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无线和射频半导体
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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
CGH40025F 无线和射频半导体 CGH40025F Cree, Inc. 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 典型关闭延迟时间:-; 子类别:Transistors; 标准包装数量:250; 上升时间:-; Rds On-漏源导通电阻:-; 产品类型:RF JFET Transistors; P1dB - 压缩点:-; NF—噪声系数:-; 下降时间:-; 开发套件:CGH40025F-TB; 类:-; 闸/源截止电压:-; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:4.19 mm; 产品:GaN HEMT; 工作温度范围:-; 工作频率:2 GHz to 6 GHz; 长度:14.09 mm; 高度:3.43 mm; 配置:Single; 应用:-; 封装:Tray; 封装 / 箱体:440166; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:30 W; Id-连续漏极电流:3 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:15 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
AFT05MS031GNR1 无线和射频半导体 AFT05MS031GNR1 NXP 无线和射频半导体 Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 12 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:500; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 系列:AFT05MS031N; 工作频率:136 MHz to 520 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TO-270-2; 安装风格:SMD/SMT; 增益:19 dB; Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 40 V; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:NXP; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V
AD8312ACBZ-P7 无线和射频半导体 AD8312ACBZ-P7 Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Detector; 开发套件:AD8312-EVALZ; 商标:Analog Devices; 系列:AD8312; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:WLCSP-6; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 技术:Si; 工作电源电压:3 V; 动态范围 dB:45 dB; 频率范围:50 MHz to 3.5 GHz; 类型:Logarithmic Amplifier Power Detector; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 射频检测器 2.5GHz 50dB Power Amp Detector
ADF4355-3BCPZ 无线和射频半导体 ADF4355-3BCPZ Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:PLLs - Phase Locked Loops; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 系列:ADF4355; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LFCSP-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 电源电压-最小:3.1515 V; 电源电压-最大:3.4485 V; 输出频率范围:51.5625 MHz to 6.6 GHz; 最小输入频率:10 MHz; 最大输入频率:600 MHz; 电路数量:1; 类型:PLL Frequency Synthesizer + VCO; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 锁相环 - PLL 6.6GHz PLL with integrated VCO
SKY13330-397LF 无线和射频半导体 SKY13330-397LF Skyworks 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:1.65 V to 3 V; 运行时间—最大值:1.6 us; 空闲时间—最大值:1.6 us; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY13330; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-12; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:16 dB; 介入损耗:0.6 dB; 工作频率:100 MHz to 6 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; RF 开关 IC .1-6.0GHz SP2T IL .6dB @ 6GHz
SE2435L-R 无线和射频半导体 SE2435L-R Skyworks 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Front End; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SE2435L; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:50 mA; 工作电源电压:3 V; NF—噪声系数:2 dB; 工作频率:860 MHz to 930 MHz; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; 射频前端 860-930MHz NF 2 dB Rx Gain 16 dB
SE2431L-R 无线和射频半导体 SE2431L-R Skyworks 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Front End; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SE2431L; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:30 mA; 工作电源电压:3 V; NF—噪声系数:2 dB; 工作频率:2.4 GHz; 类型:802.15.4, Zigbee; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; 射频前端 2.4GHz Zigbee Rx Gain 12.5 dB
AD8319ACPZ-R7 无线和射频半导体 AD8319ACPZ-R7 Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Detector; Pd-功率耗散:0.73 W; 开发套件:AD8319-EVALZ; 商标:Analog Devices; 系列:AD8319; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LFCSP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 技术:Si; 工作电源电压:3 V to 5.5 V; 动态范围 dB:45 dB; 类型:Logarithmic Amplifiers; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 射频检测器 8GHz Log Detector 35dB
AT86RF233-ZUR 无线和射频半导体 AT86RF233-ZUR Microchip 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Transceiver; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VQFN-32; 类型:Zigbee; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 射频收发器 2.4GHz ZigBee Transceiver
TQP3M9037 无线和射频半导体 TQP3M9037 Qorvo 无线和射频半导体 电源电压-最小:3.3 V; 电源电压-最大:5.25 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:TQP; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:65 mA; OIP3 - 三阶截点:35 dBm; 测试频率:1.95 GHz; NF—噪声系数:0.4 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:20 dB; P1dB - 压缩点:20 dBm; 工作频率:1.5 GHz to 2.7 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; 射频放大器 1.5-2.7GHz NF .4dB Gain 20dB
nRF51822-QFAA-R7 无线和射频半导体 nRF51822-QFAA-R7 Nordic Semiconductor 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:nRF51822; 定时器数量:2 Timer; 湿度敏感性:Yes; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:10 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:2-Wire, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:16 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 技术:Si; 系列:nRF51822; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:6.3 mA; 接收供电电流:9.5 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V; 灵敏度:- 92.5 dBm; 输出功率:4 dBm; 最大数据速率:250 kb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Nordic Semiconductor; RF片上系统 - SoC 2.4GHz BT low Energy 256KB Flash 16KB Ram
RFSA2033TR7 无线和射频半导体 RFSA2033TR7 Qorvo 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:5 V; 最小频率:50 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:1 dB; 商标:Qorvo; 类型:Low Loss Voltage Controlled Attenuator; 系列:RFSA2033; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 最大 VSWR:-; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:-; 最大频率:6 GHz; 最大衰减:25 dB; 封装 / 箱体:QFN-16; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; 衰减器 50-6000GHz 3V-5V IN 1dB 24dBm
CC1310F32RSMR 无线和射频半导体 CC1310F32RSMR Texas Instruments 无线和射频半导体 商标名:SimpleLink; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:CC1310; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:CC1310DK; 输入/输出端数量:10 I/O; 接口类型:I2C, I2S, SSI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC1310; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-32; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:16 kB; 程序存储器大小:32 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; 射频微控制器 - MCU 433 868 915 MHz ULP Wireless MCU
AT86RF215IQ-ZUR 无线和射频半导体 AT86RF215IQ-ZUR Microchip 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF Transceiver; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 类型:Multiband; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 射频收发器 Dual Band I/Q Radio, 48QFN, T&R
SBB5089Z 无线和射频半导体 SBB5089Z Qorvo 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:550 mW; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:13 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:75 mA; OIP3 - 三阶截点:35 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:3.9 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:15.5 dB; P1dB - 压缩点:20 dBm; 工作频率:50 MHz to 6 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:HBT MMIC Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; 射频放大器 .05-6GHz SSG 20.5dB NF 3.9dB
SBB4089Z 无线和射频半导体 SBB4089Z Qorvo 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:550 mW; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:16.3 dB; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:80 mA; OIP3 - 三阶截点:35.3 dBm; 测试频率:2 GHz; NF—噪声系数:4.3 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:15.5 dB; P1dB - 压缩点:19.2 dBm; 工作频率:50 MHz to 6 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:HBT MMIC Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; 射频放大器 .05-6GHz SSG 15.5dB NF 4.3dB
nRF51822-QFAC-R7 无线和射频半导体 nRF51822-QFAC-R7 Nordic Semiconductor 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:nRF51822; 定时器数量:1 x 32 bit, 2 x 16 bit; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 25 C; 最大工作温度:+ 75 C; 最大时钟频率:32 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:8 bit, 9 bit, 10 bit; 输入/输出端数量:31 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:2-Wire, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 技术:Si; 系列:nRF51822; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-48; 工作温度范围:- 25 C to + 75 C; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:16 mA; 接收供电电流:13 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V; 灵敏度:- 93 dBm; 输出功率:4 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Nordic Semiconductor; RF片上系统 - SoC QFN48pkt 256kB Flash 32kB RAM XLR3
SE5004L-R 无线和射频半导体 SE5004L-R Skyworks 无线和射频半导体 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SE5004L; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:600 mA; 测试频率:5.4 GHz; 工作电源电压:5 V; 增益:32 dB; P1dB - 压缩点:34 dBm; 工作频率:5.15 GHz to 5.85 GHz; 技术:Si; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-20; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; 射频放大器 5GHz 26dBm Gain 32dB
ATMEGA64RFR2-ZUR 无线和射频半导体 ATMEGA64RFR2-ZUR Microchip 无线和射频半导体 商标名:AVR; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:ATmega; 定时器数量:5 Timer; ADC通道数量:8; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:38 I/O; 接口类型:2-Wire, SPI, Serial, USART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Microchip Technology / Atmel; 技术:Si; 系列:ATmega64RF; 程序存储器类型:EEPROM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:3 V; ADC分辨率:10 bit; 最大时钟频率:400 kHz; 数据 RAM 大小:8 kB; 程序存储器大小:64 kB; 数据总线宽度:8 bit; 核心:AVR; 制造商:Microchip; 射频微控制器 - MCU 2.4GHZ64K SOC 85C AVRZLINKMCU 8BIT
AS3933-BQFT 无线和射频半导体 AS3933-BQFT ams 无线和射频半导体 电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Receiver; 湿度敏感性:Yes; 商标:ams; 技术:Si; 尺寸:4 mm x 4 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-16; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:3 V; 工作频率:15 kHz to 150 kHz; 类型:3D ASK Receiver; RoHS:Y; 制造商:ams; 射频接收器 3D Low Power Wakeup Receiver
LMX2485ESQ/NOPB 无线和射频半导体 LMX2485ESQ/NOPB Texas Instruments 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:PLLs - Phase Locked Loops; 工作电源电压:2.5 V to 3.6 V; 工作电源电流:3.3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Texas Instruments; 系列:LMX2485E; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:WQFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:3.6 V; 输出频率范围:50 MHz to 3000 MHz; 最小输入频率:50 MHz; 最大输入频率:3000 MHz; 电路数量:2; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; 锁相环 - PLL DELTA-SIGMA DUAL PLL FOR RF PERSONAL COMM
SKY67153-396LF 无线和射频半导体 SKY67153-396LF Skyworks 无线和射频半导体 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.35 W; 隔离分贝:28 dB; 输入返回损失:11 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 频率范围:0.7 GHz to 3.8 GHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SKY67153; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:72 mA; OIP3 - 三阶截点:36 dBm; 测试频率:2500 MHz; NF—噪声系数:0.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:19 dB; P1dB - 压缩点:2 dBm; 工作频率:2500 MHz; 技术:GaAs; 类型:Ultra-Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; 射频放大器 700-3800MHz NF .25dB @ 849MHz
TQP3M9028 无线和射频半导体 TQP3M9028 Qorvo 无线和射频半导体 电源电压-最小:4.75 V; 电源电压-最大:5.25 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 带宽:50 MHz to 4000 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:TQP; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:85 mA; OIP3 - 三阶截点:40 dBm; 测试频率:1.9 GHz; NF—噪声系数:2 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:14.5 dB; P1dB - 压缩点:20.7 dBm; 工作频率:50 MHz to 4 GHz; 技术:Si; 类型:General Purpose Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; 射频放大器 500-4000MHz NF 1.3dB Gain 14.7dB 5.0Volt
ATMEGA128RFA1-ZUR00 无线和射频半导体 ATMEGA128RFA1-ZUR00 Microchip 无线和射频半导体 商标名:AVR; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 技术:Si; 系列:ATmega128RF; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VQFN-64; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 射频微控制器 - MCU 2.4GHZ 802.15.4 128K SOC Revision F
ATMEGA128RFA1-ZUR 无线和射频半导体 ATMEGA128RFA1-ZUR Microchip 无线和射频半导体 商标名:AVR; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:ATMEGA128x; 定时器数量:6 Timer; 湿度敏感性:Yes; 输入/输出端数量:38 I/O; 接口类型:JTAG; 商标:Microchip Technology / Atmel; 技术:Si; 系列:ATmega128RF; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V; 最大时钟频率:16 MHz; 数据 RAM 大小:16 kB; 程序存储器大小:128 kB; 数据总线宽度:8 bit; 核心:AVR; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 射频微控制器 - MCU 2.4GHZ 802.15.4 128K SINGLECHIP
RFPA0133TR7 无线和射频半导体 RFPA0133TR7 Qorvo 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:230 mA; 测试频率:915 MHz; NF—噪声系数:-; 工作电源电压:3.6 V; 增益:32 dB; 工作频率:380 MHz to 960 MHz; 技术:GaAs; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; 射频放大器 380-960MHz Gain 32dB Pout 30dBm CW
TQP3M9009 无线和射频半导体 TQP3M9009 Qorvo 无线和射频半导体 电源电压-最小:4.75 V; 电源电压-最大:5.25 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 带宽:1.9 GHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:TQP; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:125 mA; OIP3 - 三阶截点:39.5 dBm; 测试频率:1.9 GHz; NF—噪声系数:1.3 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:21.8 dB; P1dB - 压缩点:22 dBm; 工作频率:50 MHz to 4 GHz; 技术:Si; 类型:General Purpose Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; 射频放大器 50MHz to 4000MHz 5Volts 21.8dB Gain
CC3100R11MRGCR 无线和射频半导体 CC3100R11MRGCR Texas Instruments 无线和射频半导体 商标名:SimpleLink; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:CC3100; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:SPI, UART; 数据 RAM 大小:-; 商标:Texas Instruments; 宽度:9.15 mm; 技术:Si; 系列:CC3100; 长度:9.15 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VQFN-64; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 程序存储器大小:-; 传输供电电流:223 mA; 接收供电电流:53 mA; 工作电源电压:2.1 V to 3.6 V; 灵敏度:- 95.7 dBm; 输出功率:18 dBm; 最大数据速率:16 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; RF片上系统 - SoC CC3100R11MRGCR
RFSA2023TR7 无线和射频半导体 RFSA2023TR7 Qorvo 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3.3 V; 最小频率:50 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:2.6 dB; 商标:Qorvo; 类型:Voltage Controlled Attenuator; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 通道数量:1 Channel; 位数:-; 最大频率:6 GHz; 最大衰减:33.2 dB; 封装 / 箱体:QFN-16; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; 衰减器 50-6000GHz 3.3V IN 1dB 30dBm
TQP7M9102 无线和射频半导体 TQP7M9102 Qorvo 无线和射频半导体 电源电压-最小:4.75 V; 电源电压-最大:5.25 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 带宽:400 MHz to 4000 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:TQP; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:137 mA; OIP3 - 三阶截点:43.8 dBm; 测试频率:2.14 GHz; NF—噪声系数:3.9 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:17.8 dB; P1dB - 压缩点:27.5 dBm; 工作频率:400 MHz to 4 GHz; 技术:Si; 类型:High Linearity LNA Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; 射频放大器 400-4000MHz NF 3.9dB Gain 17.8dB .5W
MAX2014ETA+T 无线和射频半导体 MAX2014ETA+T Maxim Integrated 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Detector; 商标:Maxim Integrated; 宽度:3.1 mm; 系列:MAX2014; 长度:3.1 mm; 高度:0.75 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 技术:Si; 类型:Logarithmic Detector/Controller; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; 射频检测器 50MHz to 1000MHz, 75dB Logarithmic Detector/Controller
CC1020RSSR 无线和射频半导体 CC1020RSSR Texas Instruments 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:1; 接收机数量:1; 湿度敏感性:Yes; 最大工作频率:470 MHz, 960 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC1020; 灵敏度:- 118 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VQFN-32; 接口类型:4-Wire, SPI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:10 dBm; 传输供电电流:27.1 mA; 接收供电电流:19.9 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 调制格式:FSK, GFSK, OOK; 最大数据速率:153.6 kb/s; 频率范围:402 MHz to 470 MHz, 804 MHz to 960 MHz; 类型:ISM, SRD; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; 射频收发器 TAPE/REEL CC1020
RF6886TR13 无线和射频半导体 RF6886TR13 Qorvo 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:5 W; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RF6886; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:390 mA; 测试频率:900 MHz; NF—噪声系数:-; 工作电源电压:3.6 V; 增益:31 dB; P1dB - 压缩点:33.5 dBm; 工作频率:100 MHz to 1 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Linearity Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; 射频放大器 0.1 - 1GHz 34dBm, 31dB
MAX9947ETE+T 无线和射频半导体 MAX9947ETE+T Maxim Integrated 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:1; 接收机数量:1; 开发套件:MAX9947EVKIT+; 电源电流—最大值:23 mA; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Maxim Integrated; 技术:Si; 系列:MAX9947; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TQFN-16; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:7 dBm to 12 dBm; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:3 V; 调制格式:OOK; 最大数据速率:115.2 kb/s; 频率范围:2.176 MHz; 类型:AISG; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; 射频收发器 AISG Integrated Transceiver
RF2052TR13 无线和射频半导体 RF2052TR13 Qorvo 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Mixer; 工作电源电压:3 V; 工作电源电流:75 mA; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:DK2052; 增益:- 2 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:RF2052; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-32; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:30 MHz to 2.5 GHz; LO频率:300 MHz to 2.4 GHz; NF—噪声系数:12 dB; 射频:30 MHz to 2.5 GHz; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; 射频混合器 .3-2.5GHz Gain -2dB NF 12dB Hi
ADL5375-05ACPZ-R7 无线和射频半导体 ADL5375-05ACPZ-R7 Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1500; 产品类型:Modulator / Demodulator; Pd-功率耗散:1500 mW; 湿度敏感性:Yes; 接口类型:LO; 商标:Analog Devices; 宽度:3.75 mm; 系列:ADL5375; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:4 mm; 高度:1 mm; 封装 / 箱体:LFCSP-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 工作电源电流:174 mA; 工作电源电压:4.75 V to 5.25 V; 调制格式:Quadrature; 类型:Modulator; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 调节器/解调器 RF Direct Conversion IQ Modulator
TQP3M9041 无线和射频半导体 TQP3M9041 Qorvo 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:TQP; 最大工作温度:+ 90 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:57 mA; OIP3 - 三阶截点:38.2 dBm; 测试频率:2600 MHz; NF—噪声系数:0.8 dB; 工作电源电压:2 V to 5 V; 增益:18.4 dB; P1dB - 压缩点:22.5 dBm; 工作频率:2300 MHz to 6000 MHz; 技术:Si; 类型:Base Station Receiver; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; 射频放大器 2.3-4.0GHz NF.77dB Gain 18 dB
TQP7M9103 无线和射频半导体 TQP7M9103 Qorvo 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:TQP; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:235 mA; NF—噪声系数:4.4 dB; 工作电源电压:5 V; 工作频率:400 MHz to 4 GHz; 技术:Si; 类型:High Linearity Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; 射频放大器 400-4000MHZ 5VOLT GAIN 16.6DB NF 4.4DB
BGSA12UGL8E6327XTSA1 无线和射频半导体 BGSA12UGL8E6327XTSA1 Infineon 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:15000; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; RF 开关 IC ANTENNA DEVICES
MMA053AA 无线和射频半导体 MMA053AA Microchip 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:5.6 W; 输入返回损失:- 17 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Microchip / Microsemi; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:410 mA; OIP3 - 三阶截点:43 dBm; 测试频率:DC to 8 GHz; NF—噪声系数:3 dB; 工作电源电压:11 V; 增益:17 dB; P1dB - 压缩点:29 dBm; 工作频率:0 Hz to 8 GHz; 技术:GaAs; 类型:Distributed; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 射频放大器 MMIC, DC-6GHz, 1.0W Output Power Amplifier
N24RF04EDWPT3G 无线和射频半导体 N24RF04EDWPT3G ON Semiconductor 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 产品:RFID Transponders; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:4 kbit; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; RFID应答器 RFID 4 KB EEPROM
AT0603T04ECATB 无线和射频半导体 AT0603T04ECATB American Technical Ceramics (ATC) 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:Attenuators; 安装风格:SMD/SMT; 商标:American Technical Ceramics (ATC); 系列:AT; 功率额定值:1 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:Si; 最大 VSWR:-; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:-; 最大频率:20 GHz; 最大衰减:4 dB; 封装 / 箱体:0603 (1608 metric); RoHS:Y; 制造商:American Technical Ceramics (ATC); 衰减器 4db 1W 0603 DC to 20GHz
BGA5L1BN6E6327XTSA1 无线和射频半导体 BGA5L1BN6E6327XTSA1 Infineon 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:12000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:60 mW; 隔离分贝:29 dB; 输入返回损失:11 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:8.2 mA; OIP3 - 三阶截点:- 7 dBm; 测试频率:840 MHz; NF—噪声系数:0.75 dB; 工作电源电压:1.5 V to 3.6 V; 增益:18.7 dB; P1dB - 压缩点:- 20 dBm; 工作频率:600 MHz to 1000 MHz; 技术:SiGe; 类型:LNA; 封装 / 箱体:TSNP-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Infineon; 射频放大器 RF MMIC SUB 3 GHZ
N24RF16EDTPT3G 无线和射频半导体 N24RF16EDTPT3G ON Semiconductor 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 产品:RFID Transponders; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:16 kbit; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; RFID应答器 RFID 16 KB EEPROM
F0424NTGK 无线和射频半导体 F0424NTGK Renesas Electronics 无线和射频半导体 商标名:Zero-Distortion; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.6 W; 隔离分贝:24 dB; 输入返回损失:13 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Renesas / IDT; 封装:Cut Tape; 系列:F0424; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:70 mA; OIP3 - 三阶截点:40 dBm; 测试频率:4200 MHz; NF—噪声系数:2.7 dB; 工作电源电压:3.15 V to 5.25 V; 增益:16.1 dB; P1dB - 压缩点:21 dBm; 工作频率:600 MHz to 4200 MHz; 技术:SiGe; 类型:High Gain RF Amplifier; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; 射频放大器
SKY66181-11 无线和射频半导体 SKY66181-11 Skyworks 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:SKY66181-11-EK1; 通道数量:1 Channel; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SKY66181; 测试频率:1.8425 GHz; 工作电源电压:3.3 V; 增益:41.5 dB; P1dB - 压缩点:31.5 dBm; 工作频率:1805 MHz to 1880 MHz; 技术:Si; 类型:Linear Power Amplifier; 封装 / 箱体:MCM-28; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; 射频放大器 1805-1880MHz Gain 38dB
BGSX22G5A10E6327XTSA1 无线和射频半导体 BGSX22G5A10E6327XTSA1 Infineon 无线和射频半导体 电源电压-最小:1.65 V; 电源电压-最大:3.4 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:55 uA; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:ATSLP-10; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 介入损耗:1.1 dB; 工作频率:0.1 GHz to 6 GHz; 开关配置:DPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Infineon; RF 开关 IC ANTENNA DEVICES
BGSA143ML10E6327XTSA1 无线和射频半导体 BGSA143ML10E6327XTSA1 Infineon 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:7500; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:Infineon Technologies; 技术:GaAs; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSLP-10; 安装风格:SMD/SMT; 工作频率:6 GHz; 开关配置:SP4T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Infineon; RF 开关 IC ANTENNA DEVICES
BGA8U1BN6E6327XTSA1 无线和射频半导体 BGA8U1BN6E6327XTSA1 Infineon 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:15000; 产品类型:RF Amplifier; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 工作电源电流:4.5 mA; NF—噪声系数:1.6 dB; 工作电源电压:1.6 V to 3.1 V; 增益:13.7 dB; 工作频率:4 GHz to 6 GHz; 技术:SiGe; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:TSNP-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Infineon; 射频放大器 RF SILICON MMIC
SKY66185-11 无线和射频半导体 SKY66185-11 Skyworks 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:2.3 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:10 dB; 开发套件:TW22-D115-002; 通道数量:1 Channel; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SKY66185; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:420 mA; 测试频率:872.5 MHz; 工作电源电压:3.3 V; 增益:36.5 dB; P1dB - 压缩点:30.8 dBm; 工作频率:851 MHz to 894 MHz; 技术:Si; 类型:Linear Power Amplifier; 封装 / 箱体:SMD-28; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; 射频放大器 851-894MHz Gn 36.5dB OP1dB 30.8dBm
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