| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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IS43TR16256AL-107MBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43TR16256AL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:310 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.575 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.35V, 1866MHz 256Mx16 DDR3 S动态随机存取存储器 |
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AS7C325632-10BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:High Speed CMOS SRAM; 系列:AS7C325632; 存储类型:SRAM; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TFBGA-90; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:180 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 32; 存储容量:8 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 8M, 3.3V, 10ns, FAST 256K X 32 Asyn 静态随机存取存储器 |
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AS6C3216A-55BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:220; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS6C3216A-55; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:55 ns; 组织:2 M x 16; 存储容量:32 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 32M 3V 55ns LP 2048Kx16 Asynch IT |
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AS7C351232-10BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS7C351232; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TFBGA-90; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:180 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:512 k x 32; 存储容量:16 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 16M, 3.3V, 10ns FAST 512K X 32 Asyn 静态随机存取存储器 |
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IS22ES08G-JQLA1 |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:98; 产品类型:eMMC; 安装风格:SMD/SMT; 商标:ISSI; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-100; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3.3 V; 连续写入:27.3 MB/s; 连续读取:250 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:8 GB; 系列:IS22ES08G; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
eMMC 8GB 3.3V 200Mhz eMMC 5.0 A-Temp |
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SFEM016GB1EA1TO-I-GE-111-E08 |
Swissbit |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Swissbit; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:BGA-153; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:90 MB/s; 连续读取:250 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:16 GB; 系列:EM-26; RoHS:Y; 制造商:Swissbit; |
eMMC 8GB E-MMC PSLC EM-26 I-TEMP |
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CY7C1370KV33-200BZXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:178 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:3 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 Sync 静态随机存取存储器s |
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SDINBDG4-32G-XA |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:110 MB/s; 连续读取:300 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:32 GB; 系列:iNAND 7250; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC 32GB iNAND 7250 Auto eMMC 5.1 -40C to 85C |
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SDINBDA4-64G |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 存储容量:64 GB; 系列:iNAND 7550; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC 64GB iNAND 7550 eMMC 5.1 |
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SDINBDG4-32G-ZA |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:110 MB/s; 连续读取:300 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:32 GB; 系列:iNAND 7250; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC 32GB iNAND 7250 Auto eMMC 5.1 -40 to 105C |
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MT53D512M32D2DS-046 AAT:D |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1360; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT53D; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDP |
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AT28LV010-20JU-319 |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:32; 产品类型:EEPROM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PLCC-32; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 200NS, PLCC, IND TEMP, GREEN, DISABLE SDP |
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SDINBDG4-64G |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 存储容量:64 GB; 系列:iNAND 7250; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC 64GB iNAND 7250 eMMC 5.1 |
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SDINBDG4-64G-I1 |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1.2 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:150 MB/s; 连续读取:300 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:64 GB; 系列:iNAND 7250; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC 64GB iNAND 7250 Ind. eMMC 5.1 |
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SDINDDH6-64G-I |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 连续写入:800 MB/s; 连续读取:550 MB/s; 标准包装数量:152; 产品类型:Universal Flash Storage (UFS); 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 产品:Embedded Flash Drives; 系列:iNAND IX EU312; 型号:v2.1; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1.2 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 接口类型:UFS 2.1; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 配置:TLC; 存储容量:64 GB; 制造商:SanDisk; |
通用闪存存储 (UFS) UFS 2.1 with Gear3 / 2 lane interface Industrial -25C to 85C |
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SDINBDG4-64G-XI1 |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1.2 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:150 MB/s; 连续读取:300 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:64 GB; 系列:iNAND 7250; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC 64GB iNAND 7250 Ind. eMMC 5.1 -40C to 85C |
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S29GL128S13FAEV10 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 产品类型:NOR Flash; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:8 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S29GL128S; 封装 / 箱体:BGA-64; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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SDINBDG4-64G-XA |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:11.5 mm x 13 mm x 1.2 mm; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1.2 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:110 MB/s; 连续读取:300 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:64 GB; 系列:iNAND 7250; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC 64GB iNAND 7250 Auto eMMC 5.1 -40C to 85C |
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SDINBDG4-64G-ZA |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:11.5 mm x 13 mm x 1.2 mm; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1.2 mm; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:110 MB/s; 连续读取:300 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:64 GB; 系列:iNAND 7250; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC 64GB iNAND 7250 Auto eMMC 5.1 -40 to 105C |
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GS8662Q36BGD-300I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8662Q36BGD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:1.07 A; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:300 MHz; 组织:2 M x 36; 存储容量:72 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 2M x 36 72M |
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GS864036GT-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS864036GT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:275 mA, 380 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:2 M x 36; 存储容量:72 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M |
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GS81280Z36GT-200IV |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS81280Z36GT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:340 mA, 410 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2.7 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:4 M x 36; 存储容量:144 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 4M x 36 144M |
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AT28C256-20DM/883-815 |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:14; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:5 V; 工作电源电流:50 mA; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tube; 系列:AT28C256; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 数据保留:10 Year; 访问时间:150 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:DIP-28; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 200NS CERDIP |
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AT28C256-25DM/883-815 |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:14; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:5 V; 工作电源电流:50 mA; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tube; 系列:AT28C256; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 数据保留:10 Year; 访问时间:150 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:DIP-28; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 250NS CERDIP |
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AT28C256E-25DM/883-815 |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:14; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:5 V; 工作电源电流:50 mA; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tube; 系列:AT28C256; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 数据保留:10 Year; 访问时间:150 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:DIP-28; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 250NS CERDIP |
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AT28C256E-20DM/883-815 |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:14; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:5 V; 工作电源电流:50 mA; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tube; 系列:AT28C256; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 数据保留:10 Year; 访问时间:150 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:DIP-28; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 200NS CERDIP |
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GS81284Z18GB-200V |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS81284Z18GB; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:325 mA, 400 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2.7 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:8 M x 18; 存储容量:144 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 8M x 18 144M |
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AT28C256F-15DM/883-815 |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:14; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:5 V; 工作电源电流:50 mA; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tube; 系列:AT28C256; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 数据保留:10 Year; 访问时间:150 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:DIP-28; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 150NS CERDIP |
|
AT28C256E-15DM/883-815 |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:14; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:5 V; 工作电源电流:50 mA; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tube; 系列:AT28C256; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 数据保留:10 Year; 访问时间:150 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:DIP-28; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 150NS CERDIP |
|
SDINBDA4-256G |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 存储容量:256 GB; 系列:iNAND 7550; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC 256GB iNAND 7550 eMMC 5.1 |
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GS81302TT37GE-450I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaDDR-II+; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaDDR-II+ B2; 系列:GS81302TT37GE; 存储类型:DDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:1.2 A; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:450 MHz; 组织:4 M x 36; 存储容量:144 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 36 144M |
|
GS81284Z36GB-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS81284Z36GB; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:415 mA, 535 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:4 M x 36; 存储容量:144 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M |
|
GS82582TT20GE-550 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaDDR-II+; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaDDR-II+; 系列:GS82582TT20GE; 存储类型:DDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:980 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:550 MHz; 组织:16 M x 18; 存储容量:288 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.5/1.8V 16M x 18 288M |
|
GS82564Z36GB-200IV |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT PL/FT; 系列:GS82564Z36GB; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:8 M x 36; 存储容量:288 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 8M x 36 288M |
|
GS82582DT38GE-500I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II+; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II+; 系列:GS82582DT38GE; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:1.21 A; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:500 MHz; 组织:8 M x 36; 存储容量:288 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.5/1.8V 8M x 36 288M |
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S29GL512T10TFI023 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:64 M x 8/32 M x 16; 电源电流—最大值:60 mA; 存储容量:512 Mbit; 系列:S29GL512T; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 NOR |
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S29GL512T10TFI013 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:64 M x 8/32 M x 16; 电源电流—最大值:60 mA; 存储容量:512 Mbit; 系列:S29GL512T; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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MT25QU512ABB8ESF-0AAT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1440; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:166 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:MT25QU; 封装 / 箱体:SOP2-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 128MX4 SOIC |
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MT29F32G08CBADBWPR:D |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:960; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:NAND Flash; 封装:Tray; 系列:MT29F; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 MLC 32G 4GX8 TSOP |
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S26KL256SDABHA020 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:HyperFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 系列:S26KL/S26KS; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 NOR |
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S26KL256SDABHB020 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:HyperFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 系列:S26KL/S26KS; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 NOR |
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MT46H32M16LFBF-5 AIT:C |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1782; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT46H; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:70 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 访问时间:5 ns; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:VFBGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR1; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 MOBILE DDR 512M 32MX16 FBGA |
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S26KL256SDABHB030 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:HyperFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 系列:S26KL/S26KS; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 NOR |
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MT29F64G08CBABBWPR:B |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:960; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:NAND Flash; 封装:Tray; 系列:MT29F; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 MLC 64G 8GX8 TSOP |
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S25FS512SFABHB210 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit Eclipse; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S25FS512S; 封装 / 箱体:BGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 IC 512 Mb FLASH MEMORY |
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SDINBDG4-8G |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 存储容量:8 GB; 系列:iNAND 7250; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC 8GB iNAND 7250 eMMC 5.1 |
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MT28EW512ABA1HJS-0AAT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:576; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:105 ns; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:64 M x 8/32 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:MT28EW; 封装 / 箱体:TSOP-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 EW-SERIES FLASH NOR SLC 32MX16 TSOP |
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MT25QL512ABB8E12-0AUT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1122; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:MT25QL; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 128MX4 TBGA |
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S26KS256SDPBHA020 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:HyperFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 系列:S26KL/S26KS; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 NOR |
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MT35XU512ABA1G12-0AAT |
Micron Technology |
存储器 IC |
商标名:Xccela; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1122; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT35X; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 64MX8 TBGA |
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