| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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VEML6035 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 上升时间:1000 ns; 产品类型:Ambient Light Sensors; Pd-功率耗散:50 mW; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:300 ns; 商标:Vishay Semiconductors; 类型:Low Power, High Sensitivity; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:VEML6035; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:2 mm x 2 mm x 0.4 mm; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
环境光传感器 LOW PWR,HI SENS AMBIENT SENSOR |
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VEML3328 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2500; 产品类型:Photo IC Sensors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Vishay Semiconductors; 波长:590 nm, 610 nm, 560 nm, 470 nm, 825 nm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:OPLGA-4; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:300 ns; 上升时间:1000 ns; 工作电源电流:580 uA; 工作电源电压:2.6 V to 3.6 V; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光IC传感器 RGBCIR Color Sensor I2C bus OPLGA4 |
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VEML3328SL |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2500; 产品类型:Photo IC Sensors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Vishay Semiconductors; 波长:590 nm, 610 nm, 560 nm, 470 nm, 825 nm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:OPLGA-4; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:300 ns; 上升时间:1000 ns; 工作电源电流:580 uA; 工作电源电压:2.6 V to 3.6 V; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光IC传感器 RGBCIR Color Sensor I2C bus OPLGA4 SV |
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VEMD11940FX01 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1.7 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:4000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:1.8 uA; Pd-功率耗散:104 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2 mm; 类型:PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:3 mm; 高度:0.6 mm; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:150 deg; 下降时间:1000 ns; 上升时间:1000 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:950 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Sideview 780-1050nm +/-75 deg |
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BPV11F |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:9 mA; 半强度角度:15 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:5.75 mm; 波长:930 nm; 类型:Phototransistor; 封装:Tube; 透镜颜色/类型:Water Clear; 长度:5.75 mm; 高度:8.6 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:150 mW; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:130 mV; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:930 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 T-1.75 900 to 980nm +/-15 deg |
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BPV11 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:10 mA; 半强度角度:15 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:5.75 mm; 波长:850 nm; 类型:Chip; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Water Clear; 长度:5.75 mm; 高度:8 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:150 mW; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:130 mV; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 T-1.75 450 to 1080nm +/-15 deg |
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BP104S |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1800; 产品类型:Photodiodes; 光电流:45 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:4.3 mm; 长度:4.65 mm; 高度:2 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:950 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 PIN Photodiode 950nm |
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VEMD10940F |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; 湿度敏感性:Yes; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:950 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Sideview 780-1050nm +/-75 deg |
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TEFT4300 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:5000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:3.2 mA; 半强度角度:30 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:3.9 mm; 波长:925 nm; 类型:IR Chip; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Black; 长度:3.2 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:0.3 V; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:925 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 T-1 875 to 1000nm +/-30 deg |
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TEFD4300 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:5000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:17 uA; Pd-功率耗散:215 mW; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:3 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 封装:Bulk; 长度:3.2 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:20 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:0.15 nA; 峰值波长:950 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 T-1 350 to 1120nm +/-20 deg |
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VEMD10940FX01 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1.56 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:3 uA; Pd-功率耗散:104 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2 mm; 类型:PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:150 deg; 下降时间:1000 ns; 上升时间:1000 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:950 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Sideview 780-1050nm +/-75 deg |
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VEMD2520X01 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:6000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:12 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.3 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:2.3 mm; 高度:2.77 mm; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:15 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Gullwing 350-1120nm +/-15 deg |
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TEMT7000X01 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 0805 470-1090nm +/-60 deg |
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TEMD6010FX01 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
Vr - 反向电压 :16 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Ambient Light Sensors; Pd-功率耗散:100 mW; 湿度敏感性:Yes; 半强度角度:60 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:4 mm; 类型:Ambient Light Sensor; 长度:2 mm; 高度:1.05 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:TEMDxxxxFX01; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 峰值波长:540 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:1206; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
环境光传感器 16V 100mW 540nm AEC-Q101 Qualified |
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VEMD6010X01 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:9.5 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 110 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 1206 430 to 1100nm +/-60 deg |
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VBP104SR |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:35 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:3.9 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:6.4 mm; 高度:1.2 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Reverse gullwing 430-1100nm +/-65 deg |
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BPW76B |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:0.8 mA; 半强度角度:40 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:5.5 mm; 波长:850 nm; 类型:Chip; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:5.5 mm; 高度:5.2 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:250 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.15 V; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 TO-18 450-1080nm +/-40 deg |
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VEMD2503X01 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:6000; 产品类型:Photodiodes; Pd-功率耗散:215 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:35 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 峰值波长:900 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Reverse gullwing 350-1120nm +/-35 deg |
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VBP104FASR |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:35 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:3.9 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:6.4 mm; 高度:1.2 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:950 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Reverse gullwing 780-1050nm +/-65 deg |
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VEMD5010X01 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 湿度敏感性:Yes; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD5010X01; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; 峰值波长:940 nm; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Top view 430-1100nm +/-65 deg |
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BPW85C |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:5000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:8 mA; 半强度角度:25 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:3.4 mm; 波长:850 nm; 类型:Chip; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:3.4 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:0.3 V; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 T-1 450 to 1080nm +/-25 deg |
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BPW85B |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:5000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:4 mA; 半强度角度:25 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:3.4 mm; 波长:850 nm; 类型:Chip; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:3.4 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:0.3 V; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 T-1 450 to 1080nm +/-25 deg |
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VEMT2003X01 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:6000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:2.7 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 波长:860 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:1 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:20 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 Reverse gullwing 790-970nm +/-35 deg |
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VEMD5110X01 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 湿度敏感性:Yes; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD5110X01; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; 峰值波长:940 nm; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Top view 790-1050nm +/-65 deg |
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VEMD5060X01 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:26 uA; Pd-功率耗散:240 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 110 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:30 ns; 上升时间:30 ns; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:200 pA; 峰值波长:820 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-4; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Top view 350-1070nm +/-65 deg |
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TEKT5400S |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:4 mA; 半强度角度:37 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.65 mm; 波长:920 nm; 类型:Photodiode; 封装:Bulk; 长度:5 mm; 高度:5 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:150 mW; 下降时间:8 us; 上升时间:6 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.3 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:100 mA; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:920 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 Sideview 850-980nm +/-37 deg |
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BPW76A |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:0.8 mA; 半强度角度:40 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:5.5 mm; 波长:850 nm; 类型:Chip; 封装:Bulk; 长度:5.5 mm; 高度:5.2 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:250 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.15 V; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 TO-18 450-1080nm +/-40 deg |
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BPV22NFL |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:4000; 响应率:0.6 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:85 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:5 mm; 封装:Bulk; 长度:4.5 mm; 高度:6 mm; 系列:BPV22NF; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 55 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Sideview 790-1050nm +/-60 deg |
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VEMD6110X01 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:9.5 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 110 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:950 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 1206 750 to 1050nm +/-60 deg |
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TEMT1040 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:7 mA; 半强度角度:15 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2 mm; 波长:880 nm; 类型:IR Chip; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Black; 长度:2.5 mm; 高度:2.7 mm; 系列:TEMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:2.3 us; 上升时间:2 us; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:0.3 V; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:100 mA; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:950 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 Axial leads 730-1000nm +/-15 deg |
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TEMT1020 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:7 mA; 半强度角度:15 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2 mm; 波长:880 nm; 类型:IR Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 透镜颜色/类型:Black; 长度:2.5 mm; 高度:2.7 mm; 系列:TEMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:2.3 us; 上升时间:2 us; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:0.3 V; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:100 mA; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:950 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 Gullwing 730-1000nm +/-15 deg |
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VEMD1060X01 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:1.8 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 110 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:70 deg; 下降时间:80 ns; 上升时间:60 ns; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:10 pA; 峰值波长:820 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:0805; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 0805 top view 350-1070nm +/-70 deg |
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TEMD1020 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 响应率:0.6 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:12 uA; Pd-功率耗散:75 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:2.5 mm; 高度:2.7 mm; 系列:TEMD; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:15 deg; 下降时间:4 ns; 上升时间:4 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Gullwing 790-1050nm +/-15 deg |
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BPW34 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:70 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:4.3 mm; 封装:Tube; 长度:4.5 mm; 高度:2 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Top view 430-1100nm +/-65 deg |
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BPW34S |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1800; 产品类型:Photodiodes; 光电流:70 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:4.3 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Top view 430-1100nm +/-65 deg |
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VBPW34SR |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:55 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:3.9 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:6.4 mm; 高度:1.2 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Reverse gullwing 430-1100nm +/-65 deg |
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TEKT5400S-ASZ |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 产品类型:Phototransistors; 商标:Vishay Semiconductors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 Phototransitor Sv lens 37deg |
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TEMD1000 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 响应率:0.6 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:12 uA; Pd-功率耗散:75 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:2.5 mm; 高度:2.7 mm; 系列:TEMD; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:15 deg; 下降时间:4 ns; 上升时间:4 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Reverse gullwing 790-1050nm +/-15 deg |
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TEMT1030 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:7 mA; 半强度角度:15 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2 mm; 波长:880 nm; 类型:IR Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 透镜颜色/类型:Black; 长度:2.5 mm; 高度:2.7 mm; 系列:TEMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:2.3 us; 上升时间:2 us; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:0.3 V; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:100 mA; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:950 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 Yoke 730 to 1000nm +/-15 deg |
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VEMD5160X01 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:26 uA; Pd-功率耗散:240 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 110 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:30 ns; 上升时间:30 ns; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:200 pA; 峰值波长:840 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-4; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Top view 700-1070nm +/-65 deg |
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TEMD1030 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 响应率:0.6 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:12 uA; Pd-功率耗散:75 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:2.5 mm; 高度:2.7 mm; 系列:TEMD; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:15 deg; 下降时间:4 ns; 上升时间:4 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Yoke 790 to 1050nm +/-15 deg |
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VEML6070 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2500; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:-; 湿度敏感性:Yes; 低电平输出电压:-; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:1.8 mm; 波长:355 nm; 长度:2.35 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:OPLGA-6; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:-; 下降时间:300 ns; 上升时间:1000 ns; 高电平输出电流:-; 工作电源电流:100 uA; 工作电源电压:5.5 V; 输出类型:10 KOhms Pull-up, Buffer; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光IC传感器 UV(A) Light Sensor I2C Infce 16-bit |
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VEMD2523SLX01 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; Pd-功率耗散:215 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:35 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 峰值波长:900 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Sideview 350-1120nm +/-35 deg |
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VBPW34S |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:55 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:3.9 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:6.4 mm; 高度:1.2 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Gullwing 430-1100nm +/-65 deg |
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TEMD7000X01 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:3 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:1.25 mm; 类型:PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:2 mm; 高度:0.85 mm; 资格:AEC-Q101; 系列:TEMD; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 0805 350 to 1120nm +/-60 deg |
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BPV10NF |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:4000; 响应率:0.55 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:60 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:3E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:5.75 mm; 封装:Bulk; 长度:5.75 mm; 高度:8.6 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:20 deg; 下降时间:2.5 ns; 上升时间:2.5 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 T-1.75 790 to 1050nm +/-20 deg |
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BPV10 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:4000; 响应率:0.55 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:85 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:3E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:5.75 mm; 封装:Bulk; 长度:5.75 mm; 高度:8.6 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:20 deg; 下降时间:2.5 ns; 上升时间:2.5 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:920 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 T-1.75 380 to1100nm +/-20 deg |
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BP104 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:45 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:4.3 mm; 封装:Tube; 长度:4.65 mm; 高度:2 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:950 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-5; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 65 Degree 215mW |
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TEMD5080X01 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 产品类型:Photodiodes; 光电流:60 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:11E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:4.24 mm; 类型:PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:5 mm; 高度:1.12 mm; 资格:AEC-Q101; 系列:TEMD; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:40 ns; 上升时间:40 ns; Vr - 反向电压 :25 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Top view 350-1100nm +/-65 deg |
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BPW77NB |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:10 mA; 半强度角度:10 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:5.5 mm; 波长:850 nm; 类型:Chip; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:5.5 mm; 高度:6.15 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:250 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.15 V; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 TO-18 450-1080nm +/-10 deg |
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