| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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VS-20TQ040-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :2.7 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1800 A; Vf - 正向电压:0.57 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-220AC-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 40V 20A IF Single TO-220AC |
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SZMM5Z8V2T5G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vf - 正向电压:900 mV; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.7 uA; 商标:ON Semiconductor; 宽度:0.8 mm; 端接类型:SMD/SMT; 长度:1.2 mm; 高度:0.6 mm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:15 Ohms; 齐纳电流:5 mA; 电压温度系数:3.2 mV/K; Pd-功率耗散:500 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:8.2 V; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
稳压二极管 ZENER DIODE SOD523 |
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BAS16VA-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; Pd-功率耗散:350 mW; 最大二极管电容:1.5 pF; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; Vf - 正向电压:1.25 V; 恢复时间:4 ns; 配置:Single; If - 正向电流:150 mA; 最大浪涌电流:4 A; 峰值反向电压:100 V; 封装 / 箱体:SOT-563-6; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; 制造商:Diodes Incorporated; |
二极管 - 通用，功率，开关 Fast Switching Diode |
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SURA8205T3G-VF01 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Rectifiers; 商标:ON Semiconductor; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:30 ns; Ir - 反向电流 :2 uA; 最大浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.94 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:2 A; Vr - 反向电压 :50 V; 封装 / 箱体:SMA-2; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
整流器 AUTO STANDARD SURA |
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NRVBSS13HE |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; trr - 反向恢复时间 :5.6 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :5 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:25 A; Vf - 正向电压:0.46 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:SOD-323HE-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 30V 1A SCHOTTKY |
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PBHV9540XF |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:4000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:140; 集电极连续电流:- 0.5 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:450; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:65 MHz; Pd-功率耗散:1.5 W; 最大直流电集电极电流:- 0.5 A; 集电极—射极饱和电压:- 400 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 7 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 400 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 400 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-89-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS |
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NRVTS2H60ESFT1G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :12 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.65 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 TRENCH SCHOTTKY REC TIFIER |
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VSS8D5M15-M3/H |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :150 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:VSS8D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.18 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:1.03 V at 5 A; Vrrm - 重复反向电压:150 V; If - 正向电流:5 A; 封装 / 箱体:DO-221AD-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 5A, 150V, SLIMSMAW TRENCH SKY RECT. |
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DMN62D1LFDQ-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:2.1 ns; 典型关闭延迟时间:21 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:2.8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13.9 ns; 正向跨导 - 最小值:1.8 S; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:0.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:0.55 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2 Ohms; Id-连续漏极电流:400 mA; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:U-DFN1212-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET 2N7002 Family |
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VSS8D2M12-M3/H |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :120 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:VSS8D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.25 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.73 V at 2 A; Vrrm - 重复反向电压:120 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-221AD-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 2A, 120V, SLIMSMAW TRENCH SKY RECT. |
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DMN2024U-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Diodes Incorporated; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.4 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:7.1 nC; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Id-连续漏极电流:6.8 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET |
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VSS8D2M15-M3/H |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :150 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:VSS8D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.15 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:1 V at 2 A; Vrrm - 重复反向电压:150 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-221AD-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 2A, 150V, SLIMSMAW TRENCH SKY RECT. |
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VSS8D2M10-M3/H |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :100 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:VSS8D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.15 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.66 V at 2 A; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-221AD-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 2A, 100V, SLIMSMAW TRENCH SKY RECT. |
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SDT3A40SAFS-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :300 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:60 A; Vf - 正向电压:0.45 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:SMA-FS-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier |
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BAT54TWQ-7-F |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; trr - 反向恢复时间 :5 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:200 mW; 商标:Diodes Incorporated; 端接类型:SMD/SMT; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:BAT54TW; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :2 uA; 技术:Si; 配置:Triple; Ifsm - 正向浪涌电流:600 mA; Vf - 正向电压:1000 mV; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:200 mA; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
肖特基二极管与整流器 Schottky Diode |
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DMN24H11DSQ-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:4.8 ns; 典型关闭延迟时间:17.5 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:4.7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:102.3 ns; 商标:Diodes Incorporated; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.2 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:3.7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:11 Ohms; Id-连续漏极电流:270 mA; Vds-漏源极击穿电压:240 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 101V-250V |
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B320AQ-13-F |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :20 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.5 V; Vrrm - 重复反向电压:20 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:SMA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier |
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VSS8D5M15HM3/H |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :150 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VSS8D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.18 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:1.03 V at 5 A; Vrrm - 重复反向电压:150 V; If - 正向电流:5 A; 封装 / 箱体:DO-221AD-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 5A, 150V, SLIMSMAW TRENCH SKY RECT. |
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2DA1213YQ-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:2500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120 at - 500 mA, - 2 V; 集电极连续电流:- 2 A; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:240 at - 500 mA, - 2 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:160 MHz; Pd-功率耗散:1 W; 最大直流电集电极电流:- 2.5 A; 集电极—射极饱和电压:- 0.5 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-89-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 2.5K |
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RABF154-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :280 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 高度:1.25 mm; 宽度:4.6 mm; 长度:5.3 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 最大浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:1.3 V; 峰值反向电压:400 V; If - 正向电流:1.5 A; 封装 / 箱体:SOPA-4; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
桥式整流器 Bridge Rectifier ABF |
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VSS8D2M10HM3/H |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :100 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VSS8D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.15 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.66 V at 2 A; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-221AD-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 2A, 100V, SLIMSMAW TRENCH SKY RECT. |
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SDT5A100P5-7D |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SDT5A100P5; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier |
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KBP310G |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :1000 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:35; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Tube; 高度:10.6 mm; 宽度:3.65 mm; 长度:14.75 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 最大浪涌电流:90 A; Vf - 正向电压:1.1 V; 峰值反向电压:1000 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:KBP-4; 安装风格:Through Hole; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
桥式整流器 Bridge Rectifier KBP |
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NVD3055L170T4G-VF01 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:9.7 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:69 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:38 ns; 商标:ON Semiconductor; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:28.5 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:10 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:15 V; Rds On-漏源导通电阻:170 mOhms; Id-连续漏极电流:9 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET NFET DPAK 60V 9A 1 70MOHM |
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SIHFL9014TR-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:11 ns; 典型关闭延迟时间:9.6 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 上升时间:63 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:31 ns; 正向跨导 - 最小值:1.3 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:SIH; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:3.1 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:12 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:500 mOhms; Id-连续漏极电流:- 1.8 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-223-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-223 |
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DMPH4025SFVWQ-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:4.8 ns; 典型关闭延迟时间:72.2 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:14.2 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:35.9 ns; 商标:Diodes Incorporated; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:60 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:38.6 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms; Id-连续漏极电流:- 40 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:PowerDI3333-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V |
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NVTFS6H854NWFTAG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:11 ns; 典型关闭延迟时间:24 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:22 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:39.5 S; 商标:ON Semiconductor; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:68 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:13 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:14.5 mOhms; Id-连续漏极电流:48 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:WDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET TRENCH 8 80V NFET |
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NVMFS6H864NWFT1G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:16 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:18 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:21.8 S; 商标:ON Semiconductor; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:33 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:6.9 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:32 mOhms; Id-连续漏极电流:23 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET T8 80V SO8FL |
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ZXMS6005DGQ-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:6 us; 典型关闭延迟时间:34 us; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:14 us; 产品类型:MOSFET; 下降时间:19 us; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:3 W; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; Vgs th-栅源极阈值电压:0.7 V; Rds On-漏源导通电阻:200 mOhms; Id-连续漏极电流:2 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-223-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET Low Side IntelliFET |
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SIHFR320-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 上升时间:14 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:1.7 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SIH; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:42 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:20 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.8 Ohms; Id-连续漏极电流:3.1 A; Vds-漏源极击穿电压:400 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) |
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DMTH43M8LFG-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:5.16 ns; 典型关闭延迟时间:24.6 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:10.7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:12.4 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.2 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:40.1 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:6 mOhms; Id-连续漏极电流:100 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerDI3333-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V |
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VS-MURB1020CTR-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:24 ns; Ir - 反向电流 :10 uA; 最大浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.99 V; 配置:Dual Common Cathode; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:5 A; Vr - 反向电压 :200 V; 封装 / 箱体:TO-263AB-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 200V 2 x 5A IF (TO-263AB) 50A IFSM |
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FZT603QTA |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Darlington Transistors; 增益带宽产品fT:150 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:3000; 集电极连续电流:2 A; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:SOT-223-3; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:3 W; 最大集电极截止电流:10 uA; 最大直流电集电极电流:6 A; 集电极—基极电压 VCBO:100 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:10 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V; 晶体管极性:NPN; 配置:Single Dual Collector; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
达林顿晶体管 Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K |
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VS-6TQ035-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :35 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.8 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:690 A; Vf - 正向电压:0.6 V; Vrrm - 重复反向电压:35 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:TO-220AC-2L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 35V 6A IF Single TO-220AC |
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VS-6TQ040-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.8 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:690 A; Vf - 正向电压:0.6 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:TO-220AC-2L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 40V 6A IF Single TO-220AC |
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VS-8ETU04STRL-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:43 ns; Ir - 反向电流 :0.2 uA; 最大浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:1.19 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:8 A; Vr - 反向电压 :400 V; 封装 / 箱体:TO-263AB-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 400V 8A IF TO-220AC 100A IFSM |
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SIHD3N50DT4-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:11 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 上升时间:9 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:1 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:D; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:69 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:12 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:3.2 Ohms; Id-连续漏极电流:3 A; Vds-漏源极击穿电压:500 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
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SBRD8360G-VF01 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:75; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.2 mA; 技术:Si; 配置:Single Dual Anode; Ifsm - 正向浪涌电流:75 A; Vf - 正向电压:0.6 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 REC DPAK SPECIAL SHTKY |
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SIHF530-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:23 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 上升时间:34 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:24 ns; 正向跨导 - 最小值:5.1 S; 商标:Vishay / Siliconix; 宽度:4.7 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SIHF530; 长度:10.41 mm; 高度:15.49 mm; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:88 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:26 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:160 mOhms; Id-连续漏极电流:14 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220AB |
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SIHFU9220-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:8.8 ns; 典型关闭延迟时间:7.3 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 上升时间:27 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:19 ns; 正向跨导 - 最小值:1.1 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:SIHFR/U; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:42 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:20 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.5 Ohms; Id-连续漏极电流:- 3.6 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TO-251-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET -200V Vds 20V Vgs IPAK (TO-251) |
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SIHFR420TRL-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:8.1 ns; 典型关闭延迟时间:16 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:12 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:1.4 S; 商标:Vishay / Siliconix; 宽度:6.22 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SIH; 长度:6.73 mm; 高度:2.38 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:83 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:17 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:3 Ohms; Id-连续漏极电流:3.3 A; Vds-漏源极击穿电压:500 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 500V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) |
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DMTH10H025LK3Q-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:6.3 ns; 典型关闭延迟时间:16.7 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:9.4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8.2 ns; 商标:Diodes Incorporated; 系列:DMTH10H025; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:100 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:21 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:22 mOhms; Id-连续漏极电流:51.7 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V |
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NVMFS6H852NT1G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:11 ns; 典型关闭延迟时间:25 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:24 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:39.5 S; 商标:ON Semiconductor; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:54 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:13 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:14.2 mOhms; Id-连续漏极电流:43 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET TRENCH 8 80V NFET |
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VS-8ETX06S-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Tube; 系列:FRED Pt; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:16 ns; Ir - 反向电流 :0.3 uA; 最大浪涌电流:110 A; Vf - 正向电压:2.3 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:8 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:TO-263AB-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 600V 8A IF (TO-263AB) 110A IFSM |
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VS-8ETL06S-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Tube; 系列:FRED Pt; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:170 ns; Ir - 反向电流 :0.05 uA; 最大浪涌电流:175 A; Vf - 正向电压:0.96 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:8 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:TO-263AB-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 600V 8A IF (TO-263AB) 175A IFSM |
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NRVBD640CTG-VF01 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:75; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.1 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:75 A; Vf - 正向电压:0.7 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY RECTIFIER |
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VS-8ETX06-1-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Tube; 系列:FRED Pt; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:16 ns; Ir - 反向电流 :0.3 uA; 最大浪涌电流:110 A; Vf - 正向电压:2.3 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:8 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:TO-262AA-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 600V 8A IF TO-262AA 110A IFSM |
 |
VS-15CTQ040-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.8 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:810 A; Vf - 正向电压:0.55 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:7.5 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 40V 2 x 7.5A IF C.A. TO-220AB |
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VS-15CTQ045-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :45 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.8 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:810 A; Vf - 正向电压:0.55 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:7.5 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 45V 2 x 7.5A IF C.A. TO-220AB |
 |
NVMJS1D3N04CTWG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:36 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:47 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9 ns; 正向跨导 - 最小值:145 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:128 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:65 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.3 mOhms; Id-连续漏极电流:235 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET TRENCH 6 40V SL NFET |
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