| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
 |
GS84032CGT-150I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS84032CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:150 mA, 160 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:128 k x 32; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 128K x 32 4M |
|
GS84036CGT-200 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS84036CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:140 mA, 170 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:128 k x 36; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M |
 |
GS74117AGX-12I |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS74117AGX; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:BGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 256K x 16 4M I Temp |
 |
S29GL128S10TFB010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:91; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:8 M x 16; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S29GL128S; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 IC 128 Mb FLASHMEM |
 |
W25M02GVZEIGE |
Winbond |
存储器 IC |
商标名:SpiStack; 子类别:Memory & Data Storage; 产品类型:Multichip Packages; 商标:Winbond; 封装:Tube; 系列:W25M02GV; 制造商:Winbond; |
多芯片封装 2G-bit Serial NAND flash, 3V |
 |
GS74116AGP-8 |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS74116AGP; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:130 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:8 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 256K x 16 4M C Temp |
|
GS74108AGP-8 |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS74108AGP; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:120 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:8 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 512K x 8 4M C Temp |
 |
GS74116AGX-10I |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS74116AGX; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:BGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:115 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 256K x 16 4M I Temp |
|
GS74108AGX-10I |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS74108AGX; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:BGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:105 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 512K x 8 4M I Temp |
|
GS840Z36CGT-150I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS840Z36CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:150 mA, 160 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:128 k x 36; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M |
|
GS840Z36CGT-100I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS840Z36CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:130 mA, 140 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:100 MHz; 访问时间:12 ns; 组织:128 k x 36; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M |
|
GS84018CGT-250 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS84018CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:145 mA, 180 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:256 k x 18; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M |
 |
S25FL128SAGNFM000 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:133 MHz; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S25FL128S; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 IC 128 Mb FLASHMEM |
|
GS840Z36CGT-166I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS840Z36CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:155 mA, 180 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:166 MHz; 访问时间:7 ns; 组织:128 k x 36; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M |
 |
GS8182D18BGD-167I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8182D18BGD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:325 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:167 MHz; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 18 18M |
|
GS8182Q36BGD-167I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8182Q36BGD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:495 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:167 MHz; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 512K x 36 18M |
|
GS8182Q18BD-133I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8182Q18BD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:385 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:133 MHz; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 18 18M |
|
GS8182T18BGD-300 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaDDR-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaDDR-II B2; 系列:GS8182T18BGD; 存储类型:DDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:405 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:300 MHz; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 18 18M |
|
GS882Z18CGD-300I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS882Z18CGD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:170 mA, 225 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:300 MHz; 访问时间:5 ns; 组织:512 k x 18; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M |
|
GS8182T18BD-300I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaDDR-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaDDR-II B2; 系列:GS8182T18BD; 存储类型:DDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:415 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:300 MHz; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 18 18M |
|
GS8182Q36BGD-300I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8182Q36BGD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:945 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:300 MHz; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 512K x 36 18M |
|
GS8182D18BGD-300I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8182D18BGD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:495 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:300 MHz; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 18 18M |
|
GS8182D36BGD-300I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8182D36BGD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:605 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:300 MHz; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 512K x 36 18M |
|
GS8182T18BGD-300I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaDDR-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaDDR-II B2; 系列:GS8182T18BGD; 存储类型:DDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:415 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:300 MHz; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 18 18M |
|
GS8182R36BGD-300I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaDDR-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaDDR-II B4; 系列:GS8182R36BGD; 存储类型:DDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:515 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:300 MHz; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 512K x 36 18M |
 |
CY62167G30-45ZXA |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TFSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:36 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:-; 访问时间:45 ns; 组织:1 M x 16; 存储容量:16 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 MICROPOWER 静态随机存取存储器S |
|
GS880Z36CGT-250IV |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:66; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT; 系列:GS880Z36CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:160 mA, 200 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2.7 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:256 k x 36; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 256K x 36 9M |
|
GS816032DGT-333 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS816032DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:260 mA, 315 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:333 MHz; 访问时间:4.5 ns; 组织:512 k x 32; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M |
 |
SDINBDA4-32G |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 存储容量:32 GB; 系列:iNAND 7550; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC 32GB iNAND 7550 eMMC 5.1 |
|
GS8182Q09BGD-333I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8182Q09BGD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:870 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:333 MHz; 组织:2 M x 9; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 2M x 9 18M |
|
GS816018DGT-200V |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Synchronous Burst; 系列:GS816018DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:190 mA, 195 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2.7 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 1M x 18 18M |
|
GS8160Z36DGT-200V |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT; 系列:GS8160Z36DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:205 mA, 210 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2.7 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 36 18M |
|
GS8182D37BGD-400 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II+; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad II+; 系列:GS8182D37BGD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:670 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:400 MHz; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 512K x 36 18M |
 |
MTFC16GAPALBH-AIT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1520; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装:Tray; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC MLC EMMC 128G |
|
GS816032DGT-200IV |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Synchronous Burst; 系列:GS816032DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:225 mA, 230 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2.7 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:512 k x 32; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 32 16M |
|
GS816032DGT-150IV |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Synchronous Burst; 系列:GS816032DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:195 mA, 210 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2.7 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:512 k x 32; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 32 16M |
|
GS8162Z36DGD-200IV |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT PL/FT; 系列:GS8162Z36DGD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:225 mA, 230 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2.7 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 36 18M |
|
GS8161Z36DGD-200IV |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT; 系列:GS8161Z36DGD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:225 mA, 230 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2.7 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 36 18M |
|
GS8161Z36DGD-150IV |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT; 系列:GS8161Z36DGD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:195 mA, 210 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2.7 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 36 18M |
|
GS8182T19BGD-400I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaDDR-II+; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaDDR-II+ B2; 系列:GS8182T19BGD; 存储类型:DDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:520 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:400 MHz; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 18 18M |
|
GS8320Z36AGT-150 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS8320Z36AGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:190 mA, 200 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:1 M x 36; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M |
|
GS8320Z36AGT-200 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS8320Z36AGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:205 mA, 240 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:1 M x 36; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M |
|
GS8320Z18AGT-200 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS8320Z18AGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:185 mA, 220 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:2 M x 18; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M |
|
GS8162Z18DGB-333V |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:21; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT PL/FT; 系列:GS8162Z18DGB; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:220 mA, 280 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2.7 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:333 MHz; 访问时间:5 ns; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 1M x 18 18M |
 |
GD9FU1G8F2AMGI |
GigaDevice |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:960; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 组织:128 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 系列:GD9FU1G8F2A; 封装 / 箱体:TSOPI-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice; |
NAND闪存 1Gbit OnFI NAND闪存 /3.3v /TSOPI-48 /Industrial(-40 to +85 ) /Tray |
 |
AT28C256-15DM/883-815 |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:14; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:5 V; 工作电源电流:50 mA; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tube; 系列:AT28C256; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 数据保留:10 Year; 访问时间:150 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:DIP-28; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 150NS CERDIP |
 |
R1LP0408DSB-5SI#B1 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:117; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 4MB ADV. 5V TSOP32 55NS -40TO85C |
 |
BR93A76RFVT-WME2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:512 x 16; 存储容量:5 kB; 封装 / 箱体:TSSOP-B8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 MICROWIRE BUS 8KBIT 电可擦除可编程只读存储器 |
 |
BR93A66RFVM-WMTR |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:256 x 16; 存储容量:4 kB; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 ROHM SEMICONDUCTOR |
|
BR93A86RFVT-WME2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:1 k x 16; 存储容量:16 kB; 封装 / 箱体:TSSOP-B8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 ROHM SEMICONDUCTOR |
QQ客服
