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分立半导体
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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
IPB60R125CFD7ATMA1 分立半导体 IPB60R125CFD7ATMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:31 ns; 典型关闭延迟时间:66 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:14 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:92 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:36 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:125 mOhms; Id-连续漏极电流:18 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET HIGH POWER_NEW
NVB110N65S3F 分立半导体 NVB110N65S3F ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:29 ns; 典型关闭延迟时间:61 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:32 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:16 ns; 正向跨导 - 最小值:17 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SuperFET3; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:240 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:58 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:110 mOhms; Id-连续漏极电流:30 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG
RB541SM-40FHT2R 分立半导体 RB541SM-40FHT2R ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :100 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1 A; Vf - 正向电压:0.61 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:200 mA; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 40V Vr; 0.2A IO SOD-523; EMD2
KDZVTFTR3.0B 分立半导体 KDZVTFTR3.0B ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :100 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.6 mm; 长度:2.6 mm; 高度:0.8 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 齐纳电流:40 mA; Pd-功率耗散:1000 mW; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:3 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 稳压二极管 3-3.4V 40mA SOD-123FL; PMDU
2SA2071P5T100Q 分立半导体 2SA2071P5T100Q ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:1000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120; 集电极连续电流:- 3 A; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:270; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:180 MHz; Pd-功率耗散:2 W; 最大直流电集电极电流:- 6 A; 集电极—射极饱和电压:- 200 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 60 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-89-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -3A Ic -60V Vceo MPT3
ISP75DP06LMXTSA1 分立半导体 ISP75DP06LMXTSA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:3 ns; 典型关闭延迟时间:40 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14 ns; 正向跨导 - 最小值:1.8 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:ISP06P009; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:4.2 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:- 4 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:750 mOhms; Id-连续漏极电流:- 1.1 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-223-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
IPD95R450P7ATMA1 分立半导体 IPD95R450P7ATMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:45 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:P7; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:CoolMOS; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:104 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:35 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:450 mOhms; Id-连续漏极电流:14 A; Vds-漏源极击穿电压:950 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET LOW POWER_NEW
SISH101DN-T1-GE3 分立半导体 SISH101DN-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:38 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8 ns; 正向跨导 - 最小值:44 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:52 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:102 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:7.2 mOhms; Id-连续漏极电流:- 35 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8SH-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET -30V Vds; +/-25V Vgs PowerPAK 1212-8SH
BZX84B12VLFHT116 分立半导体 BZX84B12VLFHT116 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.3 mm; 长度:2.9 mm; 高度:0.95 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:25 Ohms; 齐纳电流:5 mA; 电压温度系数:9.8 mV/C; Pd-功率耗散:250 mW; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:11.8 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 稳压二极管 11.8-12.2V 5mA SOT-23; SOT-23
RB520SM-30FHT2R 分立半导体 RB520SM-30FHT2R ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1 A; Vf - 正向电压:0.58 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:200 mA; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 30V Vr; 0.2A IO SOD-523; EMD2
RB160MM-40TFTR 分立半导体 RB160MM-40TFTR ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :6 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:0.46 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 40V VR 1A 0.51V VF PMDU; SOD-123FL
STTH802SFY 分立半导体 STTH802SFY STMicroelectronics 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:6000; 产品类型:Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 产品:Rectifiers; 资格:AEC-Q100; 系列:STTH802SFY; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; 恢复时间:17 ns; Ir - 反向电流 :6 uA; 最大浪涌电流:150 A; Vf - 正向电压:0.94 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:8 A; Vr - 反向电压 :200 V; 封装 / 箱体:TO-277A; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
DTC143ZU3HZGT106 分立半导体 DTC143ZU3HZGT106 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极连续电流:100 mA; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:10; 典型输入电阻器:4.7 kOhms; 晶体管极性:NPN; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A 4.7kO SOT-323
STPS5L60SF 分立半导体 STPS5L60SF STMicroelectronics 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:6000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 系列:STPS5L60SF; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :470 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:220 A; Vf - 正向电压:0.51 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:5 A; 封装 / 箱体:TO-277A-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
ISP650P06NMXTSA1 分立半导体 ISP650P06NMXTSA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:37 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:14 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 正向跨导 - 最小值:8.3 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:ISP06P003; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:4.2 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:- 39 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:65 mOhms; Id-连续漏极电流:- 3.7 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-223-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
STB47N60DM6AG 分立半导体 STB47N60DM6AG STMicroelectronics 分立半导体 典型接通延迟时间:23 ns; 典型关闭延迟时间:57 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:5.5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:STB47N60DM6AG; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:MDmesh; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:250 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:55 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:80 mOhms; Id-连续漏极电流:36 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:D2PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
PMBT2222AMBYL 分立半导体 PMBT2222AMBYL Nexperia 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:10000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:600 mA; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:300; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:340 MHz; Pd-功率耗散:250 mW; 最大直流电集电极电流:600 mA; 集电极—射极饱和电压:1 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:75 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:DFN-1006-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
DTA114EU3HZGT106 分立半导体 DTA114EU3HZGT106 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:- 100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极连续电流:- 100 mA; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:1; 典型输入电阻器:10 kOhms; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 预偏置 PNP -50V -0.1A 10kO SOT-323
KDZVTFTR27B 分立半导体 KDZVTFTR27B ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.6 mm; 长度:2.6 mm; 高度:0.8 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 齐纳电流:10 mA; Pd-功率耗散:1000 mW; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:27 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 稳压二极管 27-30.8V 10mA SOD-123FL; PMDU
2SA2088U3T106 分立半导体 2SA2088U3T106 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120; 集电极连续电流:- 500 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:270; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:400 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:- 500 mA; 集电极—射极饱和电压:- 150 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 60 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -60V VCEO -0.5A SOT-323
VSS8D5M6HM3/H 分立半导体 VSS8D5M6HM3/H Vishay 分立半导体 Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VSS8D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.35 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:60 A; Vf - 正向电压:0.58 V at 5 A; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:5 A; 封装 / 箱体:DO-221AD-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 5A, 60V, SLIMSMAW TRENCH SKY RECT.
STPS1045SFY 分立半导体 STPS1045SFY STMicroelectronics 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:6000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 资格:AEC-Q100; 系列:STPS1045SFY; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :50 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:210 A; Vf - 正向电压:0.62 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-227A-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
RB510SM-30FHT2R 分立半导体 RB510SM-30FHT2R ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.3 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:0.5 A; Vf - 正向电压:0.46 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:100 mA; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 30V Vr; 0.1A IO SOD-523; EMD2
BSS84LT7G 分立半导体 BSS84LT7G ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:3.6 ns; 典型关闭延迟时间:12 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3500; 上升时间:9.7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:1.7 ns; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 P-Channel Power MOSFET; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:225 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:2.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:10 Ohms; Id-连续漏极电流:130 mA; Vds-漏源极击穿电压:50 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET PFET SOT23 50V 130MA 10.0
STPS6M100SF 分立半导体 STPS6M100SF STMicroelectronics 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:6000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 系列:STPS6M100SF; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :35 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:200 A; Vf - 正向电压:0.8 V; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:TO-277A-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
RB522ES-30T15R 分立半导体 RB522ES-30T15R ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:15000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :7 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:500 mA; Vf - 正向电压:370 mV; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:10 mA; 封装 / 箱体:SMD-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SBD 30V Vrm 100mA Id SMD0603
UDZVFHTE-1716B 分立半导体 UDZVFHTE-1716B ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.25 mm; 长度:1.7 mm; 高度:0.7 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:50 Ohms; 齐纳电流:5 mA; Pd-功率耗散:200 mW; 封装 / 箱体:SOD-323FL-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:15.85 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 稳压二极管 15.85-16.51V 5mA SOD-323FL; UMD2
DTC114EU3HZGT106 分立半导体 DTC114EU3HZGT106 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极连续电流:100 mA; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:1; 典型输入电阻器:10 kOhms; 晶体管极性:NPN; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A 10kO SOT-323
BCX5616QTA 分立半导体 BCX5616QTA Diodes Incorporated 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:1000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:1 A; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:250; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; 增益带宽产品fT:150 MHz; Pd-功率耗散:2 W; 最大直流电集电极电流:1 A; 集电极—射极饱和电压:0.5 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:100 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-89-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor
BCP5616QTA 分立半导体 BCP5616QTA Diodes Incorporated 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:1000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:1 A; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:250; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; 增益带宽产品fT:150 MHz; Pd-功率耗散:2 W; 最大直流电集电极电流:1 A; 集电极—射极饱和电压:0.5 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:100 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-223-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor
BCP5616QTC 分立半导体 BCP5616QTC Diodes Incorporated 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:4000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:25 at 5 mA, 2 V; 集电极连续电流:1 A; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:250 at 150 mA, 2 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; 增益带宽产品fT:150 MHz; Pd-功率耗散:2 W; 最大直流电集电极电流:2 A; 集电极—射极饱和电压:0.5 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:100 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-223-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 4K
RBR3MM60ATFTR 分立半导体 RBR3MM60ATFTR ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :100 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:0.66 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 60V VR 3A 0.66V VF PMDU; SOD-123FL
DMPH6250SQ-7 分立半导体 DMPH6250SQ-7 Diodes Incorporated 分立半导体 典型接通延迟时间:12.5 ns; 典型关闭延迟时间:96 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:13.4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:39.1 ns; 商标:Diodes Incorporated; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.62 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:8.3 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:155 mOhms; Id-连续漏极电流:- 2.4 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
RB168MM150TFTR 分立半导体 RB168MM150TFTR ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :150 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.11 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:35 A; Vf - 正向电压:0.76 V; Vrrm - 重复反向电压:150 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 150V VR 1A 0.84V VF PMDU; SOD-123FL
SBR2A40P1Q-7 分立半导体 SBR2A40P1Q-7 Diodes Incorporated 分立半导体 Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :16 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.45 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:PowerDI123-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; 肖特基二极管与整流器 Super Barrier Rectifier
RSX101MM-30TFTR 分立半导体 RSX101MM-30TFTR ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:RSX101MM-30; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :90 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:45 A; Vf - 正向电压:0.35 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 30V VR 1A 0.39V VF PMDU; SOD-123FL
IHW30N160R5XKSA1 分立半导体 IHW30N160R5XKSA1 Infineon 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:240; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:100 nA; 商标:Infineon Technologies; 集电极最大连续电流 Ic:60 A; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:263 W; 在25 C的连续集电极电流:60 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:1.85 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:1600 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-3; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; IGBT 晶体管 HOME APPLIANCES 14
GBJ5010-BP 分立半导体 GBJ5010-BP Micro Commercial Components (MCC) 分立半导体 Vr - 反向电压 :1000 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1500; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:Micro Commercial Components (MCC); 技术:Si; 封装:Tube; 高度:4.8 mm; 宽度:20.3 mm; 长度:30.3 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 最大浪涌电流:400 A; Vf - 正向电压:1.1 V; 峰值反向电压:1000 V; If - 正向电流:50 A; 封装 / 箱体:GBJ-4; 安装风格:Through Hole; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:Y; 制造商:Micro Commercial Components (MCC); 桥式整流器 50A GLASS PASSIVATED BRIDGE
PHPT60603PYX 分立半导体 PHPT60603PYX Nexperia 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:1500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:150; 集电极连续电流:- 3 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:250; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:110 MHz; Pd-功率耗散:25 W; 最大直流电集电极电流:- 3 A; 集电极—射极饱和电压:- 240 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 8 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 60 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:LFPAK56-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTPNP High Power BipolarTransistor
DMN6068SEQ-13 分立半导体 DMN6068SEQ-13 Diodes Incorporated 分立半导体 典型接通延迟时间:3.6 ns; 典型关闭延迟时间:11.9 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:4000; 上升时间:10.8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8.7 ns; 正向跨导 - 最小值:19.7 S; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:3.7 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:10.3 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:68 mOhms; Id-连续漏极电流:5.6 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-223-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; MOSFET MOSFET BVDSS 41V-60V
FZT751QTA 分立半导体 FZT751QTA Diodes Incorporated 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:1000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:- 3 A; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:300; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:3 W; 最大直流电集电极电流:- 3 A; 集电极—射极饱和电压:- 0.45 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 7 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 80 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 60 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-223-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor
KDZVTFTR5.1B 分立半导体 KDZVTFTR5.1B ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :20 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.6 mm; 长度:2.6 mm; 高度:0.8 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 齐纳电流:40 mA; Pd-功率耗散:1000 mW; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:5.1 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 稳压二极管 5.1-5.7V 40mA SOD-123FL; PMDU
DMC2053UVT-7 分立半导体 DMC2053UVT-7 Diodes Incorporated 分立半导体 典型接通延迟时间:2.6 ns, 3.2 ns; 典型关闭延迟时间:12.5 ns, 31 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:3 ns, 7.8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:3.6 ns, 18 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.1 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:3.6 nC, 5.9 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV, 1 V; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:35 mOhms, 74 mOhms; Id-连续漏极电流:4.6 A, 3.2 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel, P-Channel; 封装 / 箱体:TSOT-26-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
RFN2LAM6STFTR 分立半导体 RFN2LAM6STFTR ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; Vf - 正向电压:1.2 V; 恢复时间:16 ns; 配置:Single; If - 正向电流:1.5 A; 最大浪涌电流:40 A; 峰值反向电压:600 V; 封装 / 箱体:SOD-128-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 二极管 - 通用，功率，开关 600V VR 1.5A IO SOD-128; PMDTM
BSZ037N06LS5ATMA1 分立半导体 BSZ037N06LS5ATMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:9 ns; 典型关闭延迟时间:26 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:OptiMOS; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:69 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:18 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:3.7 mOhms; Id-连续漏极电流:40 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TSDSON-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET TRENCH 40<-<100V
RBR2MM60BTFTR 分立半导体 RBR2MM60BTFTR ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :100 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:0.58 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 60V VR 2A 0.58V VF PMDU; SOD-123FL
RB168MM100TFTR 分立半导体 RB168MM100TFTR ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :100 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.4 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:40 A; Vf - 正向电压:0.81 V; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:SOF-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 100V VR 1A 0.81V VF PMDU; SOD-123FL
PMN55ENEH 分立半导体 PMN55ENEH Nexperia 分立半导体 典型接通延迟时间:9 ns; 典型关闭延迟时间:33 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:13 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:18.2 S; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.4 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:19 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:60 mOhms; Id-连续漏极电流:4.5 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TSOP-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; MOSFET 60V N-CH TRENCHMOS
FGY60T120SQDN 分立半导体 FGY60T120SQDN ON Semiconductor 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:450; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:200 nA; 商标:ON Semiconductor; 集电极最大连续电流 Ic:120 A; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:517 W; 在25 C的连续集电极电流:120 A; 栅极/发射极最大电压:25 V; 集电极—射极饱和电压:1.7 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-3; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; IGBT 晶体管 IGBT 1200V 60A UFS
IMW120R140M1HXKSA1 分立半导体 IMW120R140M1HXKSA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:5 ns; 典型关闭延迟时间:10.4 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 上升时间:2.4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:3 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:IMW120RXM1H; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:CoolSiC; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:94 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:13 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:18 V; Rds On-漏源导通电阻:182 mOhms; Id-连续漏极电流:19 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET SIC DISCRETE
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