| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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MT41K256M8DA-125:K |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1440; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT41K; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR3 2G 256MX8 FBGA |
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MT25QL256ABA8ESF-0AAT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1440; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:MT25QL; 封装 / 箱体:SOP2-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 64MX4 SOIC |
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MT25QL256ABA1EW9-0AAT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1920; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:MT25QL; 封装 / 箱体:WDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 64MX4 WPDFN |
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MT28EW256ABA1LJS-0SIT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:576; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:70 ns; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:32 M x 8/16 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:MT28EW; 封装 / 箱体:TSOP-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 EW-SERIES FLASH NOR SLC 16MX16 TSOP |
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MT46V32M16P-5B:J |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1080; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT46V; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:85 mA; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:2.7 V; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-66; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR1; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR 512M 32MX16 TSOP |
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MT46V16M16P-5B:M |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1080; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT46V; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:175 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:2.7 V; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:16 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-66; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR1; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR 256M 16MX16 TSOP |
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MT47H128M8SH-25E IT:M |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1518; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT47H; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:95 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:128 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR2 1G 128MX8 FBGA |
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MT25QL256ABA8E12-0AAT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1122; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:MT25QL; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 64MX4 TBGA |
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MT47H64M16NF-25E IT:M |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1368; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT47H; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:95 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:64 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR2 1G 64MX16 FBGA |
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MT28EW256ABA1HPC-0SIT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1104; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:70 ns; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:32 M x 8/16 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:MT28EW; 封装 / 箱体:LBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 EW-SERIES FLASH NOR SLC 16MX16 LBGA |
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MT28EW256ABA1LPC-0SIT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1104; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:70 ns; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:32 M x 8/16 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:MT28EW; 封装 / 箱体:LBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 EW-SERIES FLASH NOR SLC 16MX16 LBGA |
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MT41K128M16JT-107:K |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1368; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT41K; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR3 2G 128MX16 FBGA |
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MT41J256M8DA-125:K |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1440; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT41J; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR3 2G 256MX8 FBGA |
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MT48LC4M16A2P-6A IT:J |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1080; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT48LC; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:167 MHz; 存储容量:64 Mbit; 组织:4 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器 64M 4MX16 TSOP |
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MT41K64M16TW-107 IT:J |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1368; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT41K; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR3 1G 64MX16 FBGA |
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MT46H32M16LFBF-5 IT:C |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1782; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT46H; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:70 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 访问时间:5 ns; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:VFBGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR1; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 MOBILE DDR 512M 32MX16 FBGA |
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THGBMNG5D1LBAIL |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Kioxia America; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 存储容量:4 GB; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
eMMC 4GB 15nm eMMC (EEPROM) |
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MT47H64M16NF-25E XIT:M |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1368; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT47H; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:95 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:64 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR2 1G 64MX16 FBGA |
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MT41K64M16TW-107 AAT:J |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1368; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT41K; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR3 1G 64MX16 FBGA |
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MT41K128M16JT-125 IT:K |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1368; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT41K; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR3 2G 128MX16 FBGA |
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MT25QU512ABB8ESF-0SIT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1440; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:166 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:MT25QU; 封装 / 箱体:SOP2-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 128MX4 SOIC |
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MT25QL512ABB1EW9-0SIT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1920; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:MT25QL; 封装 / 箱体:WDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 128MX4 WPDFN |
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MT25QU512ABB1EW9-0SIT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1920; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:166 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:MT25QU; 封装 / 箱体:WDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 128MX4 WPDFN |
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MT25QL512ABB8ESF-0SIT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1440; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:MT25QL; 封装 / 箱体:SOP2-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 128MX4 SOIC |
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MT48LC8M16A2P-6A:L |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1080; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT48LC; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:167 MHz; 存储容量:128 Mbit; 组织:8 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器 128M 8MX16 TSOP |
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24CW640T-I/CS0668 |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:24CW640; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:CS0-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 64 Kbit I2C Serial 电可擦除可编程只读存储器 with Software Write Protection, Industrial Temp |
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GD25Q256DYIGR |
GigaDevice |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 速度:104 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:GD25Q256D; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice; |
NOR闪存 256Mbit NOR闪存 /3.3V /WSON8 8*6mm /Industrial(-40 to +85 ) /T&R |
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IS61WV102416DBLL-10TLI |
ISSI |
存储器 IC |
商标名:PowerSaver; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS61WV102416DBLL; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 16Mb High-Speed Async 1Mbx16 10ns |
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AS4C256M16D3B-12BAN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C256M16D3B-12; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:75 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 4G 1.5V 800MHz 256Mx16 DDR3 A-Temp |
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GD25LQ32DNIGR |
GigaDevice |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 速度:120 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:4 M x 8; 最大时钟频率:120 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:32 Mbit; 系列:GD25LQ32D; 封装 / 箱体:USON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice; |
NOR闪存 32Mbit NOR闪存 /1.8V /USON8 3*4mm /Industrial(-40 to +85 ) /T&R |
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S25FL064LABMFA013 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2100; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Floating Gate; 速度:54 MHz, 108 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:108 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S25FL064L; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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MT41K512M8DA-107 AIT:P |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1440; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT41K; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR3 4G 512MX8 FBGA |
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AS4C64M16D3LB-12BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C64M16D3LB; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:72 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:64 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 I-Temp |
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IS25LP016D-JKLE-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4500; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:133 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:IS25LP016D; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 16M QSPI, WSON ET |
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S25FL128LAGMFI003 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1450; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:133 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S25FL128L; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 IC 128 Mb FLASHMEM |
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AT28C64B-15SU-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AT28C64B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:40 mA; 最大时钟频率:-; 数据保留:10 Year; 访问时间:150 ns; 接口类型:Parallel; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-28; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN |
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W29N08GVBIAA |
Winbond |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:210; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:1 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:8 Gbit; 系列:W29N08GV; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Winbond; |
NAND闪存 4G-bit NAND flash, 3V x 8bit |
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AS4C256M16D3LB-12BAN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C256M16D3LB-12; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.35 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 4G 1.35V 800MHz 256Mx16 DDR3 A-Temp |
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IS43TR81024BL-125KBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR81024B; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:150 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:1 G x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:BGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT |
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GD25Q127CWIGR |
GigaDevice |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 速度:104 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:27 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:GD25Q127C; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice; |
NOR闪存 128Mbit NOR闪存 /3.3V /WSON8 6*5mm /Industrial(-40 to +85 ) /T&R |
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S25FL128SAGMFBR00 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S25FL128S; 封装 / 箱体:SOIC-Narrow-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S29GL01GT10TFI013 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit Eclipse; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:100 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:128 M x 8/64 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:S29GL01GT; 封装 / 箱体:TSOP-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S25FL256LAGMFI003 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1450; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 定时类型:Synchronous; 接口类型:SPI; 系列:S25FL256L; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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AT28C64B-15JU-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:750; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AT28C64B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:40 mA; 最大时钟频率:-; 数据保留:10 Year; 访问时间:150 ns; 接口类型:Parallel; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:PLCC-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 150NS, PLCC, IND TEMP, GREEN |
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AT25M01-SHM-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:EEPROM; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:C/F; 封装 / 箱体:SOIC-8; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-5.5V, 20MHz, Ind Temp, 8-SOIC-W |
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IS22ES08G-JCLA1 |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:ISSI; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3.3 V; 连续写入:27.3 MB/s; 连续读取:250 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:8 GB; 系列:IS22ES08G; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
eMMC 8GB 3.3V 200Mhz eMMC 5.0 A-Temp |
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S25FL128LAGMFV013 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2100; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Floating Gate; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S25FL128L; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S25FL256LAGBHI023 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 定时类型:Synchronous; 接口类型:SPI; 系列:S25FL256L; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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MT28EW512ABA1LPC-0AAT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1104; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:105 ns; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:64 M x 8/32 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:MT28EW; 封装 / 箱体:LBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 EW-SERIES FLASH NOR SLC 32MX16 LBGA |
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CY7C1381KVE33-133AXM |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 最大时钟频率:133 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 Sync 静态随机存取存储器s |
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