| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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SFH 2700 FA |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:1.5 uA; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:5 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:CHIPLED; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:0.12 us; 上升时间:0.12 us; Vr - 反向电压 :5 V; 暗电流:0.045 nA; 峰值波长:890 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 Silicon Photodiode |
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SFH 2200 FA |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 响应率:0.64 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:23 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:0.028 pW/Hz 1/2; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:0.04 us; 上升时间:0.04 us; Vr - 反向电压 :5 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:D5140; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PIN Photodiode SMT Package |
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SFH 3410R |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 Light Sensor DIL SMT |
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SFH 2200 A01 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 产品类型:Photodiodes; 湿度敏感性:Yes; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PIN Photodiode SMT Package |
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SFH 2716 A01 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; 湿度敏感性:Yes; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 ALS Photodiode ChipLED |
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SFH 2711 A01 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:0.12 uA; 湿度敏感性:Yes; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:CHIPLED; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:55 deg; 下降时间:0.06 us; 上升时间:0.06 us; Vr - 反向电压 :16 V; 暗电流:5 nA; 峰值波长:580 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 Silicon Photodiode ChipLED |
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SFH 2700 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:1.5 uA; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:5 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:CHIPLED; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:70 deg; 下降时间:0.12 us; 上升时间:0.12 us; Vr - 反向电压 :5 V; 暗电流:0.045 nA; 峰值波长:890 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 Silicon Photodiode |
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SFH 2711 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:0.12 uA; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:5 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:CHIPLED; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:55 deg; 下降时间:0.06 us; 上升时间:0.06 us; Vr - 反向电压 :5 V; 暗电流:0.01 nA; 峰值波长:580 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 Silicon Photodiode |
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SFH 2200 FA A01 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 产品类型:Photodiodes; 湿度敏感性:Yes; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PIN Photodiode Topled D5140 |
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SFH 2240 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 响应率:0.37 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:8 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:0.048 pW/Hz 1/2; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:0.09 us; 上升时间:0.09 us; Vr - 反向电压 :16 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:620 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-2; 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PIN Photodiode SMT Package |
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SFH 3716 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:64 uA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 波长:570 nm; 类型:NPN; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 暗电流:3 nA; 集电极—射极击穿电压:5.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:5.5 V; 开启状态集电极最大电流:20 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:0805 (2012 metric); 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 Light Sensor ChipLED |
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SFH 2200 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 响应率:0.7 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:8 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:0.026 pW/Hz 1/2; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:0.04 us; 上升时间:0.04 us; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PIN Photodiode SMT Package |
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SFH 2201 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 响应率:0.45 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:13 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:0.04 us; 上升时间:0.04 us; Vr - 反向电压 :5 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:950 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:D5140; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PIN Photodiode SMT Package |
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SFH 310-2/3 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:2 mA; 半强度角度:25 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3.4 mm; 波长:880 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 封装:Bulk; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:3.4 mm; 高度:4.8 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:8 us; 上升时间:8 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:880 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 309-4/5 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:3.2 mA; 半强度角度:12 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 波长:860 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:8 us; 上升时间:8 us; 暗电流:15 mA; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:860 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 314 FA |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:2.5 mA; 半强度角度:40 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.9 mm; 波长:870 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:5.9 mm; 高度:6.9 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; 下降时间:-; 上升时间:-; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:870 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 309 FA |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:5 mA; 半强度角度:12 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 波长:900 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:-; 上升时间:-; 暗电流:15 mA; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 300 FA-3/4 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 半强度角度:25 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.9 mm; 波长:880 nm; 类型:IR Chip; 长度:5.9 mm; 高度:9 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; 下降时间:10 us; 上升时间:10 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:880 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 320 FA-3-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:50 uA; 半强度角度:60 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3 mm; 波长:980 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:3.4 mm; 高度:2.1 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:980 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:PLCC-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 313 FA-2/3 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:12.5 mA; 半强度角度:10 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.9 mm; 波长:870 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:5.9 mm; 高度:9 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; 下降时间:12 us; 上升时间:12 us; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:870 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 325 FA-4-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 半强度角度:60 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4.2 mm; 类型:IR Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:4.2 mm; 高度:3.8 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 暗电流:50 nA; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 峰值波长:980 nm; 封装 / 箱体:PLCC-2; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 2500 FA-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:70 uA; Pd-功率耗散:100 mW; 噪声等效功率 - NEP:2.9E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.7 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:7.4 mm; 高度:4.6 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:15 deg; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :50 V; 暗电流:0.1 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMR-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE, SMR |
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SFH 3204-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 半强度角度:60 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3 mm; 波长:980 nm; 类型:Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:3.4 mm; 高度:2.1 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:140 mV; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 峰值波长:980 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:PLCC-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 203 PFA |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 响应率:0.59 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:6.2 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:2.9E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:80 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5 mm; 封装:Bulk; 长度:5.9 mm; 高度:5 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:75 deg; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :50 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE |
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SFH 3400-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 半强度角度:60 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:2.7 mm; 类型:Chip; 长度:2.1 mm; 高度:1.05 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:120 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:850 nm; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 205 FA |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 响应率:0.63 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:60 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.9 mm; 封装:Bulk; 长度:5.9 mm; 高度:9 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:20 ns; 上升时间:20 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE |
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BPY 62-3/4 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:2.5 mA; 半强度角度:8 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.6 mm; 波长:830 nm; 类型:Chip; 长度:5.6 mm; 高度:6.2 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; 下降时间:7 us, 9 us; 上升时间:7 us, 9 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:160 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:100 mA; 峰值波长:830 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTODIODE |
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BPX 38-2/3 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 半强度角度:40 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.6 mm; 波长:880 nm; 类型:Chip; 长度:5.6 mm; 高度:5.5 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:220 mW; 下降时间:9 us, 12 us; 上升时间:9 us, 12 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 集电极—射极击穿电压:50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:880 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTODIODE |
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BPX 43-4/5 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:2 mA; 半强度角度:15 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.6 mm; 波长:880 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:5.6 mm; 高度:6.2 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:220 mW; 下降时间:18 us; 上升时间:18 us; 暗电流:20 nA; 集电极—射极饱和电压:260 mV; 集电极—射极击穿电压:50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:880 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTODIODE |
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BPX 38-4 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:1.8 uA; 半强度角度:40 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.6 mm; 波长:880 nm; 类型:Chip; 长度:5.6 mm; 高度:5.5 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:220 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 集电极—射极击穿电压:50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:880 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTODIODE |
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BPX 83 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:250; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:320 uA; 半强度角度:18 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:1.8 mm; 波长:850 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor Arrays; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Transparent; 长度:7.4 mm; 高度:3.4 mm; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:90 mW; 下降时间:6 us; 上升时间:6 us; 暗电流:1 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mW; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Miniature Array; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 313 FA |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:2.5 mA; 半强度角度:10 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.9 mm; 波长:870 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:5.9 mm; 高度:9 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; 下降时间:-; 上升时间:-; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:870 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 3711 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 半强度角度:60 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:570 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:1.5 mm x 1.35 mm x 0.95 mm; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
环境光传感器 PHOTOTRANSISTOR (ALS) SMT CHIPLED |
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LPT 80A |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:250 uA; 半强度角度:35 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:2.54 mm; 波长:880 nm; 类型:IR Chip; 封装:Bulk; 长度:4.57 mm; 高度:5.84 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:10 us; 上升时间:10 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:880 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 229 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 响应率:0.62 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:28 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:0.65E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3 mm; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:17 deg; 下降时间:10 ns; 上升时间:10 ns; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:50 pA; 峰值波长:860 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE T1 (3mm) |
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SFH 3710-3/4-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:12.5 uA; 半强度角度:60 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:1.35 mm; 波长:570 nm; 类型:Ambient Light Photo Sensor with Phototransistor Output; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:2.1 mm; 高度:0.9 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:-; 下降时间:-; 上升时间:-; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:100 mV; 集电极—射极击穿电压:5.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:5.5 V; 开启状态集电极最大电流:20 mA; 峰值波长:570 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMT; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR (ALS) SMT CHIPLED |
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SFH 203 P |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 响应率:0.62 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:9.5 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:2.9E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:80 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5 mm; 长度:5.9 mm; 高度:5 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:75 deg; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :50 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE |
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BPW 34 FAS |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 响应率:0.65 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:50 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:3.9E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:4.5 mm; 高度:1.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:20 ns; 上升时间:20 ns; Vr - 反向电压 :16 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:880 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:DIL-SMT-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE SMT |
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SFH 2400 FA-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 响应率:0.65 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:6.2 uA; Pd-功率耗散:120 mW; 噪声等效功率 - NEP:2.8E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:2 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:2.6 mm; 高度:1.1 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:DIL-SMT-3; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE |
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SFH 235 FA |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 响应率:0.63 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:50 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3.1 mm; 封装:Bulk; 长度:5.1 mm; 高度:7.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:20 ns; 上升时间:20 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE |
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SFH 2270R |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Photodiodes; 湿度敏感性:Yes; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3 mm; 类型:High Precision Ambient Light Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:3.4 mm; 高度:2.1 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:6 us; 上升时间:6 us; Vr - 反向电压 :2 V; 峰值波长:560 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 ALS Photodiode |
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SFH 206 K |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 响应率:0.62 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:800 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:4.2E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4.1 mm; 长度:5.1 mm; 高度:6.9 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:20 ns; 上升时间:20 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE |
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BPX 81 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:250 uA; 半强度角度:18 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:1.8 mm; 波长:850 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor Arrays; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Transparent; 长度:2.4 mm; 高度:3.4 mm; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:90 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:1 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mW; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Single Digit Miniature Array; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 2440 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 响应率:0.37 A/W; 产品类型:Photodiodes; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:0.048 pW/Hz 1/2; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:90 ns; 上升时间:90 ns; Vr - 反向电压 :16 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:620 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:DIL-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE |
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SFH 2430-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1.2 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 响应率:0.17 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:6.3 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 类型:Silicon Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:4.5 mm; 高度:1.2 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:200 us; 上升时间:200 us; Vr - 反向电压 :6 V; 暗电流:0.1 nA; 峰值波长:570 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:DIL-SMT-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE (ALS) SMT |
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SFH 7776 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 类型:Ambient Light and Proximity Sensor with IR Emitter; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3 V; 峰值波长:850 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:4 mm x 2.1 mm x 1.35 mm; 产品:Integrated Ambient Light and Proximity Sensors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
环境光传感器 Amb / Prox Sensor w/ 850nm IR Emitter |
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BPY 62-4 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:2500 uA; 半强度角度:8 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.6 mm; 波长:830 nm; 类型:Chip; 长度:5.6 mm; 高度:6.2 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; 下降时间:9 us; 上升时间:9 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:160 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:100 mA; 峰值波长:830 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTODIODE |
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BPX 43-5 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:3.2 mA; 半强度角度:15 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.6 mm; 波长:880 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:5.6 mm; 高度:6.2 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:220 mW; 下降时间:18 us; 上升时间:18 us; 暗电流:20 nA; 集电极—射极饱和电压:260 mV; 集电极—射极击穿电压:50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:880 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTODIODE |
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BPX 43-4 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:4 mA; 半强度角度:15 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.6 mm; 波长:880 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:5.6 mm; 高度:6.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:220 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:20 nA; 集电极—射极饱和电压:240 mV; 集电极—射极击穿电压:50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:880 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTODIODE |
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BP 104 S-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 响应率:0.62 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:55 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:3.6E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:4.5 mm; 高度:1.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:20 ns; 上升时间:20 ns; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:DIL-SMT-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE, SMT |
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