| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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HS512K16-CQ128A103E |
VORAGO Technologies |
存储器 IC |
商标名:HardSIL; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1; 产品类型:SRAM; 商标:VORAGO; 类型:Synchronous; 系列:HS512K16; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:CQFP-128; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 电源电流—最大值:293 mA; 电源电压-最小:1.35 V; 电源电压-最大:1.65 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns, 17 ns; 组织:512 k x 16; 存储容量:8 Mbit; RoHS:Y; 制造商:VORAGO Technologies; |
静态随机存取存储器 8M Dual Port Synchronous 静态随机存取存储器 |
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HS512K16-CQ128A1F0E |
VORAGO Technologies |
存储器 IC |
商标名:HardSIL; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1; 产品类型:SRAM; 商标:VORAGO; 类型:Synchronous; 系列:HS512K16; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:CQFP-128; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 电源电流—最大值:293 mA; 电源电压-最小:1.35 V; 电源电压-最大:1.65 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns, 17 ns; 组织:512 k x 16; 存储容量:8 Mbit; RoHS:Y; 制造商:VORAGO Technologies; |
静态随机存取存储器 8M Dual Port Synchronous 静态随机存取存储器 |
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HS512K16-DA1F0E |
VORAGO Technologies |
存储器 IC |
商标名:HardSIL; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5; 产品类型:SRAM; 商标:VORAGO; 类型:Synchronous; 系列:HS512K16; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 电源电流—最大值:293 mA; 电源电压-最小:1.35 V; 电源电压-最大:1.65 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns, 17 ns; 组织:512 k x 16; 存储容量:8 Mbit; RoHS:Y; 制造商:VORAGO Technologies; |
静态随机存取存储器 8M Dual Port Synchronous 静态随机存取存储器 |
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HS512K16-DA103E |
VORAGO Technologies |
存储器 IC |
商标名:HardSIL; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5; 产品类型:SRAM; 商标:VORAGO; 类型:Synchronous; 系列:HS512K16; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 电源电流—最大值:293 mA; 电源电压-最小:1.35 V; 电源电压-最大:1.65 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns, 17 ns; 组织:512 k x 16; 存储容量:8 Mbit; RoHS:Y; 制造商:VORAGO Technologies; |
静态随机存取存储器 8M Dual Port Synchronous 静态随机存取存储器 |
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