| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
 |
SDINBDG4-16G |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 存储容量:16 GB; 系列:iNAND 7250; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC 16GB iNAND 7250 eMMC 5.1 |
 |
MT25QL01GBBB8E12-0AAT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1122; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:MT25QL; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SERIAL NOR SLC 256MX4 TBGA DDP |
 |
S70FL01GSAGMFB010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:S70FL01GS; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
|
SDINBDG4-16G-I1 |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 0.8 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:80 MB/s; 连续读取:300 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:16 GB; 系列:iNAND 7250; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC 16GB iNAND 7250 eMMC 5.1 |
 |
S26KS512SDPBHN020 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:HyperFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 系列:S26KL/S26KS; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 NOR |
 |
MT40A1G8SA-062E:E |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1260; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:86 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 最大时钟频率:1600 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:1 G x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 8G 1GX8 FBGA |
|
SDINBDG4-16G-XI1 |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 0.8 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:80 MB/s; 连续读取:300 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:16 GB; 系列:iNAND 7250; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC 16GB iNAND 7250 eMMC 5.1 -40C to 85C |
 |
MT51J256M32HF-80:B |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1260; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT51J; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 GDDR5 8G 256MX32 FBGA |
|
S70FS01GSDSBHM210 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:S70FS01GS; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 NOR |
|
MT40A1G8SA-062E IT:E |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1260; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:86 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 最大时钟频率:1600 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:1 G x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 8G 1GX8 FBGA |
|
MTFC8GAMALNA-AIT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:980; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装:Tray; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC MASSFLASH/CONTROLLER 64G |
|
MTFC8GAMALBH-AIT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1520; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装:Tray; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC MASSFLASH/CONTROLLER 64G |
|
SDINBDG4-16G-XA |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:11.5 mm x 13 mm x 0.8 mm; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 0.8 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:55 MB/s; 连续读取:300 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:16 GB; 系列:iNAND 7250; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC 16GB iNAND 7250 eMMC 5.1 -40C to 85C |
|
MT40A2G4SA-075:E |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1260; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:76 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 最大时钟频率:1333 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:2 G x 4; 数据总线宽度:4 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 8G 2GX4 FBGA |
|
MTFC8GAMALNA-AAT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:980; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装:Tray; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC MASSFLASH/CONTROLLER 64G |
|
SDINBDG4-16G-ZA |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:11.5 mm x 13 mm x 0.8 mm; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 0.8 mm; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:55 MB/s; 连续读取:300 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:16 GB; 系列:iNAND 7250; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC 16GB iNAND 7250 eMMC 5.1 -40 to 105C |
 |
S70GL02GT11FHV010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit Eclipse; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit; 速度:110 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:256 M x 8/128 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:2 Gbit; 系列:S70GL02GT; 封装 / 箱体:FBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
|
MT25QL02GCBB8E12-0AAT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1122; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:256 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:94 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:2 Gbit; 系列:MT25QL; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 512MX4 TBGA QDP |
 |
SDINDDH6-16G-ZA |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 标准包装数量:152; 产品类型:Universal Flash Storage (UFS); 湿度敏感性:Yes; 商标:SanDisk; 系列:iNAND IX EU312; 制造商:SanDisk; |
通用闪存存储 (UFS) UFS 2.1 with Gear3 / 2 lane interface Automotive -40C to 105C |
|
SDINBDG4-32G |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 封装:Tray; 存储容量:32 GB; 系列:iNAND 7250; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC 32GB iNAND 7250 eMMC 5.1 |
 |
GS8160Z36DGT-250IV |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT; 系列:GS8160Z36DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:245 mA, 265 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2.7 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 36 18M |
|
S70GL02GT11FHA010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit Eclipse; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:256 M x 8/128 M x 16; 存储容量:2 Gbit; 系列:S70GL02GT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
 |
GS816236DGD-250IV |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS816236DGD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:245 mA, 265 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2.7 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 36 18M |
|
SDINBDG4-32G-I1 |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:150 MB/s; 连续读取:300 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:32 GB; 系列:iNAND 7250; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC 32GB iNAND 7250 Ind. eMMC 5.1 |
 |
SDINDDH6-32G-I |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 连续写入:800 MB/s; 连续读取:550 MB/s; 标准包装数量:152; 产品类型:Universal Flash Storage (UFS); 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 产品:Embedded Flash Drives; 系列:iNAND IX EU312; 型号:v2.1; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1.2 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 接口类型:UFS 2.1; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 配置:TLC; 存储容量:32 GB; 制造商:SanDisk; |
通用闪存存储 (UFS) UFS 2.1 with Gear3 / 2 lane interface Industrial -25C to 85C |
|
SDINBDG4-32G-XI1 |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:150 MB/s; 连续读取:300 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:32 GB; 系列:iNAND 7250; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC 32GB iNAND 7250 Ind. eMMC 5.1 -40C to 85C |
|
GS82582DT38GE-550I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II+; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II+; 系列:GS82582DT38GE; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:1.32 A; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:550 MHz; 组织:8 M x 36; 存储容量:288 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.5/1.8V 8M x 36 288M |
 |
GS81314LQ37GK-933I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-IVe; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-IVe B2; 系列:GS81314LQ37GK; 存储类型:QDR-IVe; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-260; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:2.95 A; 电源电压-最小:1.25 V; 电源电压-最大:1.35 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:933 MHz; 组织:4 M x 36; 存储容量:144 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.2/1.25V 4M x 36 144M |
 |
IS25LP128F-RHLE-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:NOR Flash; 商标:ISSI; 速度:166 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:13.5 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:IS25LP128F; 封装 / 箱体:TFBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 128Mb 3V 80/166Mhz Serial NOR闪存 |
 |
IS62WVS2568FBLL-20NLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:8 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:SPI; 最大时钟频率:20 MHz; 访问时间:25 ns; 组织:256 k x 8; 存储容量:2 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 2Mb 256Kx8 20MHz 2.2-3.6V Serial 静态随机存取存储器 |
 |
AS4C32M16D3L-12BCN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C32M16D3L; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最大:1.35 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 512M 1.35V 800Mhz 32M x 16 DDR3 |
 |
IS43TR16128CL-125KBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43TR16128CL; 访问时间:20 ns; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V |
|
IS25LP256D-JHLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NOR Flash; 商标:ISSI; 速度:166 MHz; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:IS25LP256D; 封装 / 箱体:TFBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 256Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, |
 |
AS7C34098B-10BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS7C34098B; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:70 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 4M 2.7-3.6V FAST 256Kx16 Asynch 静态随机存取存储器 |
 |
IS62WV51216EFBLL-45TLI |
ISSI |
存储器 IC |
商标名:PowerSaver; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:High Speed; 系列:IS62WV51216EFBLL; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:45 ns; 组织:512 k x 16; 存储容量:8 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, ECC, RoHS |
 |
AS4C128M16D3B-12BCN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:209; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C128M16D3B; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:240 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 2G 1.5V 800MHz 128M x 16 DDR3 |
 |
AS4C64M16MD2A-25BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:128; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C64M16MD2A; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.95 V; 最大时钟频率:400 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:64 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-134; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR2; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 1G 1.2V/1.8V 32Mx32 Mobile DDR2 E-Temp |
|
IS29GL256-70DLET-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:70 ns; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:32 M x 8/16 M x 16; 最大时钟频率:-; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:IS29GL256; 封装 / 箱体:BGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 256M 2.7-3.6V 70ns Parallel NOR I-Temp |
|
IS43TR16640ED-15HBLI-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS43TR16640ED; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:175 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:64 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 1G 64Mx16 1333MT/s DDR3 1.5V I-Temp |
|
IS43TR16640ED-125KBLI-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS43TR16640ED; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:191 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:64 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 1G 64Mx16 1600MT/s DDR3 1.5V I-Temp |
 |
IS29GL256-70SLEB-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:800; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:70 ns; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:32 M x 8/16 M x 16; 最大时钟频率:-; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:IS29GL256; 封装 / 箱体:TSOP-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 256Mb, 56 pin TSOP, 3V, RoHS, T&R, Lowest Sector Protected |
|
IS29GL256-70SLET-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:800; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:70 ns; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:32 M x 8/16 M x 16; 最大时钟频率:-; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:IS29GL256; 封装 / 箱体:TSOP-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 256Mb, 56 pin TSOP, 3V, RoHS, T&R, Highest Sector Protected |
 |
IS25LP512M-RHLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:133 MHz; 存储类型:Flash; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:40 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:IS25LP512M; 封装 / 箱体:TFBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin |
|
IS46TR16640ED-15HBLA2-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS46TR16640ED; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:195 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:64 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 1G 64Mx16 1333MT/s DDR3 1.5V A-Temp |
|
AS4C256M16D3LB-12BCN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C256M16D3LB-12; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:195 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 4G 1.35V 800MHz 256M x 16 DDR3 |
|
IS46TR16640ED-125KBLA2-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:DRAM; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS46TR16640ED; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:191 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:64 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 1G 64Mx16 1600MT/s DDR3 1.5V A-Temp |
 |
AS4C512M8D3LB-12BCN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:220; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C512M8D3LB-12; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:160 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:512 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 4G 1.35V 800MHz 512M x 8 DDR3 |
|
IS61WV102416FBLL-10TLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61WV102416FBLL; 存储类型:SRAM; 封装:Bulk; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:95 mA; 电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:1 M x 16; 存储容量:16 Mbit; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 16M (1Mx16) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3V |
 |
IS43LD16128B-25BLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:171; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43LD16128B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:170 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.95 V; 最大时钟频率:400 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-134; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 LPDDR2 2Gb 400MHz 128Mx16 IT |
 |
IS65WV102416EBLL-55BLA3 |
ISSI |
存储器 IC |
商标名:PowerSaver; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 商标:ISSI; 类型:CMOS SRAM; 系列:IS65WV102416EBLL; 封装 / 箱体:BGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:12 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:55 ns; 组织:1 M x 16; 存储容量:16 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 16Mb 1Mx16 55ns LP Async 静态随机存取存储器 A-Temp |
QQ客服
