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存储器 IC
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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
BR25G640FVT-3GE2 存储器 IC BR25G640FVT-3GE2 ROHM Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:8 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:SPI; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kB; 封装 / 箱体:TSSOP-B8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 电可擦除可编程只读存储器 SPI BUS 64k 1.6-5.5 Std TSSOP-B8
BR25G320F-3GE2 存储器 IC BR25G320F-3GE2 ROHM Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 工作电源电流:100 nA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:20 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:SPI; 组织:4 k x 8; 存储容量:32 kB; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 电可擦除可编程只读存储器 SPI BUS 32K 1.6-5.5 Std SOP8
GD25LQ40CEIGR 存储器 IC GD25LQ40CEIGR GigaDevice 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 速度:104 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 k x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:2.1 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:4 Mbit; 系列:GD25LQ40C; 封装 / 箱体:USON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice; NOR闪存 4Mbit NOR闪存 /1.8v /USON8 3*2*0.45mm /Industrial(-40 to +85 ) /T&R
AT25M01-SHM-B 存储器 IC AT25M01-SHM-B Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:95; 产品类型:EEPROM; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tube; 系列:C/F; 封装 / 箱体:SOIC-8; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 电可擦除可编程只读存储器 1.7-5.5V, 20MHz, Ind Temp, 8-SOIC-W
SST26WF064C-104I/MF 存储器 IC SST26WF064C-104I/MF Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:98; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 速度:104 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:SST26WF064C; 封装 / 箱体:WDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; NOR闪存 64Mbit 1.8V SQI flash
S25FS128SAGMFV100 存储器 IC S25FS128SAGMFV100 Cypress Semiconductor 存储器 IC 商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:280; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 定时类型:Synchronous; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S25FS128S; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 NOR
S25FL128SAGBHM200 存储器 IC S25FL128SAGBHM200 Cypress Semiconductor 存储器 IC 商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:133 MHz; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S25FL128S; 封装 / 箱体:BGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 IC 128 Mb FLASHMEM
S25FL256LAGMFB000 存储器 IC S25FL256LAGMFB000 Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Floating Gate; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 定时类型:Synchronous; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256L; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 Nor
AT34C04-X5M-B 存储器 IC AT34C04-X5M-B Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 工作电源电流:400 uA, 1.5 mA; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tube; 系列:AT34C04; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 20 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:1 mA, 3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 电可擦除可编程只读存储器 SPD S电可擦除可编程只读存储器, 4K, I2C, 1.7V, 8-TSSOP
24CW160-I/ST 存储器 IC 24CW160-I/ST Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 系列:24CW160; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 电可擦除可编程只读存储器 16 Kbit I2C Serial 电可擦除可编程只读存储器 with Software Write Protection, Industrial Temp
GD25Q40CSIGR 存储器 IC GD25Q40CSIGR GigaDevice 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 速度:120 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 k x 8; 最大时钟频率:120 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:4 Mbit; 系列:GD25Q40C; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice; NOR闪存 4Mbit NOR闪存 /3.3V /SOP8 208mil /Industrial(-40 to +85 ) /T&R
47C16-I/P 存储器 IC 47C16-I/P Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 产品类型:SRAM; 商标:Microchip Technology; 系列:47C16; 封装:Tube; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 静态随机存取存储器 16k, 5.0V EERAM IND
S25FL064LABNFM010 存储器 IC S25FL064LABNFM010 Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:490; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:54 MHz, 108 MHz; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:108 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S25FL064L; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 IC 64 Mb FLASH MEMORY
AS4C8M32SA-7BCN 存储器 IC AS4C8M32SA-7BCN Alliance Memory 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C8M32SA; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:260 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:143 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:8 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:TFBGA-90; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; 动态随机存取存储器 256Mb, 3.3V, 143Mhz 8M x 32 S动态随机存取存储器
IS29GL128-70DLEB 存储器 IC IS29GL128-70DLEB ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:260; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:70 ns; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:16 M x 8/8 M x 16; 最大时钟频率:-; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:IS29GL128; 封装 / 箱体:BGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; NOR闪存 128Mb, 64 Ball BGA(9X9mm), 3V, RoHS, Lowest Sector Protected
IS43TR16512B-107MBLI 存储器 IC IS43TR16512B-107MBLI ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43TR16512B; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:160 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:512 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 动态随机存取存储器 8G 512Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp
AT34C04-SS5M-T 存储器 IC AT34C04-SS5M-T Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 工作电源电流:400 uA, 1.5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT34C04; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 20 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:1 mA, 3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 电可擦除可编程只读存储器 1MHz, Extended Temp, 8-SOIC-N
24CW320T-I/OT 存储器 IC 24CW320T-I/OT Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:24CW320; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial; 组织:4 k x 8; 存储容量:32 kbit; 封装 / 箱体:SOT-23-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 电可擦除可编程只读存储器 32 Kbit I2C Serial 电可擦除可编程只读存储器 with Software Write Protection, Industrial Temp
S25FL064LABBHI030 存储器 IC S25FL064LABBHI030 Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Floating Gate; 速度:54 MHz, 108 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:108 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S25FL064L; 封装 / 箱体:BGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 Nor
GD25Q127CFIGR 存储器 IC GD25Q127CFIGR GigaDevice 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 速度:104 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:27 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:GD25Q127C; 封装 / 箱体:SOP-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice; NOR闪存 128Mbit NOR闪存 /3.3V /SOP16 300mil /Industrial(-40 to +85 ) /T&R
AS4C32M16D3-12BCN 存储器 IC AS4C32M16D3-12BCN Alliance Memory 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C32M16D3; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:195 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; 动态随机存取存储器 512M 1.5V 800Mhz 32M x 16 DDR3
IS25WP256D-JMLE 存储器 IC IS25WP256D-JMLE ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:44; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 结构:Sector; 速度:104 MHz; 存储类型:NOR; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:14 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:IS25WP256D; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; NOR闪存 256Mb QPI/QSPI, 16-pin SOP 300Mil, RoHS
AS4C64M16MD1A-5BIN 存储器 IC AS4C64M16MD1A-5BIN Alliance Memory 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:300; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C64M16MD1A; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:95 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 访问时间:5 ns; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:64 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR1; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; 动态随机存取存储器 1G 1.8V 64M x 16 Mobile DDR I-Temp
AT21CS11-MSH10-T 存储器 IC AT21CS11-MSH10-T Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT21CS01; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:4.5 V; 电源电压-最小:2.7 V; 最大时钟频率:125 kHz; 数据保留:100 Year; 访问时间:5 ms; 接口类型:I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:XSFN-2; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 电可擦除可编程只读存储器 2.7-4.5V, 125Kbps Ind Tmp, 2-XSFN
GD25D10CEIGR 存储器 IC GD25D10CEIGR GigaDevice 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 速度:80 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 k x 8; 最大时钟频率:80 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Mbit; 系列:GD25D10C; 封装 / 箱体:USON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice; NOR闪存 1Mbit NOR闪存 /3.3V /USON8 3*2*0.45mm /Industrial(-40 to +85 ) /T&R
47L04-E/P 存储器 IC 47L04-E/P Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 产品类型:SRAM; 商标:Microchip Technology; 系列:47L04; 封装:Tube; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 静态随机存取存储器 4k, 3.0V EERAM EXT
IS46DR16640B-3DBLA2 存储器 IC IS46DR16640B-3DBLA2 ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:209; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS46DR16640B; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 访问时间:450 ps; 最大时钟频率:333 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:64 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 动态随机存取存储器 1G (64Mx16) 333MHz 1.8v DDR2 S动态随机存取存储器
MT48LC64M8A2P-75:C 存储器 IC MT48LC64M8A2P-75:C Alliance Memory 存储器 IC 商标名:Micron; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:MT48LC; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:133 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:64 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; 动态随机存取存储器 512Mb, 3.3v, 133Mhz 64M x 8 SDR
W25Q64JVSSIQ TR 存储器 IC W25Q64JVSSIQ TR Winbond 存储器 IC 商标名:SpiFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:W25Q64JV; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Winbond; NOR闪存 spiFlash, 64M-bit, DTR, 4Kb Uniform Sector
S29GL032N90TFI040 存储器 IC S29GL032N90TFI040 Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress / Spansion; 结构:Sector; 速度:90 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:4 M x 8/2 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:32 Mbit; 系列:S29GL032N; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 32MB 2.7-3.6V 90ns Parallel NOR闪存
DS24B33+ 存储器 IC DS24B33+ Maxim Integrated 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.8 V to 5.25 V; 商标:Maxim Integrated; 封装:Tube; 系列:DS24B33; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.25 V; 电源电压-最小:2.8 V; 电源电流—最大值:2 mA; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 1-Wire, SDQ; 组织:256 x 16; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; 电可擦除可编程只读存储器 1-WIRE 4KB 电可擦除可编程只读存储器 W/200K WRITE/ERASE CYCLE
24LC1025T-I/SN 存储器 IC 24LC1025T-I/SN Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 电可擦除可编程只读存储器 1024K 128K X 8 2.5V
S25FL256SAGNFI001 存储器 IC S25FL256SAGNFI001 Cypress Semiconductor 存储器 IC 商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:82; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Eclipse; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256S; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 256Mb 3V 133MHz Serial NOR闪存
AT27C040-90PU 存储器 IC AT27C040-90PU Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:12; 产品类型:EPROM; 输出启用访问时间:35 ns; 工作电源电压:5 V; 商标:Microchip Technology / Atmel; 访问时间:70 ns; 封装:Tube; 系列:AT27C040; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 编程电压:13 V; 工作电源电流:100 uA; 接口类型:Parallel; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; 类型:OTP; 封装 / 箱体:PDIP-32; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 可擦除可编程ROM 4Mb (512Kx8) OTP 5V 90ns
MT25QL512ABB1EW9-0SIT TR 存储器 IC MT25QL512ABB1EW9-0SIT TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 标准:Not Supported; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:MT25QL; 封装 / 箱体:WDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 128MX4 WPDFN
MT25QL512ABB8E12-0SIT TR 存储器 IC MT25QL512ABB8E12-0SIT TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 标准:Not Supported; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:MT25QL; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 128MX4 TBGA
S25FL512SAGMFI011 存储器 IC S25FL512SAGMFI011 Cypress Semiconductor 存储器 IC 商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:47; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress / Spansion; 结构:Eclipse; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S25FL512S; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 512Mb 3V 133MHz Serial NOR闪存
MT48LC4M32B2P-6A IT:L TR 存储器 IC MT48LC4M32B2P-6A IT:L TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT48LC; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:120 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:167 MHz; 存储容量:128 Mbit; 组织:4 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:TSOP-86; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器 128M 4MX32 TSOP
MT41K256M16TW-107 AAT:P TR 存储器 IC MT41K256M16TW-107 AAT:P TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT41K; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:91 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 动态随机存取存储器 DDR3 4G 256MX16 FBGA
MT25QU01GBBB8E12-0SIT TR 存储器 IC MT25QU01GBBB8E12-0SIT TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 标准:Not Supported; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:MT25QU; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 256MX4 TBGA DDP
MT25QL01GBBB8E12-0SIT TR 存储器 IC MT25QL01GBBB8E12-0SIT TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 标准:Not Supported; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:MT25QL; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 256MX4 TBGA DDP
FM25V05-GTR 存储器 IC FM25V05-GTR Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:FRAM; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:FM25V05-G; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2 V; 组织:64 k x 8; 接口类型:SPI; 存储容量:512 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; F-RAM 512K (64KX8) 3.3V F-RAM
FM24V10-GTR 存储器 IC FM24V10-GTR Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:FRAM; 工作电源电压:2 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:FM24V10-G; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; F-RAM 1M (128Kx8) 2.0-3.6V F-RAM
FM25V10-G 存储器 IC FM25V10-G Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:194; 产品类型:FRAM; 工作电源电压:2 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tube; 系列:FM25V10-G; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2 V; 组织:128 k x 8; 接口类型:SPI; 存储容量:1 Mbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; F-RAM 1M (128Kx8) 2.0-3.6V F-RAM
MT47H128M16RT-25E:C TR 存储器 IC MT47H128M16RT-25E:C TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT47H; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:105 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 访问时间:400 ps; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 动态随机存取存储器 DDR2 2G 128MX16 FBGA
FM25V20A-GTR 存储器 IC FM25V20A-GTR Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:FRAM; 工作电源电压:2 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2 V; 组织:256 k x 8; 接口类型:SPI; 存储容量:2 Mbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; F-RAM 2Mb, 40Mhz, 256K x 8 SPI FRAM
FM25V20A-DG 存储器 IC FM25V20A-DG Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:148; 产品类型:FRAM; 工作电源电压:2 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2 V; 组织:256 k x 8; 接口类型:Serial, 4-Wire, SPI, SDI; 存储容量:2 Mbit; 封装 / 箱体:TDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; F-RAM 2Mb, 40Mhz, 256K x 8 SPI FRAM
FM1808B-SG 存储器 IC FM1808B-SG Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:FRAM; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tube; 系列:FM1808B-SG; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 组织:32 k x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-28; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; F-RAM 256Kb 70ns 32K x 8 Parallel FRAM
MT25QU02GCBB8E12-0SIT 存储器 IC MT25QU02GCBB8E12-0SIT Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1122; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:166 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:256 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:2 Gbit; 系列:MT25QU; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; NOR闪存 SERIAL NOR SLC 512MX4 TBGA QDP
MT25QL02GCBB8E12-0SIT 存储器 IC MT25QL02GCBB8E12-0SIT Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1122; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:256 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:94 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:2 Gbit; 系列:MT25QL; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; NOR闪存 SERIAL NOR SLC 512MX4 TBGA QDP
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