独立自主！长江存储计划采用国产设备取代进口设备
近日，有消息称中国的领先半导体企业——长江存储正在进行一项名为“武当山”的机密计划。该计划旨在采用国产设备来取代进口设备，以帮助其制造採用 Xtacking 3.0 架構的记忆体晶片，同时避免被美国出口管制限制。据悉，长江存储已与中国本土设备供应商合作，下大订单购买设备以建造新生产线。甚至在要求其供应商去除标识和识别标记的同时，降低了美国制裁风险。而南华早报透露长江存储在该计划上已经取得相当的进展，首个去美化的产线预计将在 2024 年开始试产。根据市场研究调查机构的报告，在全球3D NAND快闪存储芯片市场领域，长江存储紧随三星、SK海力士和美光科技等企业，市场份额约占据了6%。然而，美国商务部将其列入出口管制黑名单后，该企业无法取得先进半导体设备和技术，导致其新产品开发陷入瓶颈。但是依靠加倍努力以及中国供应商的合作，长江存储有望完成“武当山”计划，实现全球市场份额的进一步增长。但是行业专家也指出，尽管中国半导体制造供应链仍存“瓶颈”状况，但长江存储得以采用国产设备取代进口设备的计划仍将推动行业的发展，提高中国半导体产业的独立自主性。因此，长江存储正在越来越成为中国在全球3D NAND快闪存储芯片市场竞争上的最大希望。
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