| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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FDMS1D2N03DSD |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:ON Semiconductor; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:42 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:33 nC, 117 nC; Vgs - 栅极-源极电压:- 12 V, 16 V; Rds On-漏源导通电阻:1.2 mOhms, 4 mOhms; Id-连续漏极电流:19 A, 37 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerClip56-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET PT11N 30/12 & PT11 |
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PSMN1R0-40SSHJ |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:23 ns; 典型关闭延迟时间:59 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:19 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:26 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:375 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:137 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1 mOhms; Id-连续漏极电流:325 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK88-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET N-CH 40 V 325 AMPS CONTINUOUS |
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PSMNR90-40SSHJ |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:30 ns; 典型关闭延迟时间:72 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:24 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:31 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:375 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:166 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:900 uOhms; Id-连续漏极电流:375 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK88-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET N-CH 40 V 375 AMPS CONTINUOUS |
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SUM50010E-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:28 ns; 典型关闭延迟时间:50 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:12 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:120 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:375 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:212 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.75 mOhms; Id-连续漏极电流:150 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 60V Vds; 20V Vgs TO-263 |
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PSMNR70-40SSHJ |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:35 ns; 典型关闭延迟时间:94 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:30 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:41 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:375 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:202 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:700 uOhms; Id-连续漏极电流:425 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK88-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET N-CH 40 V AMPS CONTINUOUS IN L |
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NTMTS001N06CTXG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:47.2 ns; 典型关闭延迟时间:70.7 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:25.2 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:23.3 ns; 正向跨导 - 最小值:275 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:244 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:165 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:810 uOhms; Id-连续漏极电流:398.2 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:Power-88-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET T6 60V SG PQFN8x8 EXPANSI |
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SIHP21N80AE-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:21 ns; 典型关闭延迟时间:71 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:38 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:76 ns; 正向跨导 - 最小值:4 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:E; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:32 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:72 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:235 mOhms; Id-连续漏极电流:17.4 A; Vds-漏源极击穿电压:800 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 850V Vds; 30V Vgs TO-220AB |
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NTMTS001N06CLTXG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:47.2 ns; 典型关闭延迟时间:70.7 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:25.2 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:23.3 ns; 正向跨导 - 最小值:275 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:244 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:165 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:810 uOhms; Id-连续漏极电流:398.2 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:Power-88-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSI |
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STF36N60M6 |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15.2 ns; 典型关闭延迟时间:50.2 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:5.3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7.3 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:40 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:44.3 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.25 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:99 mOhms; Id-连续漏极电流:30 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
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STO36N60M6 |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15.2 ns; 典型关闭延迟时间:50.2 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1800; 上升时间:5.3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7.3 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:STO33N60M6; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:230 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:44.3 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.25 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:99 mOhms; Id-连续漏极电流:30 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-LL-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
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NVMTS0D7N04CLTXG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:ON Semiconductor; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:205 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:205 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:433 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET AFSM T6 40V LL NCH |
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SIHP120N60E-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:19 ns; 典型关闭延迟时间:31 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:65 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:33 ns; 正向跨导 - 最小值:6 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:E; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:179 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:45 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:120 mOhms; Id-连续漏极电流:25 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB |
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SIHB120N60E-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:19 ns; 典型关闭延迟时间:31 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:65 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:33 ns; 正向跨导 - 最小值:6 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:E; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:179 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:45 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:120 mOhms; Id-连续漏极电流:25 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
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SIHG065N60E-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:28 ns; 典型关闭延迟时间:54 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:46 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:12 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:E; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:250 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:74 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:65 mOhms; Id-连续漏极电流:40 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC |
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SCS320AJTLL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; trr - 反向恢复时间 :25 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:125 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tube; 系列:SCS3x; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.06 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:123 A; Vf - 正向电压:1.35 V at 20 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-263AB-4; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SIC SBD 650V 20A 125W TO-263AB (LPTL) |
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FD300R17KE4PHOSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:8; 产品类型:IGBT Modules; 栅极/发射极最大电压:20 V; 安装风格:Screw Mount; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 栅极—射极漏泄电流:100 nA; 在25 C的连续集电极电流:300 A; 集电极—射极饱和电压:1.95 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V; 配置:Single; 产品:IGBT Silicon Modules; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM |
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FS770R08A6P2BBPSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:6; 产品类型:IGBT Modules; 栅极/发射极最大电压:20 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:654 W; 栅极—射极漏泄电流:400 nA; 在25 C的连续集电极电流:450 A; 集电极—射极饱和电压:1.1 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:750 V; 配置:6-Pack; 产品:IGBT Silicon Modules; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
IGBT 模块 HYBRID PACK DRIVE |
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FS770R08A6P2LBBPSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:6; 产品类型:IGBT Modules; 栅极/发射极最大电压:20 V; 安装风格:Screw Mount; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:654 W; 栅极—射极漏泄电流:400 nA; 在25 C的连续集电极电流:450 A; 集电极—射极饱和电压:1.1 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:750 V; 配置:6-Pack; 产品:IGBT Silicon Modules; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
IGBT 模块 HYBRID PACK DRIVE |
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BAT54LT3G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; trr - 反向恢复时间 :5 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:200 mW; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:600 mA; Vf - 正向电压:0.52 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:200 mA; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SHKY DIO 30V |
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2N7002ET7G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:1.7 ns; 典型关闭延迟时间:4.8 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3500; 上升时间:1.2 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:3.6 ns; 正向跨导 - 最小值:530 mS; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel MOSFET; 系列:2N7002E; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:420 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:0.81 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:2.5 Ohms; Id-连续漏极电流:310 mA; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET NFET SOT23 60V 115MA 7MO |
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VS-20TQ035-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :35 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :2.7 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1800 A; Vf - 正向电压:0.57 V; Vrrm - 重复反向电压:35 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-220AC-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 35V 20A IF Single TO-220AC |
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DMN3012LEG-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:5.1 ns; 典型关闭延迟时间:6.4 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:2.7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:2.3 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2.2 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:6.1 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:12 mOhms; Id-连续漏极电流:20 A, 10 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerDI3333-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
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IRF40H233XTMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:4000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:50 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:57 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:63 A; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SSO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET TRENCH <= 40V |
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VS-MBR1635-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :35 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.2 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1800 A; Vf - 正向电压:0.63 V; Vrrm - 重复反向电压:35 V; If - 正向电流:16 A; 封装 / 箱体:TO-220AC-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 35V 16A IF Single TO-220AC |
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VS-18TQ035-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :35 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :2.5 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1800 A; Vf - 正向电压:0.6 V; Vrrm - 重复反向电压:35 V; If - 正向电流:18 A; 封装 / 箱体:TO-220AC-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 35V 18A IF Single TO-220AC |
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VS-18TQ040-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :2.5 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1800 A; Vf - 正向电压:0.6 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:18 A; 封装 / 箱体:TO-220AC-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 40V 18A IF Single TO-220AC |
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VS-19TQ015STRR-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :15 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :10.5 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:700 A; Vf - 正向电压:0.36 V; Vrrm - 重复反向电压:15 V; If - 正向电流:19 A; 封装 / 箱体:TO-263AB; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 15V 19A IF Single TO-263AB |
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VS-30CTH02STRL-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:FRED Pt; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:26 ns; Ir - 反向电流 :10 uA; 最大浪涌电流:200 A; Vf - 正向电压:0.92 V; 配置:Dual Common Cathode; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:15 A; Vr - 反向电压 :200 V; 封装 / 箱体:TO-263AB-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 200V 2 x 15A IF TO-220AB 200A IFSM |
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VS-MBR2090CT-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :90 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.1 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:850 A; Vf - 正向电压:0.8 V; Vrrm - 重复反向电压:90 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 90V 2 x 10A IF C.A. TO-220AB |
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SIHFR9310TR-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:11 ns; 典型关闭延迟时间:25 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:24 ns; 正向跨导 - 最小值:0.91 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:SIH; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:50 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:13 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:7 Ohms; Id-连续漏极电流:- 1.8 A; Vds-漏源极击穿电压:400 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET -400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) |
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VS-MBR20100CT-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :100 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.1 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:850 A; Vf - 正向电压:0.8 V; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 100V 2 x 10A IF C.A. TO-220AB |
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VS-MBR2080CT-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :80 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.1 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:850 A; Vf - 正向电压:0.8 V; Vrrm - 重复反向电压:80 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 80V 2 x 10A IF C.A. TO-220AB |
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VS-MBR3045CT-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :45 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :1 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:1020 A; Vf - 正向电压:0.76 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 45V 2 x 15A IF C.A. TO-220AB |
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IRFZ34SPBF |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:13 ns; 典型关闭延迟时间:29 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 上升时间:100 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:52 ns; 正向跨导 - 最小值:9.3 S; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:9.65 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:IRFZ; 长度:10.67 mm; 高度:4.83 mm; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:88 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:46 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms; Id-连续漏极电流:30 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) |
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IPD60R360CFD7ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15.5 ns; 典型关闭延迟时间:41.5 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:12 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8.5 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:43 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:14 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:360 mOhms; Id-连续漏极电流:7 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET LOW POWER_NEW |
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SBRD81035CTLG-VF01 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :35 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:75; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :2 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.56 V; Vrrm - 重复反向电压:35 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 AUTO STANDARD OF MBRD1035 |
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VS-MBR2535CT-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :35 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.2 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:1060 A; Vf - 正向电压:0.82 V; Vrrm - 重复反向电压:35 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 35V 2 x 15A IF C.A. TO-220AB |
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SIHF540S-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:11 ns; 典型关闭延迟时间:53 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 上升时间:44 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:43 ns; 正向跨导 - 最小值:8.7 S; 商标:Vishay / Siliconix; 宽度:9.65 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SIHF; 长度:10.67 mm; 高度:4.83 mm; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:150 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:72 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:77 mOhms; Id-连续漏极电流:28 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) |
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VS-30CTQ050-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :50 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.8 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:1000 A; Vf - 正向电压:0.62 V; Vrrm - 重复反向电压:50 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 50V 2 x 15A IF C.A. TO-220AB |
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VS-25CTQ045-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :45 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1.75 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:990 A; Vf - 正向电压:0.56 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 45V 2 x 15A IF C.A. TO-220AB |
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VS-32CTQ025-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :25 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1.75 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:900 A; Vf - 正向电压:0.49 V; Vrrm - 重复反向电压:25 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 25V 2 x 15A IF C.A. TO-220AB |
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VS-25CTQ040-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1.75 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:990 A; Vf - 正向电压:0.56 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 40V 2 x 15A IF C.A. TO-220AB |
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DMNH45M7SCT |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Diodes Incorporated; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:240 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:64.7 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:220 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V |
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VS-30CTQ035-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :35 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :2 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:1060 A; Vf - 正向电压:0.62 V; Vrrm - 重复反向电压:35 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 35V 2 x 15A IF C.A. TO-220AB |
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VS-16CTQ060-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.55 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:850 A; Vf - 正向电压:0.72 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:8 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 60V 2 x 8A IF C.A. TO-220AB |
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VS-30CTQ040-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :2 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:1060 A; Vf - 正向电压:0.62 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 40V 2 x 15A IF C.A. TO-220AB |
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VS-30ETH06STRL-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:FRED Pt; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:31 ns; Ir - 反向电流 :0.3 uA; 最大浪涌电流:200 A; Vf - 正向电压:2 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:30 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:TO-263AB-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 600V 30A IF TO-220AC 200A IFSM |
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VS-30CTQ080-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :80 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.55 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:850 A; Vf - 正向电压:0.86 V; Vrrm - 重复反向电压:80 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 80V 2 x 15A IF C.A. TO-220AB |
|
VS-20CTH03STRL-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:31 ns; Ir - 反向电流 :20 uA; 最大浪涌电流:120 A; Vf - 正向电压:1.05 V; 配置:Dual Common Cathode; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:10 A; Vr - 反向电压 :300 V; 封装 / 箱体:TO-263AB-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 300V 2 x 10A IF TO-220AB 120A IFSM |
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DMT2004UFV-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 产品类型:MOSFET; 商标:Diodes Incorporated; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2.3 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:53.7 nC; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Id-连续漏极电流:70 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerDI3333-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V |
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