两款新型余流监测器应运而生，一个专注于监控单相有线和中性线使用（CDSR 0.07-TP），另一个则对三相和中性线进行全面监测（CDSR 0.07-NP）。由于电动汽车运用了高电压电池，它同时也是一种高功率能源。因此，我们需要精细控制，以避免用户电击和保护家庭电板受损。这就需要我们有方法可以监视交流和直流电流的泄漏，并且能测量电流漏电最低可以到5mA。

监测器中的数字输出是SPI总线，而模拟输出实际上是一个需要一对外部RCRC滤波器的48MHz差分 ΣΔ 比特流，随后经过高阻负载创造出0-3V的信号。

这些适于PCB安装的设备内置了感应电流导线并设计有供3.3mm直径过孔使用的插脚。它们能处理最高32A的电流（峰值3.3kA），使得这些设备可以覆盖直至300V有效值的交流充电系统，功率范围3.3-22kW。

这些设备设计可应用于IC-CPD（“模式2”，包括电缆控制和保护设备）和墙箱（模式3）。三相版本的设备占地面积56 x 51mm，离PCB有26mm的高度。

当剩余电流达到70mArms时，会设置出行动输出，其量程为±150mA。在三相（“NP”）版本的设备中，一次对二次的爬电距离和间隙是10.15mm；在单相（“TP”）版本中，爬电距离和间隙是13.2mm。

内部采用通量门式传感器，需要单独的3.3V（最大50mA）电源供电。总误差最大为0.5mA，这在剩余的初级电流达到6mA时适用，而在10mA以内的剩余电流误差1mA，超过10mA时误差为10%。

这适用于模拟和数字输出，并且取决于电源的准确性。数字输出还有一个带宽更大的模式（2kHz相对于10Hz），但这会损失一些准确性。

一个连接到内部蕊片上面的10圈线圈的测试引脚，允许测试电流注入。设备能在-40℃到+85℃的环境下运行，并且具有五年的保质期。

三相余流传感器数据表：

单相余流传感器数据表：

芯片品牌：Intel，型号：Core i7，适用领域：高性能计算机。

芯片品牌：AMD，型号：Ryzen 7，适用领域：游戏电脑。

芯片品牌：Nvidia，型号：Geforce RTX 2080，适用领域：图形渲染。

芯片品牌：Qualcomm，型号：Snapdragon 865，适用领域：移动设备。

芯片品牌：Apple，型号：A14 Bionic，适用领域：移动设备。

芯片品牌：Samsung，型号：Exynos 990，适用领域：移动设备。