| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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BGAU1A10E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:90 mW; 隔离分贝:38 dB; 输入返回损失:20 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电流:5 mA; OIP3 - 三阶截点:30 dBm; 测试频率:5500 MHz; NF—噪声系数:1.6 dB; 工作电源电压:1.8 V; 增益:27 dB; P1dB - 压缩点:3 dBm; 工作频率:5.15 GHz to 5.914 GHz; 技术:Si; 类型:LNA; 封装 / 箱体:ATSLP; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频放大器 RF SILICON MMIC |
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SI2182-B60-GM |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:Modulator / Demodulator; 湿度敏感性:Yes; 接口类型:I2C, SPI; 商标:Silicon Labs; 系列:Si2182; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 75 C; 最小工作温度:- 10 C; 技术:Si; 工作电源电压:1.2 V, 3.3 V; 最小频率:4 MHz; 最大频率:30 MHz; 调制格式:QAM, QPSK; 类型:Demodulator; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
调节器/解调器 ISDB-T and DVB-T2/S2X/S2/T/C/S Digital Demodulator |
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SI2183-B60-GM |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:Modulator / Demodulator; 湿度敏感性:Yes; 接口类型:I2C, SPI; 商标:Silicon Labs; 系列:Si2183; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 75 C; 最小工作温度:- 10 C; 技术:Si; 工作电源电压:1.2 V, 3.3 V; 最小频率:4 MHz; 最大频率:30 MHz; 调制格式:QAM, QPSK; 类型:Demodulator; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
调节器/解调器 ISDB-T and DVB-T2/C2/S2X/S2/T/C/S Digital Demodulator |
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TC35681FSG-002 |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Transceiver; 工作电源电压:1.2 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Toshiba; 技术:Si; 系列:TC35681FSG-002; 灵敏度:- 105 dBm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-40; 接口类型:I2C, SPI, UART; 最大工作温度:+ 120 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:8 dBm; 传输供电电流:11.3 mA; 接收供电电流:5.1 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 最大数据速率:2000 kb/s; 频率范围:2400 MHz to 2483.5 MHz; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频收发器 Bluetooth 5.0 IC 8dBm 3.6V |
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13358-0681 |
Molex |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RFID Transponders; 商标:Molex; 技术:Si; 系列:13358; 封装:Bulk; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 50 C; 最大工作温度:+ 185 C; 工作频率:902 MHz to 928 MHz; 存储容量:512 bit; RoHS:N/A; 制造商:Molex; |
RFID应答器 RFID 25.9m Read Rang 144.80 by 37.60mm FP |
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AX-SIP-SFEU-API-1-01-TX30 |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Transceiver; 工作电源电压:3 V; 发送机数量:1 Transmitter; 接收机数量:1 Receiver; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 灵敏度:- 125 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SIP-38; 接口类型:SPI, UART; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 输出功率:13 dBm; 传输供电电流:45 mA; 接收供电电流:14 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.1 V; 调制格式:BPSK, GFSK; 最大数据速率:600 b/s; 频率范围:868.13 MHz to 869.525 MHz; 类型:Narrow Band; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
射频收发器 SIP SFEU API VERSI |
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BGC100GN6E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:15000; 产品类型:RF Front End; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSNP-6; 安装风格:SMD/SMT; 工作频率:0.6 GHz to 2.7 GHz; 类型:Switchable Wideband; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频前端 ANTENNA DEVICES |
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SKY67154-396LF |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:9 dB; 开发套件:SKY67154-396EK1; 通道数量:1 Channel; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:SKY67154; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:72 mA; OIP3 - 三阶截点:38 dBm; 测试频率:2500 MHz; NF—噪声系数:0.55 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:19 dB; P1dB - 压缩点:21 dBm; 工作频率:0.7 GHz to 3.8 GHz; 技术:GaAs; 类型:LNA; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频放大器 |
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TDA7786CTR |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:Tuners; 湿度敏感性:Yes; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:TDA7786; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 制造商:STMicroelectronics; |
调谐器 ADS INFOTAINMENT |
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TCP-5033UB-DT |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:Tuners; 安装风格:SMD/SMT; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电压:1 V to 24 V; 最小频率:700 MHz; 最大频率:2.7 GHz; 类型:PTIC; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
调谐器 WLCSP6 3.3PF HIGH Q PTIC |
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TCP-5056UB-DT |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:Tuners; 安装风格:SMD/SMT; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:WLCSP-6; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电压:1 V to 24 V; 最小频率:700 MHz; 最大频率:2.7 GHz; 类型:PTIC; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
调谐器 WLCSP6 5.6PF HIGH Q PTIC |
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AT0603C08ECAC7 |
American Technical Ceramics (ATC) |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:Attenuators; 安装风格:SMD/SMT; 商标:American Technical Ceramics (ATC); 系列:AT; 功率额定值:750 mW; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:Si; 最大 VSWR:1.25:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:-; 最大频率:20 GHz; 最大衰减:8 dB; 封装 / 箱体:0603 (1608 metric); RoHS:Y; 制造商:American Technical Ceramics (ATC); |
衰减器 8db 1W 0603 DC to 20GHz |
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AT0603T06ECAC7 |
American Technical Ceramics (ATC) |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:Attenuators; 最小频率:DC; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:-; 商标:American Technical Ceramics (ATC); 类型:RF/Microwave Attenuator; 容差:0.75 dB; 系列:AT; 功率额定值:1 W; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:Si; 衰减器步长:-; 最大 VSWR:1.25:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:-; 位数:-; 最大频率:20 GHz; 最大衰减:6 dB; 封装 / 箱体:0603 (1608 metric); RoHS:Y; 制造商:American Technical Ceramics (ATC); |
衰减器 6db 1W 0603 DC to 20 GHz |
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AT0603T04ECAC7 |
American Technical Ceramics (ATC) |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:Attenuators; 安装风格:SMD/SMT; 商标:American Technical Ceramics (ATC); 系列:AT; 功率额定值:1 W; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:Si; 最大 VSWR:-; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:-; 最大频率:20 GHz; 最大衰减:4 dB; 封装 / 箱体:0603 (1608 metric); RoHS:Y; 制造商:American Technical Ceramics (ATC); |
衰减器 4db 1W 0603 DC to 20GHz |
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AT0603C07ECAC7 |
American Technical Ceramics (ATC) |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:Attenuators; 安装风格:SMD/SMT; 商标:American Technical Ceramics (ATC); 系列:AT; 功率额定值:750 mW; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:Si; 最大 VSWR:1.25:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:-; 最大频率:20 GHz; 最大衰减:7 dB; 封装 / 箱体:0603 (1608 metric); RoHS:Y; 制造商:American Technical Ceramics (ATC); |
衰减器 7db 1W 0603 DC to 20GHz |
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AT0603C09ECAC7 |
American Technical Ceramics (ATC) |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:Attenuators; 安装风格:SMD/SMT; 商标:American Technical Ceramics (ATC); 系列:AT; 功率额定值:750 mW; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:Si; 最大 VSWR:1.25:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:-; 最大频率:20 GHz; 最大衰减:9 dB; 封装 / 箱体:0603 (1608 metric); RoHS:Y; 制造商:American Technical Ceramics (ATC); |
衰减器 9db 1W 0603 DC to 20GHz |
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AT0603T05ECAC7 |
American Technical Ceramics (ATC) |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:Attenuators; 安装风格:SMD/SMT; 商标:American Technical Ceramics (ATC); 系列:AT; 功率额定值:1 W; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:Si; 最大 VSWR:-; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:-; 最大频率:20 GHz; 最大衰减:5 dB; 封装 / 箱体:0603 (1608 metric); RoHS:Y; 制造商:American Technical Ceramics (ATC); |
衰减器 5db 1W 0603 DC to 20GHz |
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DK0065 |
American Technical Ceramics (ATC) |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:Attenuators; 安装风格:SMD/SMT; 商标:American Technical Ceramics (ATC); 类型:Attenuator Kits; 系列:AT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:Si; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:20 GHz; 最大衰减:10 dB; RoHS:Y; 制造商:American Technical Ceramics (ATC); |
衰减器 Attentuator Kit 0603 6 Values 0-10dB x10 |
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TGA2227-SM |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:25; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 商标:Qorvo; 封装:Waffle; 系列:TGA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:8 V; 技术:GaN; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:4 mm x 4 mm X 1.7 mm; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 2-22GHz NF 2dB GaN P1dB>22dBm Gain>15dB |
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TGA2611-SM |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:6 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:10 dB; 商标:Qorvo; 产品:GaN; 封装:Waffle; 系列:TGA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:100 mA; NF—噪声系数:1 dB; 工作电源电压:10 V; 增益:22 dB; P1dB - 压缩点:18 dBm; 工作频率:2 GHz to 6 GHz; 技术:GaN SiC; 类型:C-Band Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-EP-20; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 2-6GHz NF 1 dB P1dB 18 dBm |
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TGA2701-SM |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:18.5 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:- 10 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 频率范围:5.9 GHz to 8.5 GHz; 封装:Waffle; 系列:TGA; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; 工作电源电流:1 A; OIP3 - 三阶截点:35 dBm; NF—噪声系数:7.5 dB; 工作电源电压:6 V; 增益:18 dB; P1dB - 压缩点:34 dBm; 工作频率:8.5 GHz; 技术:Si; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-EP-28; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 5.9-8.5GHz Gain 18dB Pwr 35dBm NF 7.5dB |
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QPA2237 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:19 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:9 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Waffle; 系列:QPA; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:360 mA; OIP3 - 三阶截点:-; 测试频率:2 GHz; NF—噪声系数:-; 工作电源电压:32 V; 增益:18.5 dB; P1dB - 压缩点:-; 工作频率:30 MHz to 2.5 GHz; 技术:GaN SiC; 类型:Wideband Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-20; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 .03-2.5GHz 10W PAE >48% SSG >18.5dB |
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CGH40045F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 典型关闭延迟时间:-; 子类别:Transistors; 标准包装数量:120; 上升时间:-; Rds On-漏源导通电阻:-; 产品类型:RF JFET Transistors; P1dB - 压缩点:-; NF—噪声系数:-; 下降时间:-; 开发套件:CGH40045F-TB; 类:-; 闸/源截止电压:-; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:5.97 mm; 产品:GaN HEMT; 工作温度范围:-; 工作频率:2 GHz to 4 GHz; 长度:20.45 mm; 高度:4.19 mm; 配置:Single; 应用:-; 封装:Tray; 封装 / 箱体:440193; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:55 W; Id-连续漏极电流:6 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:14 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt |
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MRF6VP11KHR5 |
NXP |
无线和射频半导体 |
Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 通道模式:Enhancement; 商标:NXP Semiconductors; 宽度:10.29 mm; 类型:RF Power MOSFET; 系列:MRF6VP11KH; 长度:41.28 mm; 高度:5.08 mm; 配置:Dual Common Source; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:NI-1230; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Vds-漏源极击穿电压:110 V; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 130MHZ 1000W NI1230 |
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MRFE6VP8600HR5 |
NXP |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:2.07 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:1.52 kW; 正向跨导 - 最小值:15.6 S; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 系列:MRFE6VP8600H; 工作频率:470 MHz to 860 MHz; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:NI-1230; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:600 W; 增益:18.8 dB; Vds-漏源极击穿电压:140 V; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V |
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HMC659LC5 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:3.3 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:20 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 频率范围:DC to 15 GHz; 封装:Cut Tape; 系列:HMC659G; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:300 mA; OIP3 - 三阶截点:35 dBm; NF—噪声系数:3.5 dB; 工作电源电压:8 V; 增益:19 dB; P1dB - 压缩点:27.5 dBm; 工作频率:15 GHz; 技术:GaAs; 类型:RF Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 pow amp SMT, DC - 15 GHz |
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UXN40M7K |
Microchip |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:Prescaler; 工作电源电压:3.3 V; 工作电源电流:230 mA; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Microchip / Microsemi; 技术:Si; 封装 / 箱体:QFN-24; 输出功率:2 dBm; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 最小工作频率:0.5 GHz; 最大工作频率:50 GHz; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
预定标器 0.5-40GHz 1-127 Prog +2dBm -153dBc/Hz |
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PFD1K |
Microchip |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Detector; Pd-功率耗散:1320 mW; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:PRD1KE; 商标:Microchip / Microsemi; 封装:Bulk; 封装 / 箱体:QFN-40; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 技术:Si; 工作电源电压:3.3 V; 频率范围:0.01 GHz to 40 GHz; 类型:Frequency Detector IC; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
射频检测器 Dual 40GHz 0.4Vp-p -153dBc/Hz PD 1.32W |
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MAAP-010168-000000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; 商标:MACOM; 频率范围:0.5 GHz to 3 GHz; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:3.5 A; 测试频率:3 GHz; 工作电源电压:10 V; 增益:24 dB; P1dB - 压缩点:39 dBm; 工作频率:3 GHz; 技术:GaAs; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:CFlange-10; 制造商:MACOM; |
射频放大器 500-3000MHz 50 ohm Gain 24dB 12 Watt |
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2085-6013-13 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Detector; 商标:MACOM; 系列:2085; 封装:Bulk; 技术:Si; 制造商:MACOM; |
射频检测器 .85-6GHz 18pF VSWR 3:2 |
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MRF151G |
Advanced Semiconductor, Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:MOSFETs; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Power MOSFET; 封装:Tray; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor |
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BLF278 |
Advanced Semiconductor, Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:MOSFETs; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 封装:Tray; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor |
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MAX2659ELT+T |
Maxim Integrated |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.6 V; 电源电压-最大:3.3 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:167 mW; 开发套件:MAX2659EVKIT+; 通道数量:1 Channel; 商标:Maxim Integrated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MAX2659; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:4.1 mA; OIP3 - 三阶截点:- 5 dBm; 测试频率:1.575 GHz; NF—噪声系数:0.8 dB; 工作电源电压:2.85 V; 增益:20.5 dB; P1dB - 压缩点:- 12 dBm; 工作频率:1 GHz to 2 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:UDFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
射频放大器 GPS/GNSS Low-Noise Amplifier |
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MASW-007107-TR3000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
电源电压-最大:8.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:1 uA; 最小工作温度:- 40 C; 运行时间—最大值:35 ns; 空闲时间—最大值:35 ns; 商标:MACOM; 技术:Si; 系列:MASW; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:PDFN-8; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:20 dB; 介入损耗:0.75 dB; 工作频率:8 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; 制造商:MACOM; |
RF 开关 IC DC-8.0GHz ISO 29dB IL .5dB @2.0-6.0GHz |
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SI4464-B1B-FMR |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EZRadioPRO; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Transceiver; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:SI4464; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-20; 接口类型:SPI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:20 dBm; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 调制格式:ASK, FSK, GFSK, GMSK, MSK, OOK; 最大数据速率:1 Mb/s; 频率范围:119 MHz to 1050 MHz; 类型:Sub-GHz; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
射频收发器 +20 dBm sub-GHz transmitter |
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nRF24L01P-R7 |
Nordic Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1500; 产品类型:RF Transceiver; 湿度敏感性:Yes; 电源电流—最大值:12.3 mA; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Nordic Semiconductor; 技术:Si; 系列:nRF24L; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-20; 接口类型:SPI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:0 dBm; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.9 V; 调制格式:GFSK; 最大数据速率:2 Mb/s; 频率范围:2.4 GHz; 类型:ISM; RoHS:Y; 制造商:Nordic Semiconductor; |
射频收发器 SNGL-CHP ULTR-LW POW 2.4GHz TRNSCVR |
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LTC5507ES6#TRMPBF |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Detector; 商标:Analog Devices / Linear Technology; 系列:LTC5507; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOT-6; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 技术:Si; 最大二极管电容:33 pF; 工作电源电压:2.7 V to 6 V; 配置:Single; 动态范围 dB:48 dB; 频率范围:100 kHz to 1 GHz; 类型:RF Power Detector; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频检测器 RF Power Detectors |
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SKY13290-313LF |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:2.7 V to 10 V; 运行时间—最大值:800 ns; 空闲时间—最大值:800 ns; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY13290; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:18 dB; 介入损耗:0.55 dB; 工作频率:2.5 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
RF 开关 IC .02-2.5GHz SPDT 10W IL .4dB Iso 26dB |
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MA4P7102F-1072T |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1500; 产品类型:PIN Diodes; Pd-功率耗散:11.5 W; Ir - 反向电流 :1 uA; 载流子寿命:2.5 us; 商标:MACOM; 类型:Pin Diode; 端接类型:SMD/SMT; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:ODS-1072; 最大工作频率:1.5 GHz; 最小工作频率:100 kHz; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Vf - 正向电压:1 V; If - 正向电流:100 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:500 mOhms; 最大二极管电容:1 pF; Vr - 反向电压 :200 V; 制造商:MACOM; |
PIN 二极管 .1-1500MHz .7pF Min Vr 200Vdc |
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TRF7970ARHBR |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RFID Transponders; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:TRF7970AEVM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:TRF7970A; 工作温度范围:- 40 C to + 110 C; 功能:Integrated analog front end and data-framing device; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VQFN-32; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 110 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:127 B; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
RFID应答器 Fully Int 13.56MHz RFID/NFC Xcvr |
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CC2541F256TRHARQ1 |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
商标名:SimpleLink; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC2541-Q1; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 封装 / 箱体:VQFN-40; 工作温度范围:- 40 C to + 105 C; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
RF片上系统 - SoC RF Bluetooth SMART SOC auto qual BLE |
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CC1310F128RGZR |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
商标名:SimpleLink; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:CC1310; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:CC1310DK; 输入/输出端数量:30 I/O; 接口类型:I2C, I2S, SSI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC1310; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-48; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:20 kB; 程序存储器大小:128 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU |
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ADF4360-7BCPZRL7 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1500; 产品类型:PLLs - Phase Locked Loops; 工作电源电压:3.3 V; 工作电源电流:10 mA; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:EV-ADF4360-7EB1Z; 商标:Analog Devices; 宽度:4 mm; 系列:ADF4360-7; 长度:4 mm; 高度:0.83 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LFCSP-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 输出频率范围:350 MHz to 1800 MHz; 最小输入频率:10 MHz; 最大输入频率:250 MHz; 电路数量:1; 类型:Synthesizer/VCO Integer-N; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
锁相环 - PLL External L for Lower Frequencies |
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PE43711B-Z |
pSemi |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:5.5 V; 最小频率:9 kHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:2.4 dB; 商标:pSemi; 类型:Digital Step Attenuator; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 衰减器步长:1 dB; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:7 bit; 最大频率:6 GHz; 最大衰减:31.75 dB; 封装 / 箱体:QFN-24; RoHS:Y; 制造商:pSemi; |
衰减器 50? 7Bit 31.75dB 0.25dB, 0.5dB, 1.0dB Steps Digital Attenuator, w/o ext. Vss |
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PE42540F-Z |
pSemi |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 湿度敏感性:Yes; 商标:pSemi; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:pSemi; |
RF 开关 IC SP4T, High Iso, Absorptive, 50? Instrumentation Switch |
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SX1276IMLTRT |
Semtech |
无线和射频半导体 |
商标名:LoRa; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:1; 接收机数量:1; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Semtech; 技术:Si; 灵敏度:- 111 dBm to - 148 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-EP-28; 接口类型:SPI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:- 1 dBm to + 20 dBm; 传输供电电流:120 mA; 接收供电电流:12 mA; 电源电压-最大:3.7 V; 电源电压-最小:1.8 V; 调制格式:FSK, GFSK, GMSK, MSK, LoRa, OOK; 最大数据速率:300 kb/s; 频率范围:137 MHz to 1.02 GHz; 类型:ISM; RoHS:Y; 制造商:Semtech; |
射频收发器 SINGLE CHIP 3 BANDS TRANCEIVER |
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AD8361ARMZ-REEL7 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Detector; Pd-功率耗散:200 mW; 开发套件:AD8361-EVALZ; 商标:Analog Devices; 宽度:3 mm; 系列:AD8361; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 技术:Si; 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V; 配置:Single; 动态范围 dB:30 dB; 频率范围:100 MHz to 2500 MHz; 类型:RMS Power Detector; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频检测器 minSO DC-2.5GHz True Pwr Detector/Cntrlr |
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ADF4350BCPZ-RL7 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1500; 产品类型:PLLs - Phase Locked Loops; 工作电源电压:3.3 V; 工作电源电流:110 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 宽度:5 mm; 系列:ADF4350; 长度:5 mm; 高度:0.83 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LFCSP-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 输出频率范围:135 MHz to 4350 MHz; 最小输入频率:137.5 MHz; 最大输入频率:4.4 GHz; 电路数量:1; 类型:Synthesizer/VCO Integer-N; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
锁相环 - PLL F-N with high performance integrated VCO |
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DK0066 |
American Technical Ceramics (ATC) |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:Attenuators; 安装风格:SMD/SMT; 商标:American Technical Ceramics (ATC); 类型:Attenuator Kits; 系列:AT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:Si; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:20 GHz; 最大衰减:10 dB; RoHS:Y; 制造商:American Technical Ceramics (ATC); |
衰减器 Attenuator Kit 0603 11 Values 0-10dBx10 |
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AF0603C07ECAC7 |
AVX |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:Attenuators; 安装风格:SMD/SMT; 商标:AVX; 类型:RF/Microwave Attenuator; 系列:AF; 功率额定值:1 W; 封装:Waffle; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:Si; 最大 VSWR:1.25:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:20 GHz; 最大衰减:10 dB; 封装 / 箱体:0603; RoHS:Y; 制造商:AVX; |
衰减器 0603 7dB |
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