器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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S25FL256SDSBHV200 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:80 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:80 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256S; 封装 / 箱体:BGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S25FL256SDPBHVC10 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:66 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:66 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256S; 封装 / 箱体:BGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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IS43R16320F-6TLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43R16320F; 封装 / 箱体:TSOP-66; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR1; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512M 32Mx16 166MHz DDR 2.5V |
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AS4C32M32MD1A-5BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C32M32MD1A-5; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:150 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 访问时间:5 ns; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:32 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:FBGA-90; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR1; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 1G 1.8V 32M x 32 Mobile DDR I-Temp |
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IS29GL128-70SLEB |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:70 ns; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:16 M x 8/8 M x 16; 最大时钟频率:-; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:IS29GL128; 封装 / 箱体:TSOP-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 128Mb, 56 pin TSOP, 3V, RoHS, Lowest Sector Protected |
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AT21CS01-SSHM10-B |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 工作电源电流:200 uA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tube; 系列:AT21CS01; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:0.03 mA, 0.5 mA; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-3.6V 125Kbps Ind Tmp 2-XSFN |
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24CW640-I/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 系列:24CW640; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 64 Kbit I2C Serial 电可擦除可编程只读存储器 with Software Write Protection, Industrial Temp |
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CAS93C66VP2I-GT3 |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 4KB MICROWIRE SER 电可擦除可编程只读存储器 |
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GD25Q32CSJGR |
GigaDevice |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 速度:120 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:4 M x 8; 最大时钟频率:120 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:32 Mbit; 系列:GD25Q32C; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice; |
NOR闪存 32Mbit NOR闪存 /3.3V /SOP8 208mil /Industrial(-40 to +105 ) /T&R |
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CY7C1041GN-10VXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:170; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:SDR; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 ASYNC 静态随机存取存储器S |
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S25FL256SAGMFB010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256S; 封装 / 箱体:SOIC-Narrow-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 NOR |
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S29GL01GT11FHV010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit Eclipse; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 产品类型:NOR Flash; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:110 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:128 M x 8/64 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:S29GL01GT; 封装 / 箱体:FBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 NOR |
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IS25WP080D-JKLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:570; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 系列:IS25WP080D; 封装 / 箱体:WSON-8; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 8M QSPI, WSON |
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AS4C128M8D3B-12BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C128M8D3B; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:72 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:128 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 1G 1.5V 800MHz 128Mx8 DDR3 I-Temp |
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AS4C128M8D3LB-12BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C128M8D3LB; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:72 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:128 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 1G 1.35V 800MHz 128Mx8 DDR3 I-Temp |
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GD25LQ40CTIGR |
GigaDevice |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 速度:104 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 k x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:2.1 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:4 Mbit; 系列:GD25LQ40C; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice; |
NOR闪存 4Mbit NOR闪存 /1.8v /SOP8 150mil /Industrial(-40 to +85 ) /T&R |
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47C04-E/P |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 产品类型:SRAM; 商标:Microchip Technology; 系列:47C04; 封装:Tube; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
静态随机存取存储器 4k, 5.0V EERAM EXT |
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SST25PF040C-40V/MF |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:98; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 系列:SST25PF; 封装 / 箱体:TDFN-S-8; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 4Mb, Serial Flash, 3.0V, 105C |
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S25FL127SABMFB101 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:91; 产品类型:NOR Flash; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 定时类型:Synchronous; 系列:S25FL127S; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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AS4C8M32MD2A-25BCN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:171; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C8M32MD2A-25; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 电源电流—最大值:140 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.95 V; 最大时钟频率:400 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:8 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:FBGA-134; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR2; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 256M 1.2/1.8V 400MHz 8Mx32 LPDDR2 E-Temp |
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AS4C128M8D2A-25BCN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:264; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C128M8D2A; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 1G, 1.8V, 128M x 16 DDR2 C Temp |
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AS4C128M8D2A-25BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:264; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C128M8D2A; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 1G, 1.8V, 128M x 16 DDR2 I Temp |
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BR24A01AF-WME2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kB; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS 400KHz 1Kbit 2.5-5.5V |
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AT21CS01-STUM13-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT21CS01; 封装 / 箱体:SOT-23-3; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 S电可擦除可编程只读存储器, 1K, SW - 1.7-3.6V, 125Kbps, Ind Tmp, 3-SOT23 |
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AT25SF081-SHF-B |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 速度:70 MHz; 存储类型:Flash; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:12 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:8 Mbit; 系列:AT25SF081; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 8Mb, 2.5V, 70Mhz Serial Flash |
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47C04-I/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:SRAM; 商标:Microchip Technology; 系列:47C04; 封装:Tube; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
静态随机存取存储器 4k, 5.0V EERAM IND |
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BR24A08F-WME2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, I2C; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kB; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS 400KHz 8Kbit 2.5-5.5V |
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47L04-I/P |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 产品类型:SRAM; 商标:Microchip Technology; 系列:47L04; 封装:Tube; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
静态随机存取存储器 4k, 3.0V EERAM IND |
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IS61WV5128BLL-10TLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61WV5128BLL; 存储类型:SDR; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 4Mb (512k x 8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v |
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AT24C02D-PUM |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:50; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tube; 系列:AT24C02D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-3.6V, 1MHz, Ind Tmp, 8-PDIP |
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MT25QU128ABA1EW9-0SIT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1920; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:MT25QU; 封装 / 箱体:WDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 32MX4 WPDFN |
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MT25QU256ABA1EW7-0SIT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2940; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:166 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:MT25QU; 封装 / 箱体:WDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 64MX4 WPDFN |
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SFEM016GB1EA1TO-I-GE-111-STD |
Swissbit |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 商标:Swissbit; 产品:eMMC Flash Drive; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:21 MB/s; 连续读取:175 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:16 GB; 系列:EM-20; RoHS:Y; 制造商:Swissbit; |
eMMC 16GB E-MMC MLC EM-20 IND |
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MT29F1G08ABAEAWP:E |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:960; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:NAND Flash; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:128 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 1G 128MX8 TSOP |
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MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1260; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:NAND Flash; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:128 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 1G 128MX8 FBGA |
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AT24C04D-SSHM-B |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tube; 系列:AT24C04D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-3.6V, 1MHz, Ind Tmp, 8-SOIC-N |
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AT25PE20-SSHN-T |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
商标名:DataFlash-L; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 速度:85 MHz; 存储类型:Non-Volatile; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:256 k x 8; 最大时钟频率:85 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:15 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:2 Mbit; 系列:AT25PE20; 封装 / 箱体:SOIC-8 Wide; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 2Mb 1.65V-3.6V SPI 85MHz IND TEMP |
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S25FL128LAGNFI010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:490; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Floating Gate; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S25FL128L; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 128MB F-L NOR闪存 133MHZ WSON |
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W25Q32JWZPIQ |
Winbond |
存储器 IC |
商标名:SpiFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:700; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:4 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:32 Mbit; 系列:W25Q32JW; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Winbond; |
NOR闪存 spiFlash, 1.8V, 32M-bit, 4Kb Uniform Sector |
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IS25LP016D-JKLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:570; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:133 MHz; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:IS25LP016D; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 16M QSPI, WSON ET |
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AT24C04D-STUM-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AT24C04D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:SOT-23-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-3.6V, 1MHz, Ind Tmp, 8-SOT23 |
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IS25LP128F-JKLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:570; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:166 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:13.5 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:IS25LP128F; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 128M 2.3-3.6V 166Mhz Serial NOR闪存 |
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IS25LP016D-JBLE-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 结构:Block, Uniform Sector; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:IS25LP016D; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 16M QSPI, 8-pin SOP |
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GD25Q80CTIGR |
GigaDevice |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 速度:120 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:1 M x 8; 最大时钟频率:120 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:8 Mbit; 系列:GD25Q80C; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice; |
NOR闪存 8Mbit NOR闪存 /3.3V /SOP8 150mil /Industrial(-40 to +85 ) /T&R |
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AT21CS11-STU10-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT21CS01; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:4.5 V; 电源电压-最小:2.7 V; 最大时钟频率:125 kHz; 数据保留:100 Year; 访问时间:5 ms; 接口类型:I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2.7-4.5V, 125Kbps Ind Tmp, 3-SOT23 |
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IS25LP032D-JBLA3 |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:4 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:32 Mbit; 系列:IS25LP032D; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 32M 2.3-3.6V 133Mhz Serial NOR闪存 |
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IS25LP016D-JBLA3 |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:IS25LP016D; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 16M 2.3-3.6V 133Mhz Serial NOR闪存 |
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S25FL064LABNFV040 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:490; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Floating Gate; 速度:54 MHz, 108 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:108 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S25FL064L; 封装 / 箱体:USON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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MT25QL128ABA8E12-0AAT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1122; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:MT25QL; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 32MX4 TBGA |
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IS25LP256D-JMLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:44; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 结构:Sector; 速度:166 MHz; 存储类型:NOR; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:IS25LP256D; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 256M 3V 166MHZ Serial Flash |