| 器件图 | 型号/料号 | 品牌/制造商 | 类目 | 参数 | 说明 | 
                
                
                    |  | THGAMRG8T13BAIL | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Kioxia America; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 配置:SLC; 存储容量:32 GB; 系列:THGAM; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | eMMC  32GB eMMC  5.1 3D BiCS -25C to 85C | 
                
                
                    |  | TC58CYG0S3HRAIJ | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NAND Flash; 最大时钟频率:133 MHz; 商标:Kioxia America; 速度:180 us; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:24 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 M x 8; 接口类型:Serial; 存储容量:1 Gbit; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 1Gb 2nd Generation Serial NAND WSON8 24nm 1.8V | 
                
                
                    |  | TC58CVG1S3HRAIJ | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:133 MHz; 商标:Kioxia America; 速度:180 us; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:24 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:256 M x 8; 接口类型:SPI; 存储容量:2 Gbit; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 2Gb 2nd Generation Serial NAND WSON8 24nm 3.3V | 
                
                
                    |  | TC58CYG1S3HRAIJ | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NAND Flash; 最大时钟频率:133 MHz; 商标:Kioxia America; 速度:180 us; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:24 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:256 M x 8; 接口类型:Serial; 存储容量:2 Gbit; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 2Gb 2nd Generation Serial NAND WSON8 24nm 1.8V | 
                
                
                    |  | THGAMRG9T23BAIL | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Kioxia America; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 配置:SLC; 存储容量:64 GB; 系列:THGAM; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | eMMC  64GB eMMC  5.1 3D BiCS -25C to 85C | 
                
                
                    |  | THGBMJG9C8LBAU8 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Kioxia America; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 配置:MLC; 存储容量:64 Gbit; 系列:THGBM; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | eMMC  64GB eMMC  5.1 2D 15nm -40C to 105C | 
                
                
                    |  | TC58CYG2S0HRAIJ | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NAND Flash; 最大时钟频率:133 MHz; 商标:Kioxia America; 速度:300 us; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:24 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 M x 8; 接口类型:Serial; 存储容量:4 Gbit; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 4Gb 2nd Generation Serial NAND WSON8 24nm 1.8V | 
                
                
                    |  | TH58CYG3S0HRAIJ | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NAND Flash; 最大时钟频率:133 MHz; 商标:Kioxia America; 速度:300 us; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:24 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 M x 8; 接口类型:SPI; 存储容量:8 Gbit; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 8Gb 2nd Generation Serial NAND WSON8 24nm 1.8V | 
                
                
                    |  | THGBMJG6C1LBAIL | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Kioxia America; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 尺寸:11.5 mm x 13 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 配置:MLC; 存储容量:8 GB; 系列:THGBM; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | eMMC  8GB eMMC  5.1 2D 15nm -25C to 85C | 
                
                
                    | ![THGBMNG5D1LBAIT 存储器 IC THGBMNG5D1LBAIT 存储器 IC]() | THGBMNG5D1LBAIT | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:168; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kioxia America; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | eMMC  4GB 15nm eMMC  (EEPROM) | 
                
                
                    |  | THGBMJG6C1LBAU7 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Kioxia America; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 配置:MLC; 存储容量:8 GB; 系列:THGBM; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | eMMC  8GB eMMC  5.1 2D 15nm -40C to 105C | 
                
                
                    |  | THGBMJG7C1LBAIL | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Kioxia America; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 配置:SLC; 存储容量:16 GB; 系列:THGBM; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | eMMC  16GB eMMC  5.1 2D 15nm -25C to 85C | 
                
                
                    |  | THGBMJG7C2LBAU8 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Kioxia America; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 配置:SLC; 存储容量:16 GB; 系列:THGBM; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | eMMC  16GB eMMC  5.1 2D 15nm -40C to 105C | 
                
                
                    |  | THGAMRT0T43BAIR | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Kioxia America; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 配置:SLC; 存储容量:128 GB; 系列:THGAM; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | eMMC  128GB eMMC  5.1 3D BiCS -25C to 85C | 
                
                
                    |  | THGBMJG8C4LBAU8 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Kioxia America; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 配置:SLC; 存储容量:32 GB; 系列:THGBM; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | eMMC  32GB eMMC  5.1 2D 15nm -40C to 105C | 
                
                
                    |  | THGAMRG7T13BAIL | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Kioxia America; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 配置:SLC; 存储容量:16 GB; 系列:THGAM; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | eMMC  16GB eMMC  5.1 3D BiCS -25C to 85C | 
                
                
                    |  | THGBMNG5D1LBAIL | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Kioxia America; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 存储容量:4 GB; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | eMMC  4GB 15nm eMMC  (EEPROM) | 
                
                
                    |  | TH58NVG4S0HTAK0 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:-; 商标:Kioxia America; 速度:25 ns; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Synchronous; 组织:2 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:16 Gbit; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 3.3V 16Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    |  | TC58BYG2S0HBAI4 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:210; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kioxia America; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Synchronous; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 封装 / 箱体:TFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    |  | TH58NVG4S0HTA20 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:-; 商标:Kioxia America; 速度:25 ns; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Synchronous; 组织:2 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:16 Gbit; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 3.3V 16Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    | ![TH58NVG2S3HBAI4 存储器 IC TH58NVG2S3HBAI4 存储器 IC]() | TH58NVG2S3HBAI4 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:210; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kioxia America; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 封装 / 箱体:TFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    |  | TH58NYG3S0HBAI4 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:210; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kioxia America; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Synchronous; 组织:1 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:8 Gbit; 封装 / 箱体:TFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    |  | THGAF8G8T23BAIL | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:Universal Flash Storage (UFS); 湿度敏感性:Yes; 最大数据速率:1166 Mb/s; 电源电流—最大值:130 mA; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Kioxia America; 产品:UFS; 系列:THGAF; 封装:Tray; 型号:v2.1 Gen 6; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 0.8 mm; 封装 / 箱体:WFBGA-153; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 接口类型:UFS; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 存储容量:32 GB; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | 通用闪存存储 (UFS) 32GB 1166MB/s Gen 6 UFS 2.1 | 
                
                
                    |  | THGAF8G9T43BAIR | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:Universal Flash Storage (UFS); 湿度敏感性:Yes; 最大数据速率:1166 Mb/s; 电源电流—最大值:155 mA; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Kioxia America; 产品:UFS; 系列:THGAF; 封装:Tray; 型号:v2.1 Gen 6; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 封装 / 箱体:VFBGA-153; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 接口类型:UFS; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 存储容量:64 GB; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | 通用闪存存储 (UFS) 64GB 1166MB/s Gen 6 UFS 2.1 | 
                
                
                    | ![THGAF8T0T43BAIR 存储器 IC THGAF8T0T43BAIR 存储器 IC]() | THGAF8T0T43BAIR | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:Universal Flash Storage (UFS); 湿度敏感性:Yes; 电源电流—最大值:155 mA; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Kioxia America; 封装:Tray; 型号:v2.1 Gen 6; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 封装 / 箱体:VFBGA-153; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 接口类型:UFS 2.1; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 存储容量:128 GB; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | 通用闪存存储 (UFS) 128GB 1166MB/s Gen 6 UFS 2.1 | 
                
                
                    |  | TC58NVG2S0HBAI6 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:-; 商标:Kioxia America; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 封装 / 箱体:VFBGA-67; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    |  | TH58NVG5S0FTA20 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:-; 商标:Kioxia America; 结构:Block Erase; 速度:25 ns; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Synchronous; 组织:4 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:32 Gbit; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 3.3V 32Gb 32nm SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    |  | TH58NVG5S0FTAK0 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:-; 商标:Kioxia America; 结构:Block Erase; 速度:25 ns; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Synchronous; 组织:4 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:32 Gbit; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 3.3V 32Gb 32nm SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    |  | TC58BVG0S3HBAI6 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:-; 商标:Kioxia America; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 封装 / 箱体:VFBGA-67; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 3.3V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    |  | TC58NVG1S3HTA00 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kioxia America; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:256 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:2 Gbit; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 3.3V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    |  | TC58NYG2S0HBAI4 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:210; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:-; 商标:Kioxia America; 结构:Block Erase; 速度:25 ns; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Synchronous; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 封装 / 箱体:TFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    |  | TC58BVG2S0HTAI0 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:-; 商标:Kioxia America; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    |  | TH58NYG2S3HBAI4 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:210; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:-; 商标:Kioxia America; 结构:Block Erase; 速度:25 ns; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Synchronous; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 封装 / 箱体:TFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    |  | TH58NVG2S3HTA00 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kioxia America; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    |  | TH58BVG2S3HTAI0 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kioxia America; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 4Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    | ![TC58NVG2S0HBAI4 存储器 IC TC58NVG2S0HBAI4 存储器 IC]() | TC58NVG2S0HBAI4 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:210; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kioxia America; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 封装 / 箱体:TFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    |  | TH58NVG3S0HTAI0 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:-; 商标:Kioxia America; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:1 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:8 Gbit; 系列:TC58CY; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 3.3V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    | ![TC58BVG0S3HTA00 存储器 IC TC58BVG0S3HTA00 存储器 IC]() | TC58BVG0S3HTA00 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kioxia America; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 3.3V 1Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    |  | TH58BVG2S3HTA00 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kioxia America; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    |  | TC58NVG1S3HTAI0 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:-; 商标:Kioxia America; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:256 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:2 Gbit; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 3.3V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    | ![TC58BVG0S3HTAI0 存储器 IC TC58BVG0S3HTAI0 存储器 IC]() | TC58BVG0S3HTAI0 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kioxia America; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 3.3V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    |  | TC58NYG0S3HBAI6 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:-; 商标:Kioxia America; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 封装 / 箱体:VFBGA-67; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    |  | TC58NVG2S0HTAI0 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:-; 商标:Kioxia America; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 3.3V 4Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    | ![TC58NVG0S3HTA00 存储器 IC TC58NVG0S3HTA00 存储器 IC]() | TC58NVG0S3HTA00 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kioxia America; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 3.3V 1Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    |  | TC58NVG1S3HBAI6 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:-; 商标:Kioxia America; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:256 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:2 Gbit; 封装 / 箱体:VFBGA-67; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 3.3V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    | ![TC58BYG0S3HBAI6 存储器 IC TC58BYG0S3HBAI6 存储器 IC]() | TC58BYG0S3HBAI6 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kioxia America; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 封装 / 箱体:VFBGA-67; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    |  | TC58BYG1S3HBAI6 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:-; 商标:Kioxia America; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:256 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:2 Gbit; 封装 / 箱体:VFBGA-67; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    |  | TC58NYG2S0HBAI6 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:-; 商标:Kioxia America; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:TC58CV; 封装 / 箱体:VFBGA-67; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    |  | TH58NVG3S0HTA00 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:-; 商标:Kioxia America; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:1 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:8 Gbit; 系列:TC58CY; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 3.3V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | 
                
                
                    |  | TC58BVG2S0HTA00 | Kioxia | 存储器 IC | 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:-; 商标:Kioxia America; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; | NAND闪存 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |