| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
 |
GS8322Z36AGD-200I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:14; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS8322Z36AGD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:225 mA, 260 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:1 M x 36; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M |
|
GS832132AGD-150I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS832132AGD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:210 mA, 220 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:1 M x 32; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M |
|
GS8321Z36AD-200I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT; 系列:GS8321Z36AD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:225 mA, 260 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:1 M x 36; 存储容量:36 Mbit; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M |
 |
GS8320Z18AGT-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS8320Z18AGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:235 mA, 275 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:2 M x 18; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M |
 |
GS78132AGB-10 |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:21; 产品类型:SRAM; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS78132AGB; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:BGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:210 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 32; 存储容量:8 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 256K x 32 8M C Temp |
|
GS8342Q36BD-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8342Q36BD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:835 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 组织:1 M x 36; 存储容量:36 Mbit; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 36 36M |
|
GS8342D36BGD-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8342D36BGD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:685 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 组织:1 M x 36; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 36 36M |
|
GS8342T18BGD-300I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaCIO DDR-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaDDR-II B2; 系列:GS8342T18BGD; 存储类型:DDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:460 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:300 MHz; 组织:2 M x 18; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 2M x 18 36M |
|
GS8342Q18BD-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8342Q18BD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:675 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 组织:2 M x 18; 存储容量:36 Mbit; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 2M x 18 36M |
|
GS8342Q09BD-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8342Q09BD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:675 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 组织:4 M x 9; 存储容量:36 Mbit; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 9 36M |
|
GS8342Q18BGD-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8342Q18BGD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:675 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 组织:2 M x 18; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 2M x 18 36M |
|
GS8342Q09BGD-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8342Q09BGD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:675 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 组织:4 M x 9; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 9 36M |
 |
S26KS512SDPBHB020 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:HyperFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 系列:S26KL/S26KS; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 NOR |
 |
TH58NVG4S0HTAK0 |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:-; 商标:Kioxia America; 速度:25 ns; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Synchronous; 组织:2 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:16 Gbit; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
NAND闪存 3.3V 16Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
 |
M24C08-FMH6TG |
STMicroelectronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:M24C08-F; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:0.8 mA, 1 mA; 最大时钟频率:1000 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:UFDFPN-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
电可擦除可编程只读存储器 MEMORY |
 |
GD25Q32CNIGR |
GigaDevice |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 速度:120 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:4 M x 8; 最大时钟频率:120 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:32 Mbit; 系列:GD25Q32C; 封装 / 箱体:USON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice; |
NOR闪存 32Mbit NOR闪存 /3.3V /USON8 3*4mm /Industrial(-40 to +85 ) /T&R |
 |
S25FL064LABMFB010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:280; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Floating Gate; 速度:54 MHz, 108 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:108 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S25FL064L; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
 |
IS25WP032D-JKLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:570; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS25WP032D; 封装 / 箱体:WSON-8; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 32M QPI/QSPI, WSON ET |
 |
IS66WVH16M8BLL-100B1LI |
ISSI |
存储器 IC |
商标名:HyperRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS66WVH16M8BLL; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:40 ns; 最大时钟频率:100 MHz; 存储容量:128 Mbit; 组织:16 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:TFBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; 类型:HyperRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 128Mb 16Mbx8 3.0V 100MHz HyperRAM |
 |
IS29GL256-70DLEB |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:260; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:70 ns; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:32 M x 8/16 M x 16; 最大时钟频率:-; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:IS29GL256; 封装 / 箱体:BGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 256M 2.7-3.6V 70ns Parallel NOR I-Temp |
|
IS29GL256-70DLET |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:260; 产品类型:NOR Flash; 商标:ISSI; 速度:70 ns; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:32 M x 8/16 M x 16; 最大时钟频率:-; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:IS29GL256; 封装 / 箱体:BGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 256M 2.7-3.6V 70ns Parallel NOR I-Temp |
 |
GD25Q80CSIGR |
GigaDevice |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 速度:120 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:1 M x 8; 最大时钟频率:120 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:8 Mbit; 系列:GD25Q80C; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice; |
NOR闪存 8Mbit NOR闪存 /3.3V /SOP8 208mil /Industrial(-40 to +85 ) /T&R |
|
GD25LQ80CEIGR |
GigaDevice |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 速度:104 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:1 M x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:2.1 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:8 Mbit; 系列:GD25LQ80C; 封装 / 箱体:USON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice; |
NOR闪存 8Mbit NOR闪存 /1.8v /USON8 3*2mm 0.55mm /Industrial(-40 to +85 ) /T&R |
 |
S25FL064LABNFI010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:490; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:54 MHz, 108 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:108 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S25FL064L; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 IC 64 Mb FLASH MEMORY |
 |
S25FL064LABMFI000 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:54 MHz, 108 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:108 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S25FL064L; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 IC 64 Mb FLASHMEM |
 |
IS25LP080D-JBLE-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:133 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:1 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:8 Mbit; 系列:IS25LP080D; 封装 / 箱体:SOIC-Wide-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 8M QSPI, 8-pin SOP 208mil ET |
 |
SFEM4096B1EA1TO-I-GE-111-E02 |
Swissbit |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Swissbit; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:BGA-153; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:90 MB/s; 连续读取:250 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:2 GB; 系列:EM-26; RoHS:Y; 制造商:Swissbit; |
eMMC 2GB E-MMC PSLC EM-26 I-TEMP |
 |
BR25H320FJ-2CE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:4 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, SPI; 组织:4 k x 8; 存储容量:32 kB; 封装 / 箱体:SOP-J8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 SPI BUS 10MHz 32Kbit 2.5-5.5V |
 |
S25FL256SAGNFB000 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256S; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
 |
24CW640T-I/OT |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:24CW640; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:SOT-23-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 64 Kbit I2C Serial 电可擦除可编程只读存储器 with Software Write Protection, Industrial Temp |
 |
AS4C8M16MSA-6BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:319; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C8M16MSA-6; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 访问时间:6 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:128 Mbit; 组织:8 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 128M 166MHz 8Mx16 Mobile LP S动态随机存取存储器 IT |
 |
AT24CSW040-UUM0B-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:WLCSP-4; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-3.6V, 1MHz, Ind Tmp, 4-WLCSP |
 |
47C04-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 系列:47C04; 封装:Tube; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
静态随机存取存储器 4k, 5.0V EERAM IND |
 |
S25FL064LABNFI041 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:615; 产品类型:NOR Flash; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Floating Gate; 速度:54 MHz, 108 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:108 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S25FL064L; 封装 / 箱体:USON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
 |
AS4C64M16D3LB-12BCN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C64M16D3LB; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:72 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:64 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 E-Temp |
|
S25FL256LDPNFI010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Floating Gate; 速度:66 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 最大时钟频率:66 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256L; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
 |
IS25LP032D-JLLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS25LP032D; 封装 / 箱体:WSON-8; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 32M QSPI, WSON ET |
|
M24128-BFMH6TG |
STMicroelectronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:2.5 mA; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:M24128-BF; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:2.5 mA; 最大时钟频率:1000 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:450 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kbit; 封装 / 箱体:UFDFPN-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
电可擦除可编程只读存储器 MEMORY |
 |
AT24C08D-PUM |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:50; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tube; 系列:AT24C08D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-3.6V, 1MHz, Ind Tmp, 8-PDIP |
 |
IS43TR16128C-125KBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR16128C; 访问时间:20 ns; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3 1.5V |
|
IS43TR16128C-125KBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR16128C; 访问时间:20 ns; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3 1.5V |
|
AS4C32M16D3-12BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C32M16D3; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:195 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 512M 1.5V 800Mhz 32M x 16 DDR3 |
 |
AS4C8M32MSA-6BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C8M32MSA-6; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:80 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 访问时间:6 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:8 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:FBGA-90; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 256M 166MHz 8Mx32 Mobile LP S动态随机存取存储器 IT |
 |
24CW160-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 系列:24CW160; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 16 Kbit I2C Serial 电可擦除可编程只读存储器 with Software Write Protection, Industrial Temp |
|
24CW320-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 系列:24CW320; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial; 组织:4 k x 8; 存储容量:32 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 32 Kbit I2C Serial 电可擦除可编程只读存储器 with Software Write Protection, Industrial Temp |
|
GD25WD40CTIGR |
GigaDevice |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 速度:100 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 k x 8; 最大时钟频率:100 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:4 Mbit; 系列:GD25WD40C; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice; |
NOR闪存 4Mbit NOR闪存 /1.65v-3.6v /SOP8 150mil /Industrial(-40 to +85 ) /T&R |
 |
BR93G66F-3AGTE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:3 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:3-Wire / MicroWire; 组织:256 x 16; 存储容量:4 kB; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 Microwire BUS 4Kbit(256x16bit) |
|
47C04-E/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 系列:47C04; 封装:Tube; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
静态随机存取存储器 4k, 5.0V EERAM EXT |
|
47C04-I/P |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 产品类型:SRAM; 商标:Microchip Technology; 系列:47C04; 封装:Tube; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
静态随机存取存储器 4k, 5.0V EERAM IND |
|
AT25PE80-SHN-B |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
商标名:DataFlash-L; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 速度:85 MHz; 存储类型:Non-Volatile; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:1 M x 8; 最大时钟频率:85 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:16 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:8 Mbit; 系列:AT25PE80; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 8Mb 1.7V-3.6V SPI 85MHz IND TEMP |
QQ客服
