iDEAL半导体公司的SuperQ技术正式进入全面生产阶段，其首批产品是电压等级为150V的MOSFET。同时，一系列200V的MOSFET也正在送样中。

这一技术的推出标志着近四分之一个世纪以来硅MOSFET设计的首次重大突破，其在性能和效率上的表现无与伦比。SuperQ技术突破了硅材料在切换和导电方面的基本障碍，n型导电区的面积提高了近一倍（高达95%），而切换损耗比竞争对手的产品降低了约2.1倍。

该结构同样优化了电阻和功耗表现，在保持硅材料固有优势如耐用性、大规模可生产性和175°C结温等级下的可靠性的同时，实现了显著改进。

作为iDEAL 150V MOSFET系列首款产品的iS15M7R1S1C，是一款6.4 mΩ的MOSFET，现已在5 x 6 mm的PDFN封装中上市。该SMT封装设计采用了裸露引脚以简化装配过程并提高板级可靠性。

该公司的200V产品系列包括型号为iS20M6R1S1T的6.1 mΩ MOSFET，采用11.5 x 9.7 mm TOLL封装。该产品的电阻仅为6.1 mΩ，比目前行业领先者还低10%，比紧随其后的竞争者还低36%。公司还在TOLL、TO-220、D2PAK-7L和PDFN多种封装中送样200V MOSFET。

即将推出的300V和400V MOSFET平台将填补当前硅技术尚未覆盖的电压类别。iDEAL即将推出的设备旨在提供大幅降低的电阻，为效率和性能开辟新的可能性。

iDEAL半导体的CEO兼联合创始人Mark Granahan表示：“过去四分之一个世纪，行业依赖于归约表面场（RESURF）技术诸如超结构等，但这些架构的性能已趋于平稳。为了实现在电力传输和效率上所需的提升，需要一种新的架构，那就是SuperQ。”

SuperQ技术不仅针对MOSFET、IGBT、二极管、电力IC，甚至未来的半导体材料设计，为电力电子学下一时代奠定了基础。

iDEAL的硅电力设备在美国经过创新设计、工程调试和生产制造，兼容各种行业标准封装包括TO-220、ITO-220、TO-247、D2PAK-3L、D2PAK-7L、DPAK、TOLL、TOLT和PDFN 5×6，适用于广泛的电压和应用领域。

以下是部分高性能芯片信息：
- 英特尔 Core i9：适用于高端桌面计算
- AMD Ryzen 9：适用于桌面游戏和创意工作
- 英伟达 RTX 3080：适用于高端游戏和图形渲染
- 苹果 M1：适用于电脑和平板的高效能率处理
- 三星 Exynos：适用于移动设备
- 高通 Snapdragon：适用于智能手机和平板