| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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AF0603C08ECAC7 |
AVX |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:25; 产品类型:Attenuators; 安装风格:SMD/SMT; 商标:AVX; 类型:RF/Microwave Attenuator; 系列:AF; 功率额定值:1 W; 封装:Waffle; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:Si; 最大 VSWR:1.25:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:20 GHz; 最大衰减:10 dB; 封装 / 箱体:0603; RoHS:Y; 制造商:AVX; |
衰减器 0603 8dB |
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AF0603T02ECAC7 |
AVX |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:25; 产品类型:Attenuators; 安装风格:SMD/SMT; 商标:AVX; 类型:RF/Microwave Attenuator; 系列:AF; 功率额定值:750 mW; 封装:Waffle; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:Si; 最大 VSWR:1.25:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:20 GHz; 最大衰减:10 dB; 封装 / 箱体:0603; RoHS:Y; 制造商:AVX; |
衰减器 0603 2dB |
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MLPF-WB55-01E3 |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:2400 MHz; 最大工作温度:+ 105 C; 最大输入频率:2500 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:STMicroelectronics; 类型:Low Pass Filter; 技术:Si; 封装 / 箱体:BumplessCSP-6; 工作频率:2.4 GHz; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
射频无线杂项 DFD PROTECTION & FILTER |
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AT0603T03ECATD |
American Technical Ceramics (ATC) |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:-; 最小频率:DC; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:-; 商标:American Technical Ceramics (ATC); 类型:RF/Microwave Attenuator; 容差:0.75 dB; 系列:AT; 功率额定值:1 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:Si; 衰减器步长:-; 最大 VSWR:1.25:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:-; 位数:-; 最大频率:20 GHz; 最大衰减:3 dB; 封装 / 箱体:0603 (1608 metric); 制造商:American Technical Ceramics (ATC); |
衰减器 3db 1W 0603 DC to 20 GHz |
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F2972NEGK |
Renesas Electronics |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:5.25 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:80 uA; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Renesas / IDT; 技术:Si; 系列:F2972; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TQFN-12; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:40 dB; 介入损耗:0.34 dB; 工作频率:5 MHz to 10 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
RF 开关 IC High Linearity Broadband SP2T 5MHz to 10GHz |
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BGS13S4N9E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.3 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:15000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:80 uA; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSNP-9; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:21 dB; 介入损耗:0.55 dB; 工作频率:0.1 GHz to 3 GHz; 开关配置:SP3T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC CMOS SWITCH |
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BGS16GA14E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.4 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 30 C; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 带宽:0.1 GHz to 3.8 GHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SLP-14; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:0.1 GHz to 3.8 GHz; 开关配置:SP6T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC CMOS SWITCH |
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CMX902QT8 |
CML Microcircuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.8 W; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:3 Channel; 商标:CML Microcircuits; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 测试频率:435 MHz; 工作电源电压:2.5 V to 6 V; 增益:42.5 dB; 工作频率:130 MHz to 700 MHz; 技术:Si; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:WQFN-28; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; |
射频放大器 3W RF Power Amplifier |
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CMX901QT8 |
CML Microcircuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.8 W; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:3 Channel; 商标:CML Microcircuits; 封装:Tray; 测试频率:915 MHz; 工作电源电压:2.5 V to 6 V; 增益:32 dB; 工作频率:130 MHz to 950 MHz; 技术:Si; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:WQFN-28; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; |
射频放大器 1W RF Power Amplifier |
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CMX881E1 |
CML Microcircuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Wireless Misc; 安装风格:SMD/SMT; 商标:CML Microcircuits; 技术:Si; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSSOP-28; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; |
射频无线杂项 B/B Proc'sr - PMR/Trunked Radio |
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SKY66295-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.2 W; 湿度敏感性:Yes; 隔离分贝:55 dB; 输入返回损失:15 dB; 开发套件:SKY66295-11-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SKY66295; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:70 mA; 测试频率:880 MHz; 工作电源电压:5 V; 增益:34 dB; P1dB - 压缩点:-; 工作频率:850 MHz to 900 MHz; 技术:Si; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:MCM-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频放大器 800-900MHz 4W Small Cell PAE 42% |
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AT0603T03ECAC7 |
American Technical Ceramics (ATC) |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:Attenuators; 最小频率:DC; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:-; 商标:American Technical Ceramics (ATC); 类型:RF/Microwave Attenuator; 容差:0.75 dB; 系列:AT; 功率额定值:1 W; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:Si; 衰减器步长:-; 最大 VSWR:1.25:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:-; 位数:-; 最大频率:20 GHz; 最大衰减:3 dB; 封装 / 箱体:0603 (1608 metric); RoHS:Y; 制造商:American Technical Ceramics (ATC); |
衰减器 3db 1W 0603 DC to 20 GHz |
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CMX885L4 |
CML Microcircuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:250; 产品类型:RF Wireless Misc; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:CML Microcircuits; 技术:Si; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LQFP-48; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; |
射频无线杂项 Marine Audio/Signalling Proc'sr |
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MAX32666GWP+ |
Maxim Integrated |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:- 0.3 V; 电源电压-最大:1.21 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 最小工作温度:- 40 C; 接口类型:I2C, I2S, QSPI, SDIO, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Maxim Integrated; 技术:Si; 系列:MAX32666; 程序存储器类型:Flash; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:WLP-109; 最大工作温度:+ 105 C; 工作电源电压:1.1 V; ADC分辨率:10 bit; 最大时钟频率:96 MHz; 数据 RAM 大小:560 kB; 程序存储器大小:1 MB; 数据总线宽度:32 bit; 核心:ARM Cortex M4; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
射频微控制器 - MCU M4F, DUAL CORE, SECURE, NO BLE |
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CMX991Q3 |
CML Microcircuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:416; 产品类型:RF Transceiver; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:CML Microcircuits; 技术:Si; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VQFN-48; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传输供电电流:82 mA; 接收供电电流:58 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 最大数据速率:9.6 kb/s; 频率范围:100 MHz to 1000 MHz; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; |
射频收发器 RF Quadrature Transceiver |
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13358-0861 |
Molex |
无线和射频半导体 |
商标名:Passive RFID; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:Molex; 技术:Si; 系列:13356; 封装:Bulk; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 50 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:865 MHz to 928 MHz; 存储容量:512 bit; RoHS:N/A; 制造商:Molex; |
RFID应答器 RFID 3 to 3.6m Read Range 49.80x14mm FP |
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AT0603C07ECATB |
American Technical Ceramics (ATC) |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:Attenuators; 安装风格:SMD/SMT; 商标:American Technical Ceramics (ATC); 系列:AT; 功率额定值:750 mW; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:Si; 最大 VSWR:1.25:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:-; 最大频率:20 GHz; 最大衰减:7 dB; 封装 / 箱体:0603 (1608 metric); RoHS:Y; 制造商:American Technical Ceramics (ATC); |
衰减器 7db 1W 0603 DC to 20GHz |
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CMX882E1 |
CML Microcircuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Wireless Misc; 安装风格:SMD/SMT; 商标:CML Microcircuits; 技术:Si; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSSOP-28; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; |
射频无线杂项 B/B Proc'sr-GPS Data Signalling |
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NSVP249SDSF3T1G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:PIN Diodes; Pd-功率耗散:100 mW; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:ON Semiconductor; 类型:PIN Diodes; 配置:Dual Series; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:NSVP249SDSF3; 封装 / 箱体:MCP-3; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作频率:100 MHz; 最小工作频率:1 MHz; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Vf - 正向电压:0.92 V; If - 正向电流:50 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:4.5 Ohms; 最大二极管电容:0.23 pF; Vr - 反向电压 :50 V; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
PIN 二极管 PIN DI SERIES RS 4.5 OHM |
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STHVDAC-253C7 |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 30 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:52 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:STMicroelectronics; 类型:BST Capacitance Controller; 技术:Si; 系列:STHVDAC-253C7; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:Flip Chip-12; 工作电源电流:340 uA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:5 V; 工作频率:52 MHz; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
射频无线杂项 DFD PROTECTION & FILTER |
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AT0603T05ECATB |
American Technical Ceramics (ATC) |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:Attenuators; 安装风格:SMD/SMT; 商标:American Technical Ceramics (ATC); 系列:AT; 功率额定值:1 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:Si; 最大 VSWR:-; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:-; 最大频率:20 GHz; 最大衰减:5 dB; 封装 / 箱体:0603 (1608 metric); RoHS:Y; 制造商:American Technical Ceramics (ATC); |
衰减器 5db 1W 0603 DC to 20GHz |
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SKY66289-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.5 W; 湿度敏感性:Yes; 隔离分贝:59 dB; 输入返回损失:20 dB; 开发套件:SKY66289-11-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:SKY66289; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:68 mA; OIP3 - 三阶截点:33.7 dBm; 测试频率:780 MHz; 工作电源电压:5 V; 增益:36.5 dB; 工作频率:750 MHz to 850 MHz; 技术:Si; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:SMD-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频放大器 791-821MHz High Efficiency Small CellPA |
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CMX7042L4 |
CML Microcircuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:250; 产品类型:RF Wireless Misc; Pd-功率耗散:1600 mW; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:9.6 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:19.2 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:CML Microcircuits; 类型:AIS Data Processor; 技术:Si; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LQFP-48; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 工作频率:19.2 MHz; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; |
射频无线杂项 AIS Baseband Processor IC |
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MADT-011000-DIE |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Detector; 开发套件:MADT-011000-SB1; 商标:MACOM; 封装:Tray; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 技术:Si; 工作电源电压:4.5 V; 动态范围 dB:30 dB; 频率范围:5 GHz to 44 GHz; 类型:Power Detector; 制造商:MACOM; |
射频检测器 |
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LTE3401HX |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:30 dB; 输入返回损失:12 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:LTE3401; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:12.7 mA; OIP3 - 三阶截点:2.5 dBm; 测试频率:2690 MHz; NF—噪声系数:0.75 dB; 工作电源电压:1.5 V to 3.1 V; 增益:17 dB; P1dB - 压缩点:- 10.5 dBm; 工作频率:1452 MHz to 2690 MHz; 技术:SiGe; 类型:LNA; 封装 / 箱体:XSON-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频放大器 MMIC |
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MAX7037EGL+ |
Maxim Integrated |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Transceiver; 开发套件:MAX7037EVKIT#; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Maxim Integrated; 技术:Si; 系列:MAX7037; 灵敏度:- 100 dBm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:SQFN-40; 输出功率:10 dBm; 传输供电电流:16 mA; 接收供电电流:22 mA; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.1 V; 调制格式:ASK, FSK; 最大数据速率:125 kb/s; 频率范围:300 MHz to 928 MHz; 类型:ISM; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
射频收发器 Sub-1GHz Multi-band SoC with integrated RF and Microcontroller |
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13356-0571 |
Molex |
无线和射频半导体 |
商标名:Passive RFID; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RFID Transponders; 商标:Molex; 技术:Si; 系列:13356; 封装:Bulk; 安装风格:Screw; 最小工作温度:- 50 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:902 MHz to 928 MHz; 存储容量:512 bit; RoHS:N/A; 制造商:Molex; |
RFID应答器 RFID 7.6m Read Range 58.40 by 27.90mm FP |
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F2270NLGK |
Renesas Electronics |
无线和射频半导体 |
商标名:Glitch-Free; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:624; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3.3 V/5 V; 最小频率:5 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:1.1 dB; 商标:Renesas / IDT; 类型:Voltage Variable Attenuator; 系列:F2270; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 阻抗:75 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:3000 MHz; 最大衰减:35 dB; 封装 / 箱体:QFN-16; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
衰减器 75 Ohm Voltage Variable RF Attenuator |
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MAX3522BCTN+ |
Maxim Integrated |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 商标:Maxim Integrated; 封装:Tray; 系列:MAX3522B; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; NF—噪声系数:12 dB; 工作电源电压:4.75 V to 5.25 V; 增益:26 dB; 工作频率:5 MHz to 204 MHz; 技术:Si; 类型:Upstream Amplifier; 封装 / 箱体:TQFN-EP-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
射频放大器 DOCSIS 3.1 Upstream Amplifier |
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13356-1401 |
Molex |
无线和射频半导体 |
商标名:Passive RFID; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:Molex; 技术:Si; 系列:13356; 封装:Bulk; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 50 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:902 MHz to 928 MHZ; 存储容量:128 bit; RoHS:N/A; 制造商:Molex; |
RFID应答器 RFID 1.8 to2.1m Read Range 9.9x5.1mm FP |
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CMX7141Q3 |
CML Microcircuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:416; 产品类型:RF Wireless Misc; Pd-功率耗散:1750 mW; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:3 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:24.576 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:CML Microcircuits; 类型:Digital PMR Processor; 技术:Si; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VQFN-48; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 工作频率:19.2 MHz; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; |
射频无线杂项 Digital PMR (dPMR) Processor |
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CMX7141L4 |
CML Microcircuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:250; 产品类型:RF Wireless Misc; Pd-功率耗散:1600 mW; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:3 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:24.576 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:CML Microcircuits; 类型:Digital PMR; 技术:Si; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LQFP-48; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 工作频率:19.2 MHz; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; |
射频无线杂项 Digital PMR (dPMR) Processor |
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MAX2679BENS+T |
Maxim Integrated |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:776 mW; 隔离分贝:26 dB; 输入返回损失:7 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Maxim Integrated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MAX2679B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:650 uA; OIP3 - 三阶截点:- 19 dBm; 测试频率:-; NF—噪声系数:1.03 dB; 工作电源电压:1.8 V; 增益:16.5 dB; P1dB - 压缩点:- 26 dBm; 工作频率:1575.42 MHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:WLP-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
射频放大器 Lowest power (0.6mA) GPS LNA |
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AT0603C10ECAS3 |
American Technical Ceramics (ATC) |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:25; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:-; 最小频率:DC; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:-; 商标:American Technical Ceramics (ATC); 类型:RF/Microwave Attenuator; 容差:0.75 dB; 系列:AT; 功率额定值:1 W; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:Si; 衰减器步长:-; 最大 VSWR:1.25:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:-; 位数:-; 最大频率:20 GHz; 最大衰减:10 dB; 封装 / 箱体:0603 (1608 metric); 制造商:American Technical Ceramics (ATC); |
衰减器 10db 0.75W 0603 DC to 20 GHz |
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13356-1431 |
Molex |
无线和射频半导体 |
商标名:Passive RFID; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:200; 产品类型:RFID Transponders; 商标:Molex; 技术:Si; 系列:13358; 封装:Bulk; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 50 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:902 MHz to 928 MHz; 存储容量:128 bit; RoHS:N/A; 制造商:Molex; |
RFID应答器 RFID 0.9x1.2m Read Range 6.1mm Dia FP |
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SI2167-B22-GM |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:Modulator / Demodulator; 湿度敏感性:Yes; 接口类型:I2C; 商标:Silicon Labs; 系列:Si2167; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 75 C; 最小工作温度:- 10 C; 技术:Si; 工作电源电压:1.2 V, 3.3 V; 最小频率:4 MHz; 最大频率:30 MHz; 调制格式:QPSK; 类型:Demodulator; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
调节器/解调器 DVB-T/C/S2/S Digital Demodulator |
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F2913NLGK |
Renesas Electronics |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:90 uA; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:F2913EVBI; 商标:Renesas / IDT; 技术:Si; 系列:F2913; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VFQFPN-20; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 110 C; 关闭隔离—典型值:46 dB; 介入损耗:1.25 dB; 工作频率:50 MHz to 6000 MHz; 开关配置:SP2T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
RF 开关 IC F2913 PI FOR SP2T ABSORPTIVE RF SWITCH |
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13358-0821 |
Molex |
无线和射频半导体 |
商标名:Passive RFID; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RFID Transponders; 商标:Molex; 技术:Si; 系列:13356; 封装:Bulk; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 50 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:902 MHz to 928 MHz; 存储容量:512 bit; RoHS:N/A; 制造商:Molex; |
RFID应答器 RFID 4.5m Read Range 70.10 by 17.30mm FP |
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13356-1351 |
Molex |
无线和射频半导体 |
商标名:Passive RFID; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 产品类型:RFID Transponders; 商标:Molex; 技术:Si; 系列:13358; 封装:Bulk; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 50 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:902 MHz to 928 MHz; 存储容量:512 bit; RoHS:N/A; 制造商:Molex; |
RFID应答器 RFID 2.4x2.7m Read Range 45.7x7.1mm FP |
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CMX7241Q3 |
CML Microcircuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:416; 产品类型:RF Wireless Misc; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:CML Microcircuits; 技术:Si; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VQFN-48; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; |
射频无线杂项 PMR/LMR Platform Processor |
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MAX3523ETP+ |
Maxim Integrated |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:60; 产品类型:RF Amplifier; 商标:Maxim Integrated; 封装:Tube; 系列:MAX3523; 技术:Si; 封装 / 箱体:TQFN-20; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
射频放大器 Programmable DOCSIS 3.1 Upstream Amplifier |
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13356-1151 |
Molex |
无线和射频半导体 |
商标名:Passive RFID; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 产品类型:RFID Transponders; 商标:Molex; 技术:Si; 系列:13358; 封装:Bulk; 安装风格:Screw; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:902 MHz to 928 MHz; 存储容量:96 bit; RoHS:N/A; 制造商:Molex; |
RFID应答器 RFID 1.8 to2.1m Read Range 9.9x5.1mm FP |
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CMX7042Q3 |
CML Microcircuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:416; 产品类型:RF Wireless Misc; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:CML Microcircuits; 技术:Si; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VQFN-48; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; |
射频无线杂项 AIS Baseband Processor IC |
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NSVP264SDSF3T1G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:PIN Diodes; Pd-功率耗散:100 mW; 最大串联电阻（中频最小时）:2.5 Ohms; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:ON Semiconductor; 类型:PIN Diode for VHF, UHF, AGC; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 封装 / 箱体:SC-70-3; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Vf - 正向电压:0.91 V at 50 mA; If - 正向电流:50 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:4.5 Ohms; 最大二极管电容:0.4 pF; Vr - 反向电压 :50 V; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
PIN 二极管 RF Diode Dual Series VHF, UHF, AGC |
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LTE3401LX |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:29 dB; 输入返回损失:11 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:LTE3401; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:9.8 mA; OIP3 - 三阶截点:0.4 dBm; 测试频率:943 MHz; NF—噪声系数:0.7 dB; 工作电源电压:1.5 V to 3.1 V; 增益:18 dB; P1dB - 压缩点:- 11 dBm; 工作频率:617 MHz to 960 MHz; 技术:SiGe; 类型:LNA; 封装 / 箱体:XSON-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频放大器 MMIC |
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RN779FFHT106 |
ROHM Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:PIN Diodes; Ir - 反向电流 :100 nA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.25 mm; 类型:PIN Diode; 长度:2 mm; 高度:0.9 mm; 配置:Dual Series; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; Vf - 正向电压:1 V; If - 正向电流:50 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:7 Ohms; 最大二极管电容:0.9 pF; Vr - 反向电压 :50 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
PIN 二极管 Pin Diode 50V Vr 100MHz 50mA IF |
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MMBTH10Q-7-F |
Diodes Incorporated |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:310 mW; 商标:Diodes Incorporated; 工作频率:650 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; 集电极连续电流:50 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:3 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:60 at 4 mA, 10 V; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor |
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TCP-5068UB-DT |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:Tuners; 安装风格:SMD/SMT; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:WLCSP-6; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电压:24 V; 最小频率:700 MHz; 最大频率:2.7 GHz; NF—噪声系数:-; 类型:Passive Tunable Integrated Circuit; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
调谐器 WLCSP6 6.8PF HIGH Q PTIC |
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TCP-5082UB-DT |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:Tuners; 安装风格:SMD/SMT; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:WLCSP-6; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电压:24 V; 最小频率:700 MHz; 最大频率:2.7 GHz; NF—噪声系数:-; 类型:Passive Tunable Integrated Circuit; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
调谐器 WLCSP6 8.2PF HIGH Q PTIC |
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BGS16MA12E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.65 V; 电源电压-最大:1.95 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:60 uA; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:1.95 V; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:ATSLP-12; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 介入损耗:1.3 dB; 工作频率:0.1 GHz to 6 GHz; 开关配置:SP6T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC CMOS SWITCH |
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