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分立半导体
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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
NX7002BKHH 分立半导体 NX7002BKHH Nexperia 分立半导体 典型接通延迟时间:1 ns; 典型关闭延迟时间:3 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10000; 上升时间:1 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 正向跨导 - 最小值:600 mS; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:710 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:1 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.8 Ohms; Id-连续漏极电流:350 mA; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DFN-0606-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; MOSFET 60V N-CH TRENCHMOS
STPS10H60SF 分立半导体 STPS10H60SF STMicroelectronics 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:6000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 系列:STPS10H60SF; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :20 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:210 A; Vf - 正向电压:0.79 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-277A-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
NVD6495NLT4G-VF01 分立半导体 NVD6495NLT4G-VF01 ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:11 ns; 典型关闭延迟时间:40 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:91 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:71 ns; 正向跨导 - 最小值:24 S; 商标:ON Semiconductor; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:83 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:35 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms; Id-连续漏极电流:25 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM
FFSH1065B-F085 分立半导体 FFSH1065B-F085 ON Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:450; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:83 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:42 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 650V 10A SIC SBD GEN1.5
NTB095N65S3HF 分立半导体 NTB095N65S3HF ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:28 ns; 典型关闭延迟时间:72 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:28 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:24 ns; 正向跨导 - 最小值:17 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SuperFET3; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:SuperFET III; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:272 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:66 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:95 mOhms; Id-连续漏极电流:36 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:D2PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET SUPERFET3 650V FRFET 95MO
STL47N60M6 分立半导体 STL47N60M6 STMicroelectronics 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:STx47; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:MDmesh; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:189 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:57 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.25 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:80 mOhms; Id-连续漏极电流:31 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerFLAT-8x8-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
BCW68GR 分立半导体 BCW68GR Nexperia 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:160; 集电极连续电流:- 800 mA; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:400; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:80 MHz; Pd-功率耗散:250 mW; 最大直流电集电极电流:- 800 mA; 集电极—射极饱和电压:- 450 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 45 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
BAT854SWF 分立半导体 BAT854SWF Nexperia 分立半导体 Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Nexperia; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1 A; Vf - 正向电压:550 mV at 100 mA; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:200 mA; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODES & RECTIFIERS
FMMT560QTA 分立半导体 FMMT560QTA Diodes Incorporated 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:- 150 mA; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:300; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:60 MHz; Pd-功率耗散:500 mW; 最大直流电集电极电流:- 150 mA; 集电极—射极饱和电压:- 500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 7 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 500 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 500 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Hi Voltage Transistor
PMEG045T150EIPDZ 分立半导体 PMEG045T150EIPDZ Nexperia 分立半导体 Vr - 反向电压 :45 V; trr - 反向恢复时间 :49 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:2.15 W; 商标:Nexperia; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :30 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:130 A; Vf - 正向电压:510 mV; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:21 A; 封装 / 箱体:CFP-15-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODES
RFN20TF6SFHC9 分立半导体 RFN20TF6SFHC9 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.05 uA; Vf - 正向电压:1.25 V; 恢复时间:40 ns; 配置:Single; If - 正向电流:20 A; 最大浪涌电流:100 A; 峰值反向电压:600 V; 封装 / 箱体:TO-220NFM-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 二极管 - 通用，功率，开关 600V VR 20A IO ITO-220AC; TO-220NFM
BZX84B6V2-TP 分立半导体 BZX84B6V2-TP Micro Commercial Components (MCC) 分立半导体 Vf - 正向电压:900 mV; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; 商标:Micro Commercial Components (MCC); 宽度:1.4 mm; 长度:3.04 mm; 高度:1.12 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:10 Ohms; 齐纳电流:3 uA; 电压容差:2 %; Pd-功率耗散:350 mW; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:6.2 V; RoHS:Y; 制造商:Micro Commercial Components (MCC); 稳压二极管 350mW ZENER
BCW68FR 分立半导体 BCW68FR Nexperia 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:- 800 mA; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:250; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:80 MHz; Pd-功率耗散:250 mW; 最大直流电集电极电流:- 800 mA; 集电极—射极饱和电压:- 450 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 45 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
BZX84C4V7LFHT116 分立半导体 BZX84C4V7LFHT116 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :3 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.3 mm; 长度:2.9 mm; 高度:0.95 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:80 Ohms; 齐纳电流:5 mA; 电压温度系数:- 2.5 mV/C; Pd-功率耗散:250 mW; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:4.4 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 稳压二极管 4.4-5V 5mA SOT-23; SOT-23
PMH600UNEH 分立半导体 PMH600UNEH Nexperia 分立半导体 典型接通延迟时间:1 ns; 典型关闭延迟时间:9 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10000; 上升时间:3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:36 ns; 正向跨导 - 最小值:1.1 S; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:625 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:0.31 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:0.45 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:620 mOhms; Id-连续漏极电流:800 mA; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DFN-0606-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; MOSFET 20V N-CH TRENCHMOS
DTC114YU3HZGT106 分立半导体 DTC114YU3HZGT106 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极连续电流:100 mA; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:4.7; 典型输入电阻器:10 kOhms; 晶体管极性:NPN; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A 22kO SOT-323
BSS5130AT116 分立半导体 BSS5130AT116 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:270; 集电极连续电流:- 1 A; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:680; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:320 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:- 2 A; 集电极—射极饱和电压:- 100 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 30 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR FOR LOW FREQ AMPLIF
PMEG2002AESFBYL 分立半导体 PMEG2002AESFBYL Nexperia 分立半导体 Vr - 反向电压 :20 V; trr - 反向恢复时间 :1.9 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:9000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:525 mW; 商标:Nexperia; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :10 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:4 A; Vf - 正向电压:375 mV; Vrrm - 重复反向电压:20 V; If - 正向电流:0.28 A; 封装 / 箱体:DSN-0603B-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODES
SQM40081EL_GE3 分立半导体 SQM40081EL_GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:16 ns; 典型关闭延迟时间:103 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:230 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:153 ns; 正向跨导 - 最小值:92 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:SQ; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:107 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:230 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:8.5 mOhms; Id-连续漏极电流:- 50 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 40V Vds 20V Vgs TO-263
STTH60RQ06W 分立半导体 STTH60RQ06W STMicroelectronics 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:600; 产品类型:Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 产品:Rectifiers; 封装:Tube; 系列:STTH60RQ06; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:50 ns; Ir - 反向电流 :80 uA; 最大浪涌电流:425 A; Vf - 正向电压:2.95 V at 60 A; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:60 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:DO-247-2; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
PDZ10BGWJ 分立半导体 PDZ10BGWJ Nexperia 分立半导体 Vf - 正向电压:1.1 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; If - 正向电流:200 mA; 商标:Nexperia; 宽度:1.7 mm; 长度:2.8 mm; 高度:1.3 mm; 系列:PDZ-GW; 资格:AEC-Q101; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:10 Ohms; 齐纳电流:100 nA; 电压温度系数:6.4 mV/K; 电压容差:2 %; Pd-功率耗散:625 mW; 封装 / 箱体:SOD-123-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:10.21 V; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 稳压二极管 PDZ10BGW/SOD123/SOD2
BSS64AT116 分立半导体 BSS64AT116 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:30; 集电极连续电流:100 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:30; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:200 mA; 集电极—射极饱和电压:80 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:120 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR FOR HIGH VOLT AMP
IPB60R105CFD7ATMA1 分立半导体 IPB60R105CFD7ATMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:25 ns; 典型关闭延迟时间:94 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:17 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:106 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:42 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:105 mOhms; Id-连续漏极电流:21 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET HIGH POWER_NEW
STFW8N120K5 分立半导体 STFW8N120K5 STMicroelectronics 分立半导体 典型接通延迟时间:15.5 ns; 典型关闭延迟时间:40 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:300; 上升时间:11 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:27 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:STFW8N120K5; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:48 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:13.7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:2 Ohms; Id-连续漏极电流:6 A; Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-3PF-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
IPB60R070CFD7ATMA1 分立半导体 IPB60R070CFD7ATMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:26 ns; 典型关闭延迟时间:99 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:23 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:156 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:67 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms; Id-连续漏极电流:31 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET HIGH POWER_NEW
STWA50N65DM2AG 分立半导体 STWA50N65DM2AG STMicroelectronics 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:600; 产品类型:MOSFET; 商标:STMicroelectronics; 系列:STWA50N65DM2AG; 配置:Single; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:300 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:69 nC; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Id-连续漏极电流:38 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
STWA65N65DM2AG 分立半导体 STWA65N65DM2AG STMicroelectronics 分立半导体 典型接通延迟时间:33 ns; 典型关闭延迟时间:114 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:600; 上升时间:13.5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11.5 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:446 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:120 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms; Id-连续漏极电流:60 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
IXFN100N65X2 分立半导体 IXFN100N65X2 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:37 ns; 典型关闭延迟时间:90 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10; 上升时间:26 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:40 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:650V Ultra Junction X2; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:595 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:183 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:30 mOhms; Id-连续漏极电流:78 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-227-4; 安装风格:Chassis Mount; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET 650V/78A miniBLOC SOT-227
MDNA240U2200ED 分立半导体 MDNA240U2200ED IXYS 分立半导体 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:6; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:355 W; 晶体管极性:N-Channel; 商标:IXYS; 配置:3 Phase Bridge; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 封装 / 箱体:E2-Pack; 安装风格:Screw Mount; Vr - 反向电压 :2200 V; Vf - 正向电压:1.9 V; 类型:High Voltage; 产品:Diode Power Modules; RoHS:Y; 制造商:IXYS; 分立半导体模块 2200V 240A 3 Rectifier Bridge
FF23MR12W1M1PB11BPSA1 分立半导体 FF23MR12W1M1PB11BPSA1 Infineon 分立半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:3.45 V; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:43.5 ns; 商标名:EasyDUAL CoolSiC MOSFET; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:30; 上升时间:10 ns; Rds On-漏源导通电阻:22.5 mOhms; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:20 mW; 工作电源电压:-; Id-连续漏极电流:50 A; 下降时间:12 ns; 晶体管极性:N-Channel; 商标:Infineon Technologies; 配置:Dual; 封装:Tray; 系列:FFXMR12; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 封装 / 箱体:AG-EASY1BM-2; 安装风格:Screw Mount; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, 20 V; Vr - 反向电压 :1200 V; Vf - 正向电压:4.6 V at 50 A; 类型:CoolSiC MOSFET; 产品:Power MOSFET Modules; RoHS:Y; 制造商:Infineon; 分立半导体模块 LOW POWER EASY
BZT52B6V2JS-TP 分立半导体 BZT52B6V2JS-TP Micro Commercial Components (MCC) 分立半导体 Vf - 正向电压:0.9 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :3 uA; If - 正向电流:10 mA; 商标:Micro Commercial Components (MCC); 宽度:1.35 mm; 长度:1.8 mm; 高度:1.24 mm; 系列:BZT52B; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:10 Ohms; 齐纳电流:3 uA; 电压温度系数:-; 电压容差:2 %; Pd-功率耗散:200 mW; 封装 / 箱体:SOD-323-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:6.2 V; RoHS:Y; 制造商:Micro Commercial Components (MCC); 稳压二极管 200mW 0.9Vf 6.08Vz 4.0Vr 3.0uA
MB8S-G 分立半导体 MB8S-G Comchip Technology 分立半导体 Vr - 反向电压 :800 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :5 mA; 商标:Comchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 高度:3 mm; 宽度:4.9 mm; 长度:7 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 最大浪涌电流:35 A; Vf - 正向电压:1 V; 峰值反向电压:800 V; If - 正向电流:0.8 A; 封装 / 箱体:MBS-4; 端接类型:SMD/SMT; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:Y; 制造商:Comchip Technology; 桥式整流器 0.8A 800V MBS
LMB12S-TP 分立半导体 LMB12S-TP Micro Commercial Components (MCC) 分立半导体 Vr - 反向电压 :14 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :0.1 mA; 商标:Micro Commercial Components (MCC); 技术:Si; 产品:Schottky Bridge Rectifiers; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 高度:1.5 mm; 宽度:4.8 mm; 长度:5.2 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 最大浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:0.55 V; 峰值反向电压:20 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:LMBS-1-4; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:Y; 制造商:Micro Commercial Components (MCC); 桥式整流器 1A 20Vr 14Vrms 20V 30A Ifsm
CMLT3904EG TR PBFREE 分立半导体 CMLT3904EG TR PBFREE Central Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 at 10 mA, 1 V; 集电极连续电流:200 mA; 商标:Central Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:300 at 10 mA, 1 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:CMLT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; 增益带宽产品fT:300 MHz; Pd-功率耗散:350 mW; 集电极—射极饱和电压:0.2 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V; 配置:Dual; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-563-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Central Semiconductor; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Complementary Enhanced
BSX63-10 PBFREE 分立半导体 BSX63-10 PBFREE Central Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 商标:Central Semiconductor; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:Central Semiconductor; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 3.0A 5.0W
BCW66HVL 分立半导体 BCW66HVL Nexperia 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:10000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:250; 集电极连续电流:800 mA; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:600; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:100 MHz; Pd-功率耗散:250 mW; 最大直流电集电极电流:800 mA; 集电极—射极饱和电压:450 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:45 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
2N7002KT7G 分立半导体 2N7002KT7G ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:5 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3500; 产品类型:MOSFET; 正向跨导 - 最小值:200 mS; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel MOSFET; 系列:2N7002K; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:350 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:2 Ohms; Id-连续漏极电流:300 mA; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET NFET SOT23 60V 115MA 7MO
BAT54SWF 分立半导体 BAT54SWF Nexperia 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; trr - 反向恢复时间 :5 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:200 mW; 商标:Nexperia; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :2 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:600 mA; Vf - 正向电压:800 mV at 100 mA; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:200 mA; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODES & RECTIFIERS
BC817K-40HVL 分立半导体 BC817K-40HVL Nexperia 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:10000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:250; 集电极连续电流:500 mA; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:600; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:BC817; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:100 MHz; Pd-功率耗散:775 mW; 最大直流电集电极电流:500 mA; 集电极—射极饱和电压:700 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:45 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
PMEG4005EJF 分立半导体 PMEG4005EJF Nexperia 分立半导体 Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:830 mW; 商标:Nexperia; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :30 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:10 A; Vf - 正向电压:420 mV; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:0.5 A; 封装 / 箱体:SOD-323-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODES
PMV60ENEAR 分立半导体 PMV60ENEAR Nexperia 分立半导体 典型接通延迟时间:3 ns; 典型关闭延迟时间:8 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:3 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.25 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:3.6 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:75 mOhms; Id-连续漏极电流:3 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; MOSFET 40V N-CH TRENCHMOS
PMEG40T50EPX 分立半导体 PMEG40T50EPX Nexperia 分立半导体 Vr - 反向电压 :40 V; trr - 反向恢复时间 :24 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:1.1 W; 商标:Nexperia; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :12 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:55 A; Vf - 正向电压:470 mV; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:7 A; 封装 / 箱体:SOD-128-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODES
FMMT634QTA 分立半导体 FMMT634QTA Diodes Incorporated 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:20000; 集电极连续电流:900 mA; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:806 mW; 最大直流电集电极电流:900 mA; 集电极—射极饱和电压:0.85 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:12 V; 集电极—基极电压 VCBO:120 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V; 配置:Dual; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Mid-Perf Transistor
SCTH90N65G2V-7 分立半导体 SCTH90N65G2V-7 STMicroelectronics 分立半导体 典型接通延迟时间:26 ns; 典型关闭延迟时间:58 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:38 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:16 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SCTH90N; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:330 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:157 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.9 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V to 22 V; Rds On-漏源导通电阻:26 mOhms; Id-连续漏极电流:90 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:H2PAK-7; 安装风格:SMD/SMT; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; MOSFET PTD NEW MAT & PWR SOLUTION
PHPT61003PYX 分立半导体 PHPT61003PYX Nexperia 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:1500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:150; 集电极连续电流:- 3 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:220; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:125 MHz; Pd-功率耗散:25 W; 最大直流电集电极电流:- 3 A; 集电极—射极饱和电压:- 110 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 8 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 100 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 100 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:LFPAK56-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Power BipolarTransistor
BAV99HMT116 分立半导体 BAV99HMT116 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; Pd-功率耗散:250 mW; 最大二极管电容:2 pF; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :30 uA; Vf - 正向电压:1 V; 恢复时间:4 ns; 配置:Dual; If - 正向电流:50 mA; 最大浪涌电流:4 A; 峰值反向电压:100 V; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 二极管 - 通用，功率，开关 DIODE FOR HIGH SPEED SWITCHING
RB521SM-60FHT2R 分立半导体 RB521SM-60FHT2R ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :100 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1 A; Vf - 正向电压:0.6 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:200 mA; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 60V Vr; 0.2A IO SOD-523; EMD2
BAV99HMFHT116 分立半导体 BAV99HMFHT116 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; Pd-功率耗散:250 mW; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :0.1 uA; Vf - 正向电压:1.25 V; 恢复时间:4 ns; 配置:Single; If - 正向电流:125 mA; 最大浪涌电流:4 A; 峰值反向电压:80 V; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 二极管 - 通用，功率，开关 100V Vrm; 500mA Ifm Swtch Diode SOT-23
BAV199HMFHT116 分立半导体 BAV199HMFHT116 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; Pd-功率耗散:250 mW; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :5 nA; Vf - 正向电压:1.25 V; 恢复时间:3 us; 配置:Single; If - 正向电流:125 mA; 最大浪涌电流:4 A; 峰值反向电压:80 V; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 二极管 - 通用，功率，开关 100V Vrm; 500mA Ifm Swtch Diode SOT-23
BSS138-13-F 分立半导体 BSS138-13-F Diodes Incorporated 分立半导体 典型接通延迟时间:20 ns; 典型关闭延迟时间:20 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10000; 产品类型:MOSFET; 正向跨导 - 最小值:100 mS; 商标:Diodes Incorporated; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:300 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:3.5 Ohms; Id-连续漏极电流:200 mA; Vds-漏源极击穿电压:50 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; MOSFET BSS Family
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