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无线和射频半导体界面模块控制器输入设备旋钮和转盘硬件开关继电器气体放电管 - GDT 压敏电阻浪涌抑制器罩类、盒类及壳类产品端子白炽灯和支架电容器电阻器电感器、扼流圈与线圈音频信号变压器电池电池充电器函数发生器与合成器示波器环境检测设备面板表万用表与电压表温度保险丝散热片防静电控制产品工具扁平电缆同轴电缆连接线电线与电缆管理 ESD 抑制器 TVS 二极管电机与驱动器未分类连接器模块式连接器/以太网连接器化学物质胶带线性位移传感器流量传感器液位传感器传感器硬件与配件存储箱与外壳 EMI 滤波器 EMI 抑制电容触摸传感器汽车连接器 I O 连接器 IC 与器件插座编码器存储器 IC 无线与射频模块台式电源交流电源线电源管理 IC 直流电源连接器交流电源输入模块压敏电阻热敏电阻 - NTC 热敏电阻器断路器编码器磁性传感器运动与定位传感器光学传感器压力传感器激光背光元器件开发软件显示器集成电路 - IC 光学探测器和传感器显示模块光纤红外线数据通信超级电容器以太网和通信模块光耦合器光电耦合器频率控制器和定时装置导热接口产品照明连接器圆形连接器音频与视频连接器热敏电阻 - PTC 太阳能连接器光伏连接器温度保险丝电流传感器温度传感器近程传感器 LED保护设备接线端子测试设备配件音频视频测试设备校验设备数据记录与采集光纤测试频率计数器 LAN 电信电缆测试 RF 测试设备电池测试机十进盒元件测试仪绝缘测试器兆欧计驱动器晶闸管 USB连接器 IEEE 1394连接器射频互连信号调节工程工具音频模块 LED 照明开发工具视频模块传感器模块传感器开发工具能量采集模块电源管理IC开发工具电源管理模块变压器 LED发射器散热排 - LED 热基质 - MCPCB 天线射频无线开发工具模块配件衰减器 -互连测试设备电源线音频传感器数据转换模块其他模块电源排插 D-Sub连接器热成像摄像机多芯电缆存储器模块和存储卡电位器、微调器和变阻器液体分配器和瓶子嵌入式处理器和控制器交流电源插头和插座数据总线元器件接线系统温度传感器光学开关 FFC FPC跳线电缆编码器计算电路保护套件分立半导体音频设备环境传感器保险丝座断路器与附件热敏电阻器风扇与鼓风机电源功率调节光纤标准电气架类及柜类产品热电组件 Peltier热电模块电源连接器背板连接器卡缘连接器存储器连接器 FFC FPC 板对板与夹层连接器集管和线壳管脚和插座连接器 I O 模块打印机原型产品焊接工业继电器与电磁阀工业电源工业传感器工业开关工业接线端子块 LED灯泡与模块 LED照明电子器件 LED照明机械器件 LED照明光学器件 LED指示元件分析仪保险丝源测量单元—SMU 校准、保修与服务计划电缆组件自恢复保险丝—PPTC 逆变器 DC/DC转换器光纤连接器计时器计数器和转速计计数器和转速计计时器生物计量传感器标签和工业警告标志军用规格/军用类型电池座、卡扣和接头模拟与数字IC开发工具通信开发工具显示开发工具存储器 IC 开发工具可编程逻辑 IC 开发工具安全/ 验证开发工具嵌入式处理器开发套件嵌入式工具与配件光电开发工具传感器开发工具光纤开发工具力传感器与测压元件配件 LED发射器照明连接器铁氧体软件太阳能板和太阳能电池存储器存储器 IC 相机和配件滤波器直流电源线操纵杆

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品牌:

ABRACON Advanced Semiconductor, Inc. ALPS American Technical Ceramics (ATC) ams Analog Devices Inc. Anaren API Technologies AVX Bel Power Solutions Broadcom Limited CEL Central Semiconductor Cinch Connectivity Solutions Cirrus Logic CML Microcircuits Coilcraft Comchip Technology Cree, Inc. Crystek CTS Cypress Semiconductor Dialog Semiconductor Diodes Incorporated DLP Design Espressif Fastron FLIR GeneSiC Semiconductor GHI Electronics Guerrilla RF HARTING Hirose Electric Infineon Intel Inventek Systems IXYS Kamaya Lantronix Lime MACOM Maxim Integrated MaxLinear Melexis Micro Commercial Components (MCC) Microchip Mikroe Mini-Circuits Molex Murata Nexperia NJR Nordic Semiconductor NXP Omron ON Semiconductor Panasonic Parallax pSemi Qorvo Radiall Renesas Electronics RF Solutions ROHM Semiconductor Semtech Silex Technology Silicon Laboratories Skyworks SparkFun Electronics STMicroelectronics Susumu TE Connectivity Texas Instruments Toshiba TT Electronics Vesper Vishay Walsin WeEn Semiconductors Wi2Wi ZiLOG

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型号/料号	品牌/制造商	类目	参数	说明
RF2374TR7	Qorvo	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; NF—噪声系数:13 dB; 增益:14.5 dB; 工作频率:50 MHz to 4000 MHz; 技术:Si; 类型:General Purpose Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo;	射频放大器 50-4000MHz 3V -40C +85C
QPC6742SR	Qorvo	无线和射频半导体	电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:65 uA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:1.3 V to 2.7 V; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:QPC; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-12; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:58 dB; 介入损耗:0.45 dB; 工作频率:5 MHz to 2000 MHz; 开关配置:SP4T; 开关数量:Quad; RoHS:Y; 制造商:Qorvo;	RF 开关 IC 5-2000MHz 75Ohm SP4T
ST25DV16K-IER8T3	STMicroelectronics	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RFID Transponders; 开发套件:X-NUCLEO-NFC04A1; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25DV16K; 功能:Energy Harvesting, Data Protection, Fast Transfer Mode, RF Management; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:16 kbit; 制造商:STMicroelectronics;	RFID应答器 MEMORY
QPA0363ATR7	Qorvo	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:17.5 dB; 开发套件:QPA0363APCK401; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:QPA0363A; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:11 mA; OIP3 - 三阶截点:16.5 dBm; 测试频率:2400 MHz; NF—噪声系数:2.85 dB; 工作电源电压:2.5 V; 增益:15.7 dB; P1dB - 压缩点:1.7 dBm; 工作频率:0 Hz to 5000 MHz; 技术:SiGe; 类型:HBT; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo;	射频放大器 DC-5GHz NF 2.85dB Gain 16.9dB
SAV-551+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:360 mW; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SAV; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:15 mA; OIP3 - 三阶截点:24.4 dBm; 测试频率:2 GHz; NF—噪声系数:0.6 dB; 工作电源电压:4 V; 增益:16 dB; P1dB - 压缩点:20 dBm; 工作频率:0.045 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-343-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS
MAR-1SM+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:200 mW; 输入返回损失:17.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MAR; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:17 mA; OIP3 - 三阶截点:14 dBm; 测试频率:0.5 GHz; NF—噪声系数:3.3 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:17.8 dB; P1dB - 压缩点:2.5 dBm; 工作频率:0 Hz to 1 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
QPA2463CTR7	Qorvo	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:16.4 dB; 开发套件:QPA2463CPCK401; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:QPA2463C; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:25 mA; OIP3 - 三阶截点:21 dBm; 测试频率:2400 MHz; NF—噪声系数:4 dB; 工作电源电压:3 V; 增益:13.4 dB; P1dB - 压缩点:9.6 dBm; 工作频率:50 MHz to 4000 MHz; 技术:SiGe; 类型:HBT; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo;	射频放大器 50-4000MHz NF 4dB Gain 15dB
RFFM8550QTR7	Qorvo	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:30 dBm; 最小工作温度:- 40 C; 增益:12 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:RFFM8550; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:100 mA; 工作电源电压:3.6 V; NF—噪声系数:2.5 dB; 工作频率:5.18 GHz to 5.825 GHz; 类型:802.11 a/n/ac WLAN; RoHS:Y; 制造商:Qorvo;	射频前端 5GHz Wi Fi FEM AEC-Q100
MA4P7447ST-287T	MACOM	无线和射频半导体	子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:PIN Diodes; 商标:MACOM; 制造商:MACOM;	PIN 二极管 Diode,PIN,Plastic,LeadFree
GVA-60+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.7 W; 隔离分贝:25.2 dB; 输入返回损失:8.1 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GVA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:92 mA; OIP3 - 三阶截点:19.3 dBm; 测试频率:5 GHz; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:14.2 dB; P1dB - 压缩点:10 dBm; 工作频率:0.01 GHz to 5 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
GALI-33+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:9.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:40 mA; OIP3 - 三阶截点:28 dBm; 测试频率:2 GHz; NF—噪声系数:3.9 dB; 工作电源电压:4.3 V; 增益:15.8 dB; P1dB - 压缩点:13.4 dBm; 工作频率:0 Hz to 4 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
GALI-3+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:14 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:35 mA; OIP3 - 三阶截点:25 dBm; 测试频率:2 GHz; NF—噪声系数:3.5 dB; 工作电源电压:3.3 V; 增益:15.8 dB; P1dB - 压缩点:12.5 dBm; 工作频率:0 Hz to 3 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
GALI-21+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:14 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:40 mA; OIP3 - 三阶截点:27 dBm; 测试频率:8 GHz; NF—噪声系数:4 dB; 工作电源电压:3.5 V; 增益:9 dB; P1dB - 压缩点:12.6 dBm; 工作频率:0 Hz to 8 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
ERA-8SM+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:250 mW; 隔离分贝:23 dB; 输入返回损失:10 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:ERA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:36 mA; OIP3 - 三阶截点:18 dBm; 测试频率:4 GHz; NF—噪声系数:3 dB; 工作电源电压:3.7 V; 增益:12 dB; P1dB - 压缩点:7.5 dBm; 工作频率:0 Hz to 2 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
MAR-6+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:200 mW; 输入返回损失:30 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MAR; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:16 mA; OIP3 - 三阶截点:18.1 dBm; 测试频率:0.5 GHz; NF—噪声系数:2.3 dB; 工作电源电压:3.5 V; 增益:17.6 dB; P1dB - 压缩点:3.7 dBm; 工作频率:0 Hz to 2 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
MAR-2SM+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:325 mW; 输入返回损失:17.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MAR; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:25 mA; OIP3 - 三阶截点:22 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:3.7 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:11 dB; P1dB - 压缩点:7 dBm; 工作频率:0 Hz to 2 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
SAV-581+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SAV; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:30 mA; OIP3 - 三阶截点:30.3 dBm; 测试频率:2 GHz; NF—噪声系数:0.5 dB; 工作电源电压:4 V; 增益:17 dB; P1dB - 压缩点:20.5 dBm; 工作频率:0.045 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-343-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS
MAR-3+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:400 mW; 输入返回损失:17.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MAR; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:35 mA; OIP3 - 三阶截点:23 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:3.7 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:10.5 dB; P1dB - 压缩点:10 dBm; 工作频率:0 Hz to 2 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
LEE2-6+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:200 mW; 隔离分贝:22.5 dB; 输入返回损失:8.4 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:LEE2; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:16 mA; OIP3 - 三阶截点:14.5 dBm; 测试频率:7 GHz; NF—噪声系数:3.1 dB; 工作电源电压:3.6 V; 增益:10.8 dB; P1dB - 压缩点:1.2 dBm; 工作频率:0 Hz to 7 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:HBT; 封装 / 箱体:MCLP-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 MMIC AMPLIFIER 7 GHZ/ SM/ RoHS
TAV-541+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:550 mW; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:TAV; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; OIP3 - 三阶截点:35.9 dBm; 测试频率:2 GHz; NF—噪声系数:0.4 dB; 工作电源电压:4 V; 增益:18 dB; P1dB - 压缩点:21.1 dBm; 工作频率:0.45 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:IP3 Transistor; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS
GMP4201-GM1	Microchip	无线和射频半导体	子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:PIN Diodes; Ir - 反向电流 :500 nA; 载流子寿命:100 ns; 商标:Microchip / Microsemi; 类型:GigaMite Limiter Pin Diodes; 配置:Single; 封装:Reel; 封装 / 箱体:SOD-323-2; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作频率:8 GHz; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; If - 正向电流:20 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:1.2 Ohms; 最大二极管电容:0.18 pF; Vr - 反向电压 :75 V; RoHS:Y; 制造商:Microchip;	PIN 二极管 Gigamite GC4211
PGA-1021+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1 W; 隔离分贝:21.2 dB; 输入返回损失:6.2 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PGA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:57 mA; OIP3 - 三阶截点:27.3 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:3.8 dB; 工作电源电压:3.3 V; 增益:9.8 dB; P1dB - 压缩点:15.9 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 ML AMPL / SURF MOUNT / RoHS
PSA-5455+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:390 mW; 输入返回损失:7 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PSA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:40 mA; OIP3 - 三阶截点:31.8 dBm; 测试频率:4 GHz; NF—噪声系数:1.6 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:10 dB; P1dB - 压缩点:19.1 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 4 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 ML AMPL / SURF MOUNT / RoHS
MAR-8A+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:250 mW; 输入返回损失:15.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MAR; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:36 mA; OIP3 - 三阶截点:25 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:3.1 dB; 工作电源电压:3.7 V; 增益:25 dB; P1dB - 压缩点:12.5 dBm; 工作频率:0 Hz to 1 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 MONOLITHIC AMPL / SURF MT/RoHS
GALI-29+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:12.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:40 mA; OIP3 - 三阶截点:24.7 dBm; 测试频率:7 GHz; NF—噪声系数:6 dB; 工作电源电压:3.6 V; 增益:12.5 dB; P1dB - 压缩点:11.2 dBm; 工作频率:0 Hz to 7 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
MNA-3A+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:650 mW; 输入返回损失:14.2 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MNA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:34.3 mA; OIP3 - 三阶截点:21 dBm; 测试频率:2.5 GHz; NF—噪声系数:4.1 dB; 工作电源电压:2.8 V to 5 V; 增益:15.5 dB; P1dB - 压缩点:9.5 dBm; 工作频率:0.5 GHz to 2.5 GHz; 技术:Si; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 MMIC AMPLIFIER SURFACEMOUNT
GALI-51F+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:17.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:50 mA; OIP3 - 三阶截点:32 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:3.5 dB; 工作电源电压:4.4 V; 增益:13.3 dB; P1dB - 压缩点:15.9 dBm; 工作频率:0 Hz to 4 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
GALI-5F+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:21 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:50 mA; OIP3 - 三阶截点:31.5 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:3.5 dB; 工作电源电压:4.3 V; 增益:15.1 dB; P1dB - 压缩点:15.7 dBm; 工作频率:0 Hz to 4 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
RFFM4558TR7	Qorvo	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:20 dBm; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:RFFM4558APCK401; 增益:32 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LGA-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大数据速率:6 Mb/s; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:240 mA; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:2.5 dB; 工作频率:5150 MHz to 5925 MHz; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Qorvo;	射频前端 4.9-5.925GHz FEM WiFi 802.11a/n/ac
ERA-9SM+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:18.6 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:ERA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:50 mA; OIP3 - 三阶截点:19.4 dBm; 测试频率:8 GHz; NF—噪声系数:5.4 dB; 工作电源电压:4 V; 增益:6.9 dB; P1dB - 压缩点:7.9 dBm; 工作频率:0 Hz to 8 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
MNA-2A+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:800 mW; 输入返回损失:17 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MNA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:84 mA; OIP3 - 三阶截点:29 dBm; 测试频率:2.5 GHz; NF—噪声系数:5.4 dB; 工作电源电压:2.8 V to 5 V; 增益:14.7 dB; P1dB - 压缩点:17.5 dBm; 工作频率:0.5 GHz to 2.5 GHz; 技术:Si; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 MONOLITHIC AMPL / SURF MT/RoHS
YAT-4A+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Attenuators; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Fixed Attenuator; 系列:YAT; 功率额定值:1.7 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:4 dB; 最大 VSWR:1.96:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:18 GHz; 最大衰减:4.6 dB; 封装 / 箱体:MCLP-6; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	衰减器 4 dB SMT Fixed Attenuator, DC - 18000 MHz, 50?
YAT-1A+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Attenuators; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Fixed Attenuator; 系列:YAT; 功率额定值:2 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:1 dB; 最大 VSWR:1.7:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:18 GHz; 最大衰减:1.4 dB; 封装 / 箱体:MCLP-6; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	衰减器 1 dB SMT Fixed Attenuator, DC - 18000 MHz, 50?
GVA-83+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.74 W; 隔离分贝:26.5 dB; 输入返回损失:14.1 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GVA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:72 mA; OIP3 - 三阶截点:28.5 dBm; 测试频率:7 GHz; NF—噪声系数:7.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:11.2 dB; P1dB - 压缩点:17.3 dBm; 工作频率:0 Hz to 7 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
QPL7434TR13	Qorvo	无线和射频半导体	电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Receiver; 工作电源电流:210 mA; 开发套件:QPL7434PCK-1; 增益:27 db; 商标:Qorvo; 技术:Si; 尺寸:4 mm x 4 mm x 0.85 mm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-20; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 工作频率:47 MHz to 1.218 GHz; 类型:xPON Video Receiver; RoHS:Y; 制造商:Qorvo;	射频接收器 FTTH XPON VIDEO RECEIVER
TSY-13LNB+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.2 W; 输入返回损失:10 dB; 通道数量:2 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:TSY; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:7.7 mA; OIP3 - 三阶截点:24.7 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:1.4 dB; 工作电源电压:2.7 V; 增益:13.1 dB; P1dB - 压缩点:17.6 dBm; 工作频率:0.03 GHz to 1 GHz; 技术:GaAs; 类型:Monolithic Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 MMIC AMPLIFIER-SURFACE MOUNT
TSY-172LNB+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.2 W; 输入返回损失:6 dB; 通道数量:2 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:TSY; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:7.7 mA; OIP3 - 三阶截点:22.4 dBm; 测试频率:1.7 GHz; NF—噪声系数:1.9 dB; 工作电源电压:2.7 V; 增益:10.1 dB; P1dB - 压缩点:17.4 dBm; 工作频率:0.03 GHz to 1.7 GHz; 技术:GaAs; 类型:Monolithic Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 MMIC AMPLIFIER-SURFACE MOUNT
MNA-4W+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW; 输入返回损失:7.8 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MNA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:75.1 mA; OIP3 - 三阶截点:25 dBm; 测试频率:4.5 GHz; NF—噪声系数:5.5 dB; 工作电源电压:2.8 V to 5 V; 增益:9.8 dB; P1dB - 压缩点:13.5 dBm; 工作频率:0.5 GHz to 4.5 GHz; 技术:Si; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
MNA-4A+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW; 输入返回损失:29.8 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MNA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:75 mA; OIP3 - 三阶截点:27.9 dBm; 测试频率:2.5 GHz; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:2.8 V to 5 V; 增益:17 dB; P1dB - 压缩点:16.8 dBm; 工作频率:0.5 GHz to 2.5 GHz; 技术:Si; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
LHA-1H+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1 W; 隔离分贝:19.2 dB; 输入返回损失:8.7 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:LHA; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:145 mA; OIP3 - 三阶截点:38.6 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:3.3 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:8.7 dB; P1dB - 压缩点:22.2 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Linear Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 MMIC AMPLIFIER SURFACE MOUNT
LEE-9+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:23.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:LEE; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:50 mA; OIP3 - 三阶截点:19.7 dBm; 测试频率:8 GHz; NF—噪声系数:5.3 dB; 工作电源电压:4 V; 增益:7.7 dB; P1dB - 压缩点:7.9 dBm; 工作频率:0 Hz to 8 GHz; 技术:Si; 类型:MMIC; 封装 / 箱体:MCLP-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
MNA-7A+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:750 mW; 输入返回损失:11.1 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MNA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:82 mA; OIP3 - 三阶截点:25.6 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:4.7 dB; 工作电源电压:2.8 V to 5 V; 增益:11.7 dB; P1dB - 压缩点:14.4 dBm; 工作频率:1.5 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 MONOLITHIC AMPL / SURF MT/RoHS
MNA-6W+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:970 mW; 输入返回损失:5.2 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MNA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:99 mA; OIP3 - 三阶截点:27.6 dBm; 测试频率:5.5 GHz; NF—噪声系数:4.4 dB; 工作电源电压:2.8 V to 5 V; 增益:10.7 dB; P1dB - 压缩点:15.4 dBm; 工作频率:0.5 GHz to 5.5 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
PMA2-162LN+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.55 W; 输入返回损失:12.4 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PMA2; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:55 mA; OIP3 - 三阶截点:28.5 dBm; 测试频率:1.6 GHz; NF—噪声系数:0.81 dB; 工作电源电压:4 V; P1dB - 压缩点:19 dBm; 工作频率:0.7 GHz to 1.6 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频放大器 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS
ATSAMR30G18A-MU	Microchip	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:416; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:28 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2S, Serial, USB; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Microchip Technology / Atmel; 技术:Si; 系列:ATSAMR30; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:18.2 mA; 接收供电电流:9.4 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V; 灵敏度:11 dBm; 输出功率:5 dBm; 最大数据速率:1000 kb/s; 工作频率:Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Microchip;	RF片上系统 - SoC 48 PIN SiP 256K MCU + 802.15.4 Sub-Ghz Radio
CYW20733A3KFB1G	Cypress Semiconductor	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:348; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; ADC通道数量:28 Channel; 最小工作温度:0 C; 输入/输出端数量:40 I/O; 接口类型:I2S, Serial; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CYW20733; 程序存储器类型:EEPROM; 输出功率:10 dBm; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:FBGA-81; 最大工作温度:+ 70 C; 工作电源电压:1.2 V; ADC分辨率:16 bit; 最大时钟频率:24 MHz; 数据 RAM 大小:80 kB; 程序存储器大小:320 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM7; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor;	射频微控制器 - MCU Bluetooth BLE and IEEE 802.15.4
QPF4518SR	Qorvo	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:32 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:QPF4518PCK401; 增益:32 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:QPF4518; 带宽:160 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大数据速率:6 Mb/s; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:320 mA; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:2 dB; 工作频率:5150 MHz to 5925 MHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Qorvo;	射频前端 5150-5925MHz NF 2dB Gain TX 32dB RX 16dB
QPF4518MSR	Qorvo	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:32 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:QPF4518MPCK401; 增益:32 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:QPF4518M; 带宽:160 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大数据速率:6 Mb/s; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:320 mA; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:2 dB; 工作频率:5150 MHz to 5925 MHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Qorvo;	射频前端 5150-5925MHz NF 2dB Gain TX 32dB RX 16dB
CYW20738A2KML3G	Cypress Semiconductor	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor;	射频微控制器 - MCU Bluetooth, BLE and IEEE 802.15.4
MDB-73H+	Mini-Circuits	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF Mixer; P1dB - 压缩点:10 dBm; OIP3 - 三阶截点:22 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:GaAs InGaP; 系列:MDB; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MCLP-24; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 1.6 GHz; LO频率:2.2 GHz to 7 GHz; NF—噪声系数:9 dB; 转换损失——最大:9.8 dB; 射频:2.2 GHz to 7 GHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits;	射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS