| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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HMC985A-SX |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:- 5 V to 0 V; 最小频率:10 GHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:2.9 dB; 商标:Analog Devices; 类型:Variable Attenuator; 系列:HMC985; 封装:Gel Pack; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:40 GHz; 最大衰减:42 dB; 封装 / 箱体:SMT-24; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 衰减器 |
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EFR32FG14P231F256IM48-B |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:32 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32FG14; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:35.3 mA; 接收供电电流:8.4 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 126.2 dBm; 输出功率:20 dBm; 最大数据速率:38.4 kb/s; 工作频率:Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Flex Premium SoC QFN48 sub-GHz extended 19.5 dB proprietary 256 kB 32 kB (RAM) 31GPIO SoC |
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CGA-1040-02-SMA-02 |
Cinch Connectivity Solutions |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 产品类型:Attenuators; 最小频率:DC; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Midwest Microwave / Cinch Connectivity Solutions; 类型:Commercial Grade Attenuator; 系列:CGA-1040; 功率额定值:2 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 65 C; 技术:Si; 最大 VSWR:1.18:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:4 GHz; 最大衰减:2 dB; RoHS:Y; 制造商:Cinch Connectivity Solutions; |
衰减器 SMA M/F Attenuator 2dB 2W DC-4 GHz |
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SKY85308-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Front End; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY85308; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 工作频率:2 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 2GHz 802.11ac 17dBm FEM |
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SKY85734-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:SKY85734-11-EVB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY85734; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MCM-12; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电压:3.3 V; 工作频率:5 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 5.8GHz 256QAM PA+SW+LNA FEM in 2.0mmx2.0 |
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SKY13636-695LF |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 开发套件:SKY13636-695EK1; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY13636; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-14; 安装风格:SMD/SMT; 工作频率:0.7 GHz to 3.8 GHz; 开关配置:SP6T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
RF 开关 IC SP6T MIPI Diversity Switch |
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SKY85310-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Front End; 开发套件:SKY85310-11EK1; 增益:12 dB, 29 dB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY85310; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电压:3.3 V; 工作频率:2.4 GHz; 类型:802.11 b/g/n, WLAN; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 2GHz FEM in 3x3mm package |
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SKY85310-21 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Front End; 开发套件:SKY85310-21EK1; 增益:12 dB, 30 dB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY85310; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 工作频率:2.4 GHz; 类型:802.11 b/g/n, WLAN; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 2.4GHz 256QAM PA+SW+LNA FEM in 3.0mmx3.0 |
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SKY13638-700LF |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 开发套件:SKY13638-700EK1; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY13638; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-20; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:0.75 dB; 工作频率:0.4 GHz to 3.8 GHz; 开关配置:SP10T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
RF 开关 IC MIPI SP10T LTE Tx/Rx |
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SKY68000-31 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:SKY68000-31EK1; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY68000; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MCM-24; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电压:2.85 V to 4.5 V; 工作频率:777 MHz to 787 MHz, 1710 MHz to 1755 MHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 CAT0 3GPP IoT RF FEM |
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ADMV4420ACPZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:Up-Down Converters; OIP3 - 三阶截点:16 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:ADMV4420-EVALZ; 商标:Analog Devices; 技术:SiGe; 系列:ADMV4420; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LFCSP-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:7 dB; P1dB - 压缩点:7 dBm; 增益:36 dB; LO频率:16.75 GHz to 21.15 GHz; 中频:900 MHz to 2500 MHz; 射频:16.95 GHz to 22.05 GHz; 产品:Down Converters; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
上下转换器 K-Band RX with PLL |
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A2I09VD050NR1 |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Amplifier; 通道数量:2 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:A2I09VD050; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:240 mA; 测试频率:920 MHz to 960 MHz; 工作电源电压:48 V; 增益:36.5 dB; 工作频率:575 MHz to 960 MHz; 技术:Si; 类型:Wideband Amplifier; 封装 / 箱体:TO-270WB-15; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频放大器 Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 6.3 W Avg., 48 V |
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IT2008 |
Renesas Electronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:5 W; 隔离分贝:30 dB; 输入返回损失:15 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Renesas / IDT; 最大工作温度:+ 150 C; 工作电源电流:350 mA; 测试频率:2 GHz to 26.5 GHz; 工作电源电压:9 V; 增益:10 dB; P1dB - 压缩点:24.5 dBm; 工作频率:10 MHz to 26.5 GHz; 技术:GaAs; 类型:High Power; 封装 / 箱体:2.521 mm x 1.634 mm; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Renesas Electronics; |
射频放大器 |
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NCH-RSL10-101Q48-ABG |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:GPIO, I2C, PCM, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:76 kB, 88 kB; 商标:ON Semiconductor; 宽度:6 mm; 技术:Si; 系列:RSL10; 程序存储器类型:Flash; 长度:6 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:384 kB; 传输供电电流:8.9 mA; 接收供电电流:5.6 mA; 工作电源电压:1.1 V to 3.3 V; 灵敏度:- 94 dBm; 输出功率:6 dBm; 最大数据速率:2000 kb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M3; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC Radio SoC Ultr Low Pwr |
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NCH-RSL10-101WC51-ABG |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:GPIO, I2C, PCM, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:76 kB, 88 kB; 商标:ON Semiconductor; 宽度:2.364 mm; 技术:Si; 系列:RSL10; 程序存储器类型:Flash; 长度:2.325 mm; 高度:0.35 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:WLCSP-51; 程序存储器大小:384 kB; 传输供电电流:8.9 mA; 接收供电电流:5.6 mA; 工作电源电压:1.1 V to 3.3 V; 灵敏度:- 94 dBm; 输出功率:6 dBm; 最大数据速率:2000 kb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M3; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC Ultra Low Power SoC 51 Bump WLCSP |
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LMX8410RGZT |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:250; 产品类型:RF Mixer; Pd-功率耗散:5 W; P1dB - 压缩点:12 dBm; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作电源电流:650 mA; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:LMX8410LEVM; 增益:7 dB, 8 dB, 9 dB, 9.5 dB, 10.5 dB, 11 dB,; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:LMX8410L; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VQFN-48; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 1350 MHz; LO频率:4000 MHz to 10000 MHz; NF—噪声系数:15 dB, 16 dB, 17 dB, 18 dB, 19 dB; 射频:4000 MHz to 10000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频混合器 |
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SKY66294-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.4 W; 湿度敏感性:Yes; 隔离分贝:54 dB; 输入返回损失:18 dB; 开发套件:SKY66294-11-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SKY66294; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:75 mA; OIP3 - 三阶截点:-; 测试频率:2140 MHz; NF—噪声系数:-; 工作电源电压:5 V; 增益:36 dB; P1dB - 压缩点:-; 工作频率:2000 MHz to 2300 MHz; 技术:Si; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:MCM-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频放大器 2-2.3GHz 4W Small Cell PAE 37.3% |
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CMPA5259025F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:- 10 dB; 开发套件:CMPA5259025F-AMP; 通道数量:1 Channel; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 测试频率:5.5 GHz; 工作电源电压:28 V; 增益:30 dB; 工作频率:5.2 GHz to 5.9 GHz; 技术:GaN; 类型:Radar; 封装 / 箱体:440219; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频放大器 GaN MMIC Power Amp 28V 5.2-5.9GHz 25W |
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BGS12P2L6E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:15000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:200 uA; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSLP-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:37 dB; 介入损耗:0.36 dB; 工作频率:0.03 GHz to 4 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC CMOS SWITCH |
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SKY85408-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:SKY85408-11EK1; 通道数量:1 Channel; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SKY85408; 工作电源电压:5 V; 增益:35 dB; 工作频率:5 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:SMT-20; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频放大器 5GHz 22dBm 1024QAM 11ac PA |
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BGA123L4E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:15000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:40 mW; 输入返回损失:9 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:1.05 mA; OIP3 - 三阶截点:- 9 dBm; 测试频率:1575 MHz; NF—噪声系数:0.75 dB; 工作电源电压:1.8 V; 增益:18.2 dB; P1dB - 压缩点:- 17 dBm; 工作频率:1550 MHz to 1615 MHz; 技术:Si; 类型:Ultra-Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:TSLP-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频放大器 RF SILICON MMIC |
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A3I35D025WNR1 |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:2 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:A3I35D025; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:260 mA; 测试频率:3800 MHz; 工作电源电压:28 V; 增益:28.9 dB; 工作频率:3200 MHz to 4000 MHz; 技术:Si; 类型:Wideband Amplifier; 封装 / 箱体:TO-270WB-17; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频放大器 LDMOS Wdbnd Pwr Amp 3200-4000 MH 3.4W28V |
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CMPA0527005F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tray; 工作电源电压:50 V; 工作频率:500 MHz to 2.7 GHz; 技术:GaN SiC; 类型:L-Band to Ku-Band; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频放大器 GaN MMIC Power Amp 50V 0.5-2.7GHz 5W |
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MACP-010571-TR1000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Detector; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TDFN-6; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 技术:GaAs; 工作电源电压:8 V; 频率范围:2 GHz to 6 GHz; 类型:Directional Detector; 制造商:MACOM; |
射频检测器 RMS Power Detector 2-6GHz |
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AT0603C10ECATD |
American Technical Ceramics (ATC) |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:-; 最小频率:DC; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:-; 商标:American Technical Ceramics (ATC); 类型:RF/Microwave Attenuator; 容差:0.75 dB; 系列:AT; 功率额定值:1 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:Si; 衰减器步长:-; 最大 VSWR:1.25:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:-; 位数:-; 最大频率:20 GHz; 最大衰减:10 dB; 封装 / 箱体:0603 (1608 metric); RoHS:Y; 制造商:American Technical Ceramics (ATC); |
衰减器 10db 0.75W 0603 DC to 20 GHz |
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F1958NBGK8 |
Renesas Electronics |
无线和射频半导体 |
商标名:Glitch-Free; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3 V to 5.5 V; 最小频率:1 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:2.6 dB; 商标:Renesas / IDT; 类型:Digital Step; 系列:F1958; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 衰减器步长:0.25 dB; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:7 bit; 最大频率:6 GHz; 最大衰减:31.75 dB; 封装 / 箱体:QFN-24; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
衰减器 7-Bit 0.25dB Digital Step Attenuator 1MHz to 6GHz |
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F1958NBGK |
Renesas Electronics |
无线和射频半导体 |
商标名:Glitch-Free; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3 V to 5.5 V; 最小频率:1 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:2.6 dB; 商标:Renesas / IDT; 类型:Digital Step; 系列:F1958; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 衰减器步长:0.25 dB; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:7 bit; 最大频率:6 GHz; 最大衰减:31.75 dB; 封装 / 箱体:QFN-24; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
衰减器 7-Bit 0.25dB Digital Step Attenuator 1MHz to 6GHz |
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F2977NEGK |
Renesas Electronics |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:5.25 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:300; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:80 uA; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:F2977EVBI; 商标:Renesas / IDT; 技术:Si; 系列:F2977; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VFQFP-N-12; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:27 dB; 介入损耗:0.45 dB; 工作频率:30 MHz to 6 GHz; 开关配置:SP2T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
RF 开关 IC High Linearity Broadband SPDT Switch |
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BGA855N6E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:12000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:60 mW; 隔离分贝:22 dB; 输入返回损失:11 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BGA855N6; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:4.4 mA; OIP3 - 三阶截点:1 dBm; 测试频率:1214 MHz; NF—噪声系数:0.6 dB; 工作电源电压:1.1 V to 3.3 V; 增益:17.6 dB; P1dB - 压缩点:- 14 dBm; 工作频率:1164 MHz to 1300 MHz; 技术:SiGe; 类型:LNA; 封装 / 箱体:TSNP-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频放大器 RF MMIC SUB 3 GHZ |
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AXM0F243-1-TX40 |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:8 kB; 商标:ON Semiconductor; 宽度:5 mm; 技术:Si; 系列:AXM0F243; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-40; 程序存储器大小:64 kB; 传输供电电流:55 mA; 接收供电电流:9.5 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V; 灵敏度:- 105 dBm; 输出功率:16 dBm; 最大数据速率:125 kb/s; 工作频率:27 MHz to 1050 MHz; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC Sub GHz, 27-1050 MHz RF Microcontroller |
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PTFC270101M-V1-R1K |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs - 栅极-源极电压:10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:1 Channel; 商标:Wolfspeed / Cree; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:900 MHz to 2700 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:PG-SON-10; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 225 C; 输出功率:5 W; 增益:19.5 dB; Rds On-漏源导通电阻:2 Ohms; Vds-漏源极击穿电压:65 V; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET |
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SKY66298-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:SKY66298-11-EVB; 通道数量:2 Channel; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:SKY66298; 工作电源电压:5 V; 增益:34 dB; 工作频率:900 MHz to 990 MHz; 技术:Si; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:5 mm x 5 mm x 1.3 mm; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频放大器 925-960MHz High Effi SmallCellPA |
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SKY66291-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.3 W; 湿度敏感性:Yes; 隔离分贝:55 dB; 输入返回损失:25 dB; 开发套件:SKY66291-11-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SKY66291; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:80 mA; OIP3 - 三阶截点:-; 测试频率:1842.5 MHz; NF—噪声系数:-; 工作电源电压:5 V; 增益:38.5 dB; P1dB - 压缩点:-; 工作频率:1805 MHz to 1880 MHz; 技术:Si; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:MCM-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频放大器 1805-1880MHz 4W Small Cell PAE 36.5% |
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MAX2679ENS+T |
Maxim Integrated |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:776 mW; 隔离分贝:26 dB; 输入返回损失:9 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Maxim Integrated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MAX2679; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:1 mA; OIP3 - 三阶截点:- 17 dBm; 测试频率:-; NF—噪声系数:0.95 dB; 工作电源电压:1.8 V; 增益:19 dB; P1dB - 压缩点:- 25 dBm; 工作频率:1575.42 MHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:WLP-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
射频放大器 Low NF (0.98dB) GPS LNA |
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CMX7341Q3 |
CML Microcircuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:416; 产品类型:RF Wireless Misc; Pd-功率耗散:1750 mW; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:3 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:24.576 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:CML Microcircuits; 类型:PMR Common Platform Processor; 技术:Si; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VQFN-48; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 工作频率:19.2 MHz; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; |
射频无线杂项 PMR/LMR Platform Processor |
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TX7316ZCX |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:136; 产品类型:RF Transmitter; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:0 C; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:TX7316; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:NFBGA-216; 最大工作温度:+ 70 C; 工作频率:200 MHz; 类型:Ultrasound Imaging System; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频发射器 16-channel 3-level or 8-channel 5-level transmitter with integrated transmit beamformer 216-NFBGA 0 to 70 |
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F2972NEGK8 |
Renesas Electronics |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:5.25 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:80 uA; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Renesas / IDT; 技术:Si; 系列:F2972; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TQFN-12; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:40 dB; 介入损耗:0.34 dB; 工作频率:5 MHz to 10 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
RF 开关 IC |
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TC35680FSG-002 |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Transceiver; 工作电源电压:1.2 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Toshiba; 技术:Si; 系列:TC35680FSG-002; 灵敏度:- 105 dBm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-40; 接口类型:I2C, SPI, UART; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:8 dBm; 传输供电电流:11.3 mA; 接收供电电流:5.1 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.9 V; 最大数据速率:2000 kb/s; 频率范围:2400 MHz to 2483.5 MHz; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频收发器 Bluetooth 5.0 IC 8dBm 3.6V 128K Flash |
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A2I20D020GNR1 |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Amplifier; 商标:NXP Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 技术:Si; 类型:Wideband Amplifier; 制造商:NXP; |
射频放大器 Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers 1800-2200MHz, 2.5 W Avg., 28V |
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SI2166-D60-GM |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:Modulator / Demodulator; 湿度敏感性:Yes; 接口类型:I2C; 商标:Silicon Labs; 系列:Si2166; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 75 C; 最小工作温度:- 10 C; 技术:Si; 工作电源电压:1.2 V, 3.3 V; 最小频率:4 MHz; 最大频率:30 MHz; 调制格式:QPSK; 类型:Demodulator; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
调节器/解调器 DVB-S2X/S2/S Digital Satellite Demodulator |
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MMA044AA |
Microchip |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:14 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Microchip / Microsemi; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:102 mA; OIP3 - 三阶截点:30 dBm; NF—噪声系数:1.7 dB; 工作电源电压:4 V; 增益:21 dB; P1dB - 压缩点:17 dBm; 工作频率:6 GHz to 18 GHz; 技术:GaAs; 类型:MMIC; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
射频放大器 6 GHz-18 GHz GaAs pHEMT |
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NLHV1T0434ZR2G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:50 uA; 最小工作温度:- 55 C; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 工作频率:2 MHz; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RF 开关 IC 48 V RF ANTENNA SWI TCH DR |
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F2976NEGK8 |
Renesas Electronics |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:5.25 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:80 uA; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Renesas / IDT; 技术:Si; 系列:F2976; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VFQFP-12; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:40 dB; 介入损耗:0.34 dB; 工作频率:5 MHz to 10 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
RF 开关 IC |
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SKY66188-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:SKY66188-11-EK1; 通道数量:1 Channel; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SKY66188; 测试频率:0.7805 GHz; 工作电源电压:3.3 V; 增益:37 dB; P1dB - 压缩点:31 dBm; 工作频率:758 MHz to 803 MHz; 技术:Si; 类型:Linear Power Amplifier; 封装 / 箱体:MCM-28; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频放大器 758-803MHz Gain 37dB |
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N24RF64EDWPT3G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 产品:RFID Transponders; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:64 kbit; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RFID应答器 RFID 64 KB EEPROM SOIC |
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TEF8102EN/N1E |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:3 Transmitter; 接收机数量:4 Receiver; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:TEF810x; 封装:Tray; 封装 / 箱体:WFBGA-155; 类型:Radar; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频收发器 Radar |
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N24RF04DTPT3G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 产品:RFID/NFC Tags; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:1 MHz; 存储容量:4 kbit; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RFID应答器 RFID 4KB EEPROM TSS OP |
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CMX885Q3 |
CML Microcircuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:416; 产品类型:RF Wireless Misc; Pd-功率耗散:1750 mW; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:3 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:24.576 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:CML Microcircuits; 类型:Audio, Signalling Processor; 技术:Si; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VQFN-48; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 工作频率:3.6864 MHz; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; |
射频无线杂项 Marine VHF Processor |
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TC3567DFSG-002(E1C |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:1 Transmitter; 接收机数量:1 Receiver; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Toshiba; 技术:Si; 灵敏度:- 93.5 dBm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-40; 接口类型:I2C, SPI, UART; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:0 dBm; 传输供电电流:3.3 mA; 接收供电电流:3.3 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 调制格式:GFSK; 最大数据速率:921.6 kb/s; 频率范围:2400 MHz to 2483.5 MHz; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频收发器 Bluetooth 4.2 IC 0dBm 3.6V 3.3mA |
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TDA7786C |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:960; 产品类型:Tuners; 湿度敏感性:Yes; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:TDA7786; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
调谐器 ADS INFOTAINMENT |
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