| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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TC3567CFSG-002(ELG |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:1 Transmitter; 接收机数量:1 Receiver; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Toshiba; 技术:Si; 灵敏度:- 93.5 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-40; 接口类型:I2C, SPI, UART; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:0 dBm; 传输供电电流:3.3 mA; 接收供电电流:3.3 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.9 V; 调制格式:GFSK; 最大数据速率:921.6 kb/s; 频率范围:2400 MHz to 2483.5 MHz; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频收发器 Bluetooth 4.2 IC 0dBm 3.6V 3.3mA |
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TC35679FSG-002(ELC |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:1 Transmitter; 接收机数量:1 Receiver; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Toshiba; 技术:Si; 灵敏度:- 93.5 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-40; 接口类型:I2C, SPI, UART; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:0 dBm; 传输供电电流:3.3 mA; 接收供电电流:3.3 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 调制格式:GFSK; 最大数据速率:921.6 kb/s; 频率范围:2400 MHz to 2483.5 MHz; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频收发器 Bluetooth 4.2 IC 0dBm 3.6V 3.3mA |
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TC35678FSG-002(ELC |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Transceiver; 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Toshiba; 技术:Si; 系列:TC35678FSG-002; 灵敏度:- 93.5 dBm; 尺寸:5 mm x 5 mm x 0.9 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-40; 接口类型:Serial; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:0 dBm; 传输供电电流:3.3 mA; 接收供电电流:3.3 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 最大数据速率:921.6 kb/s; 频率范围:2400 MHz to 2483.5 MHz; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频收发器 Bluetooth 4.2 BLE IC 3.6V 3.3mA 0dBm |
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VM2020AA |
Vesper |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:PLLs - Phase Locked Loops; 工作电源电压:2.6 V; 工作电源电流:248 uA; 商标:Vesper; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:Panel; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 电源电压-最小:2.25 V; 电源电压-最大:3.6 V; 电路数量:1; 类型:High Dynamic; RoHS:Y; 制造商:Vesper; |
锁相环 - PLL HDR Piezoeletric MEMS Mic Differential Analog I/F Ultra-high AOP |
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F1420NLGK8 |
Renesas Electronics |
无线和射频半导体 |
商标名:Zero-Distortion; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.5 W; 输入返回损失:17 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Renesas / IDT; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:F1420; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:105 mA; OIP3 - 三阶截点:42 dBm; 测试频率:1100 MHz; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:17.5 dB; P1dB - 压缩点:23.2 dBm; 工作频率:700 MHz to 1 GHz; 技术:Si; 类型:High Gain/High Linearity; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
射频放大器 射频放大器 700MHz to 1.1GHz |
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F1431NBGK8 |
Renesas Electronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Renesas / IDT; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
RF 开关 IC |
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SPS1M002PET |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最小工作温度:- 20 C; 最大工作温度:+ 60 C; 工作频率:928 MHz; 存储容量:144 bit; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RFID应答器 FCC-MOISTURE-PET |
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AT0603C09ECATB |
American Technical Ceramics (ATC) |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:Attenuators; 安装风格:SMD/SMT; 商标:American Technical Ceramics (ATC); 系列:AT; 功率额定值:750 mW; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:Si; 最大 VSWR:1.25:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:-; 最大频率:20 GHz; 最大衰减:9 dB; 封装 / 箱体:0603 (1608 metric); RoHS:Y; 制造商:American Technical Ceramics (ATC); |
衰减器 9db 1W 0603 DC to 20GHz |
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SKY66189-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:SKY66189-11-EK1; 通道数量:1 Channel; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SKY66189; 测试频率:1.96 GHz; 工作电源电压:3.3 V; 增益:40 dB; P1dB - 压缩点:31 dBm; 工作频率:1930 MHz to 1995 MHz; 技术:Si; 类型:Linear Power Amplifier; 封装 / 箱体:MCM-28; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频放大器 1930-1995MHz Gain 40dB |
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SKY66293-21 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:2.2 W; 湿度敏感性:Yes; 隔离分贝:60 dB; 输入返回损失:18 dB; 开发套件:SKY66293-21-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SKY66293; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:85 mA; 测试频率:3630 MHz; 工作电源电压:5 V; 增益:35 dB; P1dB - 压缩点:-; 工作频率:3550 MHz to 3710 MHz; 技术:Si; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:MCM-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频放大器 3.4-3.8GHz 4W Small Cell PAE 29% |
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A2I09VD015NR1 |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:2 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:A2I09VD015; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:84 mA; 测试频率:920 MHz to 960 MHz; 工作电源电压:48 V; 增益:32.8 dB; 工作频率:575 MHz to 960 MHz; 技术:Si; 类型:Wideband Amplifier; 封装 / 箱体:TO-270WB-15; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频放大器 Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 2 W Avg., 48 V |
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A3I35D012WNR1 |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:2 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:260 mA; 测试频率:3600 MHz; 工作电源电压:28 V; 增益:28.9 dB; 工作频率:3200 MHz to 4000 MHz; 技术:Si; 类型:Wideband Amplifier; 封装 / 箱体:TO-270WB-17; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频放大器 Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 1.8 W Avg., 28 V |
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CMD182C4 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Mixer; 增益:- 6 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 3.5 GHz; LO频率:6 GHz to 10 GHz; 转换损失——最大:9 dB; 射频:6 GHz to 10 GHz; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频混合器 6 - 10 GHz Image Reject Mixer |
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CMD183C4 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Mixer; 增益:- 5.5 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 4.5 GHz; LO频率:7.5 GHz to 13 GHz; 转换损失——最大:10 dB; 射频:7.5 GHz to 13 GHz; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频混合器 9 - 13 GHz Image Reject Mixer |
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CMD178C3 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Mixer; 增益:-6 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-12; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 6 GHz; LO频率:11 GHz to 21 GHz; NF—噪声系数:7 dB; 转换损失——最大:10 dB; 射频:11 GHz to 21 GHz; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频混合器 11 - 20 GHz Double Balanced Mixer |
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CMD180C3 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Mixer; 增益:- 7 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-12; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 10 GHz; LO频率:20 GHz to 32 GHz; NF—噪声系数:7 dB; 转换损失——最大:11 dB; 射频:20 GHz to 32 GHz; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频混合器 18 - 32 GHz Double Balanced Mixer |
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CMD177C3 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Mixer; 增益:- 6.5 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-12; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 5 GHz; LO频率:6 GHz to 14 GHz; NF—噪声系数:7 dB; 转换损失——最大:10 dB; 射频:6 GHz to 14 GHz; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频混合器 6 - 14 GHz Double Balanced Mixer |
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MMS006AA |
Microchip |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:- 5 V to - 4.2 V; 运行时间—最大值:10 ns; 空闲时间—最大值:10 ns; 商标:Microchip / Microsemi; 技术:GaAs; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:- 40 dB; 介入损耗:2 dB; 工作频率:DC to 20 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
RF 开关 IC DC-20 GHz GaAs |
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MMA040AA |
Microchip |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.1 W; 输入返回损失:12 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Microchip / Microsemi; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:150 mA; OIP3 - 三阶截点:27.5 dBm; 测试频率:12 GHz to 20 GHz; NF—噪声系数:3 dB; 工作电源电压:7 V; 增益:16.5 dB; P1dB - 压缩点:15 dBm; 工作频率:0 Hz to 28 GHz; 技术:GaAs; 类型:MMIC; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
射频放大器 DC-28 GHz GaAs |
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NCH-RSL10-101S51-ACG |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:GPIO, I2C, PCM, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:76 kB, 88 kB; 商标:ON Semiconductor; 宽度:6 mm; 技术:Si; 系列:RSL10; 程序存储器类型:Flash; 长度:6 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SIP-51; 程序存储器大小:384 kB; 传输供电电流:12 mA; 接收供电电流:3.4 mA; 工作电源电压:1.25 V; 灵敏度:- 94 dBm; 输出功率:6 dBm; 最大数据速率:2000 kb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M3; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC RSL10 SIP |
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SKY66292-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.4 W; 湿度敏感性:Yes; 隔离分贝:55 dB; 输入返回损失:18 dB; 开发套件:SKY66292-11-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SKY66292; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:70 mA; OIP3 - 三阶截点:-; 测试频率:2350 MHz; NF—噪声系数:-; 工作电源电压:5 V; 增益:35.5 dB; P1dB - 压缩点:-; 工作频率:2300 MHz to 2400 MHz; 技术:Si; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:MCM-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频放大器 2.3-2.4GHz 4W Small Cell PAE 36.5% |
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TESEO-LIV3R |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.1 V; 电源电压-最大:4.3 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Receiver; 湿度敏感性:Yes; 接口类型:I2C, UART; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:TESEO-LIV3R; 尺寸:9.7 mm x 10.1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:LCC-18; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:2.1 V to 4.3 V; 工作频率:1561.098 MHz, 1575.42 MHz; 类型:GNSS Module; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
射频接收器 ADS INFOTAINMENT |
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CMPA5259050F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:61 W; 输入返回损失:- 12 dB; 开发套件:CMPA5259050F-AMP; 通道数量:1 Channel; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 测试频率:5.5 GHz; 工作电源电压:28 V; 增益:31 dB; 工作频率:5.2 GHz to 5.9 GHz; 技术:GaN; 类型:Radar; 封装 / 箱体:440219; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频放大器 GaN MMIC Power Amp 28V 5.2-5.9GHz 50W |
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SKY12239-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:2.7 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:10 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:3 dB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 类型:Voltage Variable Attenuator; 系列:SKY12239; 功率额定值:1 W; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:1.5 GHz; 最大衰减:51 dB; 封装 / 箱体:MCM-8; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
衰减器 .1-1.5GHz IL 2.5dB Max. Atten 40dB |
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MACP-010573-TR1000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Detector; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TDFN-6; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 技术:GaAs; 工作电源电压:8 V; 频率范围:10 GHz to 30 GHz; 类型:Directional Detector; 制造商:MACOM; |
射频检测器 RMS Power Detector 10-30GHz |
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MACP-010572-TR1000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Detector; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TDFN-6; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 技术:GaAs; 工作电源电压:8 V; 频率范围:6 GHz to 18 GHz; 类型:Directional Detector; 制造商:MACOM; |
射频检测器 RMS Power Detector 6-16GHz |
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MMZ38333BT1 |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:18.1 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 工作电源电流:376 mA; OIP3 - 三阶截点:-; 测试频率:3600 MHz; NF—噪声系数:-; 工作电源电压:5 V; 增益:37.9 dB; P1dB - 压缩点:31.7 dBm; 工作频率:3400 MHz to 3800 MHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Linear Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频放大器 InGaP HBT Linear Amplifier, 3400-3800 MHz, 37 dB, 32 dBm. |
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SKY66288-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:SKY66288-11-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SKY66288; 工作电源电压:5 V; 增益:34.5 dB; 工作频率:5150 MHz to 5925 MHz; 技术:Si; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:SMD-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频放大器 5.15-5.925GHz 4W PAE 25% Gain 28dB |
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HMC345ALP3E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:2.5 mA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:5 V; 运行时间—最大值:100 ns; 空闲时间—最大值:100 ns; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC345; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:33 dB; 介入损耗:2.4 dB; 工作频率:DC to 8 GHz; 开关配置:SP4T; 开关数量:Quad; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC DC-8GHz +V SP4T SMT |
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HMC3653LP3BE |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:512 mW; 输入返回损失:15 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 频率范围:7 GHz to 15 GHz; 封装:Cut Tape; 系列:HMC3653; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:40 mA; OIP3 - 三阶截点:28 dBm; NF—噪声系数:6 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:15 dB; P1dB - 压缩点:16 dBm; 工作频率:15 GHz; 技术:Si; 类型:Gain Block Amplifier; 封装 / 箱体:SMT-12; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Linear Driver, Gain Block |
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HMC703LP4E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:PLLs - Phase Locked Loops; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 输入电平:CMOS; 商标:Analog Devices; 系列:HMC703; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:5.2 V; 最大输入频率:8 GHz; 电路数量:1; 类型:PLL; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
锁相环 - PLL PLL, 6GHz, opt div by 2 w/ prescaler |
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HMC1082LP4E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.81 W; 输入返回损失:22 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 频率范围:5.5 GHz to 18 GHz; 封装:Cut Tape; 系列:HMC1082; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:220 mA; OIP3 - 三阶截点:35 dBm; 工作电源电压:5 V; 增益:22 dB; P1dB - 压缩点:24 dBm; 工作频率:18 GHz; 技术:GaAs; 类型:Driver Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 amp, Driver |
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HMC963LC4 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.52 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:10 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 频率范围:6 GHz to 26.5 GHz; 封装:Cut Tape; 系列:HMC963; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:45 mA; OIP3 - 三阶截点:18 dBm; NF—噪声系数:2.5 dB; 工作电源电压:3.5 V; 增益:22 dB; P1dB - 压缩点:10 dBm; 工作频率:26.5 GHz; 技术:GaAs; 类型:RF Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 lo Noise amp SMT, 6 - 26.5 GHz |
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HMC814LC3B |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:743 mW; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:10 dB; 通道数量:2 Channel; 商标:Analog Devices; 频率范围:13 GHz to 24.6 GHz; 封装:Cut Tape; 系列:HMC814G; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:88 mA; OIP3 - 三阶截点:-; 测试频率:-; NF—噪声系数:-; 工作电源电压:5 V; 增益:-; P1dB - 压缩点:-; 工作频率:24.6 GHz; 技术:GaAs; 类型:Multiplier; 封装 / 箱体:SMT-12; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 x2 Active mult SMT, 13 - 24.6 GHz Fout |
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HMC516LC5 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.25 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:10 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 频率范围:9 GHz to 18 GHz; 封装:Cut Tape; 系列:HMC516G; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:65 mA; OIP3 - 三阶截点:25 dBm; NF—噪声系数:2 dB; 工作电源电压:3 V; 增益:20 dB; P1dB - 压缩点:14 dBm; 工作频率:18 GHz; 技术:GaAs; 类型:RF Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 lo Noise amp SMT, 9 - 18 GHz |
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CGH40010F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 典型关闭延迟时间:-; 子类别:Transistors; 标准包装数量:250; 上升时间:-; Rds On-漏源导通电阻:-; 产品类型:RF JFET Transistors; P1dB - 压缩点:-; NF—噪声系数:-; 下降时间:-; 开发套件:CGH40010-TB; 类:-; 闸/源截止电压:-; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:4.19 mm; 产品:GaN HEMT; 工作温度范围:-; 工作频率:2 GHz to 6 GHz; 长度:5.21 mm; 高度:3.43 mm; 配置:Single; 应用:-; 封装:Tray; 封装 / 箱体:440166; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:12.5 W; Id-连续漏极电流:1.5 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:14.5 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt |
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HMC441LC3B |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.74 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:20 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 频率范围:6 GHz to 18 GHz; 封装:Cut Tape; 系列:HMC441G; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:90 mA; OIP3 - 三阶截点:32 dBm; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:14 dB; P1dB - 压缩点:20 dBm; 工作频率:18 GHz; 技术:GaAs; 类型:RF Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-12; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Medium pow amp SMT, 6 - 18 GHz |
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HMC451LC3 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.1 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:13 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 频率范围:5 GHz to 20 GHz; 封装:Cut Tape; 系列:HMC451G; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:114 mA; OIP3 - 三阶截点:32 dBm; NF—噪声系数:7 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:19 dB; P1dB - 压缩点:19.5 dBm; 工作频率:20 GHz; 技术:GaAs; 类型:RF Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Medium pow amp SMT, 5 - 20 GHz |
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HMC633LC4 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.99 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:22 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 频率范围:5.5 GHz to 17 GHz; 封装:Cut Tape; 系列:HMC633G; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:180 mA; OIP3 - 三阶截点:30 dBm; NF—噪声系数:10 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:30 dB; P1dB - 压缩点:23 dBm; 工作频率:17 GHz; 技术:GaAs; 类型:Driver Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 SMT Driver amp, 5.5 - 17 GHz |
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ADF5355BCPZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:PLLs - Phase Locked Loops; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 系列:ADF5355; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LFCSP-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 类型:PLL + VCO; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
锁相环 - PLL 14GHz PLL + Integrated VCO |
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HMC773ALC3B |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Mixer; Pd-功率耗散:400 mW; P1dB - 压缩点:10 dBm; OIP3 - 三阶截点:20 dBm; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:EV1HMC773ALC3B; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC773; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LCC-12; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 10 GHz; LO频率:6 GHz to 26 GHz; 转换损失——最大:12 dB; 射频:6 GHz to 26 GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 Fundamental Mixer SMT, 6 - 26 GHz |
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HMC641ALC4 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:- 4.5 V; 电源电压-最大:- 5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:1.8 mA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:- 5 V to - 3.8 V; 运行时间—最大值:100 ns; 空闲时间—最大值:100 ns; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC641; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:42 dB; 介入损耗:2.1 dB; 工作频率:20 GHz; 开关配置:SP4T; 开关数量:Quad; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC Switch, SP4T, DC-18GHz Non-Refl w/Decr |
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HMC637ALP5E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:8.6 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:12 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Cut Tape; 系列:HMC637; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:400 mA; OIP3 - 三阶截点:44 dBm; NF—噪声系数:12 dB; 工作电源电压:12 V; 增益:13 dB; P1dB - 压缩点:29 dBm; 工作频率:0 Hz to 6 GHz; 技术:GaAs; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Distributed amp |
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MRFE6VP61K25HR5 |
NXP |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:1.333 kW; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 系列:MRFE6VP61K25H; 工作频率:1.8 MHz, 600 MHz; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:NI-1230; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:1.25 kW; 增益:24 dB; Vds-漏源极击穿电压:133 V; Id-连续漏极电流:10 uA; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H |
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AD9364BBCZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:184; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:1; 接收机数量:1; 湿度敏感性:Yes; 最大工作频率:6 GHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:AD9364; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-144; 接口类型:4-Wire; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:8 dBm; 电源电压-最大:1.33 V; 电源电压-最小:1.267 V; 频率范围:70 MHz to 6 GHz; 类型:LTE, WiMAX; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频收发器 1x1 variant 2 receive by 2 transmit inte |
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MRF1K50HR5 |
NXP |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:1.667 kW; 通道数量:2 Channel; 正向跨导 - 最小值:33.5 S; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 系列:MRF1K50H; 工作频率:1.8 MHz to 500 MHz; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:NI-1230H-4S; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:1.5 kW; 增益:23.7 dB; Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 135 V; Id-连续漏极电流:2.4 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V |
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AD9361BBCZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:184; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:2; 接收机数量:2; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:AD9361; 灵敏度:2.5 dB; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-144; 接口类型:3-Wire, 4-Wire, SPI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:8 dBm; 电源电压-最大:1.33 V; 电源电压-最小:1.267 V; 调制格式:TDD, FDD; 最大数据速率:-; 频率范围:70 MHz to 6 GHz; 类型:LTE, WiMAX; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频收发器 2 receive by 2 transmit integrated frequ |
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HMC1086F10 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:63.6 W; 输入返回损失:15 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 产品:GaN; 封装:Bulk; 系列:HMC1086; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:1.1 A; OIP3 - 三阶截点:48 dBm; NF—噪声系数:-; 工作电源电压:28 V; 增益:22 dB; 工作频率:2 GHz to 6 GHz; 技术:GaN; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 power amp |
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HMC441 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.76 W; 输入返回损失:15 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 频率范围:6 GHz to 18 GHz; 封装:Gel Pack; 系列:HMC441G; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:90 mA; OIP3 - 三阶截点:32 dBm; NF—噪声系数:5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:15.5 dB; P1dB - 压缩点:20 dBm; 工作频率:18 GHz; 技术:GaAs; 类型:RF Amplifier; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 6-18 GHz Medium pow amp Die |
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ADL5906ACPZN-R7 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1500; 产品类型:RF Detector; Pd-功率耗散:550 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 系列:ADL5906; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LFCSP-16; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 技术:Si; 工作电源电压:4.75 V to 5.25 V; 配置:Single; 动态范围 dB:67 dB; 频率范围:10 MHz to 10000 MHz; 类型:RMS Power Detector; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频检测器 RMS TruPwr Detectors |
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