| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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QPA5219TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:17 dB; 开发套件:QPA5219PCK401; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:QPA5219; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:500 mA; 工作电源电压:5 V; 增益:32 dB; 工作频率:2412 MHz to 2484 MHz; 技术:Si; 类型:Three-Stage; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 2.412-2.484GHz Tx Gain 32dB |
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CGH55030F1 |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:58; 产品类型:RF JFET Transistors; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tray; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 Watt |
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AFV10700HR5 |
NXP |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:526 W; 通道数量:2 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:1030 MHz to 1090 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:NI-780H-4; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 输出功率:700 W; 增益:19.2 dB; Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 105 V; Id-连续漏极电流:2.6 A; 技术:Si; 晶体管极性:Dual N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W 1030-1090MHz |
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HMC520ALC4TR |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Mixer; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC520; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 GaAs MMIC I/Q Mixer 6-10 GHz |
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LTC5553IUDB#TRMPBF |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; P1dB - 压缩点:16 dBm; 工作电源电压:3.3 V; 工作电源电流:132 mA; OIP3 - 三阶截点:21.5 dBm; 商标:Analog Devices / Linear Technology; 技术:Si; 系列:LTC5553; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-12; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 中频:500 MHz to 9000 MHz; LO频率:1 GHz to 20 GHz; NF—噪声系数:12.8 dB; 转换损失——最大:11.6 dB; 射频:3 GHz to 20 GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 3GHz to 20GHz Microwave Mixer with Integrated IF Balun Transformer |
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AFM906NT1 |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 系列:AFM906N; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:HVSON-16; 技术:Si; 制造商:NXP; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V |
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HMC524ALC3B |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Mixer; Pd-功率耗散:560 mW; P1dB - 压缩点:17 dBm; OIP3 - 三阶截点:18 dBm; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:EV1HMC524ALC3; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC524AG; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LCC-12; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 4.5 GHz; LO频率:22 GHz to 32 GHz; NF—噪声系数:15 dB; 转换损失——最大:13 dB; 射频:22 GHz to 32 GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 GaAs MMIC I/Q Mixer / IRM Chip, 22 - 32 |
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MRFX1K80GNR5 |
NXP |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:3333 W; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:2 Channel; 正向跨导 - 最小值:44.7 S; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 系列:MRFX1K80; 工作频率:1.8 MHz to 400 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:OM-1230G-4L; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:1.8 kW; 增益:24.4 dB; Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 179 V; Id-连续漏极电流:43 A; 技术:Si; 晶体管极性:Dual N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V |
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CYW20736A1KML2GT |
Cypress Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CYW20736; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-32; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
射频微控制器 - MCU Bluetooth BLE and IEEE 802.15.4 |
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EFR32FG12P432F1024GM48-C |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:31 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:256 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32FG12; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:1024 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:10.8 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.3 dBm; 输出功率:19 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN48 2.4 G 19 dB proprietary 1024 kB 256 kB (RAM) 31GPIO SoC |
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AFT31150NR5 |
NXP |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:741 W; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:1 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 系列:AFT31150N; 工作频率:2700 MHz to 3100 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:OM-780-2L; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:150 W; 增益:17 dB; Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 65 V; Id-连续漏极电流:1.8 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W 2700-3100MHz |
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MASW-011107-DIE |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 40 C; 运行时间—最大值:20 ns; 空闲时间—最大值:20 ns; 商标:MACOM; 技术:GaAs; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:41 dB; 介入损耗:1.5 dB; 工作频率:DC to 26.5 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; 制造商:MACOM; |
RF 开关 IC |
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LMH9226IRRLR |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:275 mW; 湿度敏感性:Yes; 隔离分贝:- 35 dB; 输入返回损失:- 11 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Texas Instruments; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:84 mA; OIP3 - 三阶截点:35 dBm; 测试频率:2.6 GHz; NF—噪声系数:3 dB; 工作电源电压:3.3 V; 增益:17 dB; P1dB - 压缩点:17.5 dBm; 工作频率:2.3 GHz to 2.9 GHz; 技术:Si; 封装 / 箱体:WQFN-12; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频放大器 Single-ended to differential 2.3 - 2.9 GHz low-power RF gain block with integrated balun 12-WQFN -40 to 105 |
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HMC8205BCHIPS |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:115.7 W; 输入返回损失:6 dB, 8 dB, 11 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Gel Pack; 系列:HMC8205; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:1.3 A; 工作电源电压:50 V; 增益:24 dB, 25 dB, 26.5 dB; 工作频率:400 MHz to 6 GHz; 技术:GaN; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 0.5-6GHz 30W PA w/ Driver |
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MADP-011034-10720T |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1500; 产品类型:PIN Diodes; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 制造商:MACOM; |
PIN 二极管 Pin Diode MELF package |
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ADMV1010AEZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:Up-Down Converters; Pd-功率耗散:0.8 W; OIP3 - 三阶截点:1 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:ADMV1010; 封装 / 箱体:LCC-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:4 V; NF—噪声系数:2 dB; P1dB - 压缩点:- 7 dBm; 增益:15 dB; LO频率:9 GHz to 12.6 GHz; 中频:2.7 GHz to 3.5 GHz; 射频:12.6 GHz to 15.4 GHz; 产品:Down Converters; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
上下转换器 13/15GHz GaAs D/C |
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CG2H80015D-GP4 |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3.8 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:10; 产品类型:RF JFET Transistors; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作频率:DC to 8 GHz; 封装:Gel Pack; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 225 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:15 W; Id-连续漏极电流:1.5 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V, 2 V; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:17 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 15 Watt |
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SKY85314-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Front End; 开发套件:SKY85314-11-EK1; 增益:16 dB, 25 dB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY85314; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作频率:2.4 GHz; 类型:802.11 b/g/n, WLAN; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 2.4GHz 64QAM 802.11b/g/n |
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SC1905A-00A00 |
Maxim Integrated |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1700 mW; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:1 Channel; 商标:Maxim Integrated; 封装:Tray; 系列:SC1905; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:942 mA; 工作电源电压:1.85 V, 3.3 V; 工作频率:698 MHz to 3800 MHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Power Amplifier Linearizer; 封装 / 箱体:QFN-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
射频放大器 225MHz to 3800MHz RF Power Amplifier Linearizer (RFPAL) |
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AFSC5G35D37T2 |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 产品:Power Amplifier Modules; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AFSC5G35D37; 最大工作温度:+ 125 C; 工作电源电压:30 V; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频放大器 Airfast Power Amplifier Module, 3400-3600 MHz, 29 dB, 5 W Avg. |
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AX-SIP-SFEU-1-01-TX30 |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Transceiver; 工作电源电压:3 V; 发送机数量:1 Transmitter; 接收机数量:1 Receiver; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 灵敏度:- 125 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SIP-38; 接口类型:SPI, UART; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 输出功率:13 dBm; 传输供电电流:45 mA; 接收供电电流:14 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.1 V; 调制格式:BPSK, GFSK; 最大数据速率:600 b/s; 频率范围:868.13 MHz to 869.525 MHz; 类型:Narrow Band; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
射频收发器 SIP SFEU AT VERSIO |
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GPS1502LX |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Amplifier; 商标:NXP Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频放大器 MMIC |
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SKY65623-682LF |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:32 dB; 输入返回损失:10 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 频率范围:1.559 GHz to 1.606 GHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SKY65623; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:1.1 mA; OIP3 - 三阶截点:- 21 dBm; 测试频率:1.575 GHz; NF—噪声系数:0.85 dB; 工作电源电压:1.8 V; 增益:16.8 dB; P1dB - 压缩点:- 30 dBm; 工作频率:1.575 GHz; 技术:SiGe; 类型:MMIC; 封装 / 箱体:QFN-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频放大器 FEM/LNA for GNSS 1559-1606MHz |
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TCP-5018UB-DT |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:Tuners; 安装风格:SMD/SMT; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 系列:TCP-5018UB; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:WLCSP-6; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电压:24 V; 最小频率:700 MHz; 最大频率:2.7 GHz; NF—噪声系数:-; 类型:Radio; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
调谐器 Passive Tunable Int Circuit 1.8 pF |
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BGS14PN10E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:7500; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 工作频率:4 GHz; 开关配置:SP4T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC CMOS SWITCH |
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BGA8V1BN6E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:15000; 产品类型:RF Amplifier; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 工作电源电流:4.2 mA; NF—噪声系数:1.2 dB; 工作电源电压:1.6 V to 3.1 V; 增益:15 dB; 工作频率:3.3 GHz to 3.8 GHz; 技术:SiGe; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:TSNP-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频放大器 RF SILICON MMIC |
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BGAV1A10E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:90 mW; 湿度敏感性:Yes; 隔离分贝:32 dB; 输入返回损失:13 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电流:5 mA; OIP3 - 三阶截点:32 dBm; 测试频率:3500 MHz; NF—噪声系数:1.3 dB; 工作电源电压:1.8 V; 增益:22 dB; P1dB - 压缩点:3 dBm; 工作频率:3.4 GHz to 3.8 GHz; 技术:Si; 类型:LNA; 封装 / 箱体:ATSLP; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频放大器 RF SILICON MMIC |
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BGS14MA11E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:3.4 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:ATSLP-11; 安装风格:SMD/SMT; 关闭隔离—典型值:18 dB; 介入损耗:0.85 dB; 工作频率:0.1 GHz to 6 GHz; 开关配置:SP4T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC CMOS SWITCH |
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BGS18MA14E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:3.4 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:60 uA; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:ATSLP-14; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 介入损耗:0.7 dB; 工作频率:0.1 GHz to 3.8 GHz; 开关配置:SP8T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC CMOS SWITCH |
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BGSX44MA12E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.65 V; 电源电压-最大:1.95 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:80 uA; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Infineon Technologies; 技术:GaAs; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:ATSLP-12-12; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:36 dB; 介入损耗:0.9 dB; 工作频率:0.1 GHz to 3.8 GHz; 开关配置:4P4T; 开关数量:Quad; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC CMOS SWITCH |
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BGS18MA12E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.65 V; 电源电压-最大:1.95 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:60 uA; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:1.95 V; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:ATSLP-12; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 介入损耗:1.2 dB; 工作频率:0.1 GHz to 6 GHz; 开关配置:SP8T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC CMOS SWITCH |
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BGSX212MA18E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Switch ICs; 湿度敏感性:Yes; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 工作频率:3.8 GHz; 开关配置:DP12T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC CMOS SWITCH |
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BGSA142GN12E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:7500; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC ANTENNA DEVICES |
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BGSA142M2N12E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:7500; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC ANTENNA DEVICES |
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BGSA142MN12E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:7500; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC ANTENNA DEVICES |
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N24RF04DWPT3G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 产品:RFID Transponders; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:4 kbit; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RFID应答器 RFID 4 KB EEPROM |
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N24RF16DWPT3G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 产品:RFID Transponders; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:16 kbit; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RFID应答器 RFID 16 KB EEPROM |
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F2976NEGK |
Renesas Electronics |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:5.25 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:80 uA; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Renesas / IDT; 技术:Si; 系列:F2976; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TQFN-12; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:40 dB; 介入损耗:0.34 dB; 工作频率:5 MHz to 10 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
RF 开关 IC High Linearity Broadband SP2T 5MHz to 10GHz |
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MA5532-AEB |
Coilcraft |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RFID Transponders; 商标:Coilcraft; 技术:Si; 系列:MA5532; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Coilcraft; |
RFID应答器 |
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N24RF64DWPT3G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 产品:RFID Transponders; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:64 kbit; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RFID应答器 RFID 64 KB EEPROM |
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SKY65803-696LF |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 通道数量:1 Channel; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SKY65803; 工作电源电流:4.5 mA; OIP3 - 三阶截点:- 6 dBm; NF—噪声系数:0.9 dB; 工作电源电压:1.5 V to 3.3 V; 增益:14 dB; P1dB - 压缩点:- 7 dBm; 工作频率:717 MHz to 960 MHz; 技术:Si; 类型:LNA; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频放大器 717-960MHz NF .9dB SSG 14dB 1.5-3.3V |
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SKY65806-636LF |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 通道数量:1 Channel; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SKY65806; 工作电源电流:3.85 mA; OIP3 - 三阶截点:- 1 dBm; NF—噪声系数:1.2 dB; 工作电源电压:1.6 V to 3.3 V; 增益:13.5 dB; P1dB - 压缩点:- 8 dBm; 工作频率:3400 MHz to 3800 MHz; 技术:Si; 类型:LNA; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频放大器 3.4-3.8GHz NF 1.2dB SSG 13.5dB 1.6-3.3V |
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N24RF16DTPT3G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 产品:RFID/NFC Tags; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:1 MHz; 存储容量:16 kbit; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RFID应答器 RFID 16 KB EEPROM T SSOP |
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N24RF64DTPT3G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 产品:RFID/NFC Tags; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:1 MHz; 存储容量:64 kbit; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RFID应答器 RFID 64 KB EEPROM T SSOP |
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F2970NCGK |
Renesas Electronics |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:20 uA; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:F2970EVBI; 商标:Renesas / IDT; 技术:Si; 系列:F2970; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LQFN-20; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:70 dB; 介入损耗:0.32 dB; 工作频率:5 MHz to 3 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
RF 开关 IC F2970, 75 ohm, SPDTA RF Switch |
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MAX3521ETP+ |
Maxim Integrated |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:60; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:25 mW; 开发套件:MAX3521EVKIT#; 通道数量:2 Channel; 商标:Maxim Integrated; 封装:Tube; 系列:MAX3521; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:475 mA; 测试频率:10 MHz, 85MHz; NF—噪声系数:11 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:36 dB; P1dB - 压缩点:76 dBm; 工作频率:5 MHz to 85 MHz; 技术:Si; 类型:CATV Upstream Amplifier; 封装 / 箱体:TQFN-EP-20; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
射频放大器 DOCSIS 3.0 Upstream Amplifier |
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MAX3523ETP+T |
Maxim Integrated |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 商标:Maxim Integrated; 系列:MAX3523; 技术:Si; 封装 / 箱体:TQFN-20; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
射频放大器 Programmable DOCSIS 3.1 Upstream Amplifier |
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TC3567DFSG-002(ELG |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:1 Transmitter; 接收机数量:1 Receiver; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Toshiba; 技术:Si; 灵敏度:- 93.5 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-40; 接口类型:I2C, SPI, UART; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:0 dBm; 传输供电电流:3.3 mA; 接收供电电流:3.3 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 调制格式:GFSK; 最大数据速率:921.6 kb/s; 频率范围:2400 MHz to 2483.5 MHz; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频收发器 Bluetooth 4.2 IC 0dBm 3.6V 3.3mA |
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RFSW8008TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:60 uA; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:1.8 V; 开发套件:RFSW8008PCK-410; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:RFSW8008; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-7; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:27 dB; 介入损耗:0.8 dB; 工作频率:300 MHz to 5925 MHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
RF 开关 IC .3-6 GHz WiFi SPDT Switch |
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ST25DV02K-W1R8T3 |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25DV02K-W1; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:2 kbit; 制造商:STMicroelectronics; |
RFID应答器 MEMORY |
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