| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
 |
RB088BM-60FHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :3 uA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.83 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 60V Vr 10A Io SBD TO-252(DPAK) 5A IF |
 |
RBQ15BM65AFHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :65 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :30 uA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.56 V; Vrrm - 重复反向电压:65 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 65V Vr 15A Io SBD TO-252(DPAK) 7.5A IF |
 |
SIZF300DT-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:17 ns, 25 ns; 典型关闭延迟时间:23 ns, 30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:40 ns, 53 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7 ns, 12 ns; 正向跨导 - 最小值:60 S, 90 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:SIZ; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:74 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:22 nC, 62 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V, 1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, 20 V, - 12 V, 16 V; Rds On-漏源导通电阻:4.5 mOhms, 1.84 mOhms; Id-连续漏极电流:75 A, 141 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAIR3x3-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 30V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAIR F 3.3x3.3 |
 |
2SCR572D3FRATL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:2500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:200; 集电极连续电流:5 A; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:500; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:300 MHz; Pd-功率耗散:10 W; 最大直流电集电极电流:10 A; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V 5A 10W TO-252(DPAK) |
 |
SQJA78EP-T1_GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:16 ns; 典型关闭延迟时间:29 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7 ns; 正向跨导 - 最小值:51 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SQ; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:68 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:62 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:9.7 mOhms; Id-连续漏极电流:72 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET |
 |
SIHU4N80AE-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:26 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:75; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:20 ns; 正向跨导 - 最小值:1.5 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:E; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:69 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:32 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:1.27 Ohms; Id-连续漏极电流:4.3 A; Vds-漏源极击穿电压:800 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-251-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET Nch 800V Vds 30V Vgs TO-251 |
 |
FDMS007N08LC |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:ON Semiconductor; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:46 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:14 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PQFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET PTNG 80/20V IN 5X6 |
 |
PMPB24EPX |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:3 ns; 典型关闭延迟时间:28 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14 ns; 正向跨导 - 最小值:24 S; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:28 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms; Id-连续漏极电流:- 9.5 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:DFN-2020-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET 30V P-CH TRENCHMOS |
 |
VSS8D2M6-M3/H |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:VSS8D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.2 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:60 A; Vf - 正向电压:0.54 V at 2 A; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-221AD-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 2A, 60V, SLIMSMAW TRENCH SKY RECT. |
|
VSS8D2M15HM3/H |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :150 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VSS8D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.15 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:1 V at 2 A; Vrrm - 重复反向电压:150 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-221AD-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 2A, 150V, SLIMSMAW TRENCH SKY RECT. |
|
VSS8D3M15-M3/H |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :150 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:VSS8D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.18 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:60 A; Vf - 正向电压:1.04 V at 3 A; Vrrm - 重复反向电压:150 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:DO-221AD-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 3A, 150V, SLIMSMAW TRENCH SKY RECT. |
 |
RABF28-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :560 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 高度:1.25 mm; 宽度:4.6 mm; 长度:5.3 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 最大浪涌电流:60 A; Vf - 正向电压:1.3 V; 峰值反向电压:800 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SOPA-4; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
桥式整流器 Bridge Rectifier ABF |
 |
DMN4035LQ-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:3.1 ns; 典型关闭延迟时间:15 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:2.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5.5 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.4 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:12.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:52 mOhms; Id-连续漏极电流:4.6 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V |
|
RABF24-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :280 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 高度:1.25 mm; 宽度:4.6 mm; 长度:5.3 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 最大浪涌电流:60 A; Vf - 正向电压:1.3 V; 峰值反向电压:400 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SOPA-4; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
桥式整流器 Bridge Rectifier ABF |
|
RABF26-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :420 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 高度:1.25 mm; 宽度:4.6 mm; 长度:5.3 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 最大浪涌电流:60 A; Vf - 正向电压:1.3 V; 峰值反向电压:600 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SOPA-4; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
桥式整流器 Bridge Rectifier ABF |
|
VSS8D3M10-M3/H |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :100 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:VSS8D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.2 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:60 A; Vf - 正向电压:0.67 V at 3 A; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:DO-221AD-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 3A, 100V, SLIMSMAW TRENCH SKY RECT. |
 |
DMT6013LSS-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:4.3 ns; 典型关闭延迟时间:15.8 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:6.5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6.1 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:10.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:15 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:15 mOhms; Id-连续漏极电流:10 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:U-DFN2020-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS 41V-60V |
 |
RB160MM-50TFTR |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :5 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:0.45 V; Vrrm - 重复反向电压:50 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 40V VR 1A 0.51V VF PMDU; SOD-123FL |
 |
SBRT3U60SAF-13-01 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:40 A; Vf - 正向电压:0.45 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:SMAF-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
肖特基二极管与整流器 Super Barrier Rectifier |
 |
RDBF152U-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 高度:1.5 mm; 宽度:6.85 mm; 长度:8.9 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 最大浪涌电流:70 A; Vf - 正向电压:1.3 V; 峰值反向电压:200 V; If - 正向电流:1.5 A; 封装 / 箱体:DBF-4; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
桥式整流器 Bridge Rectifier |
 |
ZXPD4000DH-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Darlington Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:2000; 集电极连续电流:2 A; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:V-DFN3030-8; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:0.9 W; 最大集电极截止电流:10 uA; 最大直流电集电极电流:2 A; 集电极—基极电压 VCBO:120 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:8 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:120 V; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
达林顿晶体管 Printer Head Driver |
|
VSS8D3M12HM3/H |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :120 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VSS8D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.3 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:60 A; Vf - 正向电压:0.75 V at 3 A; Vrrm - 重复反向电压:120 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:DO-221AD-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 3A, 120V, SLIMSMAW TRENCH SKY RECT. |
|
VSS8D3M10HM3/H |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :100 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VSS8D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.2 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:60 A; Vf - 正向电压:0.67 V at 3 A; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:DO-221AD-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 3A, 100V, SLIMSMAW TRENCH SKY RECT. |
|
DMN2009USS-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:4.2 ns; 典型关闭延迟时间:25 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:6.2 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:34 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:12 mOhms; Id-连续漏极电流:12.1 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V |
|
VSS8D5M6-M3/H |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:VSS8D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.35 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:60 A; Vf - 正向电压:0.58 V at 5 A; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:5 A; 封装 / 箱体:DO-221AD-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 5A, 60V, SLIMSMAW TRENCH SKY RECT. |
 |
NSVS50030SB3T1G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:200; 集电极连续电流:- 3 A; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:560; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:360 MHz; 集电极—射极饱和电压:- 185 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:CPH-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 3A 50V FOR AUTO |
 |
VS-15CTQ035-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :35 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.8 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:810 A; Vf - 正向电压:0.55 V; Vrrm - 重复反向电压:35 V; If - 正向电流:7.5 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 35V 2 x 7.5A IF C.A. TO-220AB |
 |
STD110N02RT4G-VF01 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:11 ns; 典型关闭延迟时间:27 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:39 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:21 ns; 商标:ON Semiconductor; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:110 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:28 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:4.1 mOhms; Id-连续漏极电流:110 A; Vds-漏源极击穿电压:24 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET NFET DPAK 24V SPCL |
 |
DMHT3006LFJ-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:7.4 ns; 典型关闭延迟时间:16 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:54 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:4.3 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:4 N-Channel; 配置:Quad; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2.1 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:17 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:10 mOhms; Id-连续漏极电流:13 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:V-DFN5045-12; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
 |
VS-12TQ035-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :35 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1.75 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:990 A; Vf - 正向电压:0.56 V; Vrrm - 重复反向电压:35 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:TO-220AC-2L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 35V 15A IF Single TO-220AC |
|
VS-MBR1535CT-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :35 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.1 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:690 A; Vf - 正向电压:0.57 V; Vrrm - 重复反向电压:35 V; If - 正向电流:7.5 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 35V 2 x 7.5A IF C.A. TO-220AB |
|
VS-10TQ040-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :2 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1050 A; Vf - 正向电压:0.57 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220AC-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 40V 10A IF Single TO-220AC |
|
VS-12CTQ040-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.8 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:690 A; Vf - 正向电压:0.6 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 40V 2 x 6A IF C.A. TO-220AB |
|
VS-12CTQ035-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :35 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.8 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:690 A; Vf - 正向电压:0.6 V; Vrrm - 重复反向电压:35 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 35V 2 x 6A IF C.A. TO-220AB |
 |
VS-MURB1520TRL-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:22 ns; Ir - 反向电流 :10 uA; 最大浪涌电流:200 A; Vf - 正向电压:1.05 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:15 A; Vr - 反向电压 :200 V; 封装 / 箱体:TO-263AB-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 200V 15A IF (TO-263AB) 200A IFSM |
 |
V10D170C-M3/I |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :170 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.05 mA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.82 V at 5 A; Vrrm - 重复反向电压:170 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-263AC-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 10A,170V,SMPD, TRENCH SKY RECT. |
 |
VS-MURB2020CT-1-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Tube; 系列:FRED Pt; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:21 ns; Ir - 反向电流 :15 uA; 最大浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.85 V; 配置:Dual Common Cathode; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:10 A; Vr - 反向电压 :200 V; 封装 / 箱体:TO-262AA-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 200V 2 x 10A IF TO-262AA 100A IFSM |
|
VS-15ETH06-1-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Tube; 系列:FRED Pt; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:29 ns; Ir - 反向电流 :0.2 uA; 最大浪涌电流:120 A; Vf - 正向电压:1.8 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:15 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:TO-262AA-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 600V 15A IF TO-262AA 120A IFSM |
 |
SIHFL110TR-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:6.9 ns; 典型关闭延迟时间:15 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 上升时间:16 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9.4 ns; 正向跨导 - 最小值:1.1 S; 商标:Vishay / Siliconix; 宽度:3.5 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 长度:6.5 mm; 高度:1.8 mm; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:3.1 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:8.3 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:540 mOhms; Id-连续漏极电流:1.5 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-223-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs SOT-223 |
|
VS-16CTU04STRL-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:FRED Pt; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:35 ns; Ir - 反向电流 :0.2 uA; 最大浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:1.19 V; 配置:Dual Common Cathode; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:8 A; Vr - 反向电压 :400 V; 封装 / 箱体:TO-263AB-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 400V 2 x 8A IF TO-220AB 100A IFSM |
|
VS-15ETH03STRL-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:VS-15ET; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:32 ns; Ir - 反向电流 :0.05 uA; 最大浪涌电流:140 A; Vf - 正向电压:1.05 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:15 A; Vr - 反向电压 :300 V; 封装 / 箱体:TO-263AB-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 300V 15A IF TO-220AC 140A IFSM |
|
VS-15ETX06STRR-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:FRED Pt; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:20 ns; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 最大浪涌电流:170 A; Vf - 正向电压:2.3 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:15 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:TO-263AB-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 600V 15A IF TO-220AC 170A IFSM |
|
VS-15ETX06S-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Tube; 系列:FRED Pt; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:20 ns; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 最大浪涌电流:170 A; Vf - 正向电压:2.3 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:15 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:TO-263AB-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 600V 15A IF (TO-263AB) 170A IFSM |
|
VS-15ETX06STRL-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:FRED Pt; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:20 ns; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 最大浪涌电流:170 A; Vf - 正向电压:2.3 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:15 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:TO-263AB-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 600V 15A IF TO-220AC 170A IFSM |
|
VS-15ETH06STRR-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:FRED Pt; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:29 ns; Ir - 反向电流 :0.2 uA; 最大浪涌电流:120 A; Vf - 正向电压:1.8 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:15 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:TO-263AB-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 600V 15A IF TO-220AC 120A IFSM |
 |
SIHF9630STRL-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:28 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:27 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:24 ns; 正向跨导 - 最小值:2.8 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:SIH; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:74 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:29 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:800 mOhms; Id-连续漏极电流:- 6.5 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) |
 |
VS-STPS20L15GR-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :15 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :10 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:700 A; Vf - 正向电压:0.41 V; Vrrm - 重复反向电压:15 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-263AB-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 15V 20A IF Single TO-263AB |
 |
NVMFS6H836NT1G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:16 ns; 典型关闭延迟时间:41 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:45 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:34 ns; 正向跨导 - 最小值:97 S; 商标:ON Semiconductor; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:89 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:25 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:6.7 mOhms; Id-连续漏极电流:80 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DFN-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET T8 80V SO8FL |
|
VS-MBR2045CT-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :45 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.1 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:1060 A; Vf - 正向电压:0.84 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 45V 2 x 10A IF C.A. TO-220AB |
|
VS-MBR2035CT-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :35 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.1 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:1060 A; Vf - 正向电压:0.84 V; Vrrm - 重复反向电压:35 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 35V 2 x 10A IF C.A. TO-220AB |
QQ客服
