ns 32K x 8 nvSRAM |
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DS1230AB-70IND+ |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:12; 产品类型:NVRAM; 工作电源电压:5 V; 安装风格:Through Hole; 商标:Maxim Integrated; 宽度:18.8 mm; 类型:NVSRAM; 长度:39.12 mm; 高度:9.4 mm; 封装:Tube; 系列:DS1230AB; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:85 mA; 电源电压-最小:4.75 V; 电源电压-最大:5.25 V; 访问时间:70 ns; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 接口类型:Parallel; 封装 / 箱体:EDIP-28; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
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DS1230AB-70+ |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:12; 产品类型:NVRAM; 工作电源电压:5 V; 安装风格:Through Hole; 商标:Maxim Integrated; 宽度:18.8 mm; 类型:NVSRAM; 长度:39.12 mm; 高度:9.4 mm; 封装:Tube; 系列:DS1230AB; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 工作电源电流:85 mA; 电源电压-最小:4.75 V; 电源电压-最大:5.25 V; 访问时间:70 ns; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 接口类型:Parallel; 封装 / 箱体:EDIP-28; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
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