在半导体工程界，一场关于掩膜制造当前状态与未来方向的深入讨论近日展开。参与讨论的有HJL光刻术的首席光刻技术师Harry Levinson、D2S的CEO Aki Fujimura、美光科技掩膜技术高级总监Ezequiel Russell以及Photronics的执行副总裁兼技术总监Christopher Progler。以下是本次讨论的精彩节选。

在非极紫外（EUV）节点上，比如193i浸没式光刻技术，仍在不断发展之中。什么关键创新正在延长这项技术的使用寿命并保持其活力？Progler表示，一大创新是应用曲线型掩膜，利用现代写入机制制造复杂掩膜形状，这在以前是不切实际的。第二点则是计算工具在掩膜设计流程中的密集使用，比如掩膜处理校正（MPC）和高级模拟预测，有效减少昂贵的实验需求，推动技术极限。

Levinson和Fujimura共同认为，曲线型（Curvilinear）掩膜是关键技术，它不仅推动了浸没式光刻技术的极限，也让成本更低的芯片制造成为可能。变形光束（VSB）写入机到多光束写入机的转变，实现了曲线型掩膜形状的高效编写，无需增加写入时间或成本。

Russell指出，整个掩膜制造流程已经不断改进，包括数据准备、光学近似校正（OPC）、源掩膜优化和模拟。现代化算法的运用大大推进技术发展。

关于曲线型掩膜未来普及的障碍，Levinson认为仍需大量基础设施发展，比如从传统的曼哈顿几何转向曲线几何，但行业内的智力资源将能够解决这些问题。Fujimura认为，目前曲线型还被视为例外，而不是常态，这改变了经济和基础设施。而Russell表示，选择性应用曲线型特征是可能的，不必全面转换。

讨论也触及了极紫外（EUV）掩膜膜片的当前性能及如何提高它们的耐用性和实用性。尽管存在诸多挑战，但由于EUV所带来的好处，该行业认为探索和寻找解决方案是值得的。

最后，专家们一致认为，尽管面临许多挑战，但通过不断的技术创新与改进，光掩膜技术的未来依然光明。

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