| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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W25Q32JVSSIQS |
Winbond |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 产品类型:NOR Flash; 商标:Winbond; 封装:Tray; 制造商:Winbond; |
NOR闪存 |
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W25Q64JVSSIQE |
Winbond |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 产品类型:NOR Flash; 商标:Winbond; 封装:Tube; 制造商:Winbond; |
NOR闪存 spiFlash, 64M-bit, DTR, 4Kb Uniform Sector |
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W25Q64JWZPIM |
Winbond |
存储器 IC |
商标名:spiflash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:570; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:12 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:W25Q64JW; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Winbond; |
NOR闪存 spiFlash, 64M-bit, 4Kb Uniform Sector |
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W25Q64JWTBIQ |
Winbond |
存储器 IC |
商标名:spiflash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:12 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:W25Q64JW; 封装 / 箱体:TFBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Winbond; |
NOR闪存 spiFlash, 32M-bit, DTR, 4Kb Uniform Sector |
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TC58CYG0S3HRAIJ |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NAND Flash; 最大时钟频率:133 MHz; 商标:Kioxia America; 速度:180 us; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:24 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 M x 8; 接口类型:Serial; 存储容量:1 Gbit; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
NAND闪存 1Gb 2nd Generation Serial NAND WSON8 24nm 1.8V |
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TC58CVG1S3HRAIJ |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:133 MHz; 商标:Kioxia America; 速度:180 us; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:24 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:256 M x 8; 接口类型:SPI; 存储容量:2 Gbit; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
NAND闪存 2Gb 2nd Generation Serial NAND WSON8 24nm 3.3V |
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TC58CYG1S3HRAIJ |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NAND Flash; 最大时钟频率:133 MHz; 商标:Kioxia America; 速度:180 us; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:24 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:256 M x 8; 接口类型:Serial; 存储容量:2 Gbit; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
NAND闪存 2Gb 2nd Generation Serial NAND WSON8 24nm 1.8V |
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MTFC2GMDEA-0M WT A |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1520; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Micron; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 配置:MLC; 存储容量:2 GB; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC MLC EMMC 16G |
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IS25LQ040B-JULE-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:104 MHz; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 k x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:Quad SPI; 电源电流—最大值:28 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:4 Mbit; 系列:IS25LQ040B; 封装 / 箱体:USON-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 4Mb QSPI, 8-pin USON 2X3MM, RoHS, T&R |
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IS43TR16256B-125KBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR16256B; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:276 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT |
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MT29F8G08ADBFAH4-AAT:F |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1260; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:1 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:8 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 8G 1GX8 FBGA DDP |
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IS21ES32G-JQLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:98; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:eMMC 5.0; 商标:ISSI; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-100; 尺寸:14 mm x 18 mm x 1.4 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3.3 V; 连续写入:47.8 MB/s; 连续读取:254 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:32 GB; 系列:IS21ES32G; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
eMMC 32 GB, 100 Ball FBGA, 3.3V, RoHS |
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AT24C512C-MAHM-E |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT24C512C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:64 k x 8; 存储容量:512 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-5.5V, 1MHz, Ind Tmp, 8-UDFN |
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THGAMRG9T23BAIL |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Kioxia America; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 配置:SLC; 存储容量:64 GB; 系列:THGAM; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
eMMC 64GB eMMC 5.1 3D BiCS -25C to 85C |
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AT24C02D-MAHM-E |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT24C02D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-3.6V, 1MHz, Ind Tmp, 8-UDFN |
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THGBMJG9C8LBAU8 |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Kioxia America; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 配置:MLC; 存储容量:64 Gbit; 系列:THGBM; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
eMMC 64GB eMMC 5.1 2D 15nm -40C to 105C |
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IS43TR16256BL-125KBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43TR16256BL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:276 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS |
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NV25640DWHFT3G |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:SPI; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 64KB SPI SER CMOS E EPROM |
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AT24C512C-SHM-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT24C512C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:64 k x 8; 存储容量:512 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-Wide-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2-WIRE -8 EIAJ,PB/HALO FREE,NiPdAu,1.7V |
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IS43TR16256B-125KBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR16256B; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:276 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS |
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AT24C64D-MAHM-E |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT24C64D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-5.5V, 1MHz, Ind Tmp, 8-UDFN |
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IS43TR16256BL-107MBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR16256BL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:308 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.35V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT |
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SST25PF040CT-40E/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 2.3V TO 3.6V 4Mbit SPI FLASH, 125C Industrial |
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AT24C04D-MAHM-E |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT24C04D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-3.6V, 1MHz, Ind Tmp, 8-UDFN |
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24CW1280T-I/CS0668 |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:24CW1280; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:I2C; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kB; 封装 / 箱体:CSP-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 128 Kbit I2C Serial 电可擦除可编程只读存储器 with Software Write Protection, Industrial Temp |
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IS21ES64G-JQLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:98; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:eMMC 5.0; 商标:ISSI; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-100; 尺寸:14 mm x 18 mm x 1.4 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3.3 V; 连续写入:91.8 MB/s; 连续读取:255 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:64 GB; 系列:IS21ES64G; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
eMMC 64 GB, 100 Ball FBGA, 3.3V, RoHS |
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ATXP032-CCUE-T |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
商标名:EcoXiP; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Adesto Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:4 M x 8; 接口类型:SPI; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:32 Mbit; 系列:ATXP032; 封装 / 箱体:BGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 24-BGA (6mmx8mm), IND TEMP, 1.8V, T&R |
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AT24C01D-MAHM-E |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT24C01D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-3.6V, 1MHz, Ind Tmp, 8-UDFN |
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IS25WP512M-RMLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:44; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:17 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:IS25WP512M; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 512Mb 1.8V 80/133Mhz Serial NOR闪存 |
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AT25SF321B-MHB-T |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:6000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 速度:108 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:4 M x 8; 最大时钟频率:108 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:15 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:32 Mbit; 系列:AT25SF321B; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 8-UDFN (5x6x0.6), IND TEMP, 2.7V, T&R |
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W25Q16JWZPIQ TR |
Winbond |
存储器 IC |
商标名:spiflash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Winbond; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:18 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:W25Q16JW; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Winbond; |
NOR闪存 spiFlash, 1.8V, 16M-bit, 4Kb Uniform Sector |
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MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:960; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:16 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:128 M x 16; 接口类型:Parallel; 存储容量:2 Gbit; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 2G 128MX16 TSOP |
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TC58CYG2S0HRAIJ |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NAND Flash; 最大时钟频率:133 MHz; 商标:Kioxia America; 速度:300 us; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:24 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 M x 8; 接口类型:Serial; 存储容量:4 Gbit; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
NAND闪存 4Gb 2nd Generation Serial NAND WSON8 24nm 1.8V |
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MT46H16M32LFB5-6 AAT:C |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1440; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 系列:MT46H; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 访问时间:5 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:16 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:VFBGA-90; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - LPDDR; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 MOBILE DDR 512M 16MX32 FBGA |
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TH58CYG3S0HRAIJ |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NAND Flash; 最大时钟频率:133 MHz; 商标:Kioxia America; 速度:300 us; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:24 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 M x 8; 接口类型:SPI; 存储容量:8 Gbit; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
NAND闪存 8Gb 2nd Generation Serial NAND WSON8 24nm 1.8V |
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MT40A512M8SA-062E:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 存储容量:4 Gbit; 组织:512 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 4G 512MX8 FBGA |
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SDINBDA6-16G-I1 |
SanDisk |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:e.MMC 5.1 HS400; 商标:SanDisk; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:150 MB/s; 连续读取:310 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:16 GB; 制造商:SanDisk; |
eMMC 3D iNAND IX EM132 Industrial -25C+85C eMMC 5.1 HS400, New FW |
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MT40A512M16LY-062E AT:E TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 存储容量:8 Gbit; 组织:512 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 8G 512MX16 FBGA |
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S29GL512S12DHE010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:260; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:120 ns; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:32 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S29GL512S; 封装 / 箱体:FBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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IS25LP032D-JTLE-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:NOR Flash; 商标:ISSI; 速度:133 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:4 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:32 Mbit; 系列:IS25LP032D; 封装 / 箱体:USON-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 32Mb QSPI, 8-pin USON 3X4MM, RoHS, T&R |
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IS25LP256E-JLLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:7 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:IS25LP256E; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 256Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6X8MM, RoHS |
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S34ML04G300BHI003 |
SkyHigh Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2300; 产品类型:NAND Flash; 商标:SkyHigh Memory; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:S34ML04G3; 封装 / 箱体:BGA-63; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:SkyHigh Memory; |
NAND闪存 |
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AS4C64M32MD1A-5BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:DRAM; 商标:Alliance Memory; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 |
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AS4C512M16D3LA-10BAN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 系列:AS4C512M16D3LA; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:62 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:512 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 8G - Dual Die Package (DDP) 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 933MHz DDR3-1866bps/pin Automotive(-40 C~105 C) 96-ball FBGA |
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IS21ES32G-BQLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:98; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:eMMC 5.0; 商标:ISSI; 封装 / 箱体:FBGA-100; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3.3 V; 连续写入:47.8 MB/s; 连续读取:254 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:32 GB; 制造商:ISSI; |
eMMC 32 GB, 100 Ball FBGA, 3.3V, RoHS, 16MB Boot Partition |
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MT41K512M16HA-107:A |
Alliance Memory |
存储器 IC |
商标名:Micron; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:170; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:MT41K; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:91 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:512 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 8G - monolithic die 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 933MHz DDR3-1866bps/pin Commercial (Extended) (0 95 C) 96-ball FBGA |
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M95M04-DRMN6TP |
STMicroelectronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 工作电源电流:5 uA; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:M95M04-DR; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:SPI; 组织:512 x 4; 存储容量:4 Mbit; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
电可擦除可编程只读存储器 MEMORY |
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M95M04-DRDW6TP |
STMicroelectronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 工作电源电流:5 uA; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:M95M04-DR; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:SPI; 组织:512 x 4; 存储容量:4 Mbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
电可擦除可编程只读存储器 MEMORY |
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IS43QR16256B-083RBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:198; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43QR16256B; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:187 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT |
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IS43QR16256B-083RBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:198; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43QR16256B; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:187 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS |
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