| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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F2911NBGP |
Renesas Electronics |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:230 uA; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Renesas / IDT; 技术:Si; 系列:F2911; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:35 dB; 介入损耗:0.89 dB; 工作频率:1 MHz to 3500 MHz; 开关配置:SPST; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
RF 开关 IC 75 Ohm SPST RF SW 1MHz - 3500MHz |
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SKY65805-696LF |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 通道数量:1 Channel; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SKY65805; 工作电源电流:4.5 mA; OIP3 - 三阶截点:0 dBm; NF—噪声系数:1.1 dB; 工作电源电压:1.5 V to 3.3 V; 增益:13 dB; P1dB - 压缩点:- 3 dBm; 工作频率:2300 MHz to 2690 MHz; 技术:Si; 类型:LNA; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频放大器 2.3-2.69GHz NF 1.1dB SSG 13dB 1.5-3.3V |
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SKY65804-696LF |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 通道数量:1 Channel; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SKY65804; 工作电源电流:4.5 mA; OIP3 - 三阶截点:0 dBm; NF—噪声系数:1.1 dB; 工作电源电压:1.5 V to 3.3 V; 增益:14.5 dB; P1dB - 压缩点:- 7 dBm; 工作频率:1805 MHz to 2170 MHz; 技术:Si; 类型:LNA; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频放大器 1805-2170MHz SSG 14.5dB NF 1.1dB |
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SKY67180-306LF |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:9.5 dB; 开发套件:SKY67180-306EK; 通道数量:2 Channel; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:SKY67180; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:125 mA; OIP3 - 三阶截点:34 dBm; 测试频率:3.4 GHz; NF—噪声系数:0.8 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:31 dB; P1dB - 压缩点:17 dBm; 工作频率:1.5 GHz to 3.8 GHz; 技术:Si; 类型:LNA; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频放大器 |
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F1978NCGK |
Renesas Electronics |
无线和射频半导体 |
商标名:Glitch-Free; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3 V to 5.25 V; 最小频率:5 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:1.2 dB; 商标:Renesas / IDT; 类型:Digital Step Attenuator; 系列:F1978; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 衰减器步长:0.5 dB; 阻抗:75 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:6 bit; 最大频率:3 GHz; 最大衰减:31.7 dB; 封装 / 箱体:TQFN-20; 制造商:Renesas Electronics; |
衰减器 Evaluation board for F2950, High Linearity SP2T Wi-Fi RF Switch 100MHz to 8GHz |
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PTFC210202FC-V1-R0 |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs - 栅极-源极电压:10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 通道数量:2 Channel; 商标:Wolfspeed / Cree; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:1800 MHz to 2200 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:H-37248-4; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 225 C; 输出功率:28 W; 增益:21 dB; Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms; Vds-漏源极击穿电压:65 V; 技术:Si; 晶体管极性:Dual N-Channel; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET |
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SI4355-B1A-FMR |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EZRadio; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Receiver; 工作电源电流:2 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:SI4355; 带宽:40 kHz to 850 kHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-20; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:283 MHz to 960 MHz; 类型:SUB-GHz Receiver; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
射频接收器 -116 dBm sub-GHz receiver |
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LMH2110TMX/NOPB |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Detector; 开发套件:LMH2110TMEVAL/NOPB; 商标:Texas Instruments; 系列:LMH2110; 准确性:0.5 dB; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DSBGA-6; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 技术:Si; 工作电源电压:2.7 V to 5 V; 配置:Single; 频率范围:50 MHz to 8000 MHz; 类型:Logarithmic RMS; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频检测器 |
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ADL5380ACPZ-R7 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1500; 产品类型:Modulator / Demodulator; Pd-功率耗散:1370 mW; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:AD-FMCOMMS1-EBZ; 接口类型:LO; 商标:Analog Devices; 宽度:3.75 mm; 系列:ADL5380; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:4 mm; 高度:1 mm; 封装 / 箱体:LFCSP-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 工作电源电流:245 mA; 工作电源电压:4.75 V to 5.25 V; 最小频率:400 MHz; 最大频率:6 GHz; 调制格式:Quadrature; 类型:Demodulator; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
调节器/解调器 400 MHz - 6 GHz Broadband DMOD |
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TQM8M9075 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:TQM; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:88 mA; NF—噪声系数:2.9 dB; 工作电源电压:5 V; 工作频率:500 MHz to 4 GHz; 技术:Si; 类型:Digital Variable Gain Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 50-4000MHz NF 2.9dB Gain 18dB |
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BGT 24MTR11 E6327 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Transceiver; 湿度敏感性:Yes; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 类型:Radar; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频收发器 24GHz Transceiver MMIC |
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TQP7M9106 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
电源电压-最大:5.25 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:TQP; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:455 mA; OIP3 - 三阶截点:50 dBm; 测试频率:940 MHz; NF—噪声系数:4.8 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:20.8 dB; P1dB - 压缩点:33 dBm; 工作频率:50 MHz to 1.5 GHz; 技术:Si; 类型:High Linearity Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 50-1500MHz 2W Gain 20.8dB@940MHz |
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SKY73009-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:Modulator / Demodulator; 湿度敏感性:Yes; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 系列:SKY73009; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
调节器/解调器 400-3000MHz SSB NF 17dB max. |
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AFT27S010NT1 |
NXP |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:1 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:100 MHz to 3.6 GHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:PLD-1.5W; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:1.26 W; 增益:21.7 dB; Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 65 V; Id-连续漏极电流:90 mA; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:NXP; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, .7-3.6GHz 1.26W |
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ADL5390ACPZ-REEL7 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:4.75 V; 电源电压-最大:5.25 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 产品:Variable Gain Amplifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:ADL5390; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:135 mA; 工作电源电压:5 V; 技术:Si; 类型:Vector Multiplier; 封装 / 箱体:LFCSP-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Vector Multiplier |
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NBB-400-T1 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:300 mW; 开发套件:NBB-400-E; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:47 mA; OIP3 - 三阶截点:28.1 dBm; 测试频率:6 GHz to 8 GHz; NF—噪声系数:4.3 dB; 工作电源电压:3.9 V; 增益:13.5 dB; P1dB - 压缩点:13.5 dBm; 工作频率:0 Hz to 8 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:HBT MMIC Amplifier; 封装 / 箱体:Micro-X-4; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 DC-8GHz Gain 15.5dB P1dB 15dBm@2GHz |
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NBB-312-T1 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 开发套件:NBB-312-E; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:50 mA; OIP3 - 三阶截点:24 dBm; 测试频率:8 GHz to 12 GHz; NF—噪声系数:4.9 dB; 工作电源电压:4.6 V; 增益:9.7 dB; P1dB - 压缩点:12 dBm; 工作频率:0 Hz to 12 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:HBT MMIC Amplifier; 封装 / 箱体:MPGA-9; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 DC-12GHz Gain 12.5dB P1dB 15.8dBm@6GHz |
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TQP9111 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:13 dB; 开发套件:TQP9111-PCB2140, TQP9111-PCB2600; 通道数量:2 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:521 mA; OIP3 - 三阶截点:46 dBm; 测试频率:2.14 GHz; NF—噪声系数:6.2 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:29.8 dB; P1dB - 压缩点:32.5 dBm; 工作频率:1.8 GHz to 2.7 GHz; 技术:Si; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-20; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 1.8-2.7GHz Gn 29.8dB P1dB 32.5dBm 2 stage |
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TQM879008 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:TQM; 技术:Si; 封装 / 箱体:QFN-28; RoHS:E; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 2.3-2.7GHz NF 3.9dB Gain 41.5dB |
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RFSA2113TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:50 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:4.5 dB; 商标:Qorvo; 类型:Wideband Voltage Controlled Attenuator; 系列:RFSA2113; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 通道数量:1 Channel; 位数:-; 最大频率:18 GHz; 最大衰减:30 dB; 封装 / 箱体:MCM-16; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
衰减器 .05-18GHz Attn 30dB IN 1dB 29dBm |
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RFFC2071TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Mixer; 工作电源电压:3 V; 工作电源电流:132 mA; 开发套件:DKFC2071A; 增益:- 2 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:RFFC2071/2072; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-32; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:30 MHz to 2.7 GHz; LO频率:85 MHz to 2.7 GHz; NF—噪声系数:13 dB; 射频:30 MHz to 2.7 GHz; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频混合器 100MHz- 2700 MHz LO |
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HMC832LP6GETR |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:PLLs - Phase Locked Loops; 工作电源电压:3.3 V; 工作电源电流:237 mA; 商标:Analog Devices; 系列:HMC832; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-40; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 电源电压-最小:3.1 V; 电源电压-最大:3.5 V; 输出频率范围:25 MHz to 3000 MHz; 最小输入频率:25 MHz; 最大输入频率:3000 MHz; 电路数量:1; 类型:Wideband RF Synthesizer + VCO; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
锁相环 - PLL WBand RF PLL VCO, 25-3000MHz |
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RFFC5072TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Mixer; 工作电源电压:3 V; 工作电源电流:132 mA; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:DKFC5072A; 增益:- 2 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-32; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:30 MHz to 6000 MHz; LO频率:85 MHz to 4200 MHz; NF—噪声系数:15 dB; 射频:30 MHz to 6000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频混合器 85 - 4200 MHz LO |
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ADA4961ACPZN-R7 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:- 40 dB; 开发套件:EV-ADA4961SDP1Z; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:ADA4961; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:7.4 mA; 测试频率:2 GHz; NF—噪声系数:9 dB; 工作电源电压:3.3 V to 5 V; 增益:15 dB; P1dB - 压缩点:17 dBm; 工作频率:3.2 GHz; 技术:Si; 类型:Low Distortion; 封装 / 箱体:LFCSP-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Wide Dynamic Rage High BW DGA |
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LTC5583IUF#TRPBF |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Detector; 开发套件:DC1599A; 商标:Analog Devices / Linear Technology; 系列:LTC5583; 准确性:+/- 0.5 dB; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 技术:Si; 工作电源电压:3.3 V; 配置:Dual; 动态范围 dB:60 dB; 频率范围:40 MHz to 6 GHz; 类型:RMS Power Detector; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频检测器 Matched Dual-Channel 6GHz RMS Power Detector Measures VSWR |
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PD55025-E |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:400; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:79 W; 湿度敏感性:Yes; 通道模式:Enhancement; 商标:STMicroelectronics; 宽度:9.4 mm; 类型:RF Power MOSFET; 系列:PD55025-E; 工作频率:1 GHz; 长度:7.5 mm; 高度:3.5 mm; 配置:Single; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PowerSO-10RF-Formed-4; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; 输出功率:25 W; 增益:14.5 dB; Vds-漏源极击穿电压:40 V; Id-连续漏极电流:7 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch |
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S10040200P |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:15 dB; 商标:Qorvo; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电流:255 mA; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:4 dB; 工作电源电压:24 V; 增益:21.5 dB; 工作频率:40 MHz to 1 GHz; 技术:GaAs; 类型:CATV Amplifier; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 40-1000MHz Gain 20dB NF 4dB GaAs |
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TGA2524-SM |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:TGA; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; NF—噪声系数:7 dB; 工作电源电压:5 V; 工作频率:12 GHz to 16 GHz; 技术:Si; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 12-16GHz Gain 23dB NF 7dB |
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HMC704LP4ETR |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:PLLs - Phase Locked Loops; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作电源电流:52 mA; 商标:Analog Devices; 系列:HMC704; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:5.2 V; 最大输入频率:8 GHz; 电路数量:1; 类型:Fractional-N; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
锁相环 - PLL PLL, 8GHz, lo Spurious |
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MRFE6VP5150NR1 |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:500; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 技术:Si; 制造商:NXP; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V |
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CGHV1F006S |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:250; Rds On-漏源导通电阻:-; 产品类型:RF JFET Transistors; P1dB - 压缩点:-; NF—噪声系数:-; 湿度敏感性:Yes; 类:-; 闸/源截止电压:-; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作温度范围:- 40 C to + 150 C; 工作频率:18 GHz; 配置:Single; 应用:-; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DFN-12; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:6 W; Id-连续漏极电流:950 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:16 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt |
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MW7IC930NR1 |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:- 18.7 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 频率范围:920 MHz to 960 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MW7IC930N; 最大工作温度:+ 150 C; 工作电源电压:28 V; 增益:35.9 dB; P1dB - 压缩点:44.9 dBm; 工作频率:960 MHz; 技术:Si; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:TO-270 WB-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:E; 制造商:NXP; |
射频放大器 HV7IC 900MHZ TO270WB16 |
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TGL2223-SM |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:Attenuators; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:0.1 GHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:4.5 dB; 商标:Qorvo; 宽度:1.45 mm; 类型:Digital Attenuator; 功率额定值:30 dBm; 封装:Waffle; 长度:3 mm; 高度:3 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 技术:Si; 衰减器步长:0.5 dB; 最大 VSWR:-; 通道数量:1 Channel; 位数:5 bit; 最大频率:31 GHz; 最大衰减:15.5 dB; 封装 / 箱体:QFN-14; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
衰减器 1-31GHz 5Bit LSB.5dB Atten. Range 15.5dB |
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HMC441LC3BTR |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.74 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:20 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 频率范围:6 GHz to 18 GHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:HMC441G; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:90 mA; OIP3 - 三阶截点:32 dBm; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:14 dB; P1dB - 压缩点:20 dBm; 工作频率:18 GHz; 技术:GaAs; 类型:RF Amplifier; 封装 / 箱体:SMT-12; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Medium pow amp SMT, 6 - 18 GHz |
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PE42525A-X |
pSemi |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:pSemi; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:pSemi; |
RF 开关 IC SPDT, 60GHz, Low IL, Reflective, Flip Chip Die |
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TGC2510-SM |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:Up-Down Converters; OIP3 - 三阶截点:33 dBm; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:TGC; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:240 mA; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:-; P1dB - 压缩点:-; 增益:17 dB; LO频率:6.5 GHz to 19 GHz; 中频:DC to 3.5 GHz; 射频:10 GHz to 16 GHz; 产品:Up Converters; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
上下转换器 10-16GHz Atten. 15dB Typical |
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TGA2597-SM |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:5.4 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:19 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 产品:GaN; 封装:Waffle; 工作电源电流:250 mA; NF—噪声系数:-; 工作电源电压:25 V; 增益:24 dB; 工作频率:2 GHz to 6 GHz; 技术:GaN SiC; 类型:Driver Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-20; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 2-6GHz Gain >24dB 2W GaN PAE >31% |
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TGA2567-SM |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
电源电压-最大:6 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:2.8 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:15 dB; 商标:Qorvo; 封装:Waffle; 系列:TGA; 工作电源电流:100 mA; NF—噪声系数:2 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:17 dB; P1dB - 压缩点:19 dBm; 工作频率:2 GHz to 20 GHz; 技术:GaAs; 类型:General Purpose Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 2-20GHz Gain 17dB NF 2dB pHEMT |
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PCF7921ATSM2AB1200 |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Wireless Misc; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频无线杂项 REMOTE KEYLESS ENTRY |
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BGA7204,115 |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1500; 产品类型:RF Amplifier; 商标:NXP Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; OIP3 - 三阶截点:38 dBm; NF—噪声系数:7 dB; 增益:16.5 dB; P1dB - 压缩点:21 dBm; 工作频率:400 MHz to 2.75 GHz; 技术:Si; 封装 / 箱体:HVQFN-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频放大器 400 MHz to 2750 MHz high linearity variable gain amplifier |
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RFPA5512TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:15 dB; 开发套件:RFPA5512PCK-410; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:375 mA; 测试频率:-; NF—噪声系数:-; 工作电源电压:5 V; 增益:33 dB; P1dB - 压缩点:33 dBm; 工作频率:4.9 GHz to 5.85 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:WiFi Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-20; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 4.9-5.85GHzGain 33dB Pout 23dBm |
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BLUENRG-MSQTR |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 定时器数量:1 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:-; 接口类型:SPI; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:BLUENRG-MS; 程序存储器类型:Flash; 输出功率:8 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-32; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; ADC分辨率:No ADC; 最大时钟频率:32 MHz; 数据 RAM 大小:12 kB; 程序存储器大小:64 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
射频微控制器 - MCU LOW POWER RF |
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MMG3014NT1 |
NXP |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:25 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MMG3014NT1; 最大工作温度:+ 150 C; 工作电源电流:135 mA; OIP3 - 三阶截点:40.5 dBm; 测试频率:900 MHz; NF—噪声系数:5.7 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:19.5 dB; P1dB - 压缩点:25 dBm; 工作频率:40 MHz to 4 GHz; 技术:InGaP; 类型:General Purpose Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频放大器 24DBM RF GenPurp Amp InGaP HBT |
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SKY66005-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:25 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SKY66005; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 20 C; 工作电源电流:115 mA; OIP3 - 三阶截点:40 dBm; 测试频率:883 MHz; 工作电源电压:3.3 V to 4.6 V; 增益:29 dB; 工作频率:850 MHz to 920 MHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Linear Power Amplifier; 封装 / 箱体:MCM-10; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频放大器 850-920MHz Gain 29dB Pout 29dBm |
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SKY12338-337LF |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:2.65 V to 5 V; 最小频率:0.35 GHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:1.5 dB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 类型:Digital Attenuator; 系列:SKY12338; 功率额定值:30 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:3 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 最大 VSWR:-; 阻抗:50 Ohms; 位数:2 bit; 最大频率:4 GHz; 最大衰减:18 dB; 封装 / 箱体:QFN-12; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
衰减器 .35-4.0GHz 6dB LSB Attn 18dB IL .75dB |
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MADP-011029-14150T |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:PIN Diodes; Pd-功率耗散:7.5 W; 最大串联电阻（中频最小时）:1.5 Ohms; 载流子寿命:1 us; 商标:MACOM; 端接类型:Solder; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MADP; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作频率:12 GHz; 最小工作频率:50 MHz; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; Vf - 正向电压:0.9 V; If - 正向电流:250 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:1.9 Ohms; 最大二极管电容:0.4 pF; Vr - 反向电压 :400 V; 制造商:MACOM; |
PIN 二极管 .5-12GHz Ls=.4nH 100W Pk |
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RF430FRL153HCRGER |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RFID Transponders; 湿度敏感性:Yes; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:RF430FRL153H; 工作温度范围:0 C to + 70 C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VQFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:0 C; 最大工作温度:+ 70 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:2 kB; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
RFID应答器 Sensor Transponder |
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BLUENRG-MSCSP |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:BlueNRG Bluetooth; 最小工作温度:- 40 C; 接口类型:SPI; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:BLUENRG-MS; 程序存储器类型:Flash; 输出功率:8 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:WLCSP-34; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 最大时钟频率:32 MHz; 数据 RAM 大小:12 kB; 程序存储器大小:64 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz to 2.4835 GHz; 核心:ARM Cortex M0; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
射频微控制器 - MCU LOW POWER RF |
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SI4720-B20-GM |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:624; 产品类型:RF Transceiver; 湿度敏感性:Yes; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:SI4720; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
射频收发器 FM Tx/Rx with receive power scan |
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PE613050A-Z |
pSemi |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:pSemi; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:pSemi; |
RF 开关 IC SP4T, Open Reflective, Tuning Switch |
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