| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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GS8160Z36DGT-200I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS8160Z36DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:230 mA, 230 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M |
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GS8160F36DGT-7.5I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Flow Through; 系列:GS8160F36DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:210 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:7.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 36 18M |
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GS8182Q36BGD-250 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8182Q36BGD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:660 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 512K x 36 18M |
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GS8182T36BGD-250 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaDDR-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaDDR-II B2; 系列:GS8182T36BGD; 存储类型:DDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:440 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 512K x 36 18M |
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GS8182T18BGD-250 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaDDR-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaDDR-II B2; 系列:GS8182T18BGD; 存储类型:DDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:350 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 18 18M |
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GS8182Q36BGD-200 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8182Q36BGD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:560 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 512K x 36 18M |
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GS8182Q18BGD-200 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8182Q18BGD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:500 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 18 18M |
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GS8182D36BD-200 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8182D36BD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:435 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 512K x 36 18M |
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GS8182Q09BGD-250 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8182Q09BGD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:595 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 组织:2 M x 9; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 2M x 9 18M |
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GS816036DGT-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS816036DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:250 mA, 270 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M |
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GS8161E36DGT-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:DCD Pipeline/Flow Through; 系列:GS8161E36DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:250 mA, 270 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M |
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GS816018DGT-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS816018DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:230 mA, 250 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M |
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GS816236DB-200I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:21; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 系列:GS816236DB; 封装:Tray; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M |
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GS8161Z18DGD-150I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT; 系列:GS8161Z18DGD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:190 mA, 200 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M |
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GS8162Z18DGD-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS8162Z18DGD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:230 mA, 250 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M |
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GS816132DGD-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS816132DGD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:250 mA, 270 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:512 k x 32; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M |
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GS8161Z36DD-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 系列:GS8161Z36DD; 封装:Tray; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M |
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GS816236DGB-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:21; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS816236DGB; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:250 mA, 270 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M |
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GS816136DD-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS816136DD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:250 mA, 270 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M |
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GS880Z36CGT-300I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT; 系列:GS880Z36CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:185 mA, 245 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:300 MHz; 访问时间:5 ns; 组织:256 k x 36; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M |
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MT61K256M32JE-14:A |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1260; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT61K; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最小:1.3095 V; 电源电压-最大:1.3905 V; 存储容量:8 Gbit; 组织:256 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:FBGA-180; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - GDDR6; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 GDDR6 8G 256MX32 FBGA |
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S29GL01GT11TFB020 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit Eclipse; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:91; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:110 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:128 M x 8/64 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:S29GL01GT; 封装 / 箱体:TSOP-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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GS8182Q36BD-200I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8182Q36BD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:570 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 512K x 36 18M |
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GS841Z36CGT-166I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS841Z36CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:155 mA, 180 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:166 MHz; 访问时间:7 ns; 组织:128 k x 36; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M |
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GS84032CGT-200I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS84032CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:160 mA, 190 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:128 k x 32; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 128K x 32 4M |
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GS84036CGT-200I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS84036CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:160 mA, 190 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:128 k x 36; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M |
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GS74116AGP-8I |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS74116AGP; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:140 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:8 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 256K x 16 4M I Temp |
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GS842Z18CGB-150 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:84; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS842Z18CGB; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:120 mA, 130 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:256 k x 18; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M |
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CY7C1041GE30-10ZSXIT |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:SDR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 Async 静态随机存取存储器S |
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W634GG8NB-09 |
Winbond |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:220; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 系列:W634GG8NB; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:210 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:1066 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:512 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:VFBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; 制造商:Winbond; |
动态随机存取存储器 4Gb DDR3 S动态随机存取存储器, x8, 1066MHz |
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W634GG6NB-09 |
Winbond |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 系列:W634GG6NB; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:210 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:1066 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:VFBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; 制造商:Winbond; |
动态随机存取存储器 4Gb DDR3 S动态随机存取存储器, x16, 1066MHz |
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MT48LC16M16A2B4-6A:G |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1560; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT48LC; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:135 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 最大时钟频率:167 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:16 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:VFBGA-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器 256M 16MX16 FBGA |
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S29GL512T11TFIV30 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:91; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:64 M x 8/32 M x 16; 电源电流—最大值:60 mA; 存储容量:512 Mbit; 系列:S29GL512T; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 IC 512 Mb FLASH MEMORY |
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S29GL512T10TFI040 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:182; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:100 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:64 M x 8/32 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S29GL512T; 封装 / 箱体:TSOP-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S29GL512T11FHIV30 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 产品类型:NOR Flash; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:110 ns; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:64 M x 8/32 M x 16; 最大时钟频率:-; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S29GL512T; 封装 / 箱体:BGA-64; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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GS88018CGT-200 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS88018CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:130 mA, 155 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:512 k x 18; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M |
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GS88036CGT-200 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS88036CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:140 mA, 170 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:256 k x 36; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M |
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GS88136CGT-200 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS88136CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:140 mA, 170 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:256 k x 36; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M |
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GS88032CGT-150 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS88032CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:130 mA, 140 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:256 k x 32; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 32 8M |
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GS880Z36CGT-150 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT; 系列:GS880Z36CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:130 mA, 140 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:256 k x 36; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M |
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S25FL512SAGMFA011 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:94; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S25FL512S; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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GS880Z36CGT-250 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT; 系列:GS880Z36CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:155 mA, 195 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:256 k x 36; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M |
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GS880F36CGT-6.5I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Flow Through; 系列:GS880F36CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:160 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:6.5 ns; 组织:256 k x 36; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M |
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GS880Z18CGT-150I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT; 系列:GS880Z18CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:140 mA, 150 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:512 k x 18; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M |
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GS880Z18CGT-200I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT; 系列:GS880Z18CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:150 mA, 175 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:512 k x 18; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M |
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GS88036CGT-150I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS88036CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:150 mA, 160 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:256 k x 36; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M |
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GS88036CGT-200I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS88036CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:160 mA, 190 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:256 k x 36; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M |
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GS881Z36CGT-150I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS881Z36CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:150 mA, 160 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:256 k x 36; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M |
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GS880Z36CGT-150I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT; 系列:GS880Z36CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:150 mA, 160 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:256 k x 36; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M |
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GS88136CGD-200 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS88136CGD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:140 mA, 170 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:256 k x 36; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M |
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