存储器 IC价格_批发_代理商

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存储器 IC 界面模块控制器输入设备旋钮和转盘硬件开关继电器气体放电管 - GDT 压敏电阻浪涌抑制器罩类、盒类及壳类产品端子白炽灯和支架电容器电阻器电感器、扼流圈与线圈音频信号变压器电池电池充电器函数发生器与合成器示波器环境检测设备面板表万用表与电压表温度保险丝散热片防静电控制产品工具扁平电缆同轴电缆连接线电线与电缆管理 ESD 抑制器 TVS 二极管电机与驱动器未分类连接器模块式连接器/以太网连接器化学物质胶带线性位移传感器流量传感器液位传感器传感器硬件与配件存储箱与外壳 EMI 滤波器 EMI 抑制电容触摸传感器汽车连接器 I O 连接器 IC 与器件插座编码器存储器 IC 无线与射频模块台式电源交流电源线电源管理 IC 直流电源连接器交流电源输入模块压敏电阻热敏电阻 - NTC 热敏电阻器断路器编码器磁性传感器运动与定位传感器光学传感器压力传感器激光背光元器件开发软件显示器集成电路 - IC 光学探测器和传感器显示模块光纤红外线数据通信超级电容器以太网和通信模块光耦合器光电耦合器频率控制器和定时装置导热接口产品照明连接器圆形连接器音频与视频连接器热敏电阻 - PTC 太阳能连接器光伏连接器温度保险丝电流传感器温度传感器近程传感器 LED保护设备接线端子测试设备配件音频视频测试设备校验设备数据记录与采集光纤测试频率计数器 LAN 电信电缆测试 RF 测试设备电池测试机十进盒元件测试仪绝缘测试器兆欧计驱动器晶闸管 USB连接器 IEEE 1394连接器射频互连信号调节工程工具音频模块 LED 照明开发工具视频模块传感器模块传感器开发工具能量采集模块电源管理IC开发工具电源管理模块变压器 LED发射器散热排 - LED 热基质 - MCPCB 天线射频无线开发工具模块配件衰减器 -互连测试设备电源线无线和射频半导体音频传感器数据转换模块其他模块电源排插 D-Sub连接器热成像摄像机多芯电缆存储器模块和存储卡电位器、微调器和变阻器液体分配器和瓶子嵌入式处理器和控制器交流电源插头和插座数据总线元器件接线系统温度传感器光学开关 FFC FPC跳线电缆编码器计算电路保护套件分立半导体音频设备环境传感器保险丝座断路器与附件热敏电阻器风扇与鼓风机电源功率调节光纤标准电气架类及柜类产品热电组件 Peltier热电模块电源连接器背板连接器卡缘连接器存储器连接器 FFC FPC 板对板与夹层连接器集管和线壳管脚和插座连接器 I O 模块打印机原型产品焊接工业继电器与电磁阀工业电源工业传感器工业开关工业接线端子块 LED灯泡与模块 LED照明电子器件 LED照明机械器件 LED照明光学器件 LED指示元件分析仪保险丝源测量单元—SMU 校准、保修与服务计划电缆组件自恢复保险丝—PPTC 逆变器 DC/DC转换器光纤连接器计时器计数器和转速计计数器和转速计计时器生物计量传感器标签和工业警告标志军用规格/军用类型电池座、卡扣和接头模拟与数字IC开发工具通信开发工具显示开发工具存储器 IC 开发工具可编程逻辑 IC 开发工具安全/ 验证开发工具嵌入式处理器开发套件嵌入式工具与配件光电开发工具传感器开发工具光纤开发工具力传感器与测压元件配件 LED发射器照明连接器铁氧体软件太阳能板和太阳能电池存储器相机和配件滤波器直流电源线操纵杆

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ABLIC Adesto Technologies Alliance Memory Anvo-Systems Dresden Apacer Cypress Semiconductor Everspin Technologies GigaDevice Greenliant GSI Technology Intel ISSI Kioxia Maxim Integrated Microchip Micron Technology NXP Omron ON Semiconductor Parallax Phoenix Contact Renesas Electronics ROHM Semiconductor Rosenberger SanDisk Semtech SkyHigh Memory STMicroelectronics Swissbit Texas Instruments Virtium VORAGO Technologies Winbond

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型号/料号	品牌/制造商	类目	参数	说明
CY7C1441KV33-133AXM	Cypress Semiconductor	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 电源电流—最大值:170 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:133 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:1 M x 36; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor;	静态随机存取存储器 Sync 静态随机存取存储器s
AS4C64M32MD2A-25BIN	Alliance Memory	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:171; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C64M32MD2A; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:65 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.95 V; 最大时钟频率:400 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:64 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:FBGA-134; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR2; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory;	动态随机存取存储器 2G 1.2V/1.8V 32Mx32 Mobile DDR2 E-Temp
IS42SM16320E-75BLI	ISSI	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:348; 产品类型:DRAM; 商标:ISSI; 封装:Bulk; 系列:IS42SM16320E; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.5 ns; 最大时钟频率:133 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile; 制造商:ISSI;	动态随机存取存储器 512Mb 32Mx16 166MHz Mobile S动态随机存取存储器
S25FL064LABNFI013	Cypress Semiconductor	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:54 MHz, 108 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:108 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S25FL064L; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor;	NOR闪存 IC 64 Mb FLASH MEMORY
S25FL064LABMFB013	Cypress Semiconductor	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2100; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Floating Gate; 速度:54 MHz, 108 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:108 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S25FL064L; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor;	NOR闪存 Nor
BR25G256F-3GE2	ROHM Semiconductor	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 工作电源电流:100 nA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BR25G256F-3; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:20 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:SPI; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kB; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor;	电可擦除可编程只读存储器 SPI BUS 256K 1.6-5.5 Std SOP8
CY15B108QN-40LPXI	Cypress Semiconductor	存储器 IC	商标名:Excelon; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:490; 产品类型:FRAM; 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 系列:CY15B108; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 组织:1024 k x 8; 接口类型:SPI; 存储容量:8 Mbit; 封装 / 箱体:GQFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Cypress Semiconductor;	F-RAM Excelon LP 40 MHz 8-GQFN
IS25LP256D-JLLE-TR	ISSI	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:166 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:IS25LP256D; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI;	NOR闪存 256M 3V 166MHZ Serial Flash
IS43LD16640C-25BLI	ISSI	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:171; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43LD16640C; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI;	动态随机存取存储器 1G 64Mx16 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V
AT25PE40-SSHN-T	Adesto Technologies	存储器 IC	商标名:DataFlash-L; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 速度:85 MHz; 存储类型:Non-Volatile; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 k x 8; 最大时钟频率:85 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:16 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:4 Mbit; 系列:AT25PE40; 封装 / 箱体:SOIC-8 Wide; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies;	NOR闪存 4Mb 1.65V-3.6V SPI 85MHz IND TEMP
S25FL512SAGMFAG10	Cypress Semiconductor	存储器 IC	商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 定时类型:Synchronous; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S25FL512S; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor;	NOR闪存 IC 512 Mb FLASH MEMORY
IS25LP128F-JLLE-TR	ISSI	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 标准:Not Supported; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:166 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:13.5 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:IS25LP128F; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI;	NOR闪存 128M 2.3-3.6V 166MHz Serial Flash
AS4C128M32MD2A-25BIN	Alliance Memory	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:168; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C128M32MD2A-25; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:130 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.95 V; 最大时钟频率:400 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:128 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:FBGA-134; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR2; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory;	动态随机存取存储器 4G 1.2V/1.8V 400MHz 128Mx32 Mobile DDR2
IS43LD32640B-25BLI	ISSI	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:171; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43LD32640B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:170 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.95 V; 最大时钟频率:400 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:64 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:BGA-134; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI;	动态随机存取存储器 LPDDR2 2Gb 400MHz 64Mx32 IT
AS4C32M16SB-7TINTR	Alliance Memory	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AS4C32M16SB; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory;	动态随机存取存储器 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 S动态随机存取存储器
BR25G128FVM-3GTR	ROHM Semiconductor	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:8 mA; 最大时钟频率:20 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:SPI; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kB; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor;	电可擦除可编程只读存储器 SPI BUS 128K 1.6-5.5 Std MSOP8
S25FS512SDSBHB210	Cypress Semiconductor	存储器 IC	商标名:MirrorBit Eclipse; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:80 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S25FS512S; 封装 / 箱体:BGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor;	NOR闪存 Nor
IS25LP032D-JNLA3-TR	ISSI	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:4 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:32 Mbit; 系列:IS25LP032D; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI;	NOR闪存 32M 2.3-3.6V 133Mhz Serial NOR闪存
IS43LD32320C-25BLI	ISSI	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:171; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:IS43LD32320C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:200 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.95 V; 最大时钟频率:400 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:32 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:FBGA-134; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI;	动态随机存取存储器 1G 32Mx32 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V
AS4C64M16D3LB-12BINTR	Alliance Memory	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AS4C64M16D3LB; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:72 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:64 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory;	动态随机存取存储器 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 I-Temp
GD25LQ128DSIGR	GigaDevice	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 速度:120 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:120 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:GD25LQ128D; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice;	NOR闪存 128Mbit NOR闪存 /1.8V /SOP8 208mil /Industrial(-40 to +85 ) /T&R
AT28HC64B-12SU-T	Microchip	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:40 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AT28HC64B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:40 mA; 数据保留:10 Year; 访问时间:120 ns; 接口类型:Parallel; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-28; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip;	电可擦除可编程只读存储器 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN, T&R
IS25WP256D-RMLE	ISSI	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:44; 产品类型:NOR Flash; 商标:ISSI; 速度:104 MHz; 存储类型:Flash; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:14 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:IS25WP256D; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI;	NOR闪存 256Mb QPI/QSPI 16pin SOP 300mil ET
IS43TR16512BL-107MBL	ISSI	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43TR16512BL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:160 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:512 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI;	动态随机存取存储器 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L
GD25Q64CWIGR	GigaDevice	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 速度:120 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:120 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:GD25Q64C; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice;	NOR闪存 64Mbit NOR闪存 /3.3V /WSON8 6*5mm /Industrial(-40 to +85 ) /T&R
S25FL128SDSNFI000	Cypress Semiconductor	存储器 IC	商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:80 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:80 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S25FL128S; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor;	NOR闪存 Nor
S29GL512T10FHI013	Cypress Semiconductor	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1600; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:100 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:64 M x 8/32 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S29GL512T; 封装 / 箱体:FBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor;	NOR闪存 Nor
MT48LC2M32B2P-6A IT:J	Micron Technology	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1080; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT48LC; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:120 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:167 MHz; 存储容量:64 Mbit; 组织:2 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:TSOP-86; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology;	动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器 64M 2MX32 TSOP
MT25QL512ABB8E12-0SIT	Micron Technology	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1122; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:MT25QL; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology;	NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 128MX4 TBGA
MT25QU512ABB8E12-0SIT	Micron Technology	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1122; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:166 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:MT25QU; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology;	NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 128MX4 TBGA
MT41K128M16JT-125 AIT:K	Micron Technology	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1368; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT41K; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology;	动态随机存取存储器 DDR3 2G 128MX16 FBGA
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D	Micron Technology	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1260; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:NAND Flash; 封装:Tray; 系列:MT29F; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology;	NAND闪存 SLC 4G 256MX16 FBGA
MT47H64M16NF-25E AAT:M	Micron Technology	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1368; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT47H; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:95 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:64 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology;	动态随机存取存储器 DDR2 1G 64MX16 FBGA
S25FL256LAGNFM010	Cypress Semiconductor	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Floating Gate; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256L; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor;	NOR闪存 Nor
MT25QL512ABB8ESF-0AAT	Micron Technology	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1440; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:MT25QL; 封装 / 箱体:SOP2-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology;	NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 128MX4 SOIC
MT41K512M8DA-107:P	Micron Technology	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1440; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT41K; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology;	动态随机存取存储器 DDR3 4G 512MX8 FBGA
MT46V32M16P-5B IT:J	Micron Technology	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1080; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT46V; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:85 mA; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:2.7 V; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-66; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR1; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology;	动态随机存取存储器 DDR 512M 32MX16 TSOP
MT25QL512ABB8E12-0AAT	Micron Technology	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1122; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:MT25QL; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology;	NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 128MX4 TBGA
MT25QU512ABB8E12-0AAT	Micron Technology	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1122; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:166 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:MT25QU; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology;	NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 128MX4 TBGA
MT41K512M8DA-107 IT:P	Micron Technology	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1440; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT41K; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology;	动态随机存取存储器 DDR3 4G 512MX8 FBGA
MT48LC16M16A2B4-6A IT:G	Micron Technology	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1560; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT48LC; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:135 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 最大时钟频率:167 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:16 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:VFBGA-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology;	动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器 256M 16MX16 FBGA
MT41K256M16TW-107 XIT:P	Micron Technology	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1368; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT41K; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology;	动态随机存取存储器 DDR3 4G 256MX16 FBGA
MT48LC4M32B2P-6A:L	Micron Technology	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1080; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT48LC; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:120 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:167 MHz; 存储容量:128 Mbit; 组织:4 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:TSOP-86; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology;	动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器 128M 4MX32 TSOP
MT41K256M16TW-107 AIT:P	Micron Technology	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1368; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT41K; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology;	动态随机存取存储器 DDR3 4G 256MX16 FBGA
MT48LC16M16A2P-6A IT:G	Micron Technology	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1080; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT48LC; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:135 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 最大时钟频率:167 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:16 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology;	动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器 256M 16MX16 TSOP
MT29F8G08ABACAWP-IT:C	Micron Technology	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:960; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:NAND Flash; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:1 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:8 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology;	NAND闪存 SLC 8G 1GX8 TSOP
MT29F8G08ABBCAH4-IT:C	Micron Technology	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1260; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:NAND Flash; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:1 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:8 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology;	NAND闪存 SLC 8G 1GX8 FBGA
MT35XU512ABA1G12-0SIT	Micron Technology	存储器 IC	商标名:Xccela; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1122; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT35X; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology;	NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 64MX8 TBGA
MT28EW01GABA1HJS-0SIT	Micron Technology	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:576; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:95 ns; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:128 M x 8/64 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:MT28EW; 封装 / 箱体:TSOP-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology;	NOR闪存 EW-SERIES FLASH NOR SLC 64MX16 TSOP
MT41K256M16TW-107 IT:P	Micron Technology	存储器 IC	子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1368; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT41K; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology;	动态随机存取存储器 DDR3 4G 256MX16 FBGA