| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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S27KS0642GABHI030 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2 V; 访问时间:35 ns; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:64 Mbit; 组织:8 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; 类型:HyperRAM; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
动态随机存取存储器 Nor |
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S27KS0642GABHV020 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2 V; 访问时间:35 ns; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:64 Mbit; 组织:8 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; 类型:HyperRAM; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
动态随机存取存储器 Nor |
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S27KS0643GABHV020 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2 V; 访问时间:35 ns; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:64 Mbit; 组织:8 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FPGA-24; 安装风格:SMD/SMT; 类型:HyperRAM; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
动态随机存取存储器 Nor |
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S25FL256LAGNFB010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Floating Gate; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256L; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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GS8160Z36DGT-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS8160Z36DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:250 mA, 270 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M |
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IS43DR86400E-25DBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43DR86400E; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 最大时钟频率:400 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:64 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:BGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V |
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IS43R86400F-5TL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43R86400F; 封装 / 箱体:TSOP-66; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR1; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V |
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AT24CSW010-UUM0B-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:WLCSP-4; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-3.6V, 1MHz, Ind Tmp, 4-WLCSP |
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GD25D80CKIGR |
GigaDevice |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 速度:100 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:1 M x 8; 最大时钟频率:100 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:8 Mbit; 系列:GD25D80C; 封装 / 箱体:USON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice; |
NOR闪存 8Mbit NOR闪存 /3.3V /USON8 1.5*1.5*0.45mm /Industrial(-40 to +85 ) /T&R |
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BR93G56FJ-3AGTE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:3 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:3-Wire / MicroWire; 组织:128 x 16; 存储容量:2 kB; 封装 / 箱体:SOP-8J; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 Microwire BUS 2Kbit(128x16bit) |
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GD25Q40CEJGR |
GigaDevice |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 速度:120 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 k x 8; 最大时钟频率:120 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:4 Mbit; 系列:GD25Q40C; 封装 / 箱体:USON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice; |
NOR闪存 4Mbit NOR闪存 /3.3V /USON8 3*2*0.45mm /Industrial(-40 to +105 ) /T&R |
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S25FL064LABMFV000 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:54 MHz, 108 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:108 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S25FL064L; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 IC 64 Mb FLASHMEM |
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S25FL128LAGBHI030 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Floating Gate; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S25FL128L; 封装 / 箱体:BGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 128MB F-L NOR闪存 133MHZ BGA |
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S25FL064LABMFB011 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:455; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:54 MHz, 108 MHz; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:108 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S25FL064L; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 IC 64M FLASH MEMORY |
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S25FL512SAGMFA010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S25FL512S; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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IS43DR16320E-3DBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:209; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43DR16320E; 封装 / 箱体:BGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512M 32Mx16 333MHz DDR2 1.8V |
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AT24C04D-XHM-B |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tube; 系列:AT24C04D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-3.6V, 1MHz, Ind Tmp, 8-TSSOP |
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AT24C04D-MAHM-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AT24C04D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-3.6V, 1MHz, Ind Tmp, 8-UDFN |
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S25FL256LAGNFI010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Floating Gate; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256L; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 NOR |
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AS4C128M32MD2A-18BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:168; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C128M32MD2A-18; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:130 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.95 V; 访问时间:18 ns; 最大时钟频率:533 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:128 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:FBGA-134; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR2; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 4G 1.2V/1.8V 533MHz 128Mx32 Mobile DDR2 |
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M24C02-FMH6TG |
STMicroelectronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:M24C02-F; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:0.5 mA, 0.8 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:UFDFPN-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
电可擦除可编程只读存储器 MEMORY |
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47L04-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 系列:47L04; 封装:Tube; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
静态随机存取存储器 4k, 3.0V EERAM IND |
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AT24C08D-MAHM-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AT24C08D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-3.6V, 1MHz, Ind Tmp, 8-UDFN |
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S25FL064LABMFV010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:280; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Floating Gate; 速度:54 MHz, 108 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:108 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S25FL064L; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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IS25WP032D-JBLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tube; 系列:IS25WP032D; 封装 / 箱体:SOIC-Wide-8; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 32M QPI/QSPI, 8-pin SOP 208mil ET |
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AT25M01-SSHM-B |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tube; 系列:C/F; 封装 / 箱体:SOIC-8; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-5.5V, 20MHz, Ind Temp, 8-SOIC-N |
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IS25WP256D-RHLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:104 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:14 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:IS25WP256D; 封装 / 箱体:TFBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 256M 166MHz Serial Flash |
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IS42S32160F-6BLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS42S32160F; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:245 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:6 ns; 最大时钟频率:167 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:16 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:BGA-90; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器,512M,3.3V,RoHs 166MHz,16Mx32, IT |
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24CW160T-I/OT |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:24CW160; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SOT-23-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 16 Kbit I2C Serial 电可擦除可编程只读存储器 with Software Write Protection, Industrial Temp |
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GD25Q32CTIGR |
GigaDevice |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 速度:120 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:4 M x 8; 最大时钟频率:120 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:32 Mbit; 系列:GD25Q32C; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice; |
NOR闪存 32Mbit NOR闪存 /3.3V /SOP8 150mil /Industrial(-40 to +85 ) /T&R |
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GD25Q32CWIGR |
GigaDevice |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 速度:120 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:4 M x 8; 最大时钟频率:120 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:32 Mbit; 系列:GD25Q32C; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice; |
NOR闪存 32Mbit NOR闪存 /3.3V /WSON8 6*5mm /Industrial(-40 to +85 ) /T&R |
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IS25WP064A-JKLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:570; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 结构:Sector; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:13 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:IS25WP064A; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 64Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 5X6MM, RoHS |
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MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:960; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:NAND Flash; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:128 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 1G 128MX8 TSOP |
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MT25QU128ABA8E12-0SIT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1122; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:MT25QU; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 32MX4 TBGA |
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IS29GL128-70SLET |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NOR Flash; 商标:ISSI; 速度:70 ns; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:16 M x 8/8 M x 16; 最大时钟频率:-; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:IS29GL128; 封装 / 箱体:TSOP-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 128Mb, 56 pin TSOP, 3V, RoHS, Highest Sector Protected |
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W25Q16JLZPIG |
Winbond |
存储器 IC |
商标名:SpiFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 M x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:W25Q16JL; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Winbond; |
NOR闪存 spiFlash, 16M-bit, 4Kb Uniform Sector |
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MT41K128M8DA-107:J |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1440; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT41K; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR3 1G 128MX8 FBGA |
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SFEM008GB1EA1TO-I-GE-111-E04 |
Swissbit |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Swissbit; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:BGA-153; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:90 MB/s; 连续读取:250 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:8 GB; 系列:EM-26; RoHS:Y; 制造商:Swissbit; |
eMMC 4GB E-MMC PSLC EM-26 I-TEMP |
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S25FL064LABNFV010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:490; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:54 MHz, 108 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:108 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S25FL064L; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 IC 64 Mb FLASH MEMORY |
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IS43DR16320E-25DBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:209; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43DR16320E; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 最大时钟频率:400 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512M 32Mx16 400MHz DDR2 1.8V |
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IS62WVS2568GBLL-45NLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Fast Serial SRAM; 系列:IS62WVS2568GBLL; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:10 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Serial; 最大时钟频率:45 MHz; 组织:256 k x 8; 存储容量:2 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 2Mb 256Kx8 45MHz 2.2-3.6V Serial 静态随机存取存储器 |
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IS25LP080D-JBLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:133 MHz; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:1 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:8 Mbit; 系列:IS25LP080D; 封装 / 箱体:SOIC-Wide-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 8M QSPI, 8-pin SOIC 208mil ET |
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N24C64UVTG |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 封装 / 箱体:US-8; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 64KB I2C SER 电可擦除可编程只读存储器 |
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IS25WP016D-JNLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:17 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:IS25WP016D; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 16M SPI, 8-pin SOP 150mil ET 1.65-1.95V |
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IS25LP128F-JLLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 标准:Not Supported; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:166 MHz; 存储类型:NOR; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:13.5 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:IS25LP128F; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 128M 2.3-3.6V 166MHz Serial Flash |
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AT24C08D-XHM-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AT24C08D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-3.6V, 1MHz, Ind Tmp, 8-TSSOP |
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AT25PE16-SSHF-B |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
商标名:DataFlash-L; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:98; 标准:Not Supported; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 类型:No Boot Block; 速度:85 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 M x 8; 最大时钟频率:85 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:22 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:AT25PE16; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 16Mb 1.65V-3.6V SPI 85MHz IND TEMP |
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S25FL064LABMFA001 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:47; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:54 MHz, 108 MHz; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:108 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S25FL064L; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 IC 64 Mb FLASHMEM |
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S25FL064P0XMFB000 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Uniform; 速度:104 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:38 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S25FL064P; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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IS29GL256-70SLET |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:70 ns; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:32 M x 8/16 M x 16; 最大时钟频率:-; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:IS29GL256; 封装 / 箱体:TSOP-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 256Mb, 56 pin TSOP, 3V, RoHS, Highest Sector Protected |
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