| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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IDWD20G120C5XKSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :1.2 kV; trr - 反向恢复时间 :-; 商标名:CoolSiC; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:240; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:250 W; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tube; 系列:IDWD20G120C5; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :12 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:190 A; Vf - 正向电压:1.4 V; Vrrm - 重复反向电压:1.2 kV; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
肖特基二极管与整流器 SIC DISCRETE |
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IKY75N120CS6XKSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
商标名:TRENCHSTOP; 子类别:IGBTs; 标准包装数量:240; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:600 nA; 商标:Infineon Technologies; 集电极最大连续电流 Ic:150 A; 封装:Tube; 系列:IGBT6; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:880 W; 在25 C的连续集电极电流:150 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:1.85 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-4; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
IGBT 晶体管 INDUSTRY 14 |
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IXTN400N15X4 |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:40 ns; 典型关闭延迟时间:180 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10; 上升时间:22 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8 ns; 商标:IXYS; 系列:X4-Class; 配置:Single; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:830 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:430 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.7 mOhms; Id-连续漏极电流:400 A; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-227-4; 安装风格:Chassis Mount; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTX3CLAS (MI |
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SISH112DN-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:65 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:97 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET; 系列:SIS; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:3.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 50 C; Qg-栅极电荷:27 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:7.5 mOhms; Id-连续漏极电流:17.8 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8SH; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 |
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VS-20CTQ045-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :45 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :2 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:1060 A; Vf - 正向电压:0.64 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 45V 2 x 10A IF C.A. TO-220AB |
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VS-62CTQ030-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.4 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:1500 A; Vf - 正向电压:0.46 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:30 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 30V 2 x 30A IF C.A. TO-220AB |
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SCS308AHGC9 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:57 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tube; 系列:SCS3x; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.024 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:67 A; Vf - 正向电压:1.35 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:8 A; 封装 / 箱体:TO-220ACP-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 650V;8A;57W SiC SBD TO-220ACP |
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SIHG039N60E-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:79 ns; 典型关闭延迟时间:176 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:126 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:94 ns; 正向跨导 - 最小值:17 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:E; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:357 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:126 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:39 mOhms; Id-连续漏极电流:63 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC |
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VS-6TQ045-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :45 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.8 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:690 A; Vf - 正向电压:0.6 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:TO-220AC-2L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 45V 6A IF Single TO-220AC |
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BSZ039N06NSATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:19 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:27 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:BSZ039N06; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:69 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:34 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:3.9 mOhms; Id-连续漏极电流:40 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TSDSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
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STL26N60DM6 |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:13 ns; 典型关闭延迟时间:39 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:11 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:8 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:STx26; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:MDmesh; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:110 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:24 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.25 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:215 mOhms; Id-连续漏极电流:15 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerFLAT-8x8-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
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IPT019N08N5ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:17 ns; 典型关闭延迟时间:39 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:12 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:17 ns; 正向跨导 - 最小值:95 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:231 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:101 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.9 mOhms; Id-连续漏极电流:247 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:HSOF-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
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SIHP100N60E-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:21 ns; 典型关闭延迟时间:33 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:34 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:20 ns; 正向跨导 - 最小值:11 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:E; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:208 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:50 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms; Id-连续漏极电流:30 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB |
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MMBZ5257BQ-7-F |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vf - 正向电压:900 mV; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:Diodes Incorporated; 宽度:1.3 mm; 长度:2.9 mm; 高度:0.975 mm; 系列:MMBZ5257B; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 测试电流:3.8 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:58 Ohms; 齐纳电流:0.1 uA; Pd-功率耗散:350 mW; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:33 V; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
稳压二极管 Zener Diode |
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MM5Z47VT5G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vf - 正向电压:900 mV; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.05 uA; 商标:ON Semiconductor; 宽度:0.8 mm; 端接类型:SMD/SMT; 长度:1.2 mm; 高度:0.6 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:170 Ohms; 齐纳电流:2 mA; 电压温度系数:42 mV/K; Pd-功率耗散:500 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:47 V; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
稳压二极管 SOD-523 EUT SNGL PB FREE |
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MM5Z11VT5G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vf - 正向电压:0.9 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; If - 正向电流:10 mA; 商标:ON Semiconductor; 宽度:0.8 mm; 长度:1.2 mm; 高度:0.7 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:20 Ohms; 电压温度系数:9 mV/K; Pd-功率耗散:500 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:11 V; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
稳压二极管 500 mW Zener Diode Voltage Regulator |
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MM5Z5V1T5G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vf - 正向电压:0.9 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :2 uA; If - 正向电流:10 mA; 商标:ON Semiconductor; 宽度:0.8 mm; 长度:1.2 mm; 高度:0.7 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:60 Ohms; 电压温度系数:1.2 mV/K; Pd-功率耗散:500 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:5.1 V; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
稳压二极管 500 mW Zener Diode Voltage Regulator |
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MM5Z10VT5G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vf - 正向电压:0.9 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; If - 正向电流:10 mA; 商标:ON Semiconductor; 宽度:0.8 mm; 长度:1.2 mm; 高度:0.7 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:20 Ohms; 电压温度系数:8 mV/K; Pd-功率耗散:500 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:10 V; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
稳压二极管 500 mW Zener Diode Voltage Regulator |
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NSRLL30XV2T5G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; Pd-功率耗散:200 mW; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; Vf - 正向电压:0.6 V; 配置:Single; If - 正向电流:200 mA; 最大浪涌电流:600 mA; 峰值反向电压:30 V; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
二极管 - 通用，功率，开关 SWITCHING DIODE, SOD 523 |
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DMG6602SVTX-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:3 ns, 4.8 ns; 典型关闭延迟时间:13 ns, 20 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:5 ns, 7.3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:3 ns, 13 ns; 正向跨导 - 最小值:4 S, 6 S; 商标:Diodes Incorporated; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.12 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:13 nC, 9 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV, 1.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:60 mOhms, 95 mOhms; Id-连续漏极电流:3.4 A, 2.8 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel, P-Channel; 封装 / 箱体:TSOT-26-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
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PMN70EPEX |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:5 ns; 典型关闭延迟时间:19 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7.5 ns; 正向跨导 - 最小值:12.6 S; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.4 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:11.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:80 mOhms; Id-连续漏极电流:- 4.4 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TSOP-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET 30V P-CH TRENCHMOS |
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MMDT3904Q-7-F |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:30; 集电极连续电流:200 mA; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MMDT3904Q; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:300 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:200 mA; 集电极—射极饱和电压:0.3 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V; 配置:Dual; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V Dual NPN Small Signal Transistor |
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DMN3730UFB4-7B |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:3.5 ns; 典型关闭延迟时间:38 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10000; 上升时间:2.8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:40 mS; 商标:Diodes Incorporated; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:0.69 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:1.6 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:450 mV; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:460 mOhms; Id-连续漏极电流:910 mA; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:X2-DFN1006-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
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S2M-F080 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Rectifiers; Pd-功率耗散:2.35 W; 商标:ON Semiconductor; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:2 us; Ir - 反向电流 :1 uA; 最大浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:1.15 V; 配置:Single; 类型:Standard Recovery Rectifiers; If - 正向电流:2 A; Vr - 反向电压 :1000 V; 封装 / 箱体:DO-214AA-2; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
整流器 SR SMB GPPN 1.5A 10 00V |
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DZ23C15Q-7-F |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 配置:Dual; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:30 Ohms; 电压温度系数:0.08 %/C; 电压容差:6.12 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:13.8 V to 15.6 V; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
稳压二极管 Zener Diode |
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SZMM5Z2V4T5G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vf - 正向电压:900 mV; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :50 uA; 商标:ON Semiconductor; 宽度:0.8 mm; 端接类型:SMD/SMT; 长度:1.2 mm; 高度:0.6 mm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:100 Ohms; 齐纳电流:5 mA; 电压温度系数:- 3.5 mV/K; Pd-功率耗散:500 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:2.4 V; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
稳压二极管 SOD-523 EUT SNGL PB FREE |
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NSR05402NXT5G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:895 mW; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :3 uA; 技术:Si; 配置:Single; Vf - 正向电压:570 mV; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:500 mA; 封装 / 箱体:DSN-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 0201 FLIP CHIP SCHOTTKY D |
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PBHV8115TLHR |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:50; 集电极连续电流:1 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:300; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:30 MHz; Pd-功率耗散:300 mW; 最大直流电集电极电流:1 A; 集电极—射极饱和电压:50 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:400 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:150 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS |
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NRVUS2MA |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:7500; 产品类型:Rectifiers; 商标:ON Semiconductor; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:75 ns; Ir - 反向电流 :5 uA; 最大浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:1.7 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:1.5 A; Vr - 反向电压 :1000 V; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
整流器 HER SMA GPPN 1.5A 1 000V |
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PBHV9115TLHR |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:70; 集电极连续电流:- 1 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:300; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:55 MHz; Pd-功率耗散:300 mW; 最大直流电集电极电流:- 1 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 200 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 150 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS |
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DMP2067LVT-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:5.2 ns; 典型关闭延迟时间:103 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:12 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:31 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.6 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:28 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:65 mOhms; Id-连续漏极电流:- 4.2 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TSOT-26-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V |
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NRVS3MB |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Rectifiers; 商标:ON Semiconductor; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
整流器 SR SMB GPPN 3A 1000V |
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DMN2024UFDF-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:140 ns; 典型关闭延迟时间:434 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:1024 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:245 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.67 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:0.9 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:0.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:22 mOhms; Id-连续漏极电流:7.1 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:U-DFN2020-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V |
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DMG3402LQ-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:1.9 ns; 典型关闭延迟时间:10.3 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:1.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:2 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.4 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:11.7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:85 mOhms; Id-连续漏极电流:4 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
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DDZ9692TQ-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vf - 正向电压:900 mV; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:Diodes Incorporated; 宽度:0.85 mm; 长度:1.25 mm; 高度:0.65 mm; 系列:DDZ9692; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 测试电流:50 uA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; 齐纳电流:0.1 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:6.8 V; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
稳压二极管 Zener Diode |
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DMN3401LDW-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:3.5 ns; 典型关闭延迟时间:16.8 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10000; 上升时间:3.3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13.8 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:350 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:1.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:700 mOhms; Id-连续漏极电流:800 mA; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
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SIHA100N60E-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:21 ns; 典型关闭延迟时间:33 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:34 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:20 ns; 正向跨导 - 最小值:11 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:E; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:35 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:50 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms; Id-连续漏极电流:30 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs Thin-Lead TO-220 |
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SCS315AHGC9 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:93 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tube; 系列:SCS3x; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.045 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:112 A; Vf - 正向电压:1.35 V at 15 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:TO-220ACP-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 650V;15A;93W SiC SBD TO-220ACP |
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SIHG039N60EF-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:109 ns; 典型关闭延迟时间:152 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:172 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:78 ns; 正向跨导 - 最小值:18 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:EF; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:357 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:84 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms; Id-连续漏极电流:61 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode; 4th Gen E Series Technology |
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IPW60R024P7XKSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:291 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:164 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:101 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET HIGH POWER_NEW |
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SQS407ENW-T1_GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:11.4 ns; 典型关闭延迟时间:62 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:24 ns; 正向跨导 - 最小值:34 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 P-Channel TrenchFET Power MOSFET; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:62.5 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:77 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:10.8 mOhms; Id-连续漏极电流:- 16 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8W; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W |
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RFV5BM6SFHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.03 uA; Vf - 正向电压:2.2 V; 恢复时间:20 ns; 配置:Single; If - 正向电流:5 A; 最大浪涌电流:60 A; 峰值反向电压:600 V; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
二极管 - 通用，功率，开关 600V VR 5A IO TO-252(DPAK); TO-252 |
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VS-10TQ045-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :45 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :2 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1050 A; Vf - 正向电压:0.57 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220AC-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 45V 10A IF Single TO-220AC |
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VS-MURB1620CT-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Tube; 系列:FRED Pt; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:20 ns; Ir - 反向电流 :5 uA; 最大浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.975 V; 配置:Dual Common Cathode; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:8 A; Vr - 反向电压 :200 V; 封装 / 箱体:TO-263AB-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 200V 2 x 8A IF (TO-263AB) 100A IFSM |
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VS-42CTQ030-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :3 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:1100 A; Vf - 正向电压:0.48 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 30V 2 x 20A IF C.A. TO-220AB |
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NVMFS5C406NLT1G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:14 ns; 典型关闭延迟时间:112 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:47 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:131 ns; 正向跨导 - 最小值:215 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:179 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:149 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:700 uOhms; Id-连续漏极电流:362 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V |
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STPSC16H065AW |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:600; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 系列:STPSC16H065A; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :12 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:120 A; Vf - 正向电压:1.56 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:16 A; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STW70N60DM6 |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:600; 产品类型:MOSFET; 商标:STMicroelectronics; 系列:DM6; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:390 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:99 nC; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:42 mOhms; Id-连续漏极电流:62 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
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SIR122DP-T1-RE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:13 ns; 典型关闭延迟时间:20 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:65 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET; 系列:SIR; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.7 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:44 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:7.4 mOhms; Id-连续漏极电流:59.6 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
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SIR800ADP-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:20 ns; 典型关闭延迟时间:40 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:13 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:60 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET; 系列:SIR; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:62.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:53 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V, 12 V; Rds On-漏源导通电阻:1.35 mOhms; Id-连续漏极电流:177 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8 |
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