| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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IS46TR16128D-125KBLA2 |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS46TR16128D; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:188 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 访问时间:20 ns; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS |
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IS25WP512M-JLLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:17 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:IS25WP512M; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 512Mb 1.8V 80/133Mhz Serial NOR闪存 |
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IS25WP512M-RHLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:17 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:IS25WP512M; 封装 / 箱体:TFBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 512Mb 1.8V 80/133Mhz Serial NOR闪存 |
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AS4C256M8D2A-25BCN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:264; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C256M8D2A; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最大:1.8 V; 最大时钟频率:400 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:256 M x 8; 封装 / 箱体:FBGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 2Gb, 1.8V, 400Mhz 256M x 8 DDR2 |
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IS61WV20488FBLL-10BLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61WV20488FBLL; 封装 / 箱体:BGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:2 M x 8; 存储容量:16 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS |
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IS43TR85120B-125KBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR85120B; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:226 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 存储容量:4 Gbit; 组织:512 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:BGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (9mm x10.5mm) RoHS, IT |
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IS46TR16256B-125KBLA1 |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS46TR16256B; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:141 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS |
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IS46TR16256BL-107MBLA3 |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS46TR16256BL; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:149 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4Gb, 256Mx16, 1.35V, Automotive, A3 Range: ( 40 C = TC = 125 C), 1866MT/s, 96-ball BGA, Lead-free, DDR3L |
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IS25LP01G-RILE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 工作温度范围:- 40 C to + 105 C; 存储类型:Flash; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 最大时钟频率:80 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 系列:IS25LP01G; 封装 / 箱体:LFBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 1Gb QPI/QSPI, 24-ball LFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin |
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AS4C128M16D2A-25BAN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:209; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C128M16D2A-25; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:408 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 访问时间:400 ps; 最大时钟频率:400 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 2G 1.8V 128Mx16 400MHz DDR2 A-Temp |
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MT41K512M16HA-107 |
Alliance Memory |
存储器 IC |
商标名:Micron; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:MT41K; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:91 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:512 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 8G - monolithic die 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 933MHz DDR3-1866bps/pin Commercial (Extended) (0 95 C) 96-ball FBGA DDR3 |
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AS7C316098B-10BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS7C316098B-10; 存储类型:SRAM; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:120 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:1 M x 16; 存储容量:16 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 16M 1024Kx16 3.3V Fast Async 静态随机存取存储器 IT |
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AS4C64M16D1A-6BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C64M16D1A; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:180 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:2.7 V; 访问时间:700 ps; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:64 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 1G 64Mx16 166MHz 2.5V DDR1 IT |
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AS4C512M16D3LB-12BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C512M16D3LB-12; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:122 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 存储容量:8 Gbit; 组织:512 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 8G, DDR3L, 512M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, -40 C to 95 C |
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IS64WV204816BLL-12CTLA3 |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS64WV204816BLL; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:2 M x 16; 存储容量:32 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 32Mb,High-Speed-Automotive,Async,2048K x 16,12ns,2.4v-3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS, Automotive temp |
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AS4C512M16D3LA-10BCN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C512M16D3LA; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:62 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:512 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 8G 512Mx16 933MHz 1.35V DDR3 ET |
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AS4C512M16D3LA-10BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C512M16D3LA; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:62 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:512 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 8G 512Mx16 933MHz 1.35V DDR3 IT |
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AS4C1G8D3LA-10BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
商标名:AS4C1G8D3LA-10; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:220; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C1G8D3LA; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:125 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:1 G x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 8G 1Gx8 933MHz 1.35V DDR3 IT |
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24CW1280T-I/OT |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:24CW1280; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:I2C; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kB; 封装 / 箱体:SOT-23-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 128 Kbit I2C Serial 电可擦除可编程只读存储器 with Software Write Protection, Industrial Temp |
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AT25SF128A-SHB-T |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:22 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:AT25SF128A; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 128Mb, 133MHz, 8-SOIC-W, IND TEMP, 2.7-3.6V, T&R |
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AT24CM02-SSHM-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT24CM02; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 k x 8; 存储容量:2 Mbit; 封装 / 箱体:SOIC-Narrow-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-5.5V, 1MHz, Ind Tmp, 8-SOIC-N |
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AT24CM02-SSHD-B |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tube; 系列:AT24CM02; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 k x 8; 存储容量:2 Mbit; 封装 / 箱体:SOIC-Narrow-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2.5-5.5V, 1MHz, Ind Tmp, 8-SOIC-N |
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AT24CM02-SSHM-B |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tube; 系列:AT24CM02; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 k x 8; 存储容量:2 Mbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-5.5V, 1MHz, Ind Tmp, 8-SOIC-N |
![THGBMNG5D1LBAIT 存储器 IC]( "THGBMNG5D1LBAIT 存储器 IC") |
THGBMNG5D1LBAIT |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:168; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kioxia America; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
eMMC 4GB 15nm eMMC (EEPROM) |
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THGBMJG6C1LBAU7 |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Kioxia America; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 配置:MLC; 存储容量:8 GB; 系列:THGBM; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
eMMC 8GB eMMC 5.1 2D 15nm -40C to 105C |
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THGBMJG7C1LBAIL |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Kioxia America; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 配置:SLC; 存储容量:16 GB; 系列:THGBM; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
eMMC 16GB eMMC 5.1 2D 15nm -25C to 85C |
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THGBMJG7C2LBAU8 |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Kioxia America; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 配置:SLC; 存储容量:16 GB; 系列:THGBM; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
eMMC 16GB eMMC 5.1 2D 15nm -40C to 105C |
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MT40A256M16LY-062E AUT:F |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1080; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:61 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 4G 256MX16 FBGA |
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MT53E128M16D1DS-046 WT:A TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:MT53E; 最大时钟频率:2133 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - LPDDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 LPDDR4 2G 128MX16 FBGA |
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MT29F4G01ABBFD12-IT:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:1 bit; 组织:4 G x 1; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 4G 4GX1 TBGA |
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MT25QL128ABB1ESE-0AUT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1800; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:MT25QL; 封装 / 箱体:SOP2-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SERIAL NOR SLC 32MX4 SOIC |
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MT53E128M32D2DS-046 WT:A TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:MT53E; 最大时钟频率:2133 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:128 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - LPDDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 LPDDR4 4G 128MX32 FBGA DDP |
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MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:1 G x 8; 存储容量:8 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 8G 1GX8 TSOP DDP |
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MT29F8G01ADBFD12-IT:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:1 bit; 组织:8 G x 1; 接口类型:Parallel; 存储容量:8 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 8G 8GX1 TBGA DDP |
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MT53E256M16D1DS-046 AIT:B TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT53E; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.1 V; 最大时钟频率:2133 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:WFBGA-200; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 LPDDR4 4G 256MX16 FBGA |
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71321LA55PPGI8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:500; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 类型:High Speed Low Power Dual Port Static RAM; 系列:71321LA55; 存储类型:SRAM; 数据速率:16 bit; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TQFP-52; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:140 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:55 ns; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 2K x 8 Dual-Port RAM w/Int |
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MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:960; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:1 G x 8; 存储容量:8 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 8G 512MX8 TSOP |
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MT29F128G08CBCEBJ4-37ITR:E |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1120; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:533 MT/s; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous, Synchronous; 组织:16 G x 8; 存储容量:128 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VBGA-132; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 MLC 128G 16GX8 VBGA |
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MTFC4GLGDQ-AIT A |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:980; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:LBGA-100; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 配置:MLC; 存储容量:4 GB; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC MLC EMMC 32G |
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MTFC4GLGDM-AIT A |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1520; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:TFBGA-153; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 配置:MLC; 存储容量:4 GB; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC MLC EMMC 32G |
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MTFC4GLWDM-4M AAT A |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1520; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:TFBGA-153; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 配置:MLC; 存储容量:4 GB; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC MLC EMMC 32G |
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MT40A256M16LY-062E AAT:F |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1080; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 4G 256MX16 FBGA |
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SDINBDA6-32G-XA |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 封装:Tray; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 配置:TLC; 存储容量:32 GB; 系列:SDINBDA6; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC iNAND 7550 Automotive Wide Temp -40C+85C eMMC 5.1 HS400 |
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SDINBDA6-32G-ZA |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 封装:Tray; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 配置:TLC; 存储容量:32 GB; 系列:SDINBDA6; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC iNAND 7550 Automotive Extended -40C+105C eMMC 5.1 HS400 |
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7026L15JG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 类型:High Speed Low Power Dual Port Static RAM; 系列:7026L15; 存储类型:SRAM; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PLCC-84; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:285 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:15 ns; 组织:16 k x 16; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 |
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SDINBDA6-64G-XA |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 封装:Tray; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 配置:TLC; 存储容量:64 GB; 系列:SDINBDA6; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC iNAND 7550 Automotive Wide Temp -40C+85C eMMC 5.1 HS400 |
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THGAMRT0T43BAIR |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Kioxia America; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 配置:SLC; 存储容量:128 GB; 系列:THGAM; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
eMMC 128GB eMMC 5.1 3D BiCS -25C to 85C |
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70V9289L9PFGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:45; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 类型:High Speed 3.3 V Low Power Synchronous Dual Port Static RAM; 系列:70V9289L9; 存储类型:SRAM; 数据速率:32 bit; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:240 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 最大时钟频率:100 MHz; 访问时间:9 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 64K x 16 Sync, 3.3V Dual-Port Ram, Pipelined/Flow-Through |
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SDINBDA6-256G-XA |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 封装:Tray; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1.2 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 配置:TLC; 存储容量:256 GB; 系列:SDINBDA6; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC iNAND 7550 Automotive Wide Temp -40C+85C eMMC 5.1 HS400 |
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IS25WP080D-JULE-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 工作温度范围:- 40 C to + 125 C; 存储类型:Flash; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:10 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 系列:IS25WP080D; 封装 / 箱体:USON-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 8Mb QSPI, 8-pin USON 2x3mm, RoHS, T&R |
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