| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
 |
OPL562-OC |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:200 mW; 低电平输出电压:0.4 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.45 mm; 波长:935 nm; 长度:2.34 mm; 高度:5.72 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:5 us; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; 高电平输出电流:100 uA; 工作电源电流:8 mA; 工作电源电压:4.5 V to 16 V; 输出类型:Open Collector; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Lateral |
 |
OP508FA |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:890 nm/ 935 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Endlooker; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
 |
OP515B |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
 |
OPR5500 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:578; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:36 uA; 商标:Optek / TT Electronics; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:2.5 us; 上升时间:2.5 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极击穿电压:5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD/SMT; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
 |
OPL800-OC |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:120 mW; 低电平输出电压:0.4 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.75 mm; 波长:935 nm; 长度:4.75 mm; 高度:6.86 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-3; 最大工作温度:+ 110 C; 最小工作温度:- 55 C; 传播延迟时间:5 us; 下降时间:70 ns; 上升时间:70 ns; 高电平输出电流:100 uA; 工作电源电流:15 mA; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 输出类型:Open Collector, Buffer; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Sensor |
|
OPL811 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:250 mW; 低电平输出电压:0.4 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.75 mm; 波长:935 nm; 长度:4.75 mm; 高度:6.86 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-3; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 55 C; 传播延迟时间:5 us; 下降时间:70 ns; 上升时间:70 ns; 工作电源电流:15 mA; 工作电源电压:4.5 V to 16 V; 输出类型:Totem Pole, Inverter; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Sensor |
|
OPL811-OC |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:250 mW; 低电平输出电压:0.4 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.75 mm; 波长:935 nm; 长度:4.75 mm; 高度:6.86 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-3; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 55 C; 传播延迟时间:5 us; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; 高电平输出电流:100 uA; 工作电源电流:15 mA; 工作电源电压:4.5 V to 16 V; 输出类型:Totem Pole, Inverter; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Sensor |
|
OPL813-OC |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:250 mW; 低电平输出电压:0.4 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.75 mm; 波长:935 nm; 长度:4.75 mm; 高度:6.86 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-3; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 55 C; 传播延迟时间:5 us; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; 高电平输出电流:100 uA; 工作电源电流:15 mA; 工作电源电压:4.5 V to 16 V; 输出类型:Open Collector, Inverter; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Sensor |
 |
OP750B |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:935 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:4.2 mA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Sidelooker; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
|
OP750A |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:935 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:7 mA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Sidelooker; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
 |
OP509B |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:1.63 mm; 波长:890 nm/ 950 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 长度:4.19 mm; 高度:3.81 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:10.6 mA; 峰值波长:890 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Endlooker Lensed; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
 |
OP555A |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:935 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Sidelooker; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
|
OPL531-OCA |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:90 mW; 低电平输出电压:0.2 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.45 mm; 波长:935 nm; 长度:2.34 mm; 高度:5.72 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:3 us; 下降时间:20 ns; 上升时间:50 ns; 高电平输出电流:0.1 uA; 工作电源电流:2.7 mA; 工作电源电压:4.5 V to 16 V; 输出类型:Open Collector; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Sensor |
|
OPL531A |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:90 mW; 低电平输出电压:0.2 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.45 mm; 波长:935 nm; 长度:2.34 mm; 高度:5.72 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:3 us; 下降时间:20 ns; 上升时间:1.5 us; 高电平输出电流:0.1 uA; 工作电源电流:2.7 mA; 工作电源电压:4.5 V to 16 V; 输出类型:Internal 10K - Low; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Sensor |
|
OPL530-OC |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:90 mW; 低电平输出电压:0.2 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.45 mm; 波长:935 nm; 长度:2.34 mm; 高度:5.72 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:3 us; 下降时间:20 ns; 上升时间:50 ns; 高电平输出电流:0.1 uA; 工作电源电流:2.7 mA; 工作电源电压:4.5 V to 16 V; 输出类型:Open Collector; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Sensor |
|
OPL536A |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:90 mW; 低电平输出电压:0.2 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.45 mm; 波长:935 nm; 长度:2.54 mm; 高度:5.84 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:3 us; 下降时间:20 ns; 上升时间:1.5 us; 高电平输出电流:0.1 uA; 工作电源电流:2.7 mA; 工作电源电压:4.5 V to 16 V; 输出类型:Internal 10K - Low; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Sensor |
 |
OPS667 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 类型:LED and Photosensor Pairs; 封装:Bulk; 高度:5.08 mm; 系列:OPS66x; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 LED/Sensor Matched Pair |
|
OPL561-OC |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:200 mW; 低电平输出电压:0.4 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.45 mm; 波长:935 nm; 长度:2.34 mm; 高度:5.72 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:5 us; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; 高电平输出电流:100 uA; 工作电源电流:8 mA; 工作电源电压:4.5 V to 16 V; 输出类型:Open Collector; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Lateral |
|
OPL561-OCA |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:200 mW; 低电平输出电压:0.4 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.45 mm; 波长:935 nm; 长度:2.34 mm; 高度:5.72 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:5 us; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; 高电平输出电流:100 uA; 工作电源电流:8 mA; 工作电源电压:4.5 V to 16 V; 输出类型:Open Collector; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Lateral |
|
OPL560 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:200 mW; 低电平输出电压:0.4 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.45 mm; 波长:935 nm; 长度:2.34 mm; 高度:5.72 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:5 us; 下降时间:70 ns; 上升时间:70 ns; 高电平输出电流:100 uA; 工作电源电流:8 mA; 工作电源电压:4.5 V to 16 V; 输出类型:Totem Pole - High; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Lateral |
 |
OPL583 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:200 mW; 低电平输出电压:0.21 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:5.84 mm; 波长:940 nm; 长度:2.16 mm; 高度:7.62 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:10 us; 下降时间:15 ns; 上升时间:20 ns; 高电平输出电流:1 uA; 工作电源电流:8.5 mA; 工作电源电压:4.5 V to 16 V; 输出类型:Open Collector; 通道数量:2 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Sensor |
 |
OP600C |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:400; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
|
OP600A |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:400; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:890 nm; 封装:Bulk; 高度:2.92 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; Pd-功率耗散:50 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:25 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V; 开启状态集电极最大电流:1.2 mA; 峰值波长:890 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:Pill; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
 |
OP830WSL |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; Pd-功率耗散:250 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:1 nA; 集电极—射极饱和电压:1.2 V; 集电极—射极击穿电压:15 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:5 V; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photodarlington |
 |
OP800A |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.75 mm; 波长:890 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 长度:4.75 mm; 高度:7.61 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; Pd-功率耗散:250 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 峰值波长:890 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-3; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
 |
OP535A |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:935 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:1.1 V; 集电极—射极击穿电压:15 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photodarlington |
|
OPL810 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:250 mW; 低电平输出电压:0.4 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.75 mm; 波长:935 nm; 长度:4.75 mm; 高度:6.86 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-3; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 55 C; 传播延迟时间:5 us; 下降时间:70 ns; 上升时间:70 ns; 工作电源电流:15 mA; 工作电源电压:4.5 V to 16 V; 输出类型:Totem Pole, Buffer; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Sensor |
 |
OP598B |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:890 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Blue; 高度:5.84 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:250 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:10 mA; 峰值波长:890 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 PHOTOSENSOR |
|
OPL530 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:90 mW; 低电平输出电压:0.2 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.45 mm; 波长:935 nm; 长度:2.34 mm; 高度:5.72 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:3 us; 下降时间:20 ns; 上升时间:1.5 us; 高电平输出电流:0.1 uA; 工作电源电流:2.7 mA; 工作电源电压:4.5 V to 16 V; 输出类型:Internal 10K - High; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Sensor |
|
OPL820-OC |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:200 mW; 低电平输出电压:0.4 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.75 mm; 波长:935 nm; 长度:4.75 mm; 高度:6.86 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-3; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:2.1 us; 下降时间:60 ns; 上升时间:60 ns; 高电平输出电流:100 uA; 工作电源电流:12 mA; 工作电源电压:4.5 V to 16 V; 输出类型:Open Collector, Buffer; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Sensor |
 |
OP505C |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:935 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:3 mA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
|
OPL801-OC |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:120 mW; 低电平输出电压:0.4 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.75 mm; 波长:935 nm; 长度:4.75 mm; 高度:6.86 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-3; 最大工作温度:+ 110 C; 最小工作温度:- 55 C; 传播延迟时间:5 us; 下降时间:70 ns; 上升时间:70 ns; 高电平输出电流:100 uA; 工作电源电流:15 mA; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 输出类型:Open Collector, Inverter; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Sensor |
 |
OP802WSL |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:5.84 mm; 封装:Bulk; 长度:5.84 mm; 高度:5.13 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; Pd-功率耗散:250 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 开启状态集电极最大电流:3 mA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-3; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
|
OP550B |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:930 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:4.7 mA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Sidelooker; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
|
OP593B |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:890 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:250 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:4 mA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
 |
OP560C |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:980 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:1.1 V; 集电极—射极击穿电压:15 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photodarlington |
 |
OPS692 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:2.54 mm; 类型:LED and Photosensor Pairs; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:4.57 mm; 高度:5.84 mm; 系列:OPS69x; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 LED/Sensor Matched Pair |
|
OP801WSL |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 封装:Bulk; 高度:5.13 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; Pd-功率耗散:250 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:3 mA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
|
OP560A |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:980 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:1.1 V; 集电极—射极击穿电压:15 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photodarlington |
|
OPL550-OCA |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:200 mW; 低电平输出电压:0.25 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.45 mm; 波长:935 nm; 长度:2.34 mm; 高度:5.72 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:2.5 us; 下降时间:25 ns; 上升时间:25 ns; 高电平输出电流:1 uA; 工作电源电流:8 mA; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 输出类型:Open Collector; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Lateral |
|
OPL551-OC |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:200 mW; 低电平输出电压:0.25 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.45 mm; 波长:935 nm; 长度:2.34 mm; 高度:5.72 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:2.5 us; 下降时间:25 ns; 上升时间:25 ns; 高电平输出电流:1 uA; 工作电源电流:8 mA; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 输出类型:Open Collector; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Lateral |
|
OPL562 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:200 mW; 低电平输出电压:0.4 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.45 mm; 波长:935 nm; 长度:2.34 mm; 高度:5.72 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:5 us; 下降时间:70 ns; 上升时间:70 ns; 高电平输出电流:100 uA; 工作电源电流:8 mA; 工作电源电压:4.5 V to 16 V; 输出类型:Totem Pole - High; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Lateral |
|
OP800B |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.75 mm; 波长:890 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 长度:4.75 mm; 高度:7.61 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; Pd-功率耗散:250 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:5.4 mA; 峰值波长:890 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-3; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
 |
OP505W |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:3.18 mm; 波长:935 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 长度:4.19 mm; 高度:3.94 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
|
OPL551 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:200 mW; 低电平输出电压:0.25 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.45 mm; 波长:935 nm; 长度:2.34 mm; 高度:5.72 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:2.5 us; 下降时间:25 ns; 上升时间:25 ns; 高电平输出电流:1 uA; 工作电源电流:8 mA; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 输出类型:Totem Pole - Low; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Lateral |
 |
OP506W |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:3.18 mm; 波长:935 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Blue; 长度:4.19 mm; 高度:3.18 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 峰值波长:935 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
|
OPS666 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 类型:LED and Photosensor Pairs; 封装:Bulk; 高度:5.08 mm; 系列:OPS66x; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 LED/Sensor Matched Pair |
|
OPL563 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:200 mW; 低电平输出电压:0.4 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.45 mm; 波长:935 nm; 长度:2.34 mm; 高度:5.72 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:5 us; 下降时间:70 ns; 上升时间:70 ns; 高电平输出电流:100 uA; 工作电源电流:8 mA; 工作电源电压:4.5 V to 16 V; 输出类型:Totem Pole - Low; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Lateral |
|
OPS693 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:2.54 mm; 类型:LED and Photosensor Pairs; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:4.57 mm; 高度:5.84 mm; 系列:OPS69x; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 LED/Sensor Matched Pair |
|
OPL550A |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:200 mW; 低电平输出电压:0.25 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.45 mm; 波长:935 nm; 长度:2.34 mm; 高度:5.72 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:2.5 us; 下降时间:25 ns; 上升时间:25 ns; 高电平输出电流:1 uA; 工作电源电流:8 mA; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 输出类型:Totem Pole - High; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Lateral |
QQ客服
