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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
S25FL128LAGMFV010 存储器 IC S25FL128LAGMFV010 Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:280; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Floating Gate; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S25FL128L; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 128MB F-L NOR闪存 133MHZ 8-SOIC
IS25LP128F-JBLA3 存储器 IC IS25LP128F-JBLA3 ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:166 MHz; 存储类型:NOR; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:13.5 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:IS25LP128F; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; NOR闪存 128M 2.3-3.6V 166Mhz Serial NOR闪存
S25FL064LABMFM010 存储器 IC S25FL064LABMFM010 Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:280; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Uniform Sector; 速度:54 MHz, 108 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:108 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S25FL064L; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 Nor
AS4C4M16SA-7B2CN 存储器 IC AS4C4M16SA-7B2CN Alliance Memory 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:286; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C4M16SA; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:70 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:143 MHz; 存储容量:64 Mbit; 组织:4 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; 动态随机存取存储器 64M 3.3V 143MHz 4M x 16 S动态随机存取存储器
IS62WVS0648FBLL-20NLI 存储器 IC IS62WVS0648FBLL-20NLI ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:8 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:SDI, SPI, SQI; 最大时钟频率:20 MHz; 访问时间:25 ns; 组织:64 k x 8; 存储容量:512 kbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 静态随机存取存储器 512Kb 64Kx8 20MHz 2.2-3.6V Serial 静态随机存取存储器
IS25LP128F-RMLE 存储器 IC IS25LP128F-RMLE ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:44; 标准:Not Supported; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:166 MHz; 存储类型:NOR; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:13.5 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:IS25LP128F; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; NOR闪存 128M 2.3-3.6V 166MHz Serial Flash
IS45S16100H-7TLA1 存储器 IC IS45S16100H-7TLA1 ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:117; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS42S16100H; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:55 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 最大时钟频率:143 MHz; 存储容量:16 Mbit; 组织:1 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-50; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 动态随机存取存储器 Automotive 16M 3.3V S动态随机存取存储器 1Mx16 143MHz
AS6C6264-55PIN 存储器 IC AS6C6264-55PIN Alliance Memory 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 产品类型:SRAM; 商标:Alliance Memory; 类型:CMOS; 系列:AS6C6264; 存储类型:SRAM; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PDIP-28; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:55 ns; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; 静态随机存取存储器 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 CMOS 静态随机存取存储器
IS62WVS1288FBLL-20NLI 存储器 IC IS62WVS1288FBLL-20NLI ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:8 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:SDI, SPI, SQI; 最大时钟频率:20 MHz; 访问时间:25 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 静态随机存取存储器 1Mb 128Kx8 20MHz 2.2-3.6V Serial 静态随机存取存储器
IS25LP064A-JBLA3 存储器 IC IS25LP064A-JBLA3 ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:IS25LP064A; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; NOR闪存 64M 2.3-3.6V 133Mhz Serial NOR闪存
IS43TR16640B-125KBL 存储器 IC IS43TR16640B-125KBL ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR16640B; 电源电流—最大值:100 mA; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 动态随机存取存储器 1G 64Mx16 1600MT/s DDR3 1.5V
IS43TR16640BL-125KBL 存储器 IC IS43TR16640BL-125KBL ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR16640BL; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 动态随机存取存储器 1G 64Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V
AS4C8M16D1A-5TAN 存储器 IC AS4C8M16D1A-5TAN Alliance Memory 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C8M16D1A; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:140 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:2.7 V; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:128 Mbit; 组织:8 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-66; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR1; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; 动态随机存取存储器 128M, 2.5V, 200Mhz 8M x 16 DDR1
AS4C64M4SA-6TIN 存储器 IC AS4C64M4SA-6TIN Alliance Memory 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C64M4SA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:64 M x 4; 数据总线宽度:4 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; 动态随机存取存储器 256Mb 3.3V 166Mhz 64M x 4 S动态随机存取存储器 ITemp
AT28HC64B-70SU-T 存储器 IC AT28HC64B-70SU-T Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:5 V; 工作电源电流:40 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT28HC64B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:40 mA; 数据保留:10 Year; 访问时间:70 ns; 接口类型:Parallel; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-28; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 电可擦除可编程只读存储器 70NS, SOIC, IND TEMP, GREEN, T&R
GD25S512MDFIGR 存储器 IC GD25S512MDFIGR GigaDevice 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 速度:104 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:GD25S512MD; 封装 / 箱体:SOP-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice; NOR闪存 512Mbit NOR闪存 /3.3V /SOP16 300mil /Industrial(-40 to +85 ) /T&R
AT28LV010-20TU-319 存储器 IC AT28LV010-20TU-319 Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:156; 产品类型:EEPROM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP-32; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 电可擦除可编程只读存储器 200NS, TSOP, IND TEMP, GREEN, DISABLE SDP
AS4C64M16D3B-12BINTR 存储器 IC AS4C64M16D3B-12BINTR Alliance Memory 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AS4C64M16D3B; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; 动态随机存取存储器 1G 1.5V 800MHz 64M x 16 DDR3
AT25PE80-SHN-T 存储器 IC AT25PE80-SHN-T Adesto Technologies 存储器 IC 商标名:DataFlash-L; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 速度:85 MHz; 存储类型:Non-Volatile; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:1 M x 8; 最大时钟频率:85 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:16 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:8 Mbit; 系列:AT25PE80; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; NOR闪存 8Mb 1.7V-3.6V SPI 85MHz IND TEMP
S25FL256LAGMFN003 存储器 IC S25FL256LAGMFN003 Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1450; 产品类型:NOR Flash; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 定时类型:Synchronous; 接口类型:SPI; 系列:S25FL256L; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 Nor
SST26WF064CT-104I/MF 存储器 IC SST26WF064CT-104I/MF Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Microchip Technology; 速度:104 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:SST26WF064C; 封装 / 箱体:WDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Microchip; NOR闪存 64Mbit 1.8V SQI flash
S29GL01GT12DHVV10 存储器 IC S29GL01GT12DHVV10 Cypress Semiconductor 存储器 IC 商标名:MirrorBit Eclipse; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:260; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:120 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:128 M x 8/64 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:S29GL01GT; 封装 / 箱体:FBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 NOR
S25FL064P0XMFA003 存储器 IC S25FL064P0XMFA003 Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1450; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Uniform; 速度:104 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:38 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S25FL064P; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 Nor
AT28BV64B-20JU-T 存储器 IC AT28BV64B-20JU-T Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:750; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 工作电源电流:15 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AT28BV64B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电流—最大值:15 mA; 数据保留:10 Year; 访问时间:200 ns; 接口类型:Parallel; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:PLCC-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 电可擦除可编程只读存储器 200NS, PLCC, IND TEMP, GREEN, T&R
S29GL01GT10FHI040 存储器 IC S29GL01GT10FHI040 Cypress Semiconductor 存储器 IC 商标名:MirrorBit Eclipse; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:100 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:128 M x 8/64 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:S29GL01GT; 封装 / 箱体:FBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 Nor
CY7C1062GN30-10BGXI 存储器 IC CY7C1062GN30-10BGXI Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:84; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 系列:CY7C1062G/GE; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:PBGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:-; 访问时间:10 ns; 组织:512 k x 32; 存储容量:16 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; 静态随机存取存储器 ASYNC 静态随机存取存储器S
IS43DR82560C-25DBL 存储器 IC IS43DR82560C-25DBL ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:IS43DR82560C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:84 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 最大时钟频率:400 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:256 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:BGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 动态随机存取存储器 2G 256Mx8 400MHz DDR2 1.8V
AS4C512M8D3LB-12BAN 存储器 IC AS4C512M8D3LB-12BAN Alliance Memory 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:220; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C512M8D3LB-12; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:512 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; 动态随机存取存储器 4G 1.35V 800MHz 512Mx8 DDR3 A-Temp
IS43DR82560C-3DBLI 存储器 IC IS43DR82560C-3DBLI ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:IS43DR82560C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:77 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 最大时钟频率:333 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:256 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:BGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 动态随机存取存储器 2G 256Mx8 333MHz DDR2 1.8V
GD25Q256DFIGR 存储器 IC GD25Q256DFIGR GigaDevice 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 速度:104 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:GD25Q256D; 封装 / 箱体:SOP-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice; NOR闪存 256Mbit NOR闪存 /3.3V /SOP16 300mil /Industrial(-40 to +85 ) /T&R
S25FS512SAGNFB010 存储器 IC S25FS512SAGNFB010 Cypress Semiconductor 存储器 IC 商标名:MirrorBit Eclipse; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S25FS512S; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 Nor
GD25Q40CEIGR 存储器 IC GD25Q40CEIGR GigaDevice 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 速度:120 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 k x 8; 最大时钟频率:120 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:4 Mbit; 系列:GD25Q40C; 封装 / 箱体:USON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice; NOR闪存 4Mbit NOR闪存 /3.3V /USON8 3*2*0.45mm /Industrial(-40 to +85 ) /T&R
GD25LQ32DWIGR 存储器 IC GD25LQ32DWIGR GigaDevice 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 速度:120 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:4 M x 8; 最大时钟频率:120 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:32 Mbit; 系列:GD25LQ32D; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice; NOR闪存 32Mbit NOR闪存 /1.8V /WSON8 6*5mm /Industrial(-40 to +85 ) /T&R
CY7C1460KV33-167AXI 存储器 IC CY7C1460KV33-167AXI Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大时钟频率:167 MHz; 访问时间:3.4 ns; 组织:1 M x 36; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; 静态随机存取存储器 SYNC 静态随机存取存储器S
IS29GL256-70DLEB-TR 存储器 IC IS29GL256-70DLEB-TR ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:70 ns; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:32 M x 8/16 M x 16; 最大时钟频率:-; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:IS29GL256; 封装 / 箱体:BGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; NOR闪存 256M 2.7-3.6V 70ns Parallel NOR I-Temp
GD25Q64CYIGR 存储器 IC GD25Q64CYIGR GigaDevice 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 速度:120 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:120 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:GD25Q64C; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice; NOR闪存 64Mbit NOR闪存 /3.3V /WSON8 8*6mm /Industrial(-40 to +85 ) /T&R
S26KS128SDPBHB020 存储器 IC S26KS128SDPBHB020 Cypress Semiconductor 存储器 IC 商标名:HyperFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 系列:S26KL/S26KS; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 NOR
S25FS512SDSBHM210 存储器 IC S25FS512SDSBHM210 Cypress Semiconductor 存储器 IC 商标名:MirrorBit Eclipse; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:80 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:80 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S25FS512S; 封装 / 箱体:BGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 Nor
IS43DR16320E-3DBLI 存储器 IC IS43DR16320E-3DBLI ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:209; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:IS43DR16320E; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:85 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 最大时钟频率:333 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 动态随机存取存储器 512M 32Mx16 333MHz DDR2 1.8V
BR24A32F-WME2 存储器 IC BR24A32F-WME2 ROHM Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, I2C; 组织:4 k x 8; 存储容量:32 kB; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS 400KHz 32Kbit 2.5-5.5V
BR25G512FVT-3GE2 存储器 IC BR25G512FVT-3GE2 ROHM Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 工作电源电流:1 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:4 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:SPI; 组织:64 k x 8; 存储容量:512 kB; 封装 / 箱体:TSSOP-B8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 电可擦除可编程只读存储器 SPI BUS 512K 1.8-5.5 Std TSSOP-B8
BR25H128FJ-2CE2 存储器 IC BR25H128FJ-2CE2 ROHM Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5.5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, SPI; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kB; 封装 / 箱体:SOP-J8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 电可擦除可编程只读存储器 SPI BUS 10MHz 128Kbit 2.5-5.5V
AT28BV256-20SU-T 存储器 IC AT28BV256-20SU-T Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 工作电源电流:15 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT28BV256; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电流—最大值:15 mA; 数据保留:10 Year; 访问时间:200 ns; 接口类型:Parallel; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-28; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Microchip; 电可擦除可编程只读存储器 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN, T&R
IS29GL128-70SLEB-TR 存储器 IC IS29GL128-70SLEB-TR ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:800; 产品类型:NOR Flash; 商标:ISSI; 速度:70 ns; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:16 M x 8/8 M x 16; 最大时钟频率:-; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:IS29GL128; 封装 / 箱体:TSOP-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; NOR闪存 128Mb, 56 pin TSOP, 3V, RoHS, T&R, Lowest Sector Protected
GS882Z18CGB-200 存储器 IC GS882Z18CGB-200 GSI Technology 存储器 IC 商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:42; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS882Z18CGB; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:130 mA, 155 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:512 k x 18; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
GS88037CGT-250I 存储器 IC GS88037CGT-250I GSI Technology 存储器 IC 商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline; 系列:GS88037CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:215 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 组织:256 k x 36; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
GS880Z36CGT-250I 存储器 IC GS880Z36CGT-250I GSI Technology 存储器 IC 商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT; 系列:GS880Z36CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:175 mA, 215 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:256 k x 36; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
GS882Z36CGB-200 存储器 IC GS882Z36CGB-200 GSI Technology 存储器 IC 商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:42; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS882Z36CGB; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:140 mA, 170 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:256 k x 36; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
GS88118CGD-200I 存储器 IC GS88118CGD-200I GSI Technology 存储器 IC 商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS88118CGD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:150 mA, 175 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:512 k x 18; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
GS881Z32CGD-150I 存储器 IC GS881Z32CGD-150I GSI Technology 存储器 IC 商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS881Z32CGD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:150 mA, 160 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:256 k x 32; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 32 8M
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