| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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CY8C4128LQI-BL573 |
Cypress Semiconductor |
无线和射频半导体 |
商标名:PSoC 4; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CY8C4128; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
射频微控制器 - MCU PSoC4 |
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CY8C4128LQI-BL563 |
Cypress Semiconductor |
无线和射频半导体 |
商标名:PSoC 4; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CY8C4128; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
射频微控制器 - MCU PSoC4 |
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QPF4538SR |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:- 5 dBm, 20 dBm, 27 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:QPF4538PCK-01; 增益:14.5 dB, 30 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:QPF4538; 带宽:160 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:2.5 mm x 2.5 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最大数据速率:6 Mb/s; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:200 mA; 工作电源电压:3.3 V; NF—噪声系数:2.5 dB; 工作频率:4900 MHz to 5925 MHz; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 5GHz 802.11a/n/ac FEM |
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CC3220RM2ARGKT |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
商标名:SimpleLink; 电源电压-最小:2.1 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:250; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:CC3220x; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:4 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:27 I/O; 接口类型:I2C; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC3220; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:2.1 V to 3.6 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:80 MHz; 数据 RAM 大小:256 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU Single-Chip Wireless MCU |
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CY8C4248LQI-BL563 |
Cypress Semiconductor |
无线和射频半导体 |
商标名:PSoC 4; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 定时器数量:4 x 16 bit; ADC通道数量:24 Channel; 湿度敏感性:Yes; 输入/输出端数量:36 I/O; 接口类型:I2S/SPI/UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CY8C4248; 程序存储器类型:Flash; 输出功率:- 18 dBm to + 3 dBm; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-56; 工作电源电压:1.71 V to 5.5 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:32 kB; 程序存储器大小:256 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
射频微控制器 - MCU PSoC4 |
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ADE-3G+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:13 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:ADE; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 400 MHz; LO频率:2300 MHz to 2700 MHz; 转换损失——最大:7 dB; 射频:2300 MHz to 2700 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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LMX2491RTWT |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:250; 产品类型:PLLs - Phase Locked Loops; 工作电源电压:3.3 V; 工作电源电流:55 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Texas Instruments; 系列:LMX2491; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:WQFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 最小输入频率:500 MHz; 最大输入频率:6.4 GHz; 电路数量:1; 类型:PLL; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
锁相环 - PLL |
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HSWA4-63DR+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:110 uA; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:3.6 V; 商标:Mini-Circuits; 技术:GaAs; 系列:HSWA4; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 介入损耗:1.9 dB; 工作频率:30 MHz to 6 GHz; 开关配置:SP4T; 开关数量:Quad; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
RF 开关 IC SW SP4T DRVR ABSORP .03-6GHZ |
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60170 |
Lantronix |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RFID Transponders; 商标:Lantronix; 技术:Si; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:Lantronix; |
RFID应答器 NFC-READER-INCAR. NFC InCar reader with integrated card slot |
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ZX60-242GLN-S+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:825 mW; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 系列:ZX60; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:120 mA; OIP3 - 三阶截点:37 dBm; 测试频率:2200 MHz to 2400 MHz; NF—噪声系数:0.9 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:28 dB; P1dB - 压缩点:21 dBm; 工作频率:1710 MHz to 2400 MHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS |
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ZX60-2534MA-S+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.5 W; 隔离分贝:28 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 系列:ZX60; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:170 mA; OIP3 - 三阶截点:18 dBm; 测试频率:2 GHz; NF—噪声系数:2.2 dB; 工作电源电压:2.8 V to 5 V; 增益:39 dB; P1dB - 压缩点:19 dBm; 工作频率:0.5 GHz to 2.5 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS |
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ZX60-272LN-S+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:400 mW; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 系列:ZX60; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:55 mA; OIP3 - 三阶截点:31.5 dBm; 测试频率:2300 MHz to 2700 MHz; NF—噪声系数:0.8 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:14 dB; P1dB - 压缩点:18.5 dBm; 工作频率:2300 MHz to 2700 MHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS |
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ZX60-V81-S+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 系列:ZX60; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:103 mA; OIP3 - 三阶截点:31 dBm; 测试频率:6000 MHz; NF—噪声系数:8.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:7 dB; P1dB - 压缩点:17 dBm; 工作频率:20 MHz to 6000 MHz; 技术:Si; 类型:Gain Block; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS |
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ZX60-V82-S+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 系列:ZX60; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:100 mA; OIP3 - 三阶截点:31 dBm; 测试频率:6000 MHz; NF—噪声系数:7.7 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:9.1 dB; P1dB - 压缩点:17.5 dBm; 工作频率:20 MHz to 6000 MHz; 技术:Si; 类型:Gain Block; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS |
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ZX60-43-S+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.77 W; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 系列:ZX60; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:90 mA; OIP3 - 三阶截点:33 dBm; 测试频率:4000 MHz; NF—噪声系数:5.4 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:14.3 dB; P1dB - 压缩点:17.3 dBm; 工作频率:0.5 MHz to 4000 MHz; 技术:Si; 类型:Gain Block; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS |
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ZX60-8008E-S+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:350 mW; 隔离分贝:6 dB to 11 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 系列:ZX60; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:39 mA; OIP3 - 三阶截点:24 dBm; 测试频率:8 GHz; NF—噪声系数:4.1 dB; 工作电源电压:12 V; 增益:7 dB; P1dB - 压缩点:10.8 dBm; 工作频率:20 MHz to 8 GHz; 技术:Si; 类型:Gain Block; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS |
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ZX60-4016E-S+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:950 mW; 隔离分贝:3 dB to 6 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 系列:ZX60; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:6 mA; OIP3 - 三阶截点:30 dBm; 测试频率:4 GHz; NF—噪声系数:3.9 dB; 工作电源电压:12 V; 增益:14.9 dB; P1dB - 压缩点:17.4 dBm; 工作频率:20 MHz to 4 GHz; 技术:Si; 类型:Gain Block; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS |
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ZX60-6013E-S+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:650 mW; 隔离分贝:3 dB to 9 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 系列:ZX60; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:39 mA; OIP3 - 三阶截点:28.7 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:3.3 dB; 工作电源电压:12 V; 增益:12.1 dB; P1dB - 压缩点:13.4 dBm; 工作频率:20 MHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Gain Block; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS |
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ZX60-2522MA-S+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:970 mW; 隔离分贝:21 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 系列:ZX60; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:94 mA; OIP3 - 三阶截点:30 dBm; 测试频率:2 GHz; NF—噪声系数:2.6 dB; 工作电源电压:2.8 V to 5 V; 增益:22.6 dB; P1dB - 压缩点:20.5 dBm; 工作频率:0.5 GHz to 2.5 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS |
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ZX60-H242+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:9.4 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 系列:ZX60; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:110 mA; OIP3 - 三阶截点:42.6 dBm; 测试频率:2.4 GHz; NF—噪声系数:3 dB; 工作电源电压:5.5 V; 增益:12.9 dB; P1dB - 压缩点:23.2 dBm; 工作频率:700 MHz to 2400 MHz; 技术:Si; 类型:Gain Block; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS |
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ZX60-P33ULN+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 系列:ZX60; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:56 mA; OIP3 - 三阶截点:38 dBm; 测试频率:3 GHz; NF—噪声系数:0.9 dB; 工作电源电压:3 V; 增益:8.8 dB; P1dB - 压缩点:17.5 dBm; 工作频率:0.4 GHz to 3 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS |
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ZX60-2411BM-S+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 系列:ZX60; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:280 mA; OIP3 - 三阶截点:37 dBm; 测试频率:1900 MHz to 2400 MHz; NF—噪声系数:3 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:13 dB; P1dB - 压缩点:23 dBm; 工作频率:800 MHz to 2400 MHz; 技术:Si; 类型:Gain Block; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS |
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ADPA7006AEHZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 28 dBm P1dB, 20 dB gain |
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ZX60-100VHX+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:4.4 W; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 系列:ZX60; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:320 mA; OIP3 - 三阶截点:43 dBm; 测试频率:0.3 MHz to 100 MHz; NF—噪声系数:4 dB; 工作电源电压:12 V; 增益:36 dB; P1dB - 压缩点:30 dBm; 工作频率:0.3 MHz to 100 MHz; 技术:Si; 类型:Gain Block; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS |
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ZX60-100VH+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:4.4 W; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 系列:ZX60; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:320 mA; OIP3 - 三阶截点:43 dBm; 测试频率:0.3 MHz to 100 MHz; NF—噪声系数:4 dB; 工作电源电压:12 V; 增益:36 dB; P1dB - 压缩点:30 dBm; 工作频率:0.3 MHz to 100 MHz; 技术:Si; 类型:Gain Block; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS |
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ST25DV64K-IER6T3 |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25DV64K; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:64 kbit; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
RFID应答器 MEMORY |
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nRF52810-QCAA-T |
Nordic Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:nRF52; 定时器数量:8 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:64 MHz; 开发套件:nRF52 DK; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:2-Wire, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:24 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 技术:Si; 系列:NRF52810; 程序存储器类型:Flash; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:192 kB; 传输供电电流:7.5 mA; 接收供电电流:4.6 mA; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 灵敏度:- 93 dBm; 输出功率:4 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Nordic Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC BLE 5 Ready OTA QFN 32pin 5x5mm |
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MAAM-011229-TR1000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:16 dB; 开发套件:MAAM-011229-SMB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MAAM; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:80 mA; OIP3 - 三阶截点:33 dBm; 测试频率:0.05 GHz to 3.25 GHz; NF—噪声系数:2.1 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:19 dB; P1dB - 压缩点:18.5 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 4 GHz; 技术:Si; 类型:Broadband Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:PDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 .05-4GHz NF 2.2dBmax -40C +85C |
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LXMSJZNCMF-198 |
Murata |
无线和射频半导体 |
商标名:MAGICSTRAP; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:Murata Electronics; 技术:Si; 系列:LXMS; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:1.25 mm x 1.25 mm x 0.55 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:865 MHz to 920 MHz; 存储容量:96 bit; RoHS:Y; 制造商:Murata; |
RFID应答器 Ultra small UHF RFID Integrated antenna |
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nRF52810-QFAA-R7 |
Nordic Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:nRF52; 定时器数量:8 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:64 MHz; 开发套件:nRF52 DK; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:2-Wire, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:24 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 技术:Si; 系列:NRF52810; 程序存储器类型:Flash; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:192 kB; 传输供电电流:7.5 mA; 接收供电电流:4.6 mA; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 灵敏度:- 93 dBm; 输出功率:4 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Nordic Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC BLE 5 Ready OTA QFN 48 pin 5x6 |
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HMC219BMS8GE |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Mixer; Pd-功率耗散:972 mW; P1dB - 压缩点:11 dBm; OIP3 - 三阶截点:18 dBm; 开发套件:EV1HMC219BMS8G; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC219B; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 3 GHz; LO频率:2.5 GHz to 7 GHz; NF—噪声系数:8 dB; 转换损失——最大:11 dB; 射频:2.5 GHz to 7 GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 Mixer |
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CC2640R2FYFVT |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
商标名:SimpleLink; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:250; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:CC26xx; 定时器数量:4 x 32 bit; ADC通道数量:8 Channel; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:14 I/O; 接口类型:I2C, I2S, SSI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC2640R2F; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:DSBGA-34; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:20 kB; 程序存储器大小:128 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU SL Bluetooth low energy Wireless MCU |
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nRF52810-QFAA-T |
Nordic Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:nRF52; 定时器数量:8 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:64 MHz; 开发套件:nRF52 DK; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:2-Wire, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:24 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 技术:Si; 系列:NRF52810; 程序存储器类型:Flash; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:192 kB; 传输供电电流:7.5 mA; 接收供电电流:4.6 mA; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 灵敏度:- 93 dBm; 输出功率:4 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Nordic Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC BLE 5 Ready OTA QFN 48pin 6x6mm |
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MLPF-WB55-02E3 |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Wireless Misc; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
射频无线杂项 DFD PROTECTION & FILTER |
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MAGX-011086 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.5 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:RF JFET Transistors; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:MAGX-011086-SMBPPR; 商标:MACOM; 工作频率:DC to 6 GHz; 配置:Single; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:4 W; Id-连续漏极电流:50 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 3 V; Vds-漏源极击穿电压:28 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:9 dB; 技术:GaN Si; 晶体管类型:HEMT; 制造商:MACOM; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 M/A-COM Technology Solutions |
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EFR32MG12P433F1024GM48-C |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:31 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:256 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32MG12; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:1024 kB; 传输供电电流:8.5 mA, 35.3 mA; 接收供电电流:8.4 mA, 10 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.3 dBm; 输出功率:19 dBm, 20 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz, Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth, Zigbee; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC QFN48 dual 19 dB mesh multi-protocol 1024 kB 256 kB (RAM) 31GPIO |
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ST25TV02K-AD6H3 |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25TV02K; 产品:NFC/RFID Tags; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:UFDFPN-5; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:2 kbit; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
RFID应答器 MEMORY |
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BFP196WNH6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:700 mW; 最大直流电集电极电流:150 mA; 商标:Infineon Technologies; 输出功率:-; 工作频率:7.5 GHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOT-343-4; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:150 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:70; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Wideband; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS |
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CYW20707UA1KFFB1G |
Cypress Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 定时器数量:4; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 30 C; 输入/输出端数量:24 I/O; 接口类型:I2C, I2S, PCM, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CYW20707; 程序存储器类型:EEPROM; 输出功率:12 dBm; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:FCBGA-49; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.2 V, 3.3 V; ADC分辨率:10 bit, 13 bit; 最大时钟频率:96 MHz; 数据 RAM 大小:352 kB; 程序存储器大小:848 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
射频微控制器 - MCU Bluetooth BLE and IEEE 802.15.4 |
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EFR32BG1P333F256GM48-C0 |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:EFR32BG1; 定时器数量:2 x 16 bit; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:28 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, UART, USART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:8.2 mA; 接收供电电流:8.7 mA; 工作电源电压:1.85 V to 3.8 V; 灵敏度:- 92.5 dBm; 输出功率:19.5 dBm; 最大数据速率:1 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Blue Gecko SoC, 2.4 GHz/sub-GHz, 256 kB flash, 32 kB RAM, +20 dBm, QFN-48, BLE, proprietary |
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CMX994GQ4 |
CML Microcircuits |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Receiver; 工作电源电流:66 mA; NF—噪声系数:3.5 dB; 湿度敏感性:Yes; 增益:11 dB; 商标:CML Microcircuits; 技术:Si; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-40; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 工作频率:100 MHz to 1 GHz; 类型:Direct Conversion; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; |
射频接收器 RF Direct Conversion Receiver |
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ADRF5547BCPZN |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:750; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:18 dBm; OIP3 - 三阶截点:31 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:ADRF5547-EVALZ; 增益:33 dB; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 封装 / 箱体:LFCSP-40; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 工作电源电流:86 mA; 工作电源电压:4.75 V to 5.25 V; NF—噪声系数:1.6 dB; 工作频率:3.7 GHz to 5.3 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频前端 4.0 - 5.5GHz LNA + 40W SPDT, Dual channe |
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MAX7036GTP/V+ |
Maxim Integrated |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:60; 产品类型:RF Receiver; 工作电源电流:5.9 mA; 开发套件:MAX7036EVKIT-433+; 商标:Maxim Integrated; 技术:Si; 系列:MAX7036; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 工作频率:300 MHz to 450 MHz; 类型:Dual Channel Buffer SATA I/SATA II Bidirectional Redriver; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
射频接收器 300MHz to 450MHz ASK Receiver with Internal IF Filter |
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EFR32BG13P532F512GM32-C |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:EFR32BG13; 定时器数量:3 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:16 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SMBus, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:64 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:5 mm; 技术:Si; 系列:EFR32BG13; 程序存储器类型:Flash; 长度:5 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:35.3 mA; 接收供电电流:9.5 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.5 dBm; 输出功率:19 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Blue Gecko BLE SoC QFN48 2.4 G 0 dB BLE/proprietary 512 kB 64 kB (RAM) 16GPIO |
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HMC470ATCPZ-EP-PT |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3 V to 5 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:0.1 GHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:1.7 dB; 商标:Analog Devices; 类型:Digital Attenuator; 系列:HMC470A; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:1 dB; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:5 bit; 最大频率:3 GHz; 最大衰减:31 dB; 封装 / 箱体:LFCSP-16; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 0.1 GHz to 3 GHz,1 dB LSB, 5-Bit, GaAs D |
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CGA-1040-06-SMA-02 |
Cinch Connectivity Solutions |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 产品类型:Attenuators; 最小频率:DC; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Midwest Microwave / Cinch Connectivity Solutions; 类型:Commercial Grade Attenuator; 系列:CGA-1040; 功率额定值:2 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 65 C; 技术:Si; 最大 VSWR:1.18:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:4 GHz; 最大衰减:6 dB; RoHS:Y; 制造商:Cinch Connectivity Solutions; |
衰减器 SMA M/F Attenuator 6dB 2W DC-4 GHz |
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SL3S1214FTB0/1X |
NXP |
无线和射频半导体 |
商标名:UCODE; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:SL3S1214; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:XSON-6; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:960 MHz; 存储容量:128 bit; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
RFID应答器 UCODE 7m |
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EFR32MG1B732F256GM32-C0 |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:EFR32MG1; 定时器数量:2 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 开发套件:SLWRB4154A; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:16 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SMBus, SPI, UART, USART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:5 mm; 技术:Si; 系列:EFR32MG1; 程序存储器类型:Flash; 长度:5 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-32; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:8.2 mA; 接收供电电流:8.7 mA, 9.8 mA; 工作电源电压:3.3 V; 灵敏度:- 94 dBm; 输出功率:19.5 dBm; 最大数据速率:1 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth, Zigbee; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC, 2.4 GHz, 256/512 kB flash, 32 kB RAM, 19.5 dBm, QFN32, mesh |
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ADRF5549BCPZN |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:750; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:19 dBm; OIP3 - 三阶截点:32 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:ADRF5549-EVALZ; 增益:35 dB; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 封装 / 箱体:LFCSP-40; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 工作电源电流:85 mA; 工作电源电压:4.75 V to 5.25 V; NF—噪声系数:1.4 dB; 工作频率:1.8 GHz to 2.8 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频前端 1.8 - 2.8GHz LNA + 40W SPDT, Dual channe |
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CGA-1040-03-SMA-02 |
Cinch Connectivity Solutions |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 产品类型:Attenuators; 最小频率:DC; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Midwest Microwave / Cinch Connectivity Solutions; 类型:Commercial Grade Attenuator; 系列:CGA-1040; 功率额定值:2 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 65 C; 技术:Si; 最大 VSWR:1.18:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:4 GHz; 最大衰减:3 dB; RoHS:Y; 制造商:Cinch Connectivity Solutions; |
衰减器 SMA M/F Attenuator 3dB 2W DC-4 GHz |
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