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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
VS-8TQ100-M3 分立半导体 VS-8TQ100-M3 Vishay 分立半导体 Vr - 反向电压 :100 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.55 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:850 A; Vf - 正向电压:0.72 V; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:8 A; 封装 / 箱体:TO-220AC-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 100V 8A IF Single TO-220AC
RB510SM-40FHT2R 分立半导体 RB510SM-40FHT2R ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :2 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:0.5 A; Vf - 正向电压:0.48 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:100 mA; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 40V Vr; 0.1A IO SOD-523; EMD2
STPS10M60SF 分立半导体 STPS10M60SF STMicroelectronics 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:6000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 系列:STPS10M60SF; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :50 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:230 A; Vf - 正向电压:0.65 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-277A-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
VS-20TQ045-M3 分立半导体 VS-20TQ045-M3 Vishay 分立半导体 Vr - 反向电压 :45 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :2.7 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1800 A; Vf - 正向电压:0.57 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-220AC-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 45V 20A IF Single TO-220AC
BAV70HMFHT116 分立半导体 BAV70HMFHT116 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; Pd-功率耗散:250 mW; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; Vf - 正向电压:1.25 V; 恢复时间:4 ns; 配置:Single; If - 正向电流:125 mA; 最大浪涌电流:4 A; 峰值反向电压:80 V; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 二极管 - 通用，功率，开关 90V Vrm; 450mA Ifm Swtch Diode SOT-23
DMG2302UKQ-7 分立半导体 DMG2302UKQ-7 Diodes Incorporated 分立半导体 典型接通延迟时间:0.6 ns; 典型关闭延迟时间:4.2 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:2.7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:1.7 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.1 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:2.8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:300 mV; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:90 mOhms; Id-连续漏极电流:2.8 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
RB060MM-30TFTR 分立半导体 RB060MM-30TFTR ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :10 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:55 A; Vf - 正向电压:0.44 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 30V VR 2A 0.45V VF PMDU; SOD-123FL
PHPT61003NYX 分立半导体 PHPT61003NYX Nexperia 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:1500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:150; 集电极连续电流:3 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:250; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:25 W; 最大直流电集电极电流:3 A; 集电极—射极饱和电压:225 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V; 集电极—基极电压 VCBO:100 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:LFPAK56-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Power BipolarTransistor
VS-30CTQ100-M3 分立半导体 VS-30CTQ100-M3 Vishay 分立半导体 Vr - 反向电压 :100 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.55 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:850 A; Vf - 正向电压:0.86 V; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 100V 2 x 15A IF C.A. TO-220AB
RB160MM-60TFTR 分立半导体 RB160MM-60TFTR ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :7 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:0.49 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 60V VR 1A 0.55V VF PMDU; SOD-123FL
GBU4JL-BP 分立半导体 GBU4JL-BP Micro Commercial Components (MCC) 分立半导体 Vr - 反向电压 :600 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2000; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:Micro Commercial Components (MCC); 技术:Si; 封装:Bulk; 高度:3.6 mm; 宽度:18.8 mm; 长度:22.3 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 最大浪涌电流:150 A; Vf - 正向电压:0.9 V; 峰值反向电压:600 V; If - 正向电流:4 A; 封装 / 箱体:GBU-4; 安装风格:Through Hole; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:Y; 制造商:Micro Commercial Components (MCC); 桥式整流器 4A SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE
PHPT60603NYX 分立半导体 PHPT60603NYX Nexperia 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:1500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:200; 集电极连续电流:3 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:400; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:25 W; 最大直流电集电极电流:3 A; 集电极—射极饱和电压:70 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V; 集电极—基极电压 VCBO:60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:LFPAK56-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Power BipolarTransistor
PMV164ENEAR 分立半导体 PMV164ENEAR Nexperia 分立半导体 典型接通延迟时间:2 ns; 典型关闭延迟时间:7 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:3 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.25 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:2.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:473 mOhms; Id-连续漏极电流:1.6 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; MOSFET 60V N-CH TRENCHMOS
RB521SM-30FHT2R 分立半导体 RB521SM-30FHT2R ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :30 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1 A; Vf - 正向电压:0.47 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:200 mA; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 30V Vr; 0.2A IO SOD-523; EMD2
KDZVTFTR12B 分立半导体 KDZVTFTR12B ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.6 mm; 长度:2.6 mm; 高度:0.8 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 齐纳电流:20 mA; Pd-功率耗散:1000 mW; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:12 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 稳压二极管 12-13.5V 20mA SOD-123FL; PMDU
BZT52-C3V3J 分立半导体 BZT52-C3V3J Nexperia 分立半导体 Vf - 正向电压:0.9 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; If - 正向电流:250 mA; 商标:Nexperia; 宽度:1.7 mm; 长度:2.8 mm; 高度:1.3 mm; 系列:BZT52; 资格:AEC-Q101; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:95 Ohms; 齐纳电流:5 uA; 电压温度系数:0 mV/K; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:590 mW; 封装 / 箱体:SOD-123-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:3.5 V; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 稳压二极管 BZT52-C3V3/SOD123/SOD2
KBP408G 分立半导体 KBP408G Diodes Incorporated 分立半导体 Vr - 反向电压 :800 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:35; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Tube; 高度:10.6 mm; 宽度:3.65 mm; 长度:14.75 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 最大浪涌电流:130 A; Vf - 正向电压:1.1 V; 峰值反向电压:800 V; If - 正向电流:4 A; 封装 / 箱体:KBP-4; 安装风格:Through Hole; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; 桥式整流器 Bridge Rectifier KBP
BC807K-40VL 分立半导体 BC807K-40VL Nexperia 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:10000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:250; 集电极连续电流:- 500 mA; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:600; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:80 MHz; Pd-功率耗散:800 mW; 最大直流电集电极电流:- 500 mA; 集电极—射极饱和电压:- 700 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 45 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
RB531SM-30FHT2R 分立半导体 RB531SM-30FHT2R ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :10 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1 A; Vf - 正向电压:0.35 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:200 mA; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 0.2A IO; 0.35V VF SOD-523; EMD2
SISA40DN-T1-GE3 分立半导体 SISA40DN-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:20 ns; 典型关闭延迟时间:40 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:5 ns, 13 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:60 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET; 系列:SIS; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:52 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:53 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V, 12 V; Rds On-漏源导通电阻:1.1 mOhms; Id-连续漏极电流:162 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
NX3008PBKVL 分立半导体 NX3008PBKVL Nexperia 分立半导体 典型接通延迟时间:19 ns; 典型关闭延迟时间:65 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10000; 上升时间:30 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:38 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:420 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:0.55 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:7.8 Ohms; Id-连续漏极电流:- 230 mA; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; MOSFET 30V 230MA P-CH TRENCHMOS
BC817K-16HR 分立半导体 BC817K-16HR Nexperia 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:500 mA; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:250; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BC817; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:100 MHz; Pd-功率耗散:775 mW; 最大直流电集电极电流:500 mA; 集电极—射极饱和电压:700 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:45 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
STTH1R06AF 分立半导体 STTH1R06AF STMicroelectronics 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 产品:Rectifiers; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; 恢复时间:30 ns; Ir - 反向电流 :1 uA; 最大浪涌电流:20 A; Vf - 正向电压:1.9 V at 1 A; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:1 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:SOD-128Flat-2; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
UDZVFHTE-1727B 分立半导体 UDZVFHTE-1727B ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.25 mm; 长度:1.7 mm; 高度:0.7 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:150 Ohms; 齐纳电流:5 mA; Pd-功率耗散:200 mW; 封装 / 箱体:SOD-323FL-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:26.19 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 稳压二极管 26.19-27.53V 5mA SOD-323FL; UMD2
DMPH6250SQ-13 分立半导体 DMPH6250SQ-13 Diodes Incorporated 分立半导体 典型接通延迟时间:12.5 ns; 典型关闭延迟时间:96 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10000; 上升时间:13.4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:39.1 ns; 商标:Diodes Incorporated; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.62 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:8.3 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:155 mOhms; Id-连续漏极电流:- 2.4 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
VS-30CTQ060-M3 分立半导体 VS-30CTQ060-M3 Vishay 分立半导体 Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.8 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:1000 A; Vf - 正向电压:0.62 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 60V 2 x 15A IF C.A. TO-220AB
SQM40041EL_GE3 分立半导体 SQM40041EL_GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:18 ns; 典型关闭延迟时间:155 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:20 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:135 ns; 正向跨导 - 最小值:92 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:SQ; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:157 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:450 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:3.4 mOhms; Id-连续漏极电流:- 120 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET Pch -40V Vds 20V Vgs TO-263
BZT52C12Q-13-F 分立半导体 BZT52C12Q-13-F Diodes Incorporated 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:Diodes Incorporated; 宽度:1.55 mm; 长度:2.65 mm; 高度:1.05 mm; 系列:BZT52C2V0 - BZT52C51; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:25 Ohms; 齐纳电流:0.1 uA; 电压温度系数:10 mV/C; Pd-功率耗散:500 mW; 封装 / 箱体:SOD-123-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:12 V; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; 稳压二极管 Zener Diode SOD123 T&R 10K
NX1029XH 分立半导体 NX1029XH Nexperia 分立半导体 典型接通延迟时间:5 ns, 13 ns; 典型关闭延迟时间:12 ns, 48 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:4000; 上升时间:6 ns, 11 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7 ns, 25 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:390 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:0.5 nC, 0.26 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:7.5 Ohms, 1.6 Ohms; Id-连续漏极电流:330 mA, 170 mA; Vds-漏源极击穿电压:60 V, 50 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel, P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-666-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; MOSFET 60/50V 330/170MA N/P-CH
KBP308G-BP 分立半导体 KBP308G-BP Micro Commercial Components (MCC) 分立半导体 Vr - 反向电压 :800 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:4200; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:Micro Commercial Components (MCC); 技术:Si; 封装:Tube; 系列:KBP30; 高度:4.1 mm; 宽度:10.6 mm; 长度:14.75 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 最大浪涌电流:80 A; Vf - 正向电压:1.1 V; 峰值反向电压:800 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:GBP-4; 安装风格:Through Hole; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:Y; 制造商:Micro Commercial Components (MCC); 桥式整流器 3A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
DTA143EU3T106 分立半导体 DTA143EU3T106 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:- 100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极连续电流:- 100 mA; 最大工作频率:250 MHz; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:1; 典型输入电阻器:4.7 kOhms; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 预偏置 PNP -50 VCEO -0.1A SOT-323
PHPT61002NYCX 分立半导体 PHPT61002NYCX Nexperia 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:1500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:150; 集电极连续电流:2 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:250; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:25 W; 最大直流电集电极电流:2 A; 集电极—射极饱和电压:50 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V; 集电极—基极电压 VCBO:100 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:LFPAK56-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Power BipolarTransistor
IAUC120N04S6N009ATMA1 分立半导体 IAUC120N04S6N009ATMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:22 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:OptiMOS; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:150 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:115 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.1 mOhms; Id-连续漏极电流:120 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TDSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET MOSFET_(20V 40V)
IPA95R450P7XKSA1 分立半导体 IPA95R450P7XKSA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:45 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:500; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:P7; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:CoolMOS; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:30 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:35 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:450 mOhms; Id-连续漏极电流:14 A; Vds-漏源极击穿电压:950 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET LOW POWER_NEW
SI3440ADV-T1-GE3 分立半导体 SI3440ADV-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:8 ns; 典型关闭延迟时间:9 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 上升时间:22 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:22 ns; 正向跨导 - 最小值:2.4 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 商标名:ThunderFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:3.6 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:4 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms; Id-连续漏极电流:2.2 A; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TSOP-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
NSR1030QMUTWG 分立半导体 NSR1030QMUTWG ON Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; trr - 反向恢复时间 :25 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:1.8 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :4 uA; Ifsm - 正向浪涌电流:12 A; Vf - 正向电压:0.49 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:UDFN-4; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 1A 30 V SCHOTTKY FU LL BR
SUP60020E-GE3 分立半导体 SUP60020E-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:30 ns; 典型关闭延迟时间:50 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:13 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:15 ns; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:375 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:151.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.8 mOhms; Id-连续漏极电流:150 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET N-Channel 80 V (D-S) MOSFET
NTPF110N65S3HF 分立半导体 NTPF110N65S3HF ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:24 ns; 典型关闭延迟时间:85 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:25 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:25 ns; 正向跨导 - 最小值:18 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SuperFET3; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:SuperFET III; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:240 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:62 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:110 mOhms; Id-连续漏极电流:30 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET SUPERFET3 650V FRFET110M
BCW66FR 分立半导体 BCW66FR Nexperia 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:800 mA; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:250; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:100 MHz; Pd-功率耗散:250 mW; 最大直流电集电极电流:800 mA; 集电极—射极饱和电压:450 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:45 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
VS-3EYH02-M3/H 分立半导体 VS-3EYH02-M3/H Vishay 分立半导体 商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3500; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:18 ns; Ir - 反向电流 :2 uA; 最大浪涌电流:70 A; Vf - 正向电压:0.86 V at 3 A; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:3 A; Vr - 反向电压 :200 V; 封装 / 箱体:DO-221AD-2; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 整流器 3 A 200V HYPERFAST RECOVERY
ISS17EP06LMXTSA1 分立半导体 ISS17EP06LMXTSA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:2 ns; 典型关闭延迟时间:27 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9 ns; 正向跨导 - 最小值:0.64 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:ISS06P010; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:0.36 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:- 1.79 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.7 Ohms; Id-连续漏极电流:- 0.3 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
RFN5BGE3STL 分立半导体 RFN5BGE3STL ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :350 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; 商标:ROHM Semiconductor; 类型:Fast Recovery Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :0.05 uA; Vf - 正向电压:1.1 V; 恢复时间:20 ns; 配置:Single; If - 正向电流:5 A; 最大浪涌电流:50 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 二极管 - 通用，功率，开关 350V Vrm; 5A Io TO-252 Rec Diode
FZT651QTA 分立半导体 FZT651QTA Diodes Incorporated 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:1000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:3 A; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:300; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:175 MHz; Pd-功率耗散:3 W; 最大直流电集电极电流:3 A; 集电极—射极饱和电压:0.43 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V; 集电极—基极电压 VCBO:80 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-223-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor
IPD95R1K2P7ATMA1 分立半导体 IPD95R1K2P7ATMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:36 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:12 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:P7; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:CoolMOS; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:52 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:15 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.2 Ohms; Id-连续漏极电流:6 A; Vds-漏源极击穿电压:950 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET LOW POWER_NEW
BZT52-C12J 分立半导体 BZT52-C12J Nexperia 分立半导体 Vf - 正向电压:0.9 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; If - 正向电流:250 mA; 商标:Nexperia; 宽度:1.7 mm; 长度:2.8 mm; 高度:1.3 mm; 系列:BZT52; 资格:AEC-Q101; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:10 Ohms; 齐纳电流:100 nA; 电压温度系数:10 mV/K; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:590 mW; 封装 / 箱体:SOD-123-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:12.7 V; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 稳压二极管 BZT52-C12/SOD123/SOD2
BC817K-16HVL 分立半导体 BC817K-16HVL Nexperia 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:10000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:500 mA; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:250; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:BC817; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:100 MHz; Pd-功率耗散:775 mW; 最大直流电集电极电流:500 mA; 集电极—射极饱和电压:700 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:45 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
KDZVTFTR10B 分立半导体 KDZVTFTR10B ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.6 mm; 长度:2.6 mm; 高度:0.8 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 齐纳电流:40 mA; Pd-功率耗散:1000 mW; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:10 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 稳压二极管 10-11.2V 40mA SOD-123FL; PMDU
ISS55EP06LMXTSA1 分立半导体 ISS55EP06LMXTSA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:1 ns; 典型关闭延迟时间:4.9 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:1.4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:1.2 ns; 正向跨导 - 最小值:0.28 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:ISS06P011; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:0.4 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:- 0.59 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:5.5 Ohms; Id-连续漏极电流:- 0.18 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
PMV28ENEAR 分立半导体 PMV28ENEAR Nexperia 分立半导体 典型接通延迟时间:3 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:16 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:4 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.25 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:5.3 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:37 mOhms; Id-连续漏极电流:4.4 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; MOSFET 30V N-CH TRENCHMOS
SIHLL110TR-GE3 分立半导体 SIHLL110TR-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:9.3 ns; 典型关闭延迟时间:16 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 上升时间:47 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:18 ns; 正向跨导 - 最小值:0.57 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:3.1 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:6.1 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:540 mOhms; Id-连续漏极电流:1.5 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-223-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 100V Vds 20V Vgs SOT-223
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