| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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NVTFS6H860NTAG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:8 ns; 典型关闭延迟时间:18 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:14 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 正向跨导 - 最小值:41 S; 商标:ON Semiconductor; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:46 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:8.7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:21.1 mOhms; Id-连续漏极电流:33 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:WDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET TRENCH 8 80V NFET |
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SIHFL9110TR-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:15 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 上升时间:27 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:17 ns; 正向跨导 - 最小值:0.82 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:SIH; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:3.1 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:8.7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.2 Ohms; Id-连续漏极电流:- 1.1 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-223-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs SOT-223 |
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NVTFS005N04CTAG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 产品类型:MOSFET; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET T6 40V SG NCH U8FL |
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RDBF254-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :400 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 高度:1.5 mm; 宽度:6.85 mm; 长度:8.2 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 最大浪涌电流:75 A; Vf - 正向电压:1.3 V; 峰值反向电压:400 V; If - 正向电流:2.5 A; 封装 / 箱体:DBF-4; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
桥式整流器 Bridge Rectifier |
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DXTN3C100PSQ-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:2500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 湿度敏感性:Yes; 直流集电极/Base Gain hfe Min:10; 集电极连续电流:3 A; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:5 W; 最大直流电集电极电流:3 A; 集电极—射极饱和电压:225 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V; 集电极—基极电压 VCBO:100 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:PowerDI5060-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor |
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RDBF31-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :100 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 高度:1.5 mm; 宽度:6.85 mm; 长度:8.2 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 最大浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:1.3 V; 峰值反向电压:100 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:DBF-4; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
桥式整流器 Bridge Rectifier |
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DXTP3C100PSQ-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:2500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 湿度敏感性:Yes; 直流集电极/Base Gain hfe Min:10; 集电极连续电流:- 3 A; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:125 MHz; Pd-功率耗散:5 W; 最大直流电集电极电流:- 3 A; 集电极—射极饱和电压:- 360 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 7 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 100 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 100 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:PowerDI5060-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V PNP High Pwr Low Sat Transistor |
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DXTP3C60PSQ-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:2500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 湿度敏感性:Yes; 直流集电极/Base Gain hfe Min:35; 集电极连续电流:- 3 A; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:135 MHz; Pd-功率耗散:5 W; 最大直流电集电极电流:- 3 A; 集电极—射极饱和电压:- 240 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 7 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 60 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:PowerDI5060-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V PNP Medium Pwr Low Sat Transistor |
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RDBF38-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :800 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 高度:1.5 mm; 宽度:6.85 mm; 长度:8.2 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 最大浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:1.3 V; 峰值反向电压:800 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:DBF-4; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
桥式整流器 Bridge Rectifier |
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RDBF32-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 高度:1.5 mm; 宽度:6.85 mm; 长度:8.2 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 最大浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:1.3 V; 峰值反向电压:200 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:DBF-4; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
桥式整流器 Bridge Rectifier |
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RDBF252-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 高度:1.5 mm; 宽度:6.85 mm; 长度:8.2 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 最大浪涌电流:75 A; Vf - 正向电压:1.3 V; 峰值反向电压:200 V; If - 正向电流:2.5 A; 封装 / 箱体:DBF-4; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
桥式整流器 Bridge Rectifier |
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DXTN3C60PSQ-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:2500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 湿度敏感性:Yes; 直流集电极/Base Gain hfe Min:50; 集电极连续电流:3 A; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:-; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:5 W; 最大直流电集电极电流:3 A; 集电极—射极饱和电压:180 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V; 集电极—基极电压 VCBO:60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:PowerDI5060-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor |
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DMT10H072LFV-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:3 ns; 典型关闭延迟时间:12.3 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:3.1 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:4.3 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:37.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:4.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:62 mOhms; Id-连续漏极电流:20 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerDI3333-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS 61V-100V |
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NVTFS6H880NWFTAG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:15 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:14 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:4 ns; 正向跨导 - 最小值:22.5 S; 商标:ON Semiconductor; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:31 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:6.9 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:32 mOhms; Id-连续漏极电流:22 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:WDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET T8 80V U8FL |
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SIA923EDJ-T4-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:26 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:12 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:11 S; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.05 mm; 晶体管类型:2 P-Channel; 系列:SIA; 长度:2.05 mm; 高度:0.75 mm; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:7.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:25 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:54 mOhms; Id-连续漏极电流:- 4.5 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SC-70-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 |
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VSSAF522-M3/H |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:VSSAF522; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.05 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:90 A; Vf - 正向电压:0.82 V at 5 A; Vrrm - 重复反向电压:200 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-221AC-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 5A, 200V,Slim SMA, TRENCH SKY RECT. |
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VSSAF522HM3/H |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:VSSAF522; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.05 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:90 A; Vf - 正向电压:0.82 V at 5 A; Vrrm - 重复反向电压:200 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-221AC-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 5A, 200V,Slim SMA, TRENCH SKY RECT. |
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SIHFR220-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:7.2 ns; 典型关闭延迟时间:19 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 上升时间:22 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:1.7 S; 商标:Vishay / Siliconix; 宽度:6.22 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SIH; 长度:6.73 mm; 高度:2.38 mm; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:42 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:14 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:800 mOhms; Id-连续漏极电流:4.8 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 200V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) |
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FDU3N50NZTU |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5040; 产品类型:MOSFET; 商标:ON Semiconductor; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:40 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:8 nC; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Id-连续漏极电流:2.5 A; Vds-漏源极击穿电压:500 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:IPAK-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET UNIFET2 500V NCH I |
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DMT10H025LK3-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 商标:Diodes Incorporated; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:83 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:21 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:47.2 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V |
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FZT651QTC |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:4000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:3 A; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:300; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:175 MHz; Pd-功率耗散:3 W; 最大直流电集电极电流:3 A; 集电极—射极饱和电压:0.43 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V; 集电极—基极电压 VCBO:80 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-223-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 4K |
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DMN3013LFG-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:4.2 ns, 4.4 ns; 典型关闭延迟时间:9.7 ns, 10.4 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:6.2 ns, 6.7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:2 ns, 2.2 ns; 商标:Diodes Incorporated; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2.16 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:5.7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:750 mV; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:14.3 mOhms; Id-连续漏极电流:15 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerDI3333-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
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SIHFR9120-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:9.6 ns; 典型关闭延迟时间:21 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 上升时间:29 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:25 ns; 正向跨导 - 最小值:1.5 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:SIH; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:42 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:18 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:600 mOhms; Id-连续漏极电流:- 5.6 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET -100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) |
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SDM40E20LAQ-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :20 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:300 mW; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :250 uA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:2 A; Vf - 正向电压:0.43 V; Vrrm - 重复反向电压:20 V; If - 正向电流:0.4 A; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
肖特基二极管与整流器 Schottky Diode |
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DMP2101UCB9-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Diodes Incorporated; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.56 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:4.8 nC; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V; Id-连续漏极电流:- 2.2 A; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:U-WLB1515-9; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V |
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VS-20CTQ040-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :2 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:1060 A; Vf - 正向电压:0.64 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 40V 2 x 10A IF C.A. TO-220AB |
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VS-30ETH06S-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Tube; 系列:FRED Pt; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:31 ns; Ir - 反向电流 :0.3 uA; 最大浪涌电流:200 A; Vf - 正向电压:2 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:30 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:TO-263AB-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 600V 30A IF (TO-263AB) 200A IFSM |
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VS-20CTQ035-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :35 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :2 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:1060 A; Vf - 正向电压:0.64 V; Vrrm - 重复反向电压:35 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 35V 2 x 10A IF C.A. TO-220AB |
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IPB60R360CFD7ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15.5 ns; 典型关闭延迟时间:41.5 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:12 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8.5 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:43 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:14 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:360 mOhms; Id-连续漏极电流:7 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET LOW POWER_NEW |
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IPA65R420CFDXKSA2 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:38 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:500; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CFD2; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:CoolMOS; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:31.2 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:31.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:420 mOhms; Id-连续漏极电流:8.7 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3FP; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET LOW POWER_LEGACY |
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VS-STPS40L15CT-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :15 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :10 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:700 A; Vf - 正向电压:0.41 V; Vrrm - 重复反向电压:15 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 15V 2 x 20A IF C.A. TO-220AB |
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SIHF640S-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:14 ns; 典型关闭延迟时间:45 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 上升时间:51 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:36 ns; 正向跨导 - 最小值:6.7 S; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:9.65 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 长度:10.67 mm; 高度:4.83 mm; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:130 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:70 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:180 mOhms; Id-连续漏极电流:18 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) |
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VS-47CTQ020-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :20 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :3 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:1000 A; Vf - 正向电压:0.45 V; Vrrm - 重复反向电压:20 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 20V 2 x 20A IF C.A. TO-220AB |
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IPB60R280CFD7ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:17 ns; 典型关闭延迟时间:53 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:14 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:51 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:18 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:280 mOhms; Id-连续漏极电流:9 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET LOW POWER_NEW |
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FFSB0465A |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:63 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :200 mA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:18 A, 38 A, 360 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:4 A; 封装 / 箱体:TO-263-2L-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 650V 4A SIC SBD |
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FFAF30UA60S |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:30; 产品类型:Rectifiers; 商标:ON Semiconductor; 产品:Rectifiers; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:90 ns; Ir - 反向电流 :150 uA; 最大浪涌电流:180 A; Vf - 正向电压:2.2 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:30 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:TO-3PF-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
整流器 UFR TO-3PF PN 30A 6 00V |
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IPB60R210CFD7ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:22 ns; 典型关闭延迟时间:54 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:16.5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7.5 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:64 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:23 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:210 mOhms; Id-连续漏极电流:12 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET LOW POWER_NEW |
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FFSB0665A |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:65 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:42 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:9 A; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 650V 6A SIC SBD |
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VS-60CTQ035-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :35 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.33 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:1500 A; Vf - 正向电压:0.51 V; Vrrm - 重复反向电压:35 V; If - 正向电流:30 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 35V 2 x 30A IF C.A. TO-220AB |
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VS-60CTQ040-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.33 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:1500 A; Vf - 正向电压:0.51 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:30 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 40V 2 x 30A IF C.A. TO-220AB |
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BSC025N08LS5ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
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VS-61CTQ040-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.06 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:2600 A; Vf - 正向电压:0.57 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:30 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 40V 2 x 30A IF C.A. TO-220AB |
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VS-61CTQ035-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :35 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.06 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:2600 A; Vf - 正向电压:0.57 V; Vrrm - 重复反向电压:35 V; If - 正向电流:30 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 35V 2 x 30A IF C.A. TO-220AB |
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VS-61CTQ045-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :45 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.06 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:2600 A; Vf - 正向电压:0.57 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:30 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 45V 2 x 30A IF C. C. TO-220AB |
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FFSP0465A |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:75 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :200 mA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:18 A, 38 A, 360 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:4 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 650V 4A SIC SBD |
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IPB60R170CFD7ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:31 ns; 典型关闭延迟时间:68 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:15 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:75 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:28 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:170 mOhms; Id-连续漏极电流:14 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET HIGH POWER_NEW |
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IPL60R225CFD7AUMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:22 ns; 典型关闭延迟时间:54 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:16.5 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:7.5 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:68 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:23 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:225 mOhms; Id-连续漏极电流:12 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:VSON-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET LOW POWER_NEW |
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FDB9506L-F085 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:474 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:9 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:140 ns; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:176 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:126 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; Vgs - 栅极-源极电压:16 V; Rds On-漏源导通电阻:3.6 mOhms; Id-连续漏极电流:- 110 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:D2PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET PMOS D2PAK 40V 3.6 MOHM |
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NTB150N65S3HF |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:21 ns; 典型关闭延迟时间:63 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:19 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14 ns; 正向跨导 - 最小值:14 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:192 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:43 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:150 mOhms; Id-连续漏极电流:24 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:D2PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III |
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IPB60R145CFD7ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:27 ns; 典型关闭延迟时间:71 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:18 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7.2 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:83 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:31 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:145 mOhms; Id-连续漏极电流:16 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
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