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分立半导体
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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
SISS22DN-T1-GE3 分立半导体 SISS22DN-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:20 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:50 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET; 系列:SIS; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.7 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:44 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:4 mOhms; Id-连续漏极电流:90.6 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8S; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
STGP15M120F3 分立半导体 STGP15M120F3 STMicroelectronics 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:1000; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:250 nA; 商标:STMicroelectronics; 集电极最大连续电流 Ic:15 A; 系列:STGP15M120F3; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:259 W; 在25 C的连续集电极电流:30 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:1.85 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-220-3; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; IGBT 晶体管 Trench gate field-stop, 1200 V, 15 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 package
FFSB10120A-F085 分立半导体 FFSB10120A-F085 ON Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:283 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:90 A; Vf - 正向电压:1.45 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:21 A; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 1200V 10A AUTO SIC SBD
GB2X50MPS17-227 分立半导体 GB2X50MPS17-227 GeneSiC Semiconductor 分立半导体 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:10; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:1154 W; Ifsm - 正向浪涌电流:540 A; If - 正向电流:100 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:SiC; 配置:Dual; 封装:Tube; 系列:SiC Schottky MPS; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:SOT-227; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :1700 V; Vf - 正向电压:1.5 V; 类型:Silicon Carbide Schottky Diode Module; 产品:Schottky Diode Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor; 分立半导体模块 1700V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
SIJ186DP-T1-GE3 分立半导体 SIJ186DP-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:14 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:22 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9 ns; 正向跨导 - 最小值:54 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET; 系列:SIJ; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:57 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:24.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:4.5 mOhms; Id-连续漏极电流:79.4 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
RB088BGE150TL 分立半导体 RB088BGE150TL ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :150 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :15 uA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.78 V; Vrrm - 重复反向电压:150 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 150V Vr; 10A Io TO-252 SBD
SISS73DN-T1-GE3 分立半导体 SISS73DN-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:18 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:8 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:14.6 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:125 mOhms; Id-连续漏极电流:16.2 A; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; MOSFET P-Channel 150 V (D-S) MOSFET
SIR622DP-T1-RE3 分立半导体 SIR622DP-T1-RE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:13 ns; 典型关闭延迟时间:18 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:33 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SIR; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:ThunderFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:104 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:41 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:17.7 mOhms; Id-连续漏极电流:51.6 A; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 150V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8
IAUC70N08S5N074ATMA1 分立半导体 IAUC70N08S5N074ATMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:4.7 ns; 典型关闭延迟时间:7 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:1.2 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5.8 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:IAUC70N08; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:83 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:30 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:10.6 mOhms; Id-连续漏极电流:70 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TDSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET MOSFET_(75V 120V(
SIHD240N60E-GE3 分立半导体 SIHD240N60E-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:26 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:14 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14 ns; 正向跨导 - 最小值:4 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:E; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:78 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:23 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:240 mOhms; Id-连续漏极电流:12 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs DPAK (TO-252)
SIHA180N60E-GE3 分立半导体 SIHA180N60E-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:14 ns; 典型关闭延迟时间:22 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 上升时间:49 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:23 ns; 正向跨导 - 最小值:5.3 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel E-Series Power MOSFET; 系列:E; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:33 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:33 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:180 mOhms; Id-连续漏极电流:19 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
SCS306AMC 分立半导体 SCS306AMC ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; trr - 反向恢复时间 :15 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:30 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:SCS3x; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.018 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:47 A; Vf - 正向电压:1.35 V at 6 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:TO-220FM-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SIC SBD 650V 6A 30W TO-220FM
SCS310AJTLL 分立半导体 SCS310AJTLL ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; trr - 反向恢复时间 :15 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:75 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SCS3x; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.03 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:82 A; Vf - 正向电压:1.35 V at 10 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-263AB-4; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SIC SBD 650V 10A 75W TO-263AB (LPTL)
STPSC20H12CWY 分立半导体 STPSC20H12CWY STMicroelectronics 分立半导体 Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:600; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 系列:STPSC20H12CWY; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :5 uA; 技术:SiC; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:71 A; Vf - 正向电压:1.35 V at 10 A; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
IXTT240N15X4HV 分立半导体 IXTT240N15X4HV IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:30 ns; 典型关闭延迟时间:92 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:7 ns; 商标:IXYS; 系列:X4-Class; 配置:Single; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:940 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:195 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:4.4 mOhms; Id-连续漏极电流:240 A; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-268-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
BSM600C12P3G201 分立半导体 BSM600C12P3G201 ROHM Semiconductor 分立半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:2.7 V; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 典型接通延迟时间:70 ns; 典型关闭延迟时间:240 ns; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:4; 上升时间:50 ns; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:2460 W; Id-连续漏极电流:576 A; 下降时间:65 ns; 典型延迟时间:70 ns; 晶体管极性:N-Channel; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:SiC; 配置:Chopper; 封装:Tray; 系列:BSMx; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 封装 / 箱体:Module; 安装风格:Screw Mount; Vgs - 栅极-源极电压:- 4 V, 22 V; Vf - 正向电压:1.8 V at 600 A; 类型:SiC Power Module; 产品:Power Semiconductor Modules; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 分立半导体模块 1200V Vdss; 576A ID SiC Mod; SICSTD02
MBRH240100R 分立半导体 MBRH240100R GeneSiC Semiconductor 分立半导体 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:50; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Ifsm - 正向浪涌电流:3300 A; If - 正向电流:240 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 工作温度范围:- 40 C to + 175 C; 配置:Single; 封装:Bulk; 系列:MBRH240; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:Three Tower; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :100 V; Vf - 正向电压:0.84 V; 类型:Schottky Rectifier Module; 产品:Schottky Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor; 分立半导体模块 100V 240A Three Tower Silicon Schottky Rectifier Module
MBRH240100 分立半导体 MBRH240100 GeneSiC Semiconductor 分立半导体 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:50; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Ifsm - 正向浪涌电流:3300 A; If - 正向电流:240 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 工作温度范围:- 40 C to + 175 C; 配置:Single; 封装:Bulk; 系列:MBRH240; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:Three Tower; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :100 V; Vf - 正向电压:0.84 V; 类型:Schottky Rectifier Module; 产品:Schottky Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor; 分立半导体模块 100V 240A Three Tower Silicon Schottky Rectifier Module
SISH108DN-T1-GE3 分立半导体 SISH108DN-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:60 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:88 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:3.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:30 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:16 V; Rds On-漏源导通电阻:4.9 mOhms; Id-连续漏极电流:22 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 20V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8SH
SIS128LDN-T1-GE3 分立半导体 SIS128LDN-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:20 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:39 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:20 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:20.3 mOhms; Id-连续漏极电流:33.7 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET N-Channel 80 V (D-S) MOSFET
RBR10BM60AFHTL 分立半导体 RBR10BM60AFHTL ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.65 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 60V Vr 10A Io SBD TO-252(DPAK) 5A IF
SISHA10DN-T1-GE3 分立半导体 SISHA10DN-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:27 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:52 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:39 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:34 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:3.7 mOhms; Id-连续漏极电流:30 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; MOSFET N-CH 30-V (D-S) FAST SWITCHING
RBQ15BM45AFHTL 分立半导体 RBQ15BM45AFHTL ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :45 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :30 uA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.51 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 45V Vr 15A Io SBD TO-252(DPAK) 7.5A IF
RBR20BM60AFHTL 分立半导体 RBR20BM60AFHTL ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :600 uA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.59 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 60V Vr 20A Io SBD TO-252(DPAK) 5A IF
RB095BM-30FHTL 分立半导体 RB095BM-30FHTL ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.2 mA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.425 V; Vrrm - 重复反向电压:35 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 30V Vr 6A Io SBD TO-252(DPAK) 3A IF
STPSC8H065BY-TR 分立半导体 STPSC8H065BY-TR STMicroelectronics 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:STPSC8H065BY; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :7 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:75 A; Vf - 正向电压:1.45 V at 8 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:8 A; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
STPSC10H065BY-TR 分立半导体 STPSC10H065BY-TR STMicroelectronics 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:STPSC10H065BY-TR; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :9 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:90 A; Vf - 正向电压:1.45 V at 10 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
IHW30N135R5XKSA1 分立半导体 IHW30N135R5XKSA1 Infineon 分立半导体 商标名:TRENCHSTOPââ??¢; 子类别:IGBTs; 标准包装数量:240; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:100 uA; 商标:Infineon Technologies; 集电极最大连续电流 Ic:60 A; 封装:Tube; 系列:RC-H5; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:330 W; 在25 C的连续集电极电流:60 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:1.65 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:1350 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-3; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; IGBT 晶体管 HOME APPLIANCES 14
2SCR562F3TR 分立半导体 2SCR562F3TR ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:200; 集电极连续电流:6 A; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:500; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:270 MHz; Pd-功率耗散:2.1 W; 最大直流电集电极电流:7 A; 集电极—射极饱和电压:100 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:DFN2020-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V 6A 1W DFN2020-3S
SISH407DN-T1-GE3 分立半导体 SISH407DN-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:23 ns; 典型关闭延迟时间:92 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:28 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:38 ns; 正向跨导 - 最小值:60 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:33 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:93.8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 1 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:9.5 mOhms; Id-连续漏极电流:- 25 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8SH-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET -20V Vds; +/-8V Vgs PowerPAK 1212-8SH
RB095BGE-30TL 分立半导体 RB095BGE-30TL ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :0.2 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.425 V; Vrrm - 重复反向电压:35 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 30V Vr; 6A Io TO-252 SBD
STGWA40IH65DF 分立半导体 STGWA40IH65DF STMicroelectronics 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:600; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:250 nA; 商标:STMicroelectronics; 集电极最大连续电流 Ic:80 A; 系列:STGWA40IH65DF; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:238 W; 在25 C的连续集电极电流:80 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:1.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-3; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; IGBT 晶体管 Trench gate field-stop 650 V, 40 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 long leads package
SIHH120N60E-T1-GE3 分立半导体 SIHH120N60E-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:25 ns; 典型关闭延迟时间:38 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:47 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:29 ns; 正向跨导 - 最小值:6.9 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:E; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:156 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:44 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:120 mOhms; Id-连续漏极电流:24 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK 8x8
IDWD15G120C5XKSA1 分立半导体 IDWD15G120C5XKSA1 Infineon 分立半导体 Vr - 反向电压 :1.2 kV; trr - 反向恢复时间 :-; 商标名:CoolSiC; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:240; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:200 W; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tube; 系列:IDWD15G120C5; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :8 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:170 A; Vf - 正向电压:1.4 V; Vrrm - 重复反向电压:1.2 kV; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Infineon; 肖特基二极管与整流器 SIC DISCRETE
BSM400C12P3G202 分立半导体 BSM400C12P3G202 ROHM Semiconductor 分立半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:2.7 V; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 典型接通延迟时间:55 ns; 典型关闭延迟时间:180 ns; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:4; 上升时间:40 ns; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:1570 W; Id-连续漏极电流:358 A; 下降时间:45 ns; 典型延迟时间:55 ns; 晶体管极性:N-Channel; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:SiC; 配置:Chopper; 封装:Tray; 系列:BSMx; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 封装 / 箱体:Module; 安装风格:Screw Mount; Vgs - 栅极-源极电压:- 4 V, 22 V; Vf - 正向电压:1.7 V at 400 A; 类型:SiC Power Module; 产品:Power Semiconductor Modules; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 分立半导体模块 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02
SIHD2N80AE-GE3 分立半导体 SIHD2N80AE-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:13 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:23 ns; 商标:Vishay / Siliconix; 系列:E; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:62.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:2.5 Ohms; Id-连续漏极电流:2.9 A; Vds-漏源极击穿电压:800 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET Nch 800V Vds 30V Vgs TO-252 (DPAK)
STTH30RQ06G2Y-TR 分立半导体 STTH30RQ06G2Y-TR STMicroelectronics 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:STTH30RQ06-Y; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; 恢复时间:30 ns; Ir - 反向电流 :40 uA; 最大浪涌电流:180 A; Vf - 正向电压:2.95 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:30 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:D2PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
SISS66DN-T1-GE3 分立半导体 SISS66DN-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:18 ns; 典型关闭延迟时间:35 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8 ns; 正向跨导 - 最小值:84 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:57 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.38 mOhms; Id-连续漏极电流:178.3 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SIJ188DP-T1-GE3 分立半导体 SIJ188DP-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:13 ns; 典型关闭延迟时间:22 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:41 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SIJ; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.7 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:44 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:3.85 mOhms; Id-连续漏极电流:92.4 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8L
SIR826BDP-T1-RE3 分立半导体 SIR826BDP-T1-RE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:14 ns; 典型关闭延迟时间:25 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8 ns; 正向跨导 - 最小值:65 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET; 系列:SIR; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:83 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:69 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:5.1 mOhms; Id-连续漏极电流:80.8 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SIR608DP-T1-RE3 分立半导体 SIR608DP-T1-RE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:19 ns; 典型关闭延迟时间:50 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8 ns; 正向跨导 - 最小值:120 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:E; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:104 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:167 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V, - 16 V; Rds On-漏源导通电阻:1.2 mOhms; Id-连续漏极电流:208 A; Vds-漏源极击穿电压:45 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
SIHJ240N60E-T1-GE3 分立半导体 SIHJ240N60E-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:26 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:14 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14 ns; 正向跨导 - 最小值:4 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:E; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:89 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:23 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:240 mOhms; Id-连续漏极电流:12 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK SO-8L
SIHD180N60E-GE3 分立半导体 SIHD180N60E-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:23 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:22 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9 ns; 正向跨导 - 最小值:6.5 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:E; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:156 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:32 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:195 mOhms; Id-连续漏极电流:19 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 650V Vds; 30V Vgs DPAK (TO-252)
IPT60R040S7XTMA1 分立半导体 IPT60R040S7XTMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:23 ns; 典型关闭延迟时间:120 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:245 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:83 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms; Id-连续漏极电流:13 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:HSOF-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET HIGH POWER_NEW
STWA75N60DM6 分立半导体 STWA75N60DM6 STMicroelectronics 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:600; 产品类型:MOSFET; 商标:STMicroelectronics; 系列:STWA75N60DM6; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:446 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:117 nC; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:36 mOhms; Id-连续漏极电流:72 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
IPW60R024CFD7XKSA1 分立半导体 IPW60R024CFD7XKSA1 Infineon 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 系列:IPW60R024CFD7; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:320 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:183 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:77 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET HIGH POWER_NEW
2SAR562F3TR 分立半导体 2SAR562F3TR ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:200; 集电极连续电流:- 6 A; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:500; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:180 MHz; Pd-功率耗散:2.1 W; 最大直流电集电极电流:- 7 A; 集电极—射极饱和电压:- 150 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 30 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:DFN2020-3S; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -6A Ic -30V Vceo HUML2020L3
RB098BM-40FHTL 分立半导体 RB098BM-40FHTL ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1.5 uA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.77 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 40V Vr 6A Io SBD TO-252(DPAK) 3A IF
RB098BM-30FHTL 分立半导体 RB098BM-30FHTL ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1.5 uA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.72 V; Vrrm - 重复反向电压:35 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 30V Vr 6A Io SBD TO-252(DPAK) 3A IF
EFC4K110NUZTDG 分立半导体 EFC4K110NUZTDG ON Semiconductor 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:49 nC; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:2.95 mOhms; Id-连续漏极电流:25 A; Vds-漏源极击穿电压:24 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:WLCSP-10; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET Dual NCH 24V 25A
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