| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
 |
QPA2263ATR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:17.3 dB; 输入返回损失:14.3 dB; 开发套件:QPA2263APCK401; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:QPA2263A; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:20 mA; OIP3 - 三阶截点:21.2 dBm; 测试频率:2400 MHz; NF—噪声系数:3.9 dB; 工作电源电压:2.2 V; 增益:12.5 dB; P1dB - 压缩点:7.2 dBm; 工作频率:0 Hz to 5000 MHz; 技术:SiGe; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 DC-5GHz NF 3.8dB Gain 12.9dB |
 |
CC2640R2FYFVR |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
商标名:SimpleLink; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:CC26xx; 定时器数量:4 x 32 bit; ADC通道数量:8 Channel; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:14 I/O; 接口类型:I2C, I2S, SSI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC2640R2F; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:DSBGA-34; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:20 kB; 程序存储器大小:128 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU |
 |
CYW20704UA2KFFB1G |
Cypress Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 定时器数量:4; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 30 C; 输入/输出端数量:8 I/O; 接口类型:I2C, I2S, PCM, UART, USB; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CYW20704; 程序存储器类型:EEPROM; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:FCBGA-49; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.2 V, 3.3 V; ADC分辨率:16 bit, 16 bit; 最大时钟频率:96 MHz; 数据 RAM 大小:352 kB; 程序存储器大小:848 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
射频微控制器 - MCU Bluetooth BLE and IEEE 802.15.4 |
 |
HMC129ALC4 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Mixer; Pd-功率耗散:124 mW; P1dB - 压缩点:10 dBm; OIP3 - 三阶截点:17 dBm; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC129; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 3 GHz; LO频率:4 GHz to 8 GHz; NF—噪声系数:7 dB; 转换损失——最大:9 dB; 射频:4 GHz to 8 GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 4-8GHz DBL-BAL Mixer |
 |
AD9375BBCZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:189; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:2 Transmitter; 接收机数量:2 Receiver; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:ADRV9375-N/PCBZ; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:AD9375; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-196; 接口类型:JESD204B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:4 dBm; 传输供电电流:1000 mA; 接收供电电流:1055 mA; 电源电压-最大:3.465 V; 电源电压-最小:1.14 V; 调制格式:FDD, TDD; 频率范围:300 MHz to 6000 MHz; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频收发器 Mykonos+DPD Broad Market Release |
 |
ST25DV04K-IER8C3 |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RFID Transponders; 开发套件:X-NUCLEO-NFC04A1; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25DV04K; 功能:Energy Harvesting, Data Protection, Fast Transfer Mode, RF Management; 封装 / 箱体:UFDFPN-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:4 kbit; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
RFID应答器 MEMORY |
 |
EFR32MG12P432F1024GM48-C |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:31 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:256 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32MG12; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:1024 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:10 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.3 dBm; 输出功率:19 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth, Zigbee; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC QFN48 2.4 G 19 dB mesh multi-protocol 1024 kB 256 kB (RAM) 31GPIO |
 |
DA14585-00000VV2 |
Dialog Semiconductor |
无线和射频半导体 |
商标名:SmartBond; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:7500; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; ADC通道数量:4 Channel; 最大时钟频率:16 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:10 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:96 kB; 商标:Dialog Semiconductor; 宽度:2.4 mm; 技术:Si; 系列:DA14585; 程序存储器类型:OTP, ROM; 长度:2.66 mm; 高度:0.39 mm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:WLCSP-34; 程序存储器大小:64 kB, 128 kB; 传输供电电流:3.4 mA; 接收供电电流:3.7 mA; 工作电源电压:900 mV to 3.6 V; 灵敏度:- 93 dBm; 输出功率:0 dBm; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Dialog Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC BT5.0 WL-CSP34 SoC |
 |
DA14682-00F08A92 |
Dialog Semiconductor |
无线和射频半导体 |
商标名:SmartBond; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:96 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:10 bit; 输入/输出端数量:37 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:128 kB; 商标:Dialog Semiconductor; 技术:Si; 系列:DA14682 & DA14683; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-60; 程序存储器大小:8 Mbit; 工作电源电压:1.7 V to 4.75 V; 核心:ARM Cortex M0; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Dialog Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC 5.0 SoC w/ Flexpower ARM Cortex M0 |
 |
IWR1642AQAGABL |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:176; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; ADC通道数量:6 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:200 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:CAN, I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:192 kB; 商标:Texas Instruments; 宽度:10.5 mm; 技术:Si; 系列:IWR1642; 长度:10.5 mm; 高度:1.17 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FCBGA-161; 工作温度范围:- 40 C to + 105 C; 程序存储器大小:256 kB; 工作电源电压:1.2 V, 1.3 V, 1.8 V, 3.3 V; 输出功率:12.5 dBm; 最大数据速率:900 Mb/s; 工作频率:76 GHz to 81 GHz; 核心:ARM Cortex R4F; 类型:Radar; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
RF片上系统 - SoC |
 |
ADRF5160BCPZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.4 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:1.1 mA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:5 V; 开发套件:ADRF5160-EVALZ; 运行时间—最大值:1.2 us; 空闲时间—最大值:1.2 us; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:ADRF5160; 封装 / 箱体:LFCSP-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:45 dB; 介入损耗:0.9 dB; 工作频率:0.7 GHz to 4 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC Low insertion loss,SPDT,3.5GHz,40W avg |
 |
AFM907NT1 |
NXP |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:1.6 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V , 12 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:65.7 W; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:1 Channel; 正向跨导 - 最小值:9.8 S; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:136 MHz to 941 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:8 W; 增益:15 dB; Vds-漏源极击穿电压:30 V; Id-连续漏极电流:3 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power |
 |
SX1281IMLTRT |
Semtech |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Transceiver; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Semtech; 技术:Si; 系列:SX1280/SX1281; 灵敏度:- 130 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 接口类型:SPI/UART; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:12.5 dBm; 传输供电电流:24 mA; 接收供电电流:8.2 mA, 8.6 mA, 6.4 mA; 电源电压-最大:3.7 V; 电源电压-最小:1.8 V; 调制格式:FLRC, GFSK, LoRa; 最大数据速率:1.3 Mb/s; 频率范围:2400 MHz to 2500 MHz; 类型:ISM; RoHS:Y; 制造商:Semtech; |
射频收发器 PreProduction Sample Wireless Transceiver |
 |
HMC1132PM5E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:5.49 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:6 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Cut Tape; 系列:HMC1132; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:600 mA; OIP3 - 三阶截点:35 dBm; 工作电源电压:6 V; 增益:22 dB; P1dB - 压缩点:30 dBm; 技术:GaAs; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:LFCSP-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 27 GHz to 32 GHz1W POWER AMPLIFIER |
 |
NVT4857UKAZ |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:NVT4857; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
RFID应答器 SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card with EMI filter and ESD protection |
|
QN9080CHNY |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:32 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:16 bit; 输入/输出端数量:35 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, USART, USB; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:128 kB; 商标:NXP Semiconductors; 宽度:6 mm; 技术:Si; 系列:QN9080; 程序存储器类型:Flash; 长度:6 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:HVQFN-48; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:3.5 mA; 接收供电电流:5 mA; 工作电源电压:1.62 V to 3.6 V; 灵敏度:- 91.5 dBm; 输出功率:2 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2483.5 MHz; 核心:ARM Cortex M4F; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
RF片上系统 - SoC BLE 5 512 KB/128 KB |
 |
HMC547ALP3ETR |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Switch ICs; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:- 7 V; 运行时间—最大值:10 ns; 空闲时间—最大值:10 ns; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC547; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:36 dB; 介入损耗:2.5 dB; 工作频率:DC to 20 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC hi Isolation SPDT Switch , DC - 20 GHz |
 |
CC2652R1FRGZT |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:250; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:31 I/O; 接口类型:I2C, I2S, SSI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC2652R; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-48; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:80 kB; 程序存储器大小:352 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4F; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU |
 |
SX1308IMLTRT |
Semtech |
无线和射频半导体 |
商标名:LoRa; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Wireless Misc; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:0 C; 最大工作温度:+ 70 C; 最大输入频率:10 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Semtech; 类型:Digital Baseband Chip; 技术:Si; 系列:SX1308; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VFQFN-64; 工作电源电流:5 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 工作频率:10 MHz; RoHS:Y; 制造商:Semtech; |
射频无线杂项 LoRa Concentrator |
 |
HMC787ALC3BTR |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Mixer; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:HMC787; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 Double-Balanced - Mixer, 3-11GHz |
 |
PN5180A0HN/C3E |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RFID Transponders; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:PN5180A; 封装:Tray; 最小工作温度:- 30 C; 最大工作温度:+ 85 C; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
RFID应答器 High-performance multi-protocol full NFC Forum-compliant frontend |
 |
ST25DV04K-JFR6L3 |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25DV04K; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 封装 / 箱体:WLCSP-10; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:1 MHz; 存储容量:4 kbit; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
RFID应答器 MEMORY |
 |
ADL5910ACPZN-R7 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1500; 产品类型:RF Detector; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:ADL5910-EVALZ; 商标:Analog Devices; 系列:ADL5910; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LFCSP-16; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 技术:Si; 典型电压灵敏度:-; 最大二极管电容:-; 工作电源电压:3.3 V; 配置:Single; 动态范围 dB:37 dB; 频率范围:DC to 6 GHz; 类型:Detector/Trigger; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频检测器 RMS TruPwr Detectors |
|
EFR32FG14P233F256GM48-B |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:28 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32FG14; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:8.5 mA, 35.3 mA; 接收供电电流:8.4 mA, 8.8 mA, 10.2 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 95.3 dBm; 最大数据速率:1 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz, Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Flex Premium SoC QFN48 dual 19.5 dB proprietary 256 kB 32 kB (RAM) 28GPIO SoC |
 |
MAMX-011054-TR0100 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Mixer; P1dB - 压缩点:10 dBm; OIP3 - 三阶截点:19 dBm; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:MAMX-011054-SMBPPR; 商标:MACOM; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:AQFN-12; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 55 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:0 GHz to 20 GHz; LO频率:18 GHz to 46 GHz; 转换损失——最大:13.5 dB; 射频:18 GHz to 46 GHz; 制造商:MACOM; |
射频混合器 |
 |
S2-LPCBQTR |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:1 Transmitter; 接收机数量:1 Receiver; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:S2-LP; 灵敏度:- 130 dBm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 接口类型:SPI; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:16 dBm; 传输供电电流:27 mA; 接收供电电流:7.2 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 调制格式:2-GFSK, 4-GFSK, ASK, OOK; 最大数据速率:500 kb/s; 频率范围:452 MHz to 527 MHz; 类型:Sub-GHz; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
射频收发器 LOW POWER RF |
 |
HMC392A |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.47 W; 输入返回损失:12 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Waffle; 系列:HMC392A; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:59 mA; OIP3 - 三阶截点:32.5 dBm; 测试频率:3.5 GHz to 7 GHz; NF—噪声系数:1.7 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:17.2 dB; P1dB - 压缩点:19 dBm; 工作频率:3.5 GHz to 7 GHz; 技术:GaAs; 类型:MMIC Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Amplifiers |
|
nRF52811-QFAA-R7 |
Nordic Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:64 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:32 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:PDM, PWM, SPI, UART, TWI; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:24 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 宽度:6 mm; 技术:Si; 系列:NRF52811; 程序存储器类型:Flash; 长度:6 mm; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:192 kB; 传输供电电流:4.6 mA; 接收供电电流:4.6 mA; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 灵敏度:- 96 dBm; 输出功率:4 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Nordic Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC Bluetooth 5.1 Multiprotocal |
|
SI2141-A10-GM |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:Tuners; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:Si2141; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-24; 工作电源电压:1.8 V, 3.3 V; 最小频率:42 MHz; 最大频率:1002 MHz; NF—噪声系数:3.6 dB; 类型:Digital TV Tuner; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
调谐器 Worldwide Digital TV Tuner for ATSC/QAM, DVBT2/T/C2/C, ISDB-T/C, DTMB |
|
CC2640R2FTWRGZTQ1 |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
商标名:SimpleLink; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:250; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:31 I/O; 接口类型:I2C, I2S, SSI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC2640R2F-Q1; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-48; 最大工作温度:+ 105 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:20 kB; 程序存储器大小:128 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU Autom Qualified SimpleLink Bluetooth |
 |
HMC589AST89ETR |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:450 mW; 隔离分贝:23 dB; 输入返回损失:10 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:HMC589A; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:82 mA; OIP3 - 三阶截点:29 dBm; 测试频率:3 GHz to 4 GHz; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:16 dB; P1dB - 压缩点:18 dBm; 工作频率:0 Hz to 4 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:HBT MMIC Amplifier; 封装 / 箱体:SOT89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 MMIC AMPLIFIER, DC - 4 GHzFor |
|
nRF52811-QFAA-T |
Nordic Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:64 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:32 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:PDM, PWM, SPI, UART, TWI; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:24 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 宽度:6 mm; 技术:Si; 系列:NRF52811; 程序存储器类型:Flash; 长度:6 mm; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:192 kB; 传输供电电流:4.6 mA; 接收供电电流:4.6 mA; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 灵敏度:- 96 dBm; 输出功率:4 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Nordic Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC Bluetooth 5.1 Multiprotocal |
 |
CC2564CRVMT |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:250; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:1 Transmitter; 接收机数量:1 Receiver; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:CC256XCQFN-EM; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC2564C; 灵敏度:- 96 dBm; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VQFN-76; 接口类型:UART; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:12 dBm; 传输供电电流:112.5 mA; 电源电压-最大:4.8 V; 电源电压-最小:1.7 V; 调制格式:8DPSK, DQPSK, GFSK; 最大数据速率:4 Mb/s; 频率范围:2.402 GHz to 2.48 GHz; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频收发器 |
|
MAAP-118260 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:4.87 W; 输入返回损失:14 dB; 开发套件:MAAP-118260-001SMB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 封装:Bulk; 系列:MAAP-118260; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:662 mA; OIP3 - 三阶截点:36.5 dBm; 测试频率:24 GHz to 26.5 GHz; 工作电源电压:5 V; 增益:25.5 dB; P1dB - 压缩点:28.5 dBm; 工作频率:17.7 GHz to 26.5 GHz; 技术:Si; 类型:Linear Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 18-26GHz Gain 28.5dB P1dB 29dBm |
 |
LTC5562IUC#TRMPBF |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; P1dB - 压缩点:6 dBm; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 工作电源电流:40 mA; OIP3 - 三阶截点:21 dBm; 增益:2 dB; 商标:Analog Devices / Linear Technology; 技术:Si; 系列:LTC5562; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-10; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 中频:0 MHz to 7 GHz; LO频率:0 MHz to 9 GHz; NF—噪声系数:15.9 dB; 射频:0 MHz to 7 GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 LF-7GHz Low-Power, Wideband Active Mixer |
 |
NSVF6003SB6T1G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:800 mW; 最大直流电集电极电流:150 mA; 商标:ON Semiconductor; 工作频率:7 GHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 封装 / 箱体:CPH-6; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:150 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 0.15A 12V FT=7G |
 |
SKY13626-685LF |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:SKY13626-685LF-EVB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY13626; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-9; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 90 C; 工作频率:0.4 GHz to 3.8 GHz; 开关配置:SP4T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
RF 开关 IC SP4T LTE |
 |
HMC346AMS8GETR |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:Attenuators; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:2.1 dB; 商标:Analog Devices; 类型:Voltage Variable Attenuator; 系列:HMC346; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:8 GHz; 最大衰减:28 dB; 封装 / 箱体:MSOP-8; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 衰减器 |
 |
ST25DV02K-W1R8S3 |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RFID Transponders; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25DV02K-W1; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:2 kbit; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
RFID应答器 MEMORY |
|
HMC6505ALC5 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:Up-Down Converters; Pd-功率耗散:1.65 W; OIP3 - 三阶截点:35 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC6505A; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SMT-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:125 mA; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:12 dB; P1dB - 压缩点:22 dBm; 增益:14 dB; LO频率:5 GHz to 11.6 GHz; 中频:DC to 3 GHz; 射频:5.5 GHz to 8.6 GHz; 产品:Up Converters; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
上下转换器 5.5-8.6GHz IQ VGA UP CONVERTER |
 |
ST25TA02KB-PC6H5 |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RFID Transponders; 开发套件:CLOUD-ST25TA; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25TA02KB-P; 功能:Digital Output, Product Identification and Protection; 封装 / 箱体:UFDFPN-5; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:2 kbit; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
RFID应答器 MEMORY |
|
MKW31Z512VHT4 |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:MKW31Z; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:16 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:128 kB; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:6.1 mA; 接收供电电流:6.8 mA; 工作电源电压:0.9 V to 4.2 V; 灵敏度:- 95 dBm; 输出功率:3.5 dBm; 最大数据速率:1000 kb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
RF片上系统 - SoC Kinetis KW31Z: BLE 4.2 Wireless Radio MCU, 48MHz Cortex-M0+, 512KB Flash, 128K RAM, 48-Laminate QFN |
 |
RFFM4227TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:RFFM4227PCK-410; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:RFFM4227; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:9 mA; NF—噪声系数:1.3 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:15 dB; 工作频率:2400 MHz to 2500 MHz; 技术:Si; 类型:Low Noise; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 2.4GHz Gain 15dB NF 1.3dB |
 |
ADGM1004JCPZ-R2 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:3.1 V; 电源电压-最大:3.3 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:250; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:0 C; 开发套件:EVAL-ADGM1004EBZ; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:ADGM1004; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LFCSP-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:24 dB; 介入损耗:0.63 dB; 工作频率:0 Hz to 13 GHz; 开关配置:SP4T; 开关数量:Quad; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC >1kV HBM ESD MEMS Switch Solution |
 |
EFR32FG14P231F256GM32-B |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:16 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:5 mm; 技术:Si; 系列:EFR32FG14; 程序存储器类型:Flash; 长度:5 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:35.3 mA; 接收供电电流:8.4 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 126.2 dBm; 输出功率:20 dBm; 最大数据速率:38.4 kb/s; 工作频率:Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Flex Premium SoC QFN32 sub-GHz 19.5 dB proprietary 256 kB 32 kB (RAM) 16GPIO SoC |
 |
SKY85728-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 增益:32 dB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY85728; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电压:5 V; 工作频率:5 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 5GHz 21dBm, 5V 11ac FEM |
 |
SKY85735-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10000; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:SKY85735-11EK1; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY85735; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MCM-12; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电压:5 V; 工作频率:5 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 5.8GHz 256QAM PA+SW+LNA FEM in 2.0mmx2.0 |
|
nRF52811-QCAA-R7 |
Nordic Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1500; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:64 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:16 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:PDM, PWM, SPI, TWI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:24 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 技术:Si; 系列:NRF52811; 程序存储器类型:Flash; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:192 kB; 传输供电电流:7 mA; 接收供电电流:4.6 mA; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 灵敏度:- 96 dBm; 输出功率:4 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Nordic Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC Bluetooth 5.1 Multiprotocal |
 |
NSVF4020SG4T1G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:400 mW; 最大直流电集电极电流:150 mA; 商标:ON Semiconductor; 工作频率:16 GHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 封装 / 箱体:SC-82FL-4; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:150 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:8 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:60; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 150MA 8V FT=16G |
 |
ADF7030-1BCPZN |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:1 Transmitter; 接收机数量:1 Receiver; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:ADF7030-1; 灵敏度:- 119.4 dBm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LFCSP-40; 接口类型:GPIO, SPI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:17 dBm; 传输供电电流:65 mA; 接收供电电流:25.4 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.2 V; 调制格式:2-FSK, 2-GFSK, 4-FSK, 4-GFSK, OOK; 最大数据速率:360 kb/s; 频率范围:169.4 MHz to 169.9 MHz, 426 MHz to 470 MHz, 863 MHz to 960 MHz; 类型:Sub-GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频收发器 Sub GHz ISM band Transceiver |
QQ客服
