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无线和射频半导体
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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
HMC717ALP3ETR 无线和射频半导体 HMC717ALP3ETR Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:HMC717; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 射频放大器 LNA w/ Adj Bias, 4.9 to 6.0GHz
HMC939ATCPZ-EP-PT 无线和射频半导体 HMC939ATCPZ-EP-PT Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:0.1 GHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:6 dB; 商标:Analog Devices; 类型:Attenuator; 系列:HMC939; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:1 dB; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:5 bit; 最大频率:33 GHz; 最大衰减:31 dB; 封装 / 箱体:LFCSP-24; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 衰减器 0.1 GHz to 33 GHz,1 dB LSB, 5-Bit, GaAs
SI2151-A10-GM 无线和射频半导体 SI2151-A10-GM Silicon Laboratories 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:Tuners; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:Si2151; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-24; 工作电源电压:1.8 V, 3.3 V; 最小频率:42 MHz; 最大频率:1002 MHz; NF—噪声系数:3.6 dB; 类型:Digital and Analog TV Tuner; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; 调谐器 Worldwide Digital and Analog TV Tuner for NTSC, PAL/SECAM, ATSC/QAM, DVB-T2/T/C2/C, ISDB-T/C, DTMB
MAAM-011240-TR1000 无线和射频半导体 MAAM-011240-TR1000 MACOM 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:21 dB; 输入返回损失:20 dB; 开发套件:MAAM-011240-001SMB; 通道数量:2 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:290 mA; OIP3 - 三阶截点:44 dBm; 测试频率:1218 MHz; NF—噪声系数:2.6 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:17 dB; P1dB - 压缩点:25 dBm; 工作频率:5 MHz to 1218 MHz; 技术:Si; 类型:Differential RF Amplifier; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; 射频放大器
MKW41Z256VHT4 无线和射频半导体 MKW41Z256VHT4 NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:16 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:64 kB; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:6.1 mA; 接收供电电流:6.8 mA; 工作电源电压:0.9 V to 4.2 V; 灵敏度:- 95 dBm, - 100 dBm; 输出功率:3.5 dBm; 最大数据速率:1000 kb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:NXP; RF片上系统 - SoC Kinetis KW41Z: BLE 4.2 & 802.15.4 Wireless MCU, 48MHz Cortex-M0+, 256KB Flash, 64KB RAM, 48-LQFN
ST25DV02K-W2R8S3 无线和射频半导体 ST25DV02K-W2R8S3 STMicroelectronics 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RFID Transponders; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25DV02K-W2; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:2 kbit; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; RFID应答器 MEMORY
CYW20736A1KML2G 无线和射频半导体 CYW20736A1KML2G Cypress Semiconductor 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 定时器数量:4; ADC通道数量:9 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 30 C; 输入/输出端数量:14 I/O; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CYW20736; 程序存储器类型:EEPROM; 输出功率:4 dBm; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-32; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.2 V; ADC分辨率:16 bit; 最大时钟频率:24 MHz; 数据 RAM 大小:60 kB; 程序存储器大小:320 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; 射频微控制器 - MCU Bluetooth, BLE and IEEE 802.15.4
CY8C4248LQI-BL543 无线和射频半导体 CY8C4248LQI-BL543 Cypress Semiconductor 无线和射频半导体 商标名:PSoC 4; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CY8C4248; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; 射频微控制器 - MCU PSoC4
NSVF4017SG4T1G 无线和射频半导体 NSVF4017SG4T1G ON Semiconductor 无线和射频半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:450 mW; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:ON Semiconductor; 工作频率:10 GHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 封装 / 箱体:SC-82FL-4; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:100 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:60; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 100MA 12V FT=10G
CYW20734UA1KFFB3G 无线和射频半导体 CYW20734UA1KFFB3G Cypress Semiconductor 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 定时器数量:4; ADC通道数量:28 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:0 C; 输入/输出端数量:40 I/O; 接口类型:I2C, I2S, PCM, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CYW20734; 程序存储器类型:EEPROM; 输出功率:12 dBm; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:FBGA-90; 最大工作温度:+ 70 C; 工作电源电压:1.2 V, 3.3 V; ADC分辨率:10 bit, 13 bit; 最大时钟频率:96 MHz; 数据 RAM 大小:352 kB; 程序存储器大小:848 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; 射频微控制器 - MCU Bluetooth BLE and IEEE 802.15.4
HMC8401-SX 无线和射频半导体 HMC8401-SX Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.67 W; 输入返回损失:15 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Gel Pack; 系列:HMC8401; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:60 mA; OIP3 - 三阶截点:24 dBm; 测试频率:26 GHz to 28 GHz; NF—噪声系数:2 dB; 工作电源电压:7.5 V; 增益:14.5 dB; P1dB - 压缩点:14 dBm; 工作频率:0 Hz to 28 GHz; 技术:GaAs; 类型:LNA; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 射频放大器 Die Sales- 2 die pack
SKY85712-21 无线和射频半导体 SKY85712-21 Skyworks 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:10 dBm; OIP3 - 三阶截点:8 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 增益:27 dB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY85712; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:11 mA; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:2.7 dB; 工作频率:5 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; 射频前端 5GHz 802.11ac 21dBm, 5V FEM in 3.0 x 3.0
EFR32MG12P232F1024GM48-C 无线和射频半导体 EFR32MG12P232F1024GM48-C Silicon Laboratories 无线和射频半导体 商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:31 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:128 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32MG12; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:1024 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:10 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.3 dBm; 输出功率:19 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth, Zigbee; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC QFN48 2.4 G 19 dB mesh multi-protocol 1024 kB 128 kB (RAM) 31GPIO
MKW21Z512VHT4 无线和射频半导体 MKW21Z512VHT4 NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:9 x 16 bit, 2 x 32 bit; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:16 bit; 输入/输出端数量:25 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:128 kB; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:6.1 mA; 接收供电电流:6.8 mA; 工作电源电压:0.9 V to 4.2 V; 灵敏度:- 100 dBm; 输出功率:3.5 dBm; 最大数据速率:1000 kb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:NXP; RF片上系统 - SoC Kinetis KW21Z: 802.15.4 Wireless MCU, 48MHz Cortex-M0+, 512KB Flash, 128KB RAM, 48-Laminate QFN
nRF52832-QFAB-T 无线和射频半导体 nRF52832-QFAB-T Nordic Semiconductor 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:nRF52; 定时器数量:5 x 32 bit Timer; ADC通道数量:8 Channel; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:64 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:32 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:2 Wire, I2C, I2S, PDM, PPI, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 技术:Si; 系列:nRF52832; 程序存储器类型:Flash; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:250 kB; 传输供电电流:5.3 mA; 接收供电电流:5.4 mA; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 灵敏度:- 96 dBm; 输出功率:4 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Nordic Semiconductor; RF片上系统 - SoC Bluetooth 4.2 & 5 NFC tag QFN 48
ST25DV16K-JFR6D3 无线和射频半导体 ST25DV16K-JFR6D3 STMicroelectronics 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25DV16K; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; RFID应答器 MEMORY
SI2141-B10-GM 无线和射频半导体 SI2141-B10-GM Silicon Laboratories 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:Tuners; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:Si2141; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-24; 工作电源电压:1.8 V, 3.3 V; 最小频率:42 MHz; 最大频率:1002 MHz; NF—噪声系数:3.6 dB; 类型:Digital TV Tuner; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; 调谐器 Worldwide Digital TV Tuner for ATSC/QAM, DVBT2/T/C2/C, ISDB-T/C, DTMB
EFR32BG12P432F1024GL125-C 无线和射频半导体 EFR32BG12P432F1024GL125-C Silicon Laboratories 无线和射频半导体 商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:65 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:256 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32BG12; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.87 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-125; 程序存储器大小:1024 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:10 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.3 dBm; 输出功率:19 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; RF片上系统 - SoC Blue Gecko BLE SoC BGA125 2.4 G 19 dB BLE/proprietary 1024 kB 256 kB (RAM) 65GPIO
ADRF6821ACPZ 无线和射频半导体 ADRF6821ACPZ Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:Modulator / Demodulator; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:ADRF6821-EVALZ; 商标:Analog Devices; 系列:ADRF6821; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LFCSP-56; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:SiGe; 工作电源电流:-; 工作电源电压:3.1 V to 3.5 V; 输出功率:0 dBm; 最小频率:450 MHz; 最大频率:2800 MHz; 调制格式:Quadrature; 类型:Demodulator; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 调节器/解调器 Wideband DPD Receiver
ADF4152HVBCPZ 无线和射频半导体 ADF4152HVBCPZ Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:PLLs - Phase Locked Loops; 工作电源电压:3.6 V; 工作电源电流:50 mA; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:EVAL-ADF4152HVEB1Z; 商标:Analog Devices; 系列:ADF4152HV; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LFCSP-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 输出频率范围:500 MHz to 5 GHz; 最小输入频率:10 MHz; 最大输入频率:300 MHz; 电路数量:1; 类型:Fractional-N/Integer-N; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 锁相环 - PLL 5GHz frac-N PLL with 28V charge pump
ADMV1012AEZ 无线和射频半导体 ADMV1012AEZ Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:Up-Down Converters; Pd-功率耗散:0.8 W; OIP3 - 三阶截点:3 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:ADMV1012-EVALZ; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:ADMV1012; 封装 / 箱体:LCC-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:3 V; NF—噪声系数:2.5 dB; P1dB - 压缩点:- 5 dBm; 增益:15 dB; LO频率:7 GHz to 13.5 GHz; 中频:2.5 GHz to 3.5 GHz; 射频:17.5 GHz to 24 GHz; 产品:Down Converters; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 上下转换器 18/23GHz GaAs D/C
HMC8325-SX 无线和射频半导体 HMC8325-SX Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:15 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Gel Pack; 系列:HMC8325; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:50 mA; OIP3 - 三阶截点:22 dBm; 测试频率:-; NF—噪声系数:3.6 dB; 工作电源电压:3 V; 增益:21 dB; P1dB - 压缩点:13 dBm; 工作频率:71 GHz to 86 GHz; 技术:GaAs; 类型:E-Band Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 射频放大器 E-Band Low Noise Amplifier 71 to 86 GHz
NSVF4015SG4T1G 无线和射频半导体 NSVF4015SG4T1G ON Semiconductor 无线和射频半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:450 mW; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:ON Semiconductor; 工作频率:10 GHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 封装 / 箱体:SC-82FL-4; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:100 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:60; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 100MA 12V FT=10G
EFR32BG12P132F1024GM48-C 无线和射频半导体 EFR32BG12P132F1024GM48-C Silicon Laboratories 无线和射频半导体 商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:31 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:128 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32BG12; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:1024 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:10 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.3 dBm; 输出功率:19 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; RF片上系统 - SoC Blue Gecko BLE SoC QFN48 2.4 G 0 dB BLE/Proprietary 1024 kB 128 kB(RAM) 31GPIO
CY8C4128LQI-BL583 无线和射频半导体 CY8C4128LQI-BL583 Cypress Semiconductor 无线和射频半导体 商标名:PSoC 4; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CY8C4128; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; 射频微控制器 - MCU PSoC4
EFR32BG1B232F256GJ43-C0 无线和射频半导体 EFR32BG1B232F256GJ43-C0 Silicon Laboratories 无线和射频半导体 商标名:Blue Gecko; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:EFB32BG1; 定时器数量:2 x 16 bit; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:31 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, UART, USART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:CSP-43; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:8.2 mA; 接收供电电流:8.7 mA; 工作电源电压:1.85 V to 3.8 V; 灵敏度:- 94 dBm; 输出功率:10.5 dBm; 最大数据速率:1 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; RF片上系统 - SoC Blue Gecko SoC, 2.4 GHz, 256 kB flash, 32 kB RAM, +10.5 dBm, WLCP43, BLE
CGA-1040-01-SMA-02 无线和射频半导体 CGA-1040-01-SMA-02 Cinch Connectivity Solutions 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 产品类型:Attenuators; 最小频率:DC; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Midwest Microwave / Cinch Connectivity Solutions; 类型:Commercial Grade Attenuator; 系列:CGA-1040; 功率额定值:2 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 65 C; 技术:Si; 最大 VSWR:1.18:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:4 GHz; 最大衰减:1 dB; RoHS:Y; 制造商:Cinch Connectivity Solutions; 衰减器 SMA M/F Attenuator 1dB 2W DC-4 GHz
HMC347A-SX 无线和射频半导体 HMC347A-SX Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 55 C; 高控制电压:- 5 V; 运行时间—最大值:10 ns; 空闲时间—最大值:10 ns; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC347; 封装:Waffle; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:40 dB; 介入损耗:2.1 dB; 工作频率:DC to 20 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; RF 开关 IC Switches
NSVF3007SG3T1G 无线和射频半导体 NSVF3007SG3T1G ON Semiconductor 无线和射频半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:350 mW; 最大直流电集电极电流:30 mA; 商标:ON Semiconductor; 工作频率:8 GHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 封装 / 箱体:SC-70FL-3; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:30 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:60; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 射频(RF)双极晶体管 RF-TR 12V 30MA FT=8G NPN
CYW20737A1KML2G 无线和射频半导体 CYW20737A1KML2G Cypress Semiconductor 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 定时器数量:4; ADC通道数量:9 Channel; 最小工作温度:- 30 C; 输入/输出端数量:14 I/O; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 程序存储器类型:EEPROM; 输出功率:4 dBm; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-32; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.2 V; ADC分辨率:16 bit; 最大时钟频率:24 MHz; 数据 RAM 大小:60 kB; 程序存储器大小:320 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; 射频微控制器 - MCU Bluetooth, BLE and IEEE 802.15.4
EFR32FG14P231F256IM32-B 无线和射频半导体 EFR32FG14P231F256IM32-B Silicon Laboratories 无线和射频半导体 商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:16 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:5 mm; 技术:Si; 系列:EFR32FG14; 程序存储器类型:Flash; 长度:5 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:35.3 mA; 接收供电电流:8.4 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 126.2 dBm; 输出功率:20 dBm; 最大数据速率:38.4 kb/s; 工作频率:Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; RF片上系统 - SoC Flex Premium SoC QFN32 sub-GHz extended 19.5 dB proprietary 256 kB 32 kB (RAM) 16GPIO SoC
CC1350F128RHBT 无线和射频半导体 CC1350F128RHBT Texas Instruments 无线和射频半导体 商标名:SimpleLink; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:250; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:CC1350; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:CC1350STK; 输入/输出端数量:15 I/O; 接口类型:I2C, I2S, SSI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC1350; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-32; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:20 kB; 程序存储器大小:128 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:Sub-GHz, 2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; 射频微控制器 - MCU SimpleLink Ultra-LP Wireless Microcontrl
EFR32BG1P332F256GJ43-C0 无线和射频半导体 EFR32BG1P332F256GJ43-C0 Silicon Laboratories 无线和射频半导体 商标名:Blue Gecko; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:EFR32BG1; 定时器数量:2 x 16 bit; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:31 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, UART, USART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:CSP-43; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:8.2 mA; 接收供电电流:8.7 mA; 工作电源电压:1.85 V to 3.8 V; 灵敏度:- 94 dBm; 输出功率:19.5 dBm; 最大数据速率:1 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; RF片上系统 - SoC Blue Gecko SoC, 2.4 GHz, 256 kB flash, 32 kB RAM, +19.5 dBm, WLCP43, BLE, proprietary
HMC8108LC5 无线和射频半导体 HMC8108LC5 Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:Up-Down Converters; OIP3 - 三阶截点:-; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:EVAL-HMC8108; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC8108; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LCC-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:30 mA; 工作电源电压:3 V; NF—噪声系数:2 dB; P1dB - 压缩点:- 4 dBm; 增益:13 dB; LO频率:9 GHz to 10 GHz; 中频:0.02 GHz to 1 GHz; 射频:9 GHz to 10 GHz; 产品:Down Converters; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 上下转换器 9-10 GHz I/Q LNC
ADPA7001CHIPS-SX 无线和射频半导体 ADPA7001CHIPS-SX Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:2.4 W; 输入返回损失:15 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Gel Pack; 系列:ADPA7001; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:350 mA; OIP3 - 三阶截点:25 dBm; 测试频率:90 GHz to 95 GHz; 工作电源电压:3.5 V; 增益:15 dB; P1dB - 压缩点:17 dBm; 工作频率:50 GHz to 95 GHz; 技术:GaAs; 类型:Wideband Power Amplifier; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 射频放大器 50 GHz to 90 GHz 75 mW PA
NSVF4009SG4T1G 无线和射频半导体 NSVF4009SG4T1G ON Semiconductor 无线和射频半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 40MA 3.5V FT=25G
QPF4518MTR7 无线和射频半导体 QPF4518MTR7 Qorvo 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:750; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:32 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:QPF4518MPCK401; 增益:32 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:QPF4518M; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大数据速率:6 Mb/s; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:320 mA; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:2 dB; 工作频率:5150 MHz to 5925 MHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; 射频前端 5150-5925MHz NF 2dB Gain TX 32dB RX 16dB
EFR32FG1V132F64GM48-C0 无线和射频半导体 EFR32FG1V132F64GM48-C0 Silicon Laboratories 无线和射频半导体 商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:EFR32FG1; 定时器数量:2 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:31 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SMBus, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:16 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32FG1; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:64 kB; 传输供电电流:8.2 mA; 接收供电电流:9.8 mA; 工作电源电压:3.3 V; 灵敏度:- 89.2 dBm, - 92.5 dBm; 输出功率:19.5 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN48 64 kB flash 16 kB RAM 31 GPIO
QN9080DHNE 无线和射频半导体 QN9080DHNE NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:32 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:16 bit; 输入/输出端数量:35 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, USART, USB; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:128 kB; 商标:NXP Semiconductors; 宽度:6 mm; 技术:Si; 系列:QN9080; 程序存储器类型:Flash; 长度:6 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:HVQFN-48; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:3.5 mA; 接收供电电流:5 mA; 工作电源电压:1.62 V to 3.6 V; 灵敏度:- 91.5 dBm; 输出功率:2 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2483.5 MHz; 核心:ARM Cortex M4F; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:NXP; RF片上系统 - SoC BTLE SoC
EFR32MG12P433F1024GM68-C 无线和射频半导体 EFR32MG12P433F1024GM68-C Silicon Laboratories 无线和射频半导体 商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:46 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:256 kB; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:EFR32MG12; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-68; 程序存储器大小:1024 kB; 传输供电电流:8.5 mA, 35.3 mA; 接收供电电流:8.4 mA, 10 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.3 dBm; 输出功率:19 dBm, 20 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz, Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth, Zigbee; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC QFN68 dual 19 dB mesh multi-protocol 1024 kB 256 kB (RAM) 46GPIO
HMC220BMS8GETR 无线和射频半导体 HMC220BMS8GETR Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:HMC220; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 射频混合器 5-12 GHz DBL-BAL Mixer
HMC219BMS8GETR 无线和射频半导体 HMC219BMS8GETR Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:HMC219B; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 射频混合器 Mixer
EFR32MG12P432F1024IM48-C 无线和射频半导体 EFR32MG12P432F1024IM48-C Silicon Laboratories 无线和射频半导体 商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:31 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:256 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32MG12; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:1024 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:10 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.3 dBm; 输出功率:19 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth, Zigbee; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC QFN48 2.4 G 19 dB mesh multi-protocol 1024 kB 256 kB (RAM) 31GPIO, +125
HMC973ALP3ETR 无线和射频半导体 HMC973ALP3ETR Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:Attenuators; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 系列:HMC973A; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 衰减器 Voltage Variable
HMC629ALP4ETR 无线和射频半导体 HMC629ALP4ETR Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:Attenuators; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 系列:HMC629; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 衰减器 衰减器
DA14683-00000U22 无线和射频半导体 DA14683-00000U22 Dialog Semiconductor 无线和射频半导体 商标名:SmartBond; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; ADC通道数量:8 Channel; 最大时钟频率:96 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:10 bit; 输入/输出端数量:16 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:128 kB; 商标:Dialog Semiconductor; 技术:Si; 系列:DA14682 & DA14683; 程序存储器类型:OTP; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:WLCSP-53; 程序存储器大小:64 kB; 工作电源电压:1.7 V to 4.75 V; 核心:ARM Cortex M0; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Dialog Semiconductor; RF片上系统 - SoC 5.0 SoC w/ Flexpower ARM Cortex M0
CC1350F128RSMT 无线和射频半导体 CC1350F128RSMT Texas Instruments 无线和射频半导体 商标名:SimpleLink; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:250; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:CC1350; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:CC1350STK; 输入/输出端数量:10 I/O; 接口类型:I2C, I2S, SSI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC1350; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-32; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:20 kB; 程序存储器大小:128 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:Sub-GHz, 2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; 射频微控制器 - MCU
MAAP-011233-TR0500 无线和射频半导体 MAAP-011233-TR0500 MACOM 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:10 dB; 开发套件:MAAP-011233-SMB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:2.8 A; OIP3 - 三阶截点:36 dBm; 测试频率:30 GHz; 增益:25 dB; P1dB - 压缩点:34.5 dBm; 工作频率:28.5 GHz to 31 GHz; 技术:Si; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:AQFN-32; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; 射频放大器
EFR32FG14P231F256GM48-B 无线和射频半导体 EFR32FG14P231F256GM48-B Silicon Laboratories 无线和射频半导体 商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:32 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32FG14; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:35.3 mA; 接收供电电流:8.4 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 126.2 dBm; 输出功率:20 dBm; 最大数据速率:38.4 kb/s; 工作频率:Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; RF片上系统 - SoC Flex Premium SoC QFN48 sub-GHz 19.5 dB proprietary 256 kB 32 kB (RAM) 31GPIO SoC
A2T27S020NR1 无线和射频半导体 A2T27S020NR1 NXP 无线和射频半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:500; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:NXP; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 400-2700 MHz, 2.5 W Avg., 28 V
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