器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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IX4351NE |
IXYS |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 产品类型:Gate Drivers; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:SiC; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 GATE DRIVERS 9A LOW SIDE SIC |
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IX4340NETR |
IXYS |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:4000; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:1.4 mA; 关闭:No Shutdown; 传播延迟—最大值:30 ns; 逻辑类型:CMOS, TTL; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 系列:IX4340; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:7 ns; 上升时间:7 ns; 电源电压-最大:20 V; 电源电压-最小:5 V; 输出电流:5 A; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Low Side; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 Dual 5A Gate Driver IC |
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IX4340NTR |
IXYS |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:4000; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:1.4 mA; 关闭:No Shutdown; 传播延迟—最大值:30 ns; 逻辑类型:CMOS, TTL; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 系列:IX4340; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:7 ns; 上升时间:7 ns; 电源电压-最大:20 V; 电源电压-最小:5 V; 输出电流:5 A; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Low Side; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 Dual 5A Gate Driver IC |
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IX4340NE |
IXYS |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:100; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:1.4 mA; 关闭:No Shutdown; 传播延迟—最大值:30 ns; 逻辑类型:CMOS, TTL; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 系列:IX4340; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:7 ns; 上升时间:7 ns; 电源电压-最大:20 V; 电源电压-最小:5 V; 输出电流:5 A; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Low Side; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 Dual 5A Gate Driver IC |
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IX4340UE |
IXYS |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:100; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:1.4 mA; 关闭:No Shutdown; 传播延迟—最大值:30 ns; 逻辑类型:CMOS, TTL; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Tube; 系列:IX4340; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:7 ns; 上升时间:7 ns; 电源电压-最大:20 V; 电源电压-最小:5 V; 输出电流:5 A; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Low Side; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 5A Dual Low-Side MOSFET Driver |
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IX4424G |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:100; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:1 mA; 最大开启延迟时间:75 ns; 最大关闭延迟时间:75 ns; 逻辑类型:CMOS, TTL; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Tube; 系列:IX4424; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:60 ns; 上升时间:60 ns; 配置:Dual; 电源电压-最大:30 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:3 A; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:DIP-8; 安装风格:Through Hole; 类型:Low Side; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 3A 8-Pin DIP Ultrafast MOSFET Drv |
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IXDD609D2TR |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:2000; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:10 uA; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 系列:IXD_609; 下降时间:15 ns; 上升时间:22 ns; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:9 A; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Non-Inverting; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET |
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IXDD604D2TR |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:2000; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:10 uA; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 系列:IXD_604; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:8 ns; 上升时间:9 ns; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:4 A; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Low Side; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV |
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IX4340N |
IXYS |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:100; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:1.4 mA; 关闭:No Shutdown; 传播延迟—最大值:30 ns; 逻辑类型:CMOS, TTL; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Tube; 系列:IX4340; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:7 ns; 上升时间:7 ns; 电源电压-最大:20 V; 电源电压-最小:5 V; 输出电流:5 A; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Low Side; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 5A 20V 8-Pin SOIC Low side Gate Driver |
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IXDF602SIA |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:100; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:1 mA; 最大开启延迟时间:60 ns; 最大关闭延迟时间:60 ns; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Tube; 系列:IXD_602; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:6.5 ns; 上升时间:7.5 ns; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:2 A; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Low Side; 产品:MOSFET Gate Drivers; 制造商:IXYS; |
门驱动器 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET |
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CPC5712UTR |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:2000; 产品类型:Supervisory Circuits; 商标:IXYS Integrated Circuits; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:CPC5712; 制造商:IXYS; |
监控电路 Phone Line Monitor |
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IXDD609SI |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:100; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:10 uA; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 系列:IXD_609; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:15 ns; 上升时间:22 ns; 配置:Single; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:9 A; 输出端数量:1 Output; 激励器数量:1 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Non-Inverting; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET |
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IXDD609SITR |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:2000; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:10 uA; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 系列:IXD_609; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:15 ns; 上升时间:22 ns; 配置:Single; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:9 A; 输出端数量:1 Output; 激励器数量:1 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Non-Inverting; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET |
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IXDD614CI |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:50; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:10 uA; 最大开启延迟时间:70 ns; 最大关闭延迟时间:70 ns; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Tube; 系列:IXD_614; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:40 ns; 上升时间:50 ns; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:4 A; 激励器数量:1 Driver; 封装 / 箱体:TO-220-5; 安装风格:Through Hole; 类型:Non-Inverting; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET |
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IXDN604SITR |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:2000; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:10 uA; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IXD_604; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:8 ns; 上升时间:9 ns; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:4 A; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Low Side; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV |
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IX4426NTR |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:2000; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电压:4.5 V to 35 V; 工作电源电流:4 mA; 最大开启延迟时间:60 ns; 最大关闭延迟时间:60 ns; 逻辑类型:CMOS; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IX4426; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:8 ns; 上升时间:10 ns; 配置:Dual; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:1.5 A; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Low Side; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 Dual MOSFET DRVR 8P SOIC Input CMOS |
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IXCY10M90S |
IXYS |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:70; 产品类型:Current & Power Monitors & Regulators; 输入电压范围:900 V; 商标:IXYS; 系列:IXCY10M90S; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:25 uA; 电源电压-最小:900 V; 电源电压-最大:20 V; 感应方式:High Side; 产品:Current Regulators; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
电流和电力监控器、调节器 HIGH VOLT CRRNT REG 900V 100mA |
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IXCP10M90S |
IXYS |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:50; 产品类型:Current & Power Monitors & Regulators; 输入电压范围:900 V; 商标:IXYS; 系列:IXCP10M90S; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:1 mA to 100 mA; 电源电压-最小:900 V; 电源电压-最大:900 V; 感应方式:High Side; 产品:Current Regulators; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
电流和电力监控器、调节器 900V 1-100mA |
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IXDI630CI |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:50; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:10 uA; 最大开启延迟时间:100 ns; 最大关闭延迟时间:100 ns; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 输出电压:12.5 V; 封装:Tube; 系列:IXD_630; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:20 ns; 上升时间:20 ns; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:12.5 V; 输出电流:30 A; 输出端数量:1 Output; 激励器数量:1 Driver; 封装 / 箱体:TO-220-5; 安装风格:Through Hole; 类型:Low Side; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 12.5V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A |
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IXDD609SIA |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:100; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:10 uA; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 系列:IXD_609; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:15 ns; 上升时间:22 ns; 配置:Single; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:9 A; 输出端数量:1 Output; 激励器数量:1 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Non-Inverting; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET |
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IXDN609SIA |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:100; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:10 uA; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Tube; 系列:IXD_609; 下降时间:15 ns; 上升时间:22 ns; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:9 A; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Non-Inverting; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET |
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IXDN609SI |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:100; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:10 uA; 最大开启延迟时间:75 ns; 最大关闭延迟时间:75 ns; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Tube; 系列:IXD_609; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:15 ns; 上升时间:22 ns; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:9 A; 激励器数量:1 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Non-Inverting; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET |
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IXDD604SI |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:100; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:10 uA; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 系列:IXD_604; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:8 ns; 上升时间:9 ns; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:4 A; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Low Side; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV |
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IXDN604SI |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:100; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:10 uA; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Tube; 系列:IXD_604; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:8 ns; 上升时间:9 ns; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:4 A; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Low Side; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV |
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IXDN614SI |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:100; 产品类型:Gate Drivers; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 系列:IXD_614; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET |
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IXDN604SIATR |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:2000; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:10 uA; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IXD_604; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:8 ns; 上升时间:9 ns; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:4 A; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Low Side; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV |
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IX4427NTR |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:2000; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电压:4.5 V to 35 V; 工作电源电流:4 mA; 最大开启延迟时间:60 ns; 最大关闭延迟时间:60 ns; 逻辑类型:CMOS; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IX4427; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:8 ns; 上升时间:10 ns; 配置:Dual; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:1.5 A; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Low Side; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 DUAL NON INVERT DRVR 8P SOIC Input CMOS |
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IXDN630YI |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:50; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:10 uA; 湿度敏感性:Yes; 最大开启延迟时间:100 ns; 最大关闭延迟时间:100 ns; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 输出电压:12.5 V; 封装:Tube; 系列:IXD_630; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:20 ns; 上升时间:20 ns; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:12.5 V; 输出电流:30 A; 输出端数量:1 Output; 激励器数量:1 Driver; 封装 / 箱体:TO-263-5; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Low Side; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 12.5V 5-PIN TO-263 MOSFET DRIVER; 30A |
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IXDN630CI |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:50; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:10 uA; 最大开启延迟时间:100 ns; 最大关闭延迟时间:100 ns; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 输出电压:12.5 V; 封装:Tube; 系列:IXD_630; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:20 ns; 上升时间:20 ns; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:12.5 V; 输出电流:30 A; 输出端数量:1 Output; 激励器数量:1 Driver; 封装 / 箱体:TO-220-5; 安装风格:Through Hole; 类型:Low Side; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 12.5V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A |
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IXDN609SITR |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:2000; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:10 uA; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IXD_609; 下降时间:15 ns; 上升时间:22 ns; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:9 A; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Non-Inverting; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET |
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IXDF604SI |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:100; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:10 uA; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Tube; 系列:IXD_604; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:8 ns; 上升时间:9 ns; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:4 A; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Low Side; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV |
 |
IXDD609YI |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:50; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:10 uA; 湿度敏感性:Yes; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 系列:IXD_609; 下降时间:15 ns; 上升时间:22 ns; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:9 A; 封装 / 箱体:TO-263-5; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Non-Inverting; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET |
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IXDI609SITR |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:2000; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:10 uA; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IXD_609; 下降时间:15 ns; 上升时间:22 ns; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:9 A; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Inverting; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET |
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IXDN614CI |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:50; 产品类型:Gate Drivers; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 系列:IXD_614; 封装 / 箱体:TO-220-5; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET |
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FDA217S |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:50; 产品类型:Gate Drivers; Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W); 工作电源电流:5 mA; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Tube; 系列:FDA217; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 配置:Dual; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Isolated Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 Dual Photovolatic MOSFET Driver |
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IXDN609SIATR |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:2000; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:10 uA; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IXD_609; 下降时间:15 ns; 上升时间:22 ns; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:9 A; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Non-Inverting; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET |
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IXDD630MYI |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:50; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:10 uA; 湿度敏感性:Yes; 最大开启延迟时间:100 ns; 最大关闭延迟时间:100 ns; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 输出电压:9 V; 封装:Tube; 系列:IXD_630; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:11 ns; 上升时间:11 ns; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:9 V; 输出电流:30 A; 输出端数量:1 Output; 激励器数量:1 Driver; 封装 / 箱体:TO-263-5; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Low Side; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 9V 5-PIN TO-263 MOSFET DRIVER; 30A |
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IXDI614SI |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:100; 产品类型:Gate Drivers; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Tube; 系列:IXD_614; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET |
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IXDI614YI |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:50; 产品类型:Gate Drivers; 湿度敏感性:Yes; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Tube; 系列:IXD_614; 封装 / 箱体:TO-263-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET |
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IXDD609SIATR |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:2000; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:10 uA; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 系列:IXD_609; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:15 ns; 上升时间:22 ns; 配置:Single; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:9 A; 输出端数量:1 Output; 激励器数量:1 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Non-Inverting; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET |
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FDA217STR |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:1000; 产品类型:Gate Drivers; Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W); 工作电源电流:5 mA; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:FDA217; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 配置:Dual; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:IXYS; |
门驱动器 Dual Photovolatic MOSFET Driver |
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IXDD630CI |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:50; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:10 uA; 最大开启延迟时间:100 ns; 最大关闭延迟时间:100 ns; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 输出电压:12.5 V; 封装:Tube; 系列:IXD_630; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:11 ns; 上升时间:11 ns; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:12.5 V; 输出电流:30 A; 输出端数量:1 Output; 激励器数量:1 Driver; 封装 / 箱体:TO-220-5; 安装风格:Through Hole; 类型:Low Side; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 12.5V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A |
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IXDN602SIATR |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:2000; 产品类型:Gate Drivers; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IXD_602; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:IXYS; |
门驱动器 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET |
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IXDI609SIATR |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:2000; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:10 uA; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IXD_609; 下降时间:15 ns; 上升时间:22 ns; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:9 A; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Inverting; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET |
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IXBK64N250 |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:BIMOSFET; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:25; 产品类型:Gate Drivers; 商标:IXYS; 技术:Si; 封装:Tube; 系列:Very High Voltage; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 BIMOSFET 2500V 75A |
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IXDI604SIA |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:100; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:10 uA; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Tube; 系列:IXD_604; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:8 ns; 上升时间:9 ns; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:4 A; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Low Side; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV |
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IX4424NTR |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:2000; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电压:4.5 V to 35 V; 工作电源电流:1 mA; 最大开启延迟时间:75 ns; 最大关闭延迟时间:75 ns; 逻辑类型:CMOS, TTL; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IX4424; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:60 ns; 上升时间:60 ns; 配置:Dual; 电源电压-最大:30 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:3 A; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Low Side; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 Dual MOSFET DRVR 8P SOIC Input CMOS |
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IXDI614SITR |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:2000; 产品类型:Gate Drivers; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:IXD_614; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET |
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IXDN630MCI |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:50; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电流:10 uA; 最大开启延迟时间:100 ns; 最大关闭延迟时间:100 ns; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 输出电压:9 V; 封装:Tube; 系列:IXD_630; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:20 ns; 上升时间:20 ns; 电源电压-最大:35 V; 电源电压-最小:9 V; 输出电流:30 A; 输出端数量:1 Output; 激励器数量:1 Driver; 封装 / 箱体:TO-220-5; 安装风格:Through Hole; 类型:Low Side; 产品:MOSFET Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
门驱动器 9V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A |
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FDA215S |
IXYS |
电源管理 IC |
商标名:Clare; 子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:50; 产品类型:Gate Drivers; Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W); 工作电源电流:5 mA; 商标:IXYS Integrated Circuits; 技术:Si; 封装:Tube; 系列:FDA215; 封装 / 箱体:SMD-8; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:IXYS; |
门驱动器 Fet Driver |