| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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AS4C8M16D1A-5TIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C8M16D1A; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:140 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:2.7 V; 访问时间:700 ps; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:128 Mbit; 组织:8 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-66; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR1; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 |
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AS4C32M8D1-5TIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:120 mA; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:2.7 V; 访问时间:700 ps; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:32 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:TSOP-66; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR1; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 |
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AS4C16M32MD1-5BCN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:160; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C16M32MD1; 组织:16 M x 16; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR1; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 Mobile DDR |
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AS7C32096A-10TIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS7C32096A-10; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP II-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:180 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 8; 存储容量:2 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 2M, 3.3V, 10ns FAST 256K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 |
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AS7C4098A-20JIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:16; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS7C4098A-20; 存储类型:SDR; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:120 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 4M, 5V, 20ns, FAST 256K x 16 Asyn 静态随机存取存储器 |
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AS7C4096A-20JINTR |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:500; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS7C4096A-20; 存储类型:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-36; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 4M, 3.3V, 20ns, FAST 512K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 |
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IS42S32800J-75EBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:IS42S32800J; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:170 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:6 ns; 最大时钟频率:133 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:8 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:BGA-90; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS |
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24C00/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:4.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:500 uA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Tube; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:4 ms; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:16 x 8; 存储容量:128 bit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 16byte 128b 5V |
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93AA46AT-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V, 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:93AA46A/B/C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:250 ns; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 128x8 |
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BR24G04NUX-3ATTR |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BR24G04NUX-3A; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:VSON008X2030-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS(2-Wre) 4K VSON008X2030 电可擦除可编程只读存储器 |
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24LC01BHT-I/MNY |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:2 mm; 高度:0.73 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:24LC01B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:3500 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:TDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1K 128 X 8 SERIAL EE 2.5V IND 1/2 ARRAYWP |
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M24C08-DRDW8TP/K |
STMicroelectronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 系列:M24C08-DRE; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 访问时间:450 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
电可擦除可编程只读存储器 MEMORY |
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11AA020-I/P |
Microchip |
存储器 IC |
商标名:UNI/O; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V; 工作电源电流:5 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:6.35 mm; 长度:9.46 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 系列:11AA020; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:50 uA; 最大时钟频率:100 kHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 1-Wire, SDQ; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:DIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2K 256X8 1.8V SERIAL EE IND |
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BR93G56FVM-3AGTTR |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:1 mA, 2 mA, 3 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BR93G56-3A; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:1 mA, 2 mA, 3 mA; 最大时钟频率:3 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:128 x 16; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 McrWre BUS 3-Wre 2K MSOP8 电可擦除可编程只读存储器 |
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24LC04BH-I/MS |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tube; 系列:24LC04BH; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 4K 512 X 8 2.5V SER EE IND 1/2 ARAY WP |
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93AA66CT-I/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:200 ns; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:512 x 8, 256 x 16; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 256x8-128x16 - 1.8V |
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AT88SC1616C-SH |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:10 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:1 k x 16; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 CryptoMemory, 16Kbit 16Zone, 8SOIC, GRN |
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CAV25160YE-GT3 |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 系列:CAV25160; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 16KB SPI SER CMOS 电可擦除可编程只读存储器 |
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AT25SF321-SHD-B |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 封装:Tube; 系列:AT25SF321; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 8-SOIC-W, IND TEMP, 2.5V, TUBE |
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SST39SF010A-70-4C-NHE-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:750; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 k x 8; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 存储容量:1 Mbit; 系列:SST39SF; 封装 / 箱体:PLCC-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 1M (128Kx8) 70ns 5.0V Commercial |
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SST39VF801C-70-4I-EKE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:512 k x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:18 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:8 Mbit; 系列:SST39VF; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash |
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SST39VF802C-70-4I-EKE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:512 k x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:18 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:8 Mbit; 系列:SST39VF; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash |
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24FC512-I/ST14 |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 编程电压:1.7 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V, 5.5 V; 工作电源电流:5 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:5 mm; 高度:1 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:400 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:64 k x 8; 存储容量:512 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-14; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 64kx8 - 2.5V Hi Spd |
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SST39SF040-70-4I-NHE-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:750; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 k x 8; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 存储容量:4 Mbit; 系列:SST39SF; 封装 / 箱体:PLCC-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 4M (512Kx8) 70ns 5.0V Industrial |
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SST39SF040-45-4I-WHE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:208; 标准:Not Supported; 编程电压:4.5 V to 5.5 V; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 宽度:14 mm; 类型:No Boot Block; 速度:45 ns; 存储类型:NOR; 长度:8 mm; 高度:8 mm; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 k x 8; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 存储容量:4 Mbit; 系列:SST39SF; 封装 / 箱体:TSOP-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 512K X 8 45ns |
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71016S12PHG8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.16 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71016; 存储类型:SDR; 长度:18.41 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:210 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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TC58BYG0S3HBAI4 |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:210; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:-; 商标:Kioxia America; 结构:Block Erase; 速度:25 ns; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Synchronous; 组织:128 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 封装 / 箱体:TFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
NAND闪存 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM) |
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71024S15TYG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:23; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.6 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71024; 存储类型:SDR; 长度:21.95 mm; 高度:2.67 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:155 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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24FC515-I/SM |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V, 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:5.25 mm; 长度:5.26 mm; 高度:1.98 mm (Max); 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:400 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:64 k x 8; 存储容量:512 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-Wide-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 64kx8 64B 1.8V HISpd |
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71024S20YG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:23; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.2 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71024; 存储类型:SDR; 长度:20.9 mm; 高度:2.2 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:140 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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SST39VF1601-70-4I-B3KE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:1 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:18 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:SST39VF; 封装 / 箱体:TFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 16M (1Mx16) 70ns Industrial Temp |
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W949D6DBHX5E |
Winbond |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:312; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 系列:W949D6DB; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 电源电流—最大值:40 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:VFBGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR; RoHS:Y; 制造商:Winbond; |
动态随机存取存储器 512Mb LPDDR, x16, 200MHz |
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71V416S12PHG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:26; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.16 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V416; 存储类型:SDR; 长度:18.41 mm; 高度:1 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:180 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 |
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BQ2205LYPWG4 |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:Memory Controllers; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 商标:Texas Instruments; 宽度:4.4 mm; 系列:BQ2205LY; 工作温度范围:- 20 C to + 70 C; 长度:5 mm; 高度:1.15 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSSOP-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 20 C; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
存储器控制器 Battery Back-up for Dual SRAM Banks |
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S29GL064N90FFI012 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:400; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:8 M x 8/4 M x 16; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S29GL064N; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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W94AD2KBJX5I |
Winbond |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 系列:W94AD2KB; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:70 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:32 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:VFBGA-90; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR; RoHS:Y; 制造商:Winbond; |
动态随机存取存储器 1Gb LPDDR, x32, 200MHz, Ind temp |
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SST38VF6402-90-5I-EKE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:90 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:4 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:18 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:SST38VF640; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 2.7 to 3.6V 64Mbit Parallel Adv MPF+ |
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AT28HC64B-90TU |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:234; 编程电压:4.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 输出启用访问时间:40 ns; 工作电源电压:5 V; 工作电源电流:40 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 宽度:11.8 mm; 长度:8 mm; 高度:1 mm; 封装:Tray; 系列:AT28HC64B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:40 mA; 数据保留:10 Year; 访问时间:55 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:TSOP-28; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1M 5V SDP - 90NS IND TEMP |
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CY14B064I-SFXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:92; 产品类型:NVRAM; Pd-功率耗散:1 W; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 尺寸:10.49 mm x 10.64 mm x 2.67 mm; 封装:Tube; 系列:CY14B064I; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:1 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 接口类型:I2C; 封装 / 箱体:SOIC-16; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NVRAM 64Kb 3V 3.4Mhz 8K x 8 SPI nvSRAM |
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CY7C1041GE30-10VXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:170; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 存储类型:Volatile; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:-; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 Async 静态随机存取存储器S |
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71V416S10PHGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:26; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.16 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V416; 存储类型:SDR; 长度:18.41 mm; 高度:1 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:200 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 |
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S25FL512SDPMFIG10 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:66 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:66 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S25FL512S; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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7130LA25JGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:24; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:19 mm; 类型:Asynchronous; 系列:7130; 存储类型:SDR; 长度:19 mm; 高度:3.63 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PLCC-52; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:25 ns; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 8K(1KX8)CMOS DUAL PT RAM |
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DS1220AB-150IND+ |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:14; 产品类型:NVRAM; 工作电源电压:5 V; 安装风格:Through Hole; 商标:Maxim Integrated; 宽度:18.8 mm; 类型:NVSRAM; 长度:38.1 mm; 高度:10.67 mm; 封装:Tube; 系列:DS1220AB; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:85 mA; 电源电压-最小:4.75 V; 电源电压-最大:5.25 V; 访问时间:150 ns; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 接口类型:Parallel; 封装 / 箱体:EDIP-24; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM |
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AS7C256A-15TCNTR |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS7C256A-15; 存储类型:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSOP-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:65 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 256K, 5V, 15ns, FAST 32K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 |
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IS25LP128-JMLE-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS25LP128; 封装 / 箱体:SOIC-16; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 128Mb QPI/QSPI, 16-pin SOP 300Mil, RoHS, T&R |
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IS25WP128-JMLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:44; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 结构:Sector; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:13 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:IS25WP128; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 128Mb QPI/QSPI, 16-pin SOP 300Mil, RoHS |
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IS42S32200L-5TL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS42S32200L; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:64 Mbit; 组织:2 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:TSOP-86; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 64M (2Mx32) 200MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V |
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AS7C1024B-15TJCN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:22; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS7C1024B-15; 存储类型:SDR; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 1M, 5V, 15ns FAST 128K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 |
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AS7C1024B-15JCNTR |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS7C1024B-15; 存储类型:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 1M, 5V, 15ns FAST 128K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 |
