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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
GS88136CGD-200I 存储器 IC GS88136CGD-200I GSI Technology 存储器 IC 商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS88136CGD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:160 mA, 190 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:256 k x 36; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
CY62167GN-45ZXI 存储器 IC CY62167GN-45ZXI Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TFSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:36 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:-; 访问时间:45 ns; 组织:2 M x 8/1 M x 16; 存储容量:16 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; 静态随机存取存储器 MICROPOWER 静态随机存取存储器S
CY62158H-45ZSXI 存储器 IC CY62158H-45ZSXI Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:36 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:-; 访问时间:45 ns; 组织:1 M x 8; 存储容量:8 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; 静态随机存取存储器 MICROPOWER 静态随机存取存储器S
S29GL01GT12TFVV20 存储器 IC S29GL01GT12TFVV20 Cypress Semiconductor 存储器 IC 商标名:MirrorBit Eclipse; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:91; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:120 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:128 M x 8/64 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:S29GL01GT; 封装 / 箱体:TSOP-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 NOR
S70FS01GSAGMFV011 存储器 IC S70FS01GSAGMFV011 Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:47; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Tube; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:S70FS01GS; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 NOR
S70FS01GSDSBHV210 存储器 IC S70FS01GSDSBHV210 Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:S70FS01GS; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 NOR
S70FL01GSAGMFA010 存储器 IC S70FL01GSAGMFA010 Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Boot Block; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:S70FL01GS; 封装 / 箱体:SO-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 Nor
GS8160Z18DGT-150 存储器 IC GS8160Z18DGT-150 GSI Technology 存储器 IC 商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS8160Z18DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:170 mA, 180 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
GS8160E36DGT-150 存储器 IC GS8160E36DGT-150 GSI Technology 存储器 IC 商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS8160E36DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:180 mA, 190 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
GS816032DGT-150 存储器 IC GS816032DGT-150 GSI Technology 存储器 IC 商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS816032DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:180 mA, 190 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:512 k x 32; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
GS816018DGT-150 存储器 IC GS816018DGT-150 GSI Technology 存储器 IC 商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS816018DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:170 mA, 180 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
GS816018DGT-200 存储器 IC GS816018DGT-200 GSI Technology 存储器 IC 商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS816018DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:195 mA, 195 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
GS816036DGT-200 存储器 IC GS816036DGT-200 GSI Technology 存储器 IC 商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS816036DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:210 mA, 210 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
GS8160F36DGT-7.5 存储器 IC GS8160F36DGT-7.5 GSI Technology 存储器 IC 商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Flow Through; 系列:GS8160F36DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:190 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:7.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 36 18M
GS8161Z36DGT-150 存储器 IC GS8161Z36DGT-150 GSI Technology 存储器 IC 商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT; 系列:GS8161Z36DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:180 mA, 190 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
GS8161Z18DGT-200 存储器 IC GS8161Z18DGT-200 GSI Technology 存储器 IC 商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT; 系列:GS8161Z18DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:195 mA, 195 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
GS816032DGT-200 存储器 IC GS816032DGT-200 GSI Technology 存储器 IC 商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS816032DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:210 mA, 210 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:512 k x 32; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
GS8161Z36DGT-200 存储器 IC GS8161Z36DGT-200 GSI Technology 存储器 IC 商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT; 系列:GS8161Z36DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:210 mA, 210 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
GS8160Z36DGT-150 存储器 IC GS8160Z36DGT-150 GSI Technology 存储器 IC 商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS8160Z36DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:180 mA, 190 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
GS8160E36DGT-200 存储器 IC GS8160E36DGT-200 GSI Technology 存储器 IC 商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS8160E36DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:210 mA, 210 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
GS8160Z36DGT-200 存储器 IC GS8160Z36DGT-200 GSI Technology 存储器 IC 商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS8160Z36DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:210 mA, 210 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
GS816018DGT-250 存储器 IC GS816018DGT-250 GSI Technology 存储器 IC 商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS816018DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:210 mA, 230 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
GS816032DGT-250 存储器 IC GS816032DGT-250 GSI Technology 存储器 IC 商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS816032DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:230 mA, 250 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:512 k x 32; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
GS8161E36DGT-250 存储器 IC GS8161E36DGT-250 GSI Technology 存储器 IC 商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:DCD Pipeline/Flow Through; 系列:GS8161E36DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:230 mA, 250 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
IS62WV25616EALL-55TLI 存储器 IC IS62WV25616EALL-55TLI ISSI 存储器 IC 商标名:PowerSaver; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS62WV25616EALL; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 静态随机存取存储器 4Mb Low Pwr/Pwr Svr Async 256Kx16 55ns
IS62WV5128EALL-55TLI 存储器 IC IS62WV5128EALL-55TLI ISSI 存储器 IC 商标名:PowerSaver; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:156; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:High Speed; 系列:IS62WV5128EALL; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSOP-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:22 mA; 电源电压-最小:1.65 V; 电源电压-最大:2.2 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:55 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 静态随机存取存储器 4Mb Low Pwr/Pwr Svr Async 512Kx8 8.45ns
AS4C4M32MSA-6BIN 存储器 IC AS4C4M32MSA-6BIN Alliance Memory 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C4M32MSA-6; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 访问时间:6 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:128 Mbit; 组织:4 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:FBGA-90; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; 动态随机存取存储器 128M 166MHz 4Mx32 Mobile LP S动态随机存取存储器 IT
AS4C128M8D3LB-12BCN 存储器 IC AS4C128M8D3LB-12BCN Alliance Memory 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C128M8D3LB; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:72 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:128 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; 动态随机存取存储器 1G 1.35V 800MHz 128Mx8 DDR3 E-Temp
IS45S16160J-6TLA1 存储器 IC IS45S16160J-6TLA1 ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS45S16160J; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:140 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:6 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:16 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 动态随机存取存储器 SYNC. 动态随机存取存储器 256Mb 16M x16, Automotive
AS7C34096B-10TIN 存储器 IC AS7C34096B-10TIN Alliance Memory 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 系列:AS7C34096B; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; 静态随机存取存储器 4M 3V 10ns FAST 512K x 8 Asynch 静态随机存取存储器
AS7C34098B-10TIN 存储器 IC AS7C34098B-10TIN Alliance Memory 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Fast Asynchronous SRAM; 系列:AS7C34098B; 存储类型:SRAM; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:70 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; 静态随机存取存储器 4M 2.7V 10ns FAST 256Kx16 Asynch 静态随机存取存储器
AS4C32M16D1-5BAN 存储器 IC AS4C32M16D1-5BAN Alliance Memory 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C32M16D1; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:108 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:2.7 V; 访问时间:700 ps; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR1; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; 动态随机存取存储器 512M 2.5V 200MHz 32Mx16 DDR1 A-Temp
IS43DR86400E-25DBLI 存储器 IC IS43DR86400E-25DBLI ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43DR86400E; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 最大时钟频率:400 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:64 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:BGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 动态随机存取存储器 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V
IS43LR16160H-6BLI 存储器 IC IS43LR16160H-6BLI ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:300; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43LR16160H; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:55 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 访问时间:6 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:16 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - DDR; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 动态随机存取存储器 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
IS43TR16128C-15HBL 存储器 IC IS43TR16128C-15HBL ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR16128C; 访问时间:20 ns; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1333MT/s DDR3 1.5V
IS43TR82560C-15HBLI 存储器 IC IS43TR82560C-15HBLI ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:IS43TR82560C; 封装 / 箱体:BGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 动态随机存取存储器 2G 256Mx8 1333MT/s DDR3 1.5V
IS61WV51216EEBLL-10BLI 存储器 IC IS61WV51216EEBLL-10BLI ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61WV51216EEBLL; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:TFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:95 mA; 电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:512 k x 16; 存储容量:8 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 静态随机存取存储器 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
IS43LD16320A-25BLI 存储器 IC IS43LD16320A-25BLI ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:171; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43LD32160A; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.95 V; 最大时钟频率:400 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:FBGA-134; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 动态随机存取存储器 512M 1.2/1.8V 32Mx16 400MHz 134ball BGA
IS46TR16128C-125KBLA1 存储器 IC IS46TR16128C-125KBLA1 ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS46TR16128C; 访问时间:20 ns; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 动态随机存取存储器 Automotive 2G 1.5V DDR3 128Mx16 1600MTs
IS62WV102416GBLL-45TLI 存储器 IC IS62WV102416GBLL-45TLI ISSI 存储器 IC 商标名:PowerSaver; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:SRAM; 商标:ISSI; 类型:Ultra Low Power CMOS; 系列:IS62WV102416GBLL; 存储类型:SRAM; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:36 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:45 ns; 组织:1 M x 16; 存储容量:16 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 静态随机存取存储器 16Mb 45ns 1Mx16/2Mx8 Async 静态随机存取存储器 2.2V-3.6V
IS61WV102416FBLL-10T2LI 存储器 IC IS61WV102416FBLL-10T2LI ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61WV102416FBLL; 存储类型:SRAM; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:95 mA; 电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:1 M x 16; 存储容量:16 Mbit; 制造商:ISSI; 静态随机存取存储器 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 54 Pin TSOP II, RoHS
IS22ES04G-JQLA1 存储器 IC IS22ES04G-JQLA1 ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:98; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:ISSI; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-100; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3.3 V; 连续写入:14.6 MB/s; 连续读取:272 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:4 GB; 系列:IS22ES04G; RoHS:Y; 制造商:ISSI; eMMC 4 GB, 100 Ball FBGA, 3.3V, RoHS, Automotive Grade
SFEM032GB1EA1TO-I-LF-111-E16 存储器 IC SFEM032GB1EA1TO-I-LF-111-E16 Swissbit 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Swissbit; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:BGA-153; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:90 MB/s; 连续读取:250 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:32 GB; 系列:EM-26; RoHS:Y; 制造商:Swissbit; eMMC 16GB E-MMC PSLC EM-26 I-TEMP
GS8161Z36DGD-200 存储器 IC GS8161Z36DGD-200 GSI Technology 存储器 IC 商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT; 系列:GS8161Z36DGD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:210 mA, 210 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
GS8161Z32DGD-150 存储器 IC GS8161Z32DGD-150 GSI Technology 存储器 IC 商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT; 系列:GS8161Z32DGD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:180 mA, 190 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:512 k x 32; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
GS816136DGD-200 存储器 IC GS816136DGD-200 GSI Technology 存储器 IC 商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS816136DGD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:210 mA, 210 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
GS816032DGT-150I 存储器 IC GS816032DGT-150I GSI Technology 存储器 IC 商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS816032DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:200 mA, 210 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:512 k x 32; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
GS816036DGT-200I 存储器 IC GS816036DGT-200I GSI Technology 存储器 IC 商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS816036DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:230 mA, 230 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
GS8161Z36DGT-150I 存储器 IC GS8161Z36DGT-150I GSI Technology 存储器 IC 商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT; 系列:GS8161Z36DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:200 mA, 210 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
GS816036DGT-150I 存储器 IC GS816036DGT-150I GSI Technology 存储器 IC 商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS816036DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:200 mA, 210 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
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