| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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STPSC6H065BY-TR |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:STPSC6H065BY-TR; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:60 A; Vf - 正向电压:1.45 V at 6 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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SCS308AJTLL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; trr - 反向恢复时间 :15 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:62 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SCS3x; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.024 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:67 A; Vf - 正向电压:1.35 V at 8 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:8 A; 封装 / 箱体:TO-263AB-4; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SIC SBD 650V 8A 62W TO-263AB (LPTL) |
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STP33N60M6 |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:19.5 ns; 典型关闭延迟时间:38.5 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:33 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7.5 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:STP33N60M6; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:MDmesh; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:190 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:33.4 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.25 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:125 mOhms; Id-连续漏极电流:25 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
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SCS312AHGC9 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:78 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tube; 系列:SCS3x; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.036 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:96 A; Vf - 正向电压:1.35 V at 12 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:12 A; 封装 / 箱体:TO-220ACP-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 650V;12A;78W SiC SBD TO-220ACP |
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SIHG050N60E-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:35 ns; 典型关闭延迟时间:67 ns; 子类别:MOSFETs; 上升时间:82 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:48 ns; 正向跨导 - 最小值:12 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:E; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:278 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:130 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms; Id-连续漏极电流:51 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC |
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STB45N30M5 |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:MOSFET; 商标:STMicroelectronics; 系列:M5; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:250 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:95 nC; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:37 mOhms; Id-连续漏极电流:53 A; Vds-漏源极击穿电压:300 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:D2PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
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STWA65N60DM6 |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:600; 产品类型:MOSFET; 商标:STMicroelectronics; 系列:DM6; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:250 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:54 nC; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:71 mOhms; Id-连续漏极电流:38 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
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RBR15BM60AFHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :400 uA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.58 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 60V Vr 15A Io SBD TO-252(DPAK) 5A IF |
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VS-20L15T-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :15 V; 商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 类型:Standard Recovery Rectifiers; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :10 mA; 配置:Single; Vf - 正向电压:0.41 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-220AC-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 15V 20A IF Single TO-220AC |
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FFSM0665A |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:56 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:42 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:PQFN-4; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 650V 6A SIC SBD |
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IPB65R095C7ATMA2 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:14 ns; 典型关闭延迟时间:60 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:12 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CoolMOS C7; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:CoolMOS; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:128 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:45 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:84 mOhms; Id-连续漏极电流:24 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET HIGH POWER_NEW |
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EFC2K103NUZTDG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:25 us; 典型关闭延迟时间:165 us; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:100 us; 产品类型:MOSFET; 下降时间:148 us; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:3.3 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:62 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:1.8 mOhms; Id-连续漏极电流:40 A; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:WLCSP-10; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET Dual NCH 12V 29A |
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IAUC120N04S6L009ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 系列:IAUC120N04; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:150 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:128 nC; Vgs - 栅极-源极电压:16 V; Id-连续漏极电流:120 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TDSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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IPT60R065S7XTMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:100 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:167 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:65 mOhms; Id-连续漏极电流:8 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:HSOF-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET HIGH POWER_NEW |
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SIHF35N60EF-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:28 ns; 典型关闭延迟时间:96 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 上升时间:85 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:61 ns; 正向跨导 - 最小值:8 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel EF-Series Power MOSFET; 系列:EF; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:39 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:134 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:97 mOhms; Id-连续漏极电流:32 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
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NTMTS0D6N04CTXG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:33.6 ns; 典型关闭延迟时间:86 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:27.9 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:32.3 ns; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:245 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:187 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:480 uOhms; Id-连续漏极电流:533 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:Power-88-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSI |
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SIHF065N60E-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:28 ns; 典型关闭延迟时间:54 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:46 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:12 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:E; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:39 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:74 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:65 mOhms; Id-连续漏极电流:40 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220 |
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SIHB065N60E-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:28 ns; 典型关闭延迟时间:54 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:46 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:12 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:E; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:250 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:74 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:65 mOhms; Id-连续漏极电流:40 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
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IXFK32N100X |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:29 ns; 典型关闭延迟时间:80 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 上升时间:12 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:12 ns; 正向跨导 - 最小值:14 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:890 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:130 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:220 mOhms; Id-连续漏极电流:32 A; Vds-漏源极击穿电压:1000 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-264-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET 1000V 32A TO-264 Power MOSFET |
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IXFB70N100X |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:48 ns; 典型关闭延迟时间:127 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 上升时间:20 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9 ns; 正向跨导 - 最小值:34 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:X-Class; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1785 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:350 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:89 mOhms; Id-连续漏极电流:70 A; Vds-漏源极击穿电压:1000 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PLUS-264-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET 1000V 70A PLUS264 Power MOSFET |
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RB068MM-40TFTR |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.8 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.7 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 40V VR 2A 0.725V VF PMDU; SOD-123FL |
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SISS30DN-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:19 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:44 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SIS; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:57 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:40 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:8.25 mOhms; Id-连续漏极电流:54.7 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 80V Vds; 20V Vgs PowerPAK 1212-8S |
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RBR15BM40AFHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.51 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 40V Vr 15A Io SBD TO-252(DPAK) 5A IF |
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SIRA58ADP-T1-RE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:13 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 正向跨导 - 最小值:80 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SIR; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:56.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:61 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.65 mOhms; Id-连续漏极电流:109 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8 |
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RBR20BM40AFHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :360 uA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.55 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 40V Vr 20A Io SBD TO-252(DPAK) 10A IF |
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SISF20DN-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:19 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 商标:Vishay Semiconductors; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:69.4 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:22 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:13 Ohms; Id-连续漏极电流:20 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK 1212-8SCD; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8SCD |
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RB085BM-30FHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.3 mA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.48 V; Vrrm - 重复反向电压:35 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 30V Vr 10A Io SBD TO-252(DPAK) 4A IF |
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SISS72DN-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:18 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9 ns; 正向跨导 - 最小值:16 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SIS; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, ThunderFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:22 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:42 mOhms; Id-连续漏极电流:25.5 A; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK1212-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S |
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IAUC120N04S6N010ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 系列:IAUC120N04; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:150 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:108 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:120 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TDSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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NTMTS0D6N04CLTXG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:89.4 ns; 典型关闭延迟时间:180 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:111 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:84.7 ns; 正向跨导 - 最小值:323 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:245.4 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:265 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:420 uOhms; Id-连续漏极电流:554.5 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:Power-88-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI |
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SIHB100N60E-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:21 ns; 典型关闭延迟时间:33 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:34 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:20 ns; 正向跨导 - 最小值:11 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:E; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:208 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:50 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms; Id-连续漏极电流:30 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
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SIHG100N60E-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:21 ns; 典型关闭延迟时间:33 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:34 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:20 ns; 正向跨导 - 最小值:11 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:E; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:208 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:50 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms; Id-连续漏极电流:30 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC |
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IPZA60R024P7XKSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:291 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:164 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:101 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-4; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET HIGH POWER_NEW |
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TD390N16SOFHPSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:0.77 V; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:3; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; 晶体管极性:N-Channel; 保持电流Ih最大值:150 mA; 栅极触发电流-Igt:150 mA; 商标:Infineon Technologies; 配置:Thyristor/Diode; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 封装 / 箱体:BG-PB50SB-1; 安装风格:Screw Mount; Vr - 反向电压 :1600 V; 类型:Phase Control Thyristor Module; 产品:Diode Power Modules; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
分立半导体模块 L T-BOND MODULE |
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SISHA12ADN-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:25 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:51 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:28 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:29.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:4.3 mOhms; Id-连续漏极电流:25 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET N-CH 30-V (D-S) FAST SWITCHING |
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RBR10BM40AFHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :120 uA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.62 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 40V Vr 10A Io SBD TO-252(DPAK) 5A IF |
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SIR124DP-T1-RE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:19 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:44 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SIR; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:62.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:40 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:8.4 mOhms; Id-连续漏极电流:56.8 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 80V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
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SCS306AJTLL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; trr - 反向恢复时间 :15 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:50 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SCS3x; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.018 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:47 A; Vf - 正向电压:1.35 V AT 6 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:TO-263AB-4; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SIC SBD 650V 6A 50W TO-263AB (LPTL) |
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NTP110N65S3HF |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:24 ns; 典型关闭延迟时间:85 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:25 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:25 ns; 正向跨导 - 最小值:18 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SuperFET3; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:SuperFET III; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:240 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:62 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:110 mOhms; Id-连续漏极电流:30 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET SUPERFET3 650V FRFET110M |
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IRL40T209ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:60 ns; 典型关闭延迟时间:190 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:230 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:160 ns; 正向跨导 - 最小值:380 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:269 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:720 uOhms; Id-连续漏极电流:586 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:HSOF-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET TRENCH <= 40V |
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FFSB20120A-F085 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:333 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:135 A; Vf - 正向电压:1.45 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:32 A; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 1200V 20A AUTO SIC SBD |
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EDZVFHT2R13B |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:0.8 mm; 端接类型:SMD/SMT; 长度:1.2 mm; 高度:0.6 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:37 Ohms; 齐纳电流:5 mA; Pd-功率耗散:150 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:12.91 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
稳压二极管 12.91-13.49V 5mA SOD-523; EMD2 |
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RFN10TF6SFHC9 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.05 uA; Vf - 正向电压:1.25 V; 恢复时间:30 ns; 配置:Single; If - 正向电流:10 A; 最大浪涌电流:100 A; 峰值反向电压:600 V; 封装 / 箱体:TO-220NFM-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
二极管 - 通用，功率，开关 600V VR 10A IO ITO-220AC; TO-220NFM |
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SIHB22N60EF-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:58 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:21 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:25 ns; 正向跨导 - 最小值:5.8 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:EF; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:179 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:96 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:182 mOhms; Id-连续漏极电流:19 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263; w/diode |
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NTB110N65S3HF |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:24 ns; 典型关闭延迟时间:85 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:25 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:25 ns; 正向跨导 - 最小值:18 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SuperFET3; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:SuperFET III; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:240 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:62 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:110 mOhms; Id-连续漏极电流:30 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:D2PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET SUPERFET3 650V FRFET110MOHM TO263 |
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SIHP050N60E-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:35 ns; 典型关闭延迟时间:67 ns; 子类别:MOSFETs; 上升时间:82 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:48 ns; 正向跨导 - 最小值:12 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:E; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:278 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:130 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms; Id-连续漏极电流:51 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB |
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FP25R12W1T7B11BPSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
商标名:EasyPIM, TRENCHSTOP; 子类别:IGBTs; 标准包装数量:24; 产品类型:IGBT Modules; 栅极/发射极最大电压:20 V; 安装风格:Screw Mount; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 系列:TRENCHSTOP IGBT7; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; 封装 / 箱体:AG-EASY1B-2; 栅极—射极漏泄电流:100 nA; 在25 C的连续集电极电流:25 A; 集电极—射极饱和电压:1.6 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V; 配置:PIM; 产品:IGBT Silicon Modules; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
IGBT 模块 LOW POWER EASY |
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VS-40CTQ045-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :45 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :3 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:1240 A; Vf - 正向电压:0.53 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 45V 2 x 20A IF C.A. TO-220AB |
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IPU95R450P7AKMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:45 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:P7; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:CoolMOS; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:104 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:35 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:450 mOhms; Id-连续漏极电流:14 A; Vds-漏源极击穿电压:950 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:IPAK-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET LOW POWER_NEW |
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SCS310AHGC9 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; trr - 反向恢复时间 :15 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:71 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tube; 系列:SCS3x; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.03 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:82 A; Vf - 正向电压:1.35 V at 10 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220ACP-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 650V;10A;71W SiC SBD TO-220ACP |
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